一種存儲(chǔ)單元的擦除方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，該方法包括：根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元的擦除方法，通過(guò)隨著擦除次數(shù)的增加不斷增大擦除電壓的脈沖寬度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)單元的快速擦除，提高了擦除速度。
【專利說(shuō)明】
一種存儲(chǔ)單元的擦除方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種存儲(chǔ)單元的擦除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]非易失閃存介質(zhì)(norflash/nand flash)是一種很常見(jiàn)的存儲(chǔ)芯片，兼有隨機(jī)存儲(chǔ)器(Random Access Memory，RAM)和只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory，ROM)的優(yōu)點(diǎn)，數(shù)據(jù)掉電不會(huì)丟失，是一種可在系統(tǒng)進(jìn)行電擦寫的存儲(chǔ)器，同時(shí)它的高集成度和低成本使它成為市場(chǎng)主流。Flash芯片是由內(nèi)部成千上萬(wàn)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)儲(chǔ)存單元存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，多個(gè)存儲(chǔ)單元構(gòu)成頁(yè)，多個(gè)頁(yè)組成塊，正是由于該特殊的物理結(jié)構(gòu)，在nor flash/nandflash中是以頁(yè)為單位進(jìn)行讀/寫(擦除操作)數(shù)據(jù)，以塊為單位進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)的。
[0003]在Flash芯片中，一個(gè)存儲(chǔ)單元可看作為一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。圖1是一種常見(jiàn)的MOSFET結(jié)構(gòu)圖，包括柵極20、源極21、漏極22、P型阱23、N型阱25、P型硅半導(dǎo)體襯底26以及隧穿氧化層24，其相互間的連接為:P型硅半導(dǎo)體襯底26擴(kuò)散出兩個(gè)N型區(qū)，P型阱23上方覆蓋一層隧穿氧化層24，最后在N型區(qū)上方通過(guò)腐蝕的方法做成兩個(gè)孔，通過(guò)金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個(gè)孔內(nèi)做成三個(gè)電極:柵極20、源極21和漏極22，源極21和漏極22分別對(duì)應(yīng)兩個(gè)N型區(qū)且柵極20為存儲(chǔ)單元的字線，漏極22為存儲(chǔ)單元的位線。進(jìn)一步的，柵極20又包括控制柵極201、多晶娃層間電介質(zhì)202(Inter-Poly Dielectric，IPD)、浮動(dòng)?xùn)艠O203，且浮動(dòng)?xùn)艠O203可以存儲(chǔ)電荷。當(dāng)對(duì)一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作時(shí)，分別給柵極20以及P型阱23施加相應(yīng)的擦除電壓，當(dāng)P型阱23的電子達(dá)到一定數(shù)量時(shí)，此存儲(chǔ)單元就被擦除成功，即此存儲(chǔ)單元被成功寫I。但是，由于Flash芯片制作工藝的問(wèn)題，會(huì)有一些存儲(chǔ)單元很難被擦除，現(xiàn)有的解決方法是:為了保證擦除的正確性，增加擦除次數(shù)，但是卻以犧牲擦除速度為代價(jià)。
[0004]因此，有必要設(shè)計(jì)一種新的存儲(chǔ)單元的擦除方法，以提高擦除速度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，以提高擦除速度。該方法包括:
[0006]根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作；
[0007]對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。
[0008]進(jìn)一步地，所述增大擦除電壓的脈沖寬度，包括:
[0009]所述擦除電壓的脈沖寬度依據(jù)如下公式進(jìn)行增大:
[0010]Ti = T0+(N-l)*A t
[0011]其中，T1表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第i次擦除時(shí)對(duì)應(yīng)的擦除電壓的脈沖寬度，TO表示擦除電壓的初始脈沖寬度，N表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除的次數(shù)，A t表示脈沖寬度的增加量。
[0012]進(jìn)一步地，在增大擦除電壓的脈沖寬度之前，還包括:
[0013]通過(guò)擦除計(jì)數(shù)器對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)；
[0014]判斷所述擦除失敗次數(shù)是否為預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)，若是，則結(jié)束擦除操作，否則執(zhí)行增大擦除電壓的脈沖寬度的操作。
[0015]優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)為小于或者等于2000的正整數(shù)。
[0016]進(jìn)一步地，在對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功后，還包括:
[0017]判斷所述當(dāng)前擦除塊地址是否為最后的擦除塊地址，若是則退出擦除操作，否則更改所述當(dāng)前擦除塊地址，繼續(xù)對(duì)其他的擦除塊進(jìn)行擦除操作，并進(jìn)行擦除校驗(yàn)，直至所有的存儲(chǔ)單元完成擦除操作。
[0018]示例性地，所述擦除操作包括:
[0019]分別向所述存儲(chǔ)單元的柵極和P阱施加擦除電壓。
[0020]示例性地，向所述存儲(chǔ)單元的柵極施加的擦除電壓范圍為-7V到-10V，向所述存儲(chǔ)單元的P阱施加的擦除電壓范圍為6V到10V。
[0021]示例性地，所述檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，具體為:
[0022]檢測(cè)從存儲(chǔ)單元的源極流向漏極的電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值，若是，則所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)為已經(jīng)擦除成功。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，首先根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，接著對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。在對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一次擦除操作后，如果沒(méi)有擦除成功，則再對(duì)其進(jìn)行擦除時(shí)增加擦除電壓的脈沖寬度，通過(guò)隨著擦除次數(shù)的增加不斷增大擦除電壓的脈沖寬度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)單元的快速擦除，提高了擦除速度。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是Flash芯片中一種作為存儲(chǔ)單元的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的結(jié)構(gòu)圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三中的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。
[0029]實(shí)施例一
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖，本實(shí)施例可適用于對(duì)一些很難被擦除成功的存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作。參見(jiàn)圖2，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元的擦除方法具體包括如下步驟:
[0031]S110、根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作。
[0032]在本實(shí)施例中，所述當(dāng)前擦除塊具體可為flash存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列中需要進(jìn)行擦除操作的一個(gè)存儲(chǔ)單元塊。每個(gè)flash存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元陣列由多個(gè)存儲(chǔ)單元塊組成，所述存儲(chǔ)單元塊由多個(gè)存儲(chǔ)單元頁(yè)組成，所述存儲(chǔ)單元頁(yè)由多個(gè)存儲(chǔ)單元以行列連接組成。在一個(gè)存儲(chǔ)單元頁(yè)中，每行由多個(gè)存儲(chǔ)單元以字線連接，每列由多個(gè)存儲(chǔ)單元以位線連接，且一個(gè)存儲(chǔ)單元頁(yè)共享一根字線，一個(gè)存儲(chǔ)單元塊共享一根位線，即一個(gè)存儲(chǔ)單元塊中所有存儲(chǔ)單元的P阱是連在一起的。flash存儲(chǔ)器的特殊物理結(jié)構(gòu)決定了所述擦除操作須以存儲(chǔ)單元塊為單位進(jìn)行。
[0033]通過(guò)編寫程序代碼可以控制flash存儲(chǔ)器進(jìn)行三大主要操作，分別是讀操作、寫操作和擦除操作，其中擦除操作具體是完成對(duì)存儲(chǔ)單元的寫I操作。對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作的基本原理是通過(guò)分別給存儲(chǔ)單元的柵極以及P阱施加相應(yīng)的擦除電壓，施加所述擦除電壓后會(huì)有電流從源極流向漏極，電子從漏極流向源極的途中，會(huì)有一部分流向P阱，當(dāng)P阱中的電子達(dá)到一定數(shù)量時(shí)，此存儲(chǔ)單元就被擦除成功，即此存儲(chǔ)單元被成功寫I。擦除操作的實(shí)質(zhì)是通過(guò)在存儲(chǔ)單元的P阱積累一定量的電子，從而將存儲(chǔ)單元的閾值電壓拉低到設(shè)定值，完成存儲(chǔ)單元的擦除操作。存儲(chǔ)單元的具體結(jié)構(gòu)可以參見(jiàn)圖1所示的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]示例性地，所述擦除操作具體可以是分別向所述存儲(chǔ)單元的柵極和P阱施加擦除電壓。典型地，向所述存儲(chǔ)單元的柵極施加的擦除電壓可以是-7V到-1OV之間的任意數(shù)值，向所述存儲(chǔ)單元的P阱施加的擦除電壓可以是6V到1V之間的任意數(shù)值。本領(lǐng)域技術(shù)人員都知道，施加到存儲(chǔ)單元的柵極上的電壓范圍-7V到-10V-以及施加到存儲(chǔ)單元的P講上的電壓范圍6V到1V是優(yōu)選的典型數(shù)值范圍，并不對(duì)其進(jìn)行限定。
[0035]SI 20、對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則執(zhí)行步驟S130結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則執(zhí)行步驟S140、增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。
[0036]其中，對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)的實(shí)質(zhì)是對(duì)所述存儲(chǔ)單元進(jìn)行一次讀操作，更具體地可以理解為檢驗(yàn)從所述存儲(chǔ)單元中讀出的數(shù)值是否為1，如果為I則說(shuō)明所述存儲(chǔ)單元已經(jīng)擦除成功，否則失敗，需要再次進(jìn)行擦除操作。需要說(shuō)明的是，對(duì)flash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作是以一個(gè)存儲(chǔ)單元塊為單位進(jìn)行，所述存儲(chǔ)單元塊中的多個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)同時(shí)被擦除，但是每完成一次擦除操作后，需要對(duì)所述塊中的多個(gè)存儲(chǔ)單元分別進(jìn)行擦除校驗(yàn)，以檢驗(yàn)每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功。
[0037]示例性地，所述檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，具體為:
[0038]檢測(cè)從存儲(chǔ)單元的源極流向漏極的電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值，若是，則所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)為已經(jīng)擦除成功。此時(shí)認(rèn)為存儲(chǔ)單元的P阱上已經(jīng)有充足的電子，此時(shí)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)為I。優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)電流值可以為20μΑ或者30μΑ，當(dāng)然還可以是其他數(shù)值，需要根據(jù)各flash芯片的制作工藝的不同而變化。
[0039]當(dāng)遇到擦除塊地址對(duì)應(yīng)的某存儲(chǔ)單元擦除失敗的時(shí)候，傳統(tǒng)的擦除方法是通過(guò)增加擦除次數(shù)來(lái)保證該存儲(chǔ)單元擦除成功，但是卻犧牲了擦除速度。本實(shí)施例的技術(shù)方案針對(duì)此種情況的做法是，當(dāng)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中存在擦除失敗的存儲(chǔ)單元時(shí)，即擦除校驗(yàn)不通過(guò)，再對(duì)該擦除塊對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二次擦除操作時(shí)增大擦除電壓的脈沖寬度，當(dāng)經(jīng)過(guò)第二次擦除操作后，進(jìn)行擦除校驗(yàn)時(shí)，所述擦除塊對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元還是存在擦除校驗(yàn)不通過(guò)的存儲(chǔ)單元，則繼續(xù)增大擦除電壓的脈沖寬度，即使所述擦除電壓的脈沖寬度隨著擦除次數(shù)的增加而不斷增加。
[0040]典型地，每次增加的擦除電壓的脈沖寬度可以是0.5ys，所述擦除電壓的脈沖寬度增加后，從源極流向漏極的電流的持續(xù)時(shí)間會(huì)增加，相應(yīng)地，會(huì)有更多的時(shí)間讓電子從漏極流向源極的途中流向P阱，P阱中的電子會(huì)更快地達(dá)到設(shè)定數(shù)量，進(jìn)而所述存儲(chǔ)單元會(huì)更快地擦除成功，提高擦除速度。
[0041 ] S130、結(jié)束當(dāng)前擦除操作。
[0042]S140、增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，首先根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，接著對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。在對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一次擦除操作后，如果沒(méi)有擦除成功，則再對(duì)其進(jìn)行擦除時(shí)增加擦除電壓的脈沖寬度，通過(guò)隨著擦除次數(shù)的增加不斷增大擦除電壓的脈沖寬度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)存儲(chǔ)單元的快速擦除，提高了擦除速度。
[0044]實(shí)施例二
[0045]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖，本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，在增大擦除電壓的脈沖寬度之前，增加了:通過(guò)擦除計(jì)數(shù)器對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)的操作，這樣優(yōu)化的好處是，避免了對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行無(wú)限制地擦除操作，使整個(gè)程序陷入死循環(huán)。參見(jiàn)圖3，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元的擦除方法具體包括如下步驟:
[0046]S210、根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作。
[0047]S220、對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功。
[0048]S230、若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作。
[0049]S240、否則，通過(guò)擦除計(jì)數(shù)器對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)。
[0050]上述操作主要是針對(duì)當(dāng)一個(gè)存儲(chǔ)單元經(jīng)過(guò)多次擦除操作仍然沒(méi)有通過(guò)擦除校驗(yàn)的情況，為了防止程序進(jìn)入“擦除-擦除校驗(yàn)-擦除”的死循環(huán)中，設(shè)置擦除計(jì)數(shù)器對(duì)擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)，具體是指對(duì)當(dāng)前擦除塊擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
[0051]S250、判斷所述擦除失敗次數(shù)是否為預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)，若是，則返回步驟S230結(jié)束擦除操作。
[0052]為每個(gè)擦除塊設(shè)定一個(gè)允許擦除失敗的次數(shù)，當(dāng)對(duì)某擦除塊的擦除失敗次數(shù)達(dá)到所述允許擦除失敗的次數(shù)時(shí)，此時(shí)則強(qiáng)制退出擦除操作，不再對(duì)該擦除塊進(jìn)行擦除操作，繼續(xù)對(duì)擦除區(qū)域內(nèi)沒(méi)有進(jìn)行擦除操作的其他擦除塊進(jìn)行擦除操作。典型地，所述預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)為小于或者等于2000的正整數(shù)。當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，所述預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)并不限于某一個(gè)或者某一些固定數(shù)值，需要根據(jù)實(shí)際操作情況以及flash芯片的制作工藝選定合適的數(shù)值。
[0053]S260、否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行步驟S210，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。
[0054]示例性地，所述增大擦除電壓的脈沖寬度，具體可以包括:
[0055]所述擦除電壓的脈沖寬度依據(jù)如下公式進(jìn)行增大:
[0056]Τι = Τ0+(Ν-1)*Δ t
[0057]其中，T1表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第i次擦除時(shí)對(duì)應(yīng)的擦除電壓的脈沖寬度，TO表示擦除電壓的初始脈沖寬度，N表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除的次數(shù)，A t表示脈沖寬度的增加量。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，在增大擦除電壓的脈沖寬度之前，通過(guò)擦除計(jì)數(shù)器對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)，并判斷所述擦除失敗次數(shù)是否為預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)，若是，則結(jié)束擦除操作，否則執(zhí)行增大擦除電壓的脈沖寬度的操作，繼續(xù)對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作，直到擦除成功。通過(guò)設(shè)置擦除計(jì)數(shù)器，實(shí)現(xiàn)了防止程序進(jìn)入“擦除-擦除校驗(yàn)-擦除”的死循環(huán)。
[0059]實(shí)施例三
[0060]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法流程圖，本實(shí)施例在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，增加了判斷所述當(dāng)前擦除塊地址是否為最后的擦除塊地址的操作，這樣優(yōu)化的好處是，可以快速地完成對(duì)整個(gè)擦除區(qū)域的擦除操作。參見(jiàn)圖4，本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元的擦除方法具體包括如下步驟:
[0061]S310、根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作。
[0062]S320、對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是則執(zhí)行步驟S330，否則執(zhí)行步驟S360。
[0063]S330、判斷所述當(dāng)前擦除塊地址是否為最后的擦除塊地址，若是，則執(zhí)行步驟S340，否則執(zhí)行步驟S350。
[0064]S340、結(jié)束當(dāng)前擦除操作。
[0065]S350、更改所述當(dāng)前擦除塊地址，并返回執(zhí)行步驟S310，繼續(xù)對(duì)新的擦除塊進(jìn)行擦除操作時(shí)。
[0066]S360、增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行步驟S310，直至擦除成功。
[0067]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上，當(dāng)檢驗(yàn)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功時(shí)，判斷所述當(dāng)前擦除塊地址是否為最后的擦除塊地址，若是則退出擦除操作，否則更改所述當(dāng)前擦除塊地址，繼續(xù)對(duì)其他的擦除塊進(jìn)行擦除操作，并進(jìn)行擦除校驗(yàn)，直至擦除區(qū)域內(nèi)所有的擦除塊完成擦除操作。實(shí)現(xiàn)了可以快速地完成對(duì)整個(gè)擦除區(qū)域的擦除操作。
[0068]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)單元的擦除方法，其特征在于，包括: 根據(jù)擦除指令對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除操作； 對(duì)所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除校驗(yàn)，檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，若是，則結(jié)束當(dāng)前擦除操作，否則增大擦除電壓的脈沖寬度，并返回執(zhí)行所述對(duì)當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的擦除操作，直至所述擦除塊地址對(duì)應(yīng)的每一個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述增大擦除電壓的脈沖寬度，包括: 所述擦除電壓的脈沖寬度依據(jù)如下公式進(jìn)行增大: Ti = TO+(N-l)*At 其中，T1表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第i次擦除時(shí)對(duì)應(yīng)的擦除電壓的脈沖寬度，TO表示擦除電壓的初始脈沖寬度，N表示對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行擦除的次數(shù)，A t表示脈沖寬度的增加量。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在增大擦除電壓的脈沖寬度之前，還包括: 通過(guò)擦除計(jì)數(shù)器對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除失敗的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)； 判斷所述擦除失敗次數(shù)是否為預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)，若是，則結(jié)束擦除操作，否則執(zhí)行增大擦除電壓的脈沖寬度的操作。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)擦除失敗次數(shù)為小于或者等于2000的正整數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述當(dāng)前擦除塊地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)存儲(chǔ)單元擦除成功后，還包括: 判斷所述當(dāng)前擦除塊地址是否為最后的擦除塊地址，若是則退出擦除操作，否則更改所述當(dāng)前擦除塊地址，繼續(xù)對(duì)其他的擦除塊進(jìn)行擦除操作，并進(jìn)行擦除校驗(yàn)，直至所有的存儲(chǔ)單元完成擦除操作。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述擦除操作包括: 分別向所述存儲(chǔ)單元的柵極和P阱施加擦除電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，向所述存儲(chǔ)單元的柵極施加的擦除電壓范圍為-7V到-10V，向所述存儲(chǔ)單元的P阱施加的擦除電壓范圍為6V到10V。8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述檢驗(yàn)所述每一個(gè)存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)是否為已經(jīng)擦除成功，具體為: 檢測(cè)從存儲(chǔ)單元的源極流向漏極的電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值，若是，則所述存儲(chǔ)單元的當(dāng)前狀態(tài)為已經(jīng)擦除成功。
【文檔編號(hào)】G11C16/16GK105976867SQ201610529412
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年7月6日
【發(fā)明人】潘榮華, 薛子恒
【申請(qǐng)人】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司