專利名稱：一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于存儲技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
閃存按照其內(nèi)部構(gòu)架可以分為單層單元閃存，每個單元(cell)中存儲1個位 (bit)的信息；多層單元閃存，每個單元(cell)至少存儲2個位(bit)信息，其中，多層單元閃存包括2bit/cell、;3bit/cell以及以后出現(xiàn)的更多位元的閃存。單層單元閃存的數(shù)據(jù)寫入是通過對浮柵的電荷加電壓，經(jīng)過源極將所存儲的電荷消除，通過這樣的方式，以存儲一個信息位(1代表消除，0代表寫入)。而多層單元閃存則是在浮柵中使用不同程度的電荷，因此能在單一晶體管中存儲多個位的信息，并通過單元的寫入與感應(yīng)的控制，在單一晶體管中產(chǎn)生多種狀態(tài)，對于單層單元閃存及多層單元閃存而言，同樣容量的單元要存儲1位與存儲多位的穩(wěn)定度和復(fù)雜度不同，單層單元閃存比多層單元閃存穩(wěn)定，且單層單元閃存寫入速度較快。從數(shù)據(jù)存儲機制方面看，閃存內(nèi)部包含多個存儲塊，每個存儲塊由多個頁構(gòu)成。單層單元閃存的所有頁都是快速且穩(wěn)定可靠的，而多層單元閃存的塊內(nèi)只有一部分頁是快速且穩(wěn)定可靠的，結(jié)構(gòu)跟單層單元閃存內(nèi)的頁類似。 例如，以2bit/cell的閃存為例，一個單元包含兩個位(0，1位)，0位稱為最低有效位，1位稱為非最低有效位，可產(chǎn)生四種狀態(tài)(00，01，11，10)，以寫入塊內(nèi)不同的頁內(nèi)，其中，每個單元的兩位分別寫入塊的最低有效位頁和非最低有效位頁內(nèi)，其中最低有效位頁為快速且穩(wěn)定可靠的頁，并且同一型號的閃存其最低有效位頁在所有的塊內(nèi)的分布都是一樣的。同理， 3bit/cell的閃存，一個單元包含3個位(0，1，2位)，其中0位稱為最低有效位，1和2位稱為非最低有效位，其中寫入0位的頁為最低有效位頁，寫入1位和2位的頁為非最低有效位頁。以下，用最低有效位頁來描述多層單元閃存中快速且穩(wěn)定可靠的頁，用非最低有效位頁來描述多層單元閃存中其它頁?，F(xiàn)有技術(shù)中用戶獲得最低有效位頁的方式是通過閃存廠商提供的每個閃存型號相應(yīng)的數(shù)據(jù)資料獲得，現(xiàn)有技術(shù)的缺點是可能由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置，如無法獲得閃存的數(shù)據(jù)資料、閃存的數(shù)據(jù)資料中沒有標明存儲塊中最低有效位頁的位置以及已獲得的閃存的數(shù)據(jù)資料丟失等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中可能由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置。本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，所述方法包括下述步驟步驟①，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，所述數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；步驟②，根據(jù)所述接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；步驟③，按照所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。本發(fā)明實施例還提供了一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括指令接收單元，用于接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，所述數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；數(shù)據(jù)操作時間測定單元，用于根據(jù)所述接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；最低有效位頁尋找單元，用于按照所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在本發(fā)明實施例中，當由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置時，通過測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間，根據(jù)測定的數(shù)據(jù)操作時間方便的確定多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的位置。此外，該方法實現(xiàn)簡單，用戶可以根據(jù)最低有效位頁的信息更好的利用多層單元閃存，實現(xiàn)多層單元閃存的最優(yōu)性能。


圖1是本發(fā)明第一實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法的實現(xiàn)流程圖；圖2是本發(fā)明第二實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法的實現(xiàn)流程圖；圖3是本發(fā)明第三實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法的實現(xiàn)流程圖；圖4是本發(fā)明第四實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法的實現(xiàn)流程圖；圖5是本發(fā)明第一實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明第二實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。在本發(fā)明實施例中，通過測定多層單元閃存的存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，方便的確定了多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的位置。實施例一圖1示出了本發(fā)明第一實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法， 詳述如下在步驟SlOl中，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息。在本發(fā)明實施例中，選定的存儲塊為有效的存儲塊，有效的存儲塊為可以正常擦除、讀取和寫入數(shù)據(jù)，并且讀取和寫入的數(shù)據(jù)相匹配的存儲塊。在步驟S102中，根據(jù)接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間。在本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)操作時間可以為數(shù)據(jù)讀取時間或者數(shù)據(jù)寫入時間。在本發(fā)明實施例中，可以順序測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間也可以隨機測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間。在步驟S103中，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N=每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在本發(fā)明實施例中，用最低有效位頁來描述多層單元閃存中快速且穩(wěn)定可靠的頁，用非最低有效位頁來描述多層單元閃存中其它頁。作為本發(fā)明的一個實現(xiàn)示例例如型號為K9GAG08U0E的NAND閃存，該閃存是一個 2bit/cell閃存，每個存儲塊中的頁總數(shù)為128，每一存儲單元存儲2位信息，則該NAND閃存中最低有效位頁的數(shù)量N = 128/2 = 64。在本發(fā)明實施例中，通過測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，方便的確定最低有效位頁在每個存儲塊中的位置，此外，該方法實現(xiàn)簡單，用戶可以根據(jù)最低有效位頁的信息更好的利用多層單元閃存，實現(xiàn)多層單元閃存的最優(yōu)性能。實施例二圖2示出了本發(fā)明第二實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法， 詳述如下在步驟S201中，接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊中頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。在步驟S202中，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息。
在本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)操作為數(shù)據(jù)讀取或者數(shù)據(jù)寫入，用戶可以測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)讀取時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間中依次取出數(shù)據(jù)讀取時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址；也可以測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)寫入時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間中依次取出數(shù)據(jù)寫入時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N=每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在步驟S203中，根據(jù)接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間。在步驟S204中，將測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序。在本發(fā)明實施例中，將測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序，可以是從小到大， 也可以是從大到小，旨在為查找符合條件的數(shù)據(jù)操作時間提供方便，可以根據(jù)實際情況的需要任意排序，在此不用以限制本發(fā)明。在本發(fā)明實施例中，通過將測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序，可以方便的查找到最低有效位頁的位置。在步驟S205中，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N=每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。實施例三圖3本發(fā)明第三實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，詳述如下在步驟S301中，接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊中頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。在步驟S302中，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息。在步驟S303中，根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，依次執(zhí)行對選定存儲塊上的數(shù)據(jù)進行擦除、向選定存儲塊中的每頁寫入相同的隨機數(shù)據(jù)。在步驟S304中，獲取選定存儲塊中的待讀取的頁的頁地址。在步驟S305中，根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，開始對待讀取的頁的頁地址進行讀取，同時對讀取執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對采樣次數(shù)進行計數(shù)直至讀取過程完成， 停止計數(shù)。在本發(fā)明實施例中，接收用戶向存儲塊的頁地址發(fā)送讀取命令執(zhí)行命令，多層單元閃存的R&B管腳電平會被拉低，開始對存儲塊的頁進行讀取，對讀取執(zhí)行過程進行采樣， 同時啟動計數(shù)器對采樣次數(shù)進行計數(shù)，等R&B管腳電平被拉高時，讀取完成，計數(shù)器停止計數(shù)。在步驟S306中，判斷是否完成存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)讀取時間的測定，否則執(zhí)行步驟S304，是則執(zhí)行步驟S307。
在步驟S307中，將測得的數(shù)據(jù)讀取時間按照順序進行排序。在步驟S308中，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N=每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在本發(fā)明實施例中，通過測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)讀取時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間中依次取出數(shù)據(jù)讀取時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，方便的確定最低有效位頁在每個存儲塊中的位置。實施例四圖4為本發(fā)明第三實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，詳述如下在步驟S401中，接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊中頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。在步驟S402中，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息。在步驟S403中，根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，對選定存儲塊上的數(shù)據(jù)進行擦除。在步驟S404中，獲取選定存儲塊中的待寫入頁的頁地址。在步驟S405中，根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，開始對待寫入的頁的頁地址寫入相同的隨機數(shù)據(jù)，同時對寫入執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對采樣次數(shù)進行計數(shù)直至寫入過程完成，停止計數(shù)。在本發(fā)明實施例中，接收用戶向存儲塊的頁地址發(fā)送寫入命令執(zhí)行命令，多層單元閃存的R&B管腳電平會被拉低，對寫入執(zhí)行過程進行采樣，同時啟動計數(shù)器對采樣次數(shù)進行計數(shù)，等R&B管腳電平被拉高時，寫入完成，計數(shù)器停止計數(shù)。在步驟S406中，判斷是否完成存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)寫入時間的測定，否則執(zhí)行步驟S404，是則執(zhí)行步驟S407。在步驟S407中，測得的數(shù)據(jù)寫入時間按照順序進行排序。在步驟S408中，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間中依次取出數(shù)據(jù)寫入時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N=每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在本發(fā)明實施例中，通過測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)寫入時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間中依次取出數(shù)據(jù)寫入時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，方便的確定最低有效位頁在每個存儲塊中的位置。作為本發(fā)明的一個實現(xiàn)示例，以型號為K9GAG08U0E的NAND閃存為例，通過測定其數(shù)據(jù)寫入時間來尋找其存儲塊中的最低有效位頁，下面數(shù)據(jù)為每次測量的計數(shù)器的計數(shù)值 (采樣時間間隔為50us)06 08 30 08 34 08 32 08 32 08 30 08 30 08 30 08
320830083208300832082f0831083008
32082f083208300830082f082f083008
320830082f0830082f08300830082f08
30082f082f082f0832082f082f083608
2f082f082f0830083008320832082d08
30082f0630082d0830082f062f082f06
34082d082f08300830082d062f062d2d將上述數(shù)據(jù)寫入時間的測量值進行從小到大排序，從數(shù)據(jù)我們可以看出，數(shù)據(jù)寫入時間值為06，08的頁為最低有效位頁。實施例五圖5為本發(fā)明第一實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。在本發(fā)明實施例中，尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)包括指令接收單元 51、數(shù)據(jù)操作時間測定單元52和最低有效位頁尋找單元53。指令接收單元51，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；在本發(fā)明實施例中，選定存儲塊為有效的存儲塊，有效的存儲塊為可以正常擦除、 讀取和寫入數(shù)據(jù)，并且讀取和寫入的數(shù)據(jù)相匹配的存儲塊。在本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)操作包括數(shù)據(jù)讀取或者數(shù)據(jù)寫入，用戶可以測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)讀取時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)讀取時間中依次取出數(shù)據(jù)讀取時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址；也可以測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)寫入時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)寫入時間中依次取出數(shù)據(jù)寫入時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。根據(jù)指令接收單元51接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，數(shù)據(jù)操作時間測定單元52測定選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；最低有效位頁尋找單元53按照數(shù)據(jù)操作時間測定單元52測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。實施例六圖6為本發(fā)明第二實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。在本發(fā)明實施例中，尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)包括頁總數(shù)測量單元61、指令接收單元62、數(shù)據(jù)操作時間測定單元63、數(shù)據(jù)操作排序單元64、最低有效位頁尋找單元65。
在本發(fā)明實施例中，頁總數(shù)測量單元61接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。指令接收單元62，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；根據(jù)指令接收單元62接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，數(shù)據(jù)操作時間測定單元63測定選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；數(shù)據(jù)操作排序單元64將數(shù)據(jù)操作時間測定單元63測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序。在本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)操作排序單元64將數(shù)據(jù)操作時間測定單元63測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序，可以是從小到大，也可以是從大到小，旨在為查找符合條件的數(shù)據(jù)操作時間提供方便，可以根據(jù)實際情況的需要任意排序，在此不用以限制本發(fā)明。最低有效位頁尋找單元53按照數(shù)據(jù)操作時間測定單元52測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。在本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)操作時間測定單元63還包括初始化模塊631、地址獲取模塊632、讀寫執(zhí)行模塊633、判斷模塊634。初始化模塊631根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，確定選定存儲塊，同時對選定存儲塊執(zhí)行初始化。地址獲取模塊632獲取初始化模塊631選定存儲塊中的待操作頁的頁地址；根據(jù)數(shù)據(jù)操作指令的信息，讀寫執(zhí)行模塊633開始對地址獲取模塊632獲取的待操作的頁的頁地址進行數(shù)據(jù)操作，同時對數(shù)據(jù)操作執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對采樣次數(shù)進行計數(shù)直至數(shù)據(jù)操作過程完成，停止計數(shù)，存儲塊的頁的數(shù)據(jù)操作時間為計數(shù)器的計數(shù)值乘以采樣時間間隔；判斷模塊634判斷是否完成選定存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)操作時間的測定，否則啟動地址獲取模塊632。在本發(fā)明實施例中，通過將測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序，可以方便的查找到最低有效位頁的位置。實施例七在本發(fā)明實施例中，實施例六中的指令接收單元62、數(shù)據(jù)操作時間排序單元64和最低有效位頁尋找單元65位于上位機中。實施例八在本發(fā)明實施例中，實施例六中的數(shù)據(jù)操作時間測定單元63和頁總數(shù)測量單元 61位于閃存掃描裝置中。在本發(fā)明實施例中，通過測定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間，按照測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在存儲塊中的偏移地址，方便的確定了最低有效位頁在每個存儲塊中的位置，此外，該方法實現(xiàn)簡單，用戶可以根據(jù)最低有效位頁的信息更好的利用多層單元閃存，實現(xiàn)多層單元閃存的最優(yōu)性能；通過將測得的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序，可以方便的查找到最低有效位頁的位置。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟步驟①，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，所述數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；步驟②，根據(jù)所述接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；步驟③，按照所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N = 每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟②之后步驟③之前還包括下述步驟步驟④，將所述測得的每頁的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟①之前還包括下述步驟步驟⑤，接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊中頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)操作為數(shù)據(jù)讀取或者數(shù)據(jù)寫入。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，當所述數(shù)據(jù)操作為數(shù)據(jù)讀取時，所述步驟② 具體為步驟Al，根據(jù)所述數(shù)據(jù)操作指令的信息，依次執(zhí)行對所述選定存儲塊上的數(shù)據(jù)進行擦除、向所述選定存儲塊中的每頁寫入相同的隨機數(shù)據(jù)；步驟A2，獲取所述寫入相同的隨機數(shù)據(jù)的選定存儲塊中的待讀取的頁的頁地址； 步驟A3，根據(jù)所述數(shù)據(jù)操作指令的信息，開始對所述待讀取的頁的頁地址進行讀取，同時對所述讀取執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對所述采樣次數(shù)進行計數(shù)直至讀取過程完成，停止計數(shù)，所述存儲塊的頁的數(shù)據(jù)讀取時間為計數(shù)器的計數(shù)值乘以采樣時間間隔；步驟A4，判斷是否完成所述選定存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)讀取時間的測定，否則重復(fù)執(zhí)行步驟A2和步驟A3。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，當所述數(shù)據(jù)操作為數(shù)據(jù)寫入時，所述步驟② 具體為步驟B 1，根據(jù)所述操作指令的信息，對所述選定存儲塊上的數(shù)據(jù)進行擦除； 步驟B2，獲取所述選定存儲塊中的待寫入頁的頁地址；步驟B3，根據(jù)所述數(shù)據(jù)操作指令的信息，開始對所述待寫入的頁的頁地址寫入相同的隨機數(shù)據(jù)，同時對所述寫入執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對所述采樣次數(shù)進行計數(shù)直至寫入過程完成，停止計數(shù)，所述存儲塊的頁的數(shù)據(jù)寫入時間為計數(shù)器的計數(shù)值乘以采樣時間間隔；步驟B4，判斷是否完成所述選定存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)寫入時間的測定，否則重復(fù)執(zhí)行步驟B2和步驟B3。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟②具體為順序測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間或者隨機測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間。
8.一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括指令接收單元，用于接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令，所述數(shù)據(jù)操作指令包括選定存儲塊的信息、數(shù)據(jù)操作方式的信息、開始數(shù)據(jù)操作的信息；數(shù)據(jù)操作時間測定單元，用于根據(jù)所述接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；最低有效位頁尋找單元，用于按照所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量，N =每一存儲塊中頁的總數(shù)/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數(shù)。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括數(shù)據(jù)操作時間排序單元，用于將所述測得的每頁的數(shù)據(jù)操作時間按照順序進行排序。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括頁總數(shù)測量單元，用于接收用戶發(fā)送的測量選定存儲塊頁總數(shù)的指令，測量選定存儲塊中頁的總數(shù)。
11.如權(quán)利要求8或9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)操作為數(shù)據(jù)讀取或者數(shù)據(jù)寫入。
12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)操作時間測定單元包括初始化模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)操作指令的信息，選定待測量存儲塊，同時對選定存儲塊執(zhí)行初始化；地址獲取模塊，用于獲取所述選定存儲塊中的待操作頁的頁地址；讀寫執(zhí)行模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)操作指令的信息，開始對所述待操作的頁的頁地址進行數(shù)據(jù)操作，同時對所述數(shù)據(jù)操作執(zhí)行過程進行采樣，并啟動計數(shù)器對所述采樣次數(shù)進行計數(shù)直至數(shù)據(jù)操作過程完成，停止計數(shù)，所述存儲塊的頁的數(shù)據(jù)操作時間為計數(shù)器的計數(shù)值乘以采樣時間間隔；判斷模塊，用于判斷是否完成所述選定存儲塊中所有頁的數(shù)據(jù)操作時間的測定，否則啟動地址獲取模塊。
13.如權(quán)利要求8或9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述指令接收單元、數(shù)據(jù)操作時間排序單元和最低有效位頁尋找單元位于上位機中。
14.如權(quán)利要求8或10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)操作時間測定單元和頁總數(shù)測量單元位于閃存掃描裝置中。
全文摘要
本發(fā)明適用于存儲技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法及系統(tǒng)，所述方法包括下述步驟步驟①，接收用戶發(fā)送的數(shù)據(jù)操作指令；步驟②，根據(jù)所述接收的數(shù)據(jù)操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間；步驟③，按照所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間的數(shù)值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數(shù)據(jù)操作時間中依次取出數(shù)據(jù)操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，其中，N為選定存儲塊中最低有效位頁的數(shù)量。本發(fā)明實施例通過測定單個存儲塊中每頁的數(shù)據(jù)操作時間能夠方便的確定多層單元閃存存儲塊中最低有效位頁的位置。用戶可以根據(jù)最低有效位頁的信息更好的利用多層單元閃存，實現(xiàn)多層單元閃存的最優(yōu)性能。
文檔編號G11C16/10GK102237130SQ201010155769
公開日2011年11月9日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者李志雄, 鄧恩華, 郭丹 申請人:深圳市江波龍電子有限公司