本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域，具體地，涉及一種存儲(chǔ)器、NOR閃存存儲(chǔ)器和為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路。

背景技術(shù)：

目前，在對(duì)存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作時(shí)，通常都是通過圖1所示的電路來(lái)向存儲(chǔ)器的選定行單元的柵極端(也即字線WL)施加讀操作所需的電壓，即V_wl。圖1所示電路的缺點(diǎn)是所施加的電壓V_wl不穩(wěn)定。

為了使施加到選定行單元的字線上的電壓穩(wěn)定，通常在存儲(chǔ)單元的字線上增加一個(gè)接地大電容C1，如圖2所示。然而，增加大電容C1，雖然解決了電壓穩(wěn)定的問題，卻會(huì)大大增加選定行單元的字線電壓的上電時(shí)間，即字線WL的電壓從0上升到存儲(chǔ)器讀操作所需電壓(通常在5V左右)所要花費(fèi)的時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種存儲(chǔ)器、NOR閃存存儲(chǔ)器及為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路，其既能夠使存儲(chǔ)器的選定行單元的字線上的電壓更穩(wěn)定，又能夠使存儲(chǔ)器的選定行單元的字線的電壓快速上升到存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路，該電路包括電荷泵、穩(wěn)壓模塊、電荷存儲(chǔ)元件和反相器，其中：所述反相器的輸入端用于接收邏輯電平信號(hào)，所述反相器的輸出端連接到所述電荷存儲(chǔ)元件的一端，所述電荷存儲(chǔ)元件的另一端連接到所述選定行單元的字線上；以及所述電荷泵的輸出端連接到所述穩(wěn)壓模塊的輸入端，所述穩(wěn)壓模塊的輸出端連接到所述選定行單元的字線上。

優(yōu)選地，所述電荷泵的輸出端連接到所述選定行單元的字線上，而且所述穩(wěn)壓模塊包括第一電阻器、第二電阻器、放大器和半導(dǎo)體開關(guān)，其中：所述第一電阻器一端接地、另一端連接到所述第二電阻器，所述第二電阻器的另一端連接到所述選定行單元的字線；所述放大器的一個(gè)輸入端接收參考電壓，另一輸入端連接到所述第一電阻器和所述第二電阻器的公共端；所述放大器的輸出端連接到所述半導(dǎo)體開關(guān)的柵極；以及所述半導(dǎo)體開關(guān)的漏極連接到所述選定行單元的字線，所述半導(dǎo)體開關(guān)的源極接地。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體開關(guān)為MOSFET。

優(yōu)選地，所述電荷存儲(chǔ)元件是電容器。

優(yōu)選地，所述邏輯電平信號(hào)的高電平大于零且小于等于所述存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓。

本實(shí)用新型還提供一種存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器包括上面描述的電路。

本實(shí)用新型還提供一種NOR閃存存儲(chǔ)器，該NOR閃存存儲(chǔ)器包括上面描述的電路。

通過上述技術(shù)方案，由于根據(jù)本實(shí)用新型的電路中的反相器的輸入端用于接收邏輯電平信號(hào)，所述反相器的輸出端連接到所述電荷存儲(chǔ)元件的一端，所述電荷存儲(chǔ)元件的另一端連接到所述選定行單元的字線上，因此在存儲(chǔ)器執(zhí)行讀操作時(shí)，通過使反相器輸入端的邏輯電平信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，能夠使反相器的輸出端產(chǎn)生一個(gè)上升沿信號(hào)，并通過電荷存儲(chǔ)元件使存儲(chǔ)器的選定行單元的字線電壓瞬間上升到存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓，而電荷泵和穩(wěn)壓模塊則能夠起到對(duì)上述電壓進(jìn)行穩(wěn)壓的作用，因此，本實(shí)用新型既能夠使存儲(chǔ)器的選定行單元的字線上的電壓更穩(wěn)定，又能夠使存儲(chǔ)器的選定行單元的字線的電壓快速上升到存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的另一電路圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路圖；以及

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型又一實(shí)施方式的為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

需要指出的是，除非特別說明，當(dāng)下文中提及時(shí)，術(shù)語(yǔ)“電荷存儲(chǔ)元件”指任意可以實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)的裝置，例如可以為電容等；當(dāng)下文中提及時(shí)，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體開關(guān)”指的是可以通過電信號(hào)實(shí)現(xiàn)通斷控制的開關(guān)，例如MOSFET晶體管、雙極型三極管等。

本實(shí)用新型提供一種為存儲(chǔ)器的選定行單元提供讀操作所需電壓的電路，如圖3所示，該電路可以包括電荷泵100、穩(wěn)壓模塊200、電荷存儲(chǔ)元件C0和反相器INV1，其中：所述反相器INV1的輸入端用于接收邏輯電平信號(hào)CSb，所述反相器INV1的輸出端連接到所述電荷存儲(chǔ)元件C0的一端，所述電荷存儲(chǔ)元件C0的另一端連接到所述選定行單元的字線WL上；以及所述電荷泵的輸出端連接到所述穩(wěn)壓模塊的輸入端，所述穩(wěn)壓模塊的輸出端連接到所述選定行單元的字線WL上。

以下描述一下圖3所示根據(jù)本實(shí)用新型的電路的工作原理。

當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器的選定行單元執(zhí)行讀操作時(shí)，例如假設(shè)字線WL0,...,WLN中的WL1被選定時(shí)，反相器INV1的輸入端的邏輯電平信號(hào)CSb被切換成低電平，然后反相器INV1輸出高電平的邏輯信號(hào)CLKA，并通過電荷存儲(chǔ)元件C0使選定行單元的字線上的電壓V_wl瞬間上升到存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓，電荷泵100和穩(wěn)壓電路200則用于維持該電壓V_wl。由于在對(duì)選定行單元執(zhí)行讀操作時(shí)，反相器INV1輸出的是高電平，因此電荷泵100不需要輸出很高的電壓即可滿足選定行單元讀操作的要求，因此這能夠顯著減小電荷泵的面積，從而降低存儲(chǔ)器芯片的成本，減小存儲(chǔ)器芯片的功耗。另外，在維持選定行單元讀操作所需電壓期間，電荷存儲(chǔ)元件C0還可以起到濾波的作用，從而能夠減小選定行單元的字線電壓的紋波，使選定行單元的字線上的電位V_wl更穩(wěn)定。另外，因存儲(chǔ)器的每一根字線WL上有一個(gè)約10^－1PF級(jí)的寄生電容，因此在字線WL切換的時(shí)候，由于有電荷存儲(chǔ)元件C0的存在，電壓損失很小，可以忽略不計(jì)。

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，如圖4所示，所述電荷泵100的輸出端連接到所述選定行單元的字線(例如WL0)上，而且所述穩(wěn)壓模塊100包括第一電阻器R1、第二電阻器R2、放大器AM1和半導(dǎo)體開關(guān)M1，其中：所述第一電阻器R1一端接地、另一端連接到所述第二電阻器R2，所述第二電阻器R2的另一端連接到所述選定行單元的字線上；所述放大器AM1的一個(gè)輸入端接收參考電壓Vref，另一輸入端連接到所述第一電阻器R1和所述第二電阻器R2的公共端；所述放大器AM1的輸出端連接到所述半導(dǎo)體開關(guān)M1的柵極；以及所述半導(dǎo)體開關(guān)M1的漏極連接到所述選定行單元的字線上，所述半導(dǎo)體開關(guān)M1的源極接地。通過該穩(wěn)壓模塊200，就能夠?qū)﹄姾杀?00的輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)壓。

其中，在圖4所示的電路中，所述半導(dǎo)體開關(guān)M1可以為MOSFET。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，圖4所示的穩(wěn)壓模塊200僅是示例。實(shí)際上，本實(shí)用新型不對(duì)穩(wěn)壓模塊200的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限制，任何能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)壓功能的電路結(jié)構(gòu)均能夠滿足本實(shí)用新型的要求。

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述電荷存儲(chǔ)元件C0可以是電容器，例如電荷存儲(chǔ)元件可以是單個(gè)電容器，還可以是多個(gè)電容器的并聯(lián)形式。

在根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述邏輯電平信號(hào)CSb的高電平優(yōu)選大于零且小于等于所述存儲(chǔ)器讀操作所需的電壓。這樣，就能夠在電荷泵100不需要輸出很高電壓的情況下滿足選定行單元的讀操作電壓的要求，這能夠減小電荷泵100的芯片面積，進(jìn)而減小存儲(chǔ)器的芯片面積和功耗。

本實(shí)用新型不對(duì)放大器AM1的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限制，任何能夠?qū)崿F(xiàn)放大功能的放大器電路結(jié)構(gòu)均能夠滿足本實(shí)用新型的要求。

本實(shí)用新型也不對(duì)電荷泵100的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限制，任何能夠?qū)崿F(xiàn)升壓功能的電路均能夠滿足本實(shí)用新型對(duì)電荷泵的要求。

本實(shí)用新型還提供一種存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器可以包括如上描述的根據(jù)本實(shí)用新型的電路。根據(jù)本實(shí)用新型的存儲(chǔ)器可以是NOR閃存存儲(chǔ)器、NAND閃存存儲(chǔ)器或其他類型的存儲(chǔ)器。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。