專利名稱：用于減輕鐵電存儲(chǔ)器中的壓印的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鐵電存儲(chǔ)器，并且更具體地說(shuō)，涉及通過(guò)復(fù)原鐵電存儲(chǔ)器陣列中鐵電 存儲(chǔ)器單元的電容器內(nèi)切換的電荷來(lái)提高性能。
背景技術(shù)：
對(duì)可以被進(jìn)行寫入的非易失性存儲(chǔ)器(例如，鐵電存儲(chǔ)器)的保持可能在兩種狀 況之一中失效。第一種失效情況是當(dāng)電力被移除時(shí)(狀態(tài)不變)，寫入存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)沒(méi) 有被保留。第二種失效情況是，存儲(chǔ)器單元具有成為優(yōu)選的狀態(tài)，并且預(yù)期的數(shù)據(jù)沒(méi)有被保
&3 甶o鐵電存儲(chǔ)器單元可以產(chǎn)生優(yōu)選的狀態(tài)，其通常被稱為“壓印”。壓印的結(jié)果是在存 儲(chǔ)器單元的工作電壓處切換電荷的減少。如果單元壓印程度高，則可能會(huì)沒(méi)有足夠的電荷 來(lái)改變極化的含義，以至于將數(shù)據(jù)寫為相反狀態(tài)的嘗試沒(méi)有效果?，F(xiàn)在參照?qǐng)D1，可以觀察 到烘烤時(shí)間對(duì)相反狀態(tài)切換電荷102的影響。一般而言，相反狀態(tài)切換電荷102相對(duì)于烘 烤時(shí)間每數(shù)量級(jí)地增加而線性地減少?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2，可以觀察到如果壓印的鐵電電容器的 極化被多次切換，那么可以恢復(fù)相反狀態(tài)切換電荷202。圖2示出了切換電荷202的恢復(fù) (復(fù)原)與切換極化循環(huán)次數(shù)相關(guān)。所以，期望有一種提高了性能的鐵電存儲(chǔ)器架構(gòu)及相關(guān)聯(lián)的操作方法，其通過(guò)最 大化可用切換電荷來(lái)減輕壓印。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種允許壓印減輕的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)鐵電 存儲(chǔ)器單元，其分別耦合到多個(gè)字線、板線和位線；字線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述字線；板線 驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述板線；位線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述位線；以及隔離設(shè)備驅(qū)動(dòng)器，用于 驅(qū)動(dòng)耦合在所述位線和多個(gè)位線之間的多個(gè)隔離設(shè)備。用于減輕壓印的方法包括通過(guò)導(dǎo) 通隔離設(shè)備來(lái)將位線耦合到各自的多個(gè)檢測(cè)放大器；導(dǎo)通字線并且脈沖化與一行鐵電存儲(chǔ) 器單元相關(guān)聯(lián)的板線；通過(guò)關(guān)斷所述隔離設(shè)備來(lái)將所述位線與所述各自的檢測(cè)放大器斷 開；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且驅(qū)動(dòng)所述位線為高電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為高電平并且驅(qū)動(dòng) 所述位線為低電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且懸空所述位線；通過(guò)導(dǎo)通所述隔離設(shè)備來(lái) 用所述檢測(cè)放大器驅(qū)動(dòng)所述位線；以及關(guān)斷所述字線并且對(duì)所述位線預(yù)充電。所述方法可 以在每次存儲(chǔ)器存取之后被執(zhí)行，或者可選地，可以在任何方便的時(shí)候用單獨(dú)的復(fù)原命令 來(lái)執(zhí)行。非易失性計(jì)數(shù)器可以與所述復(fù)原命令協(xié)作來(lái)用于跟蹤需要復(fù)原的下一行。


通過(guò)結(jié)合附圖來(lái)參照以下對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和其它特征與目的 以及實(shí)現(xiàn)它們的方法將變得更加顯而易見，并且將最佳地理解發(fā)明本身，在附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的相反狀態(tài)切換電荷與烘烤時(shí)間的關(guān)系的圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的恢復(fù)的相反狀態(tài)切換電荷與切換極化循環(huán)的關(guān)系的圖；圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的鐵電存儲(chǔ)器的一部分的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的鐵電存儲(chǔ)器的一部分的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的與圖4的鐵電存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的時(shí)序圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的鐵電存儲(chǔ)器的框圖和相關(guān)聯(lián)的流程圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的鐵電存儲(chǔ)器的更詳細(xì)的框圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的與圖7的鐵電存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的命令表；圖9是根據(jù)本發(fā)明的與圖7的鐵電存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的狀態(tài)寄存器；以及圖10是根據(jù)本發(fā)明的與圖7的鐵電存儲(chǔ)器的操作相關(guān)聯(lián)的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照?qǐng)D3，示出了典型的鐵電存儲(chǔ)器陣列300的一部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理 解，盡管僅示出了一行1T/1C存儲(chǔ)器單元中的三個(gè)位，但是實(shí)際的鐵電存儲(chǔ)器陣列大得多， 并且包括多行和多列存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器陣列300包括位線302A、302B和302C ；共享板 線304 ；以及共享字線306。檢測(cè)放大器308A、308B和308C分別耦合到位線302A、302B和 302C。如本領(lǐng)域已知的，每個(gè)檢測(cè)放大器接收參考電壓。第一存儲(chǔ)器單元包括耦合在位線 302A和板線304之間的存取晶體管310A和鐵電電容器312A。第二存儲(chǔ)器單元包括耦合在 位線302B和板線304之間的存取晶體管310B和鐵電電容器312B。第三存儲(chǔ)器單元包括耦 合在位線302C和板線304之間的存取晶體管310C和鐵電電容器312C。存儲(chǔ)器單元中的存 取晶體管的柵極耦合到字線306。雖然示出的是1T/1C鐵電存儲(chǔ)器單元陣列的一部分，但是 也可以使用2T/2C存儲(chǔ)器單元陣列。這是因?yàn)椤癇it”(位)是檢測(cè)放大器的一側(cè)，而“Bit Not”(位非)是另一側(cè)(參考1T/1C單元)。Bit上的極化與Bit Not上的極化相反，所以 如果在兩條位線上使用同一方法，那么具有相同的效果。在操作中，如典型的實(shí)現(xiàn)，字線306被導(dǎo)通并且板線304被脈沖化。這使得電場(chǎng)被 施加到鐵電電容器312A、312B和312C中的每一個(gè)上。極化與所施加的電場(chǎng)的極化相反的電 容器將切換，相反地，在電場(chǎng)的同一方向極化的電容器將不切換。鐵電電容器的內(nèi)在特性在 于，鐵電電容器的切換電容遠(yuǎn)大于鐵電電容器的未切換電容。所以，極化改變(切換)的情 況下位線上的電壓將比極化未改變(未切換)的情況下位線上的電壓更高。在切換的情況 下，參考電壓通常被設(shè)置為小于位線電壓的電壓，而在未切換的情況下，參考電壓被設(shè)置為 大于位線電壓的電壓。檢測(cè)放大器308將各自的位線302驅(qū)動(dòng)到各自的接地或電源軌道。 一旦位線電壓被固定，整個(gè)行的數(shù)據(jù)在各自的檢測(cè)放大器的輸出處為可用。檢測(cè)放大器中 的數(shù)據(jù)反映了哪些數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器單元陣列中。直到板線304返回到低電平(此時(shí)數(shù)據(jù)被還 原)之前，鐵電電容器的極化處于同一方向。存儲(chǔ)器讀取循環(huán)的最終步驟是將位線302預(yù) 充電為0伏?，F(xiàn)在參照?qǐng)D4，示出了存儲(chǔ)器陣列400的一部分，除了增加了耦合在隔離設(shè)備驅(qū)動(dòng) 器416和位線402之間的隔離設(shè)備414A、414B和414C之外，基本上與之前圖3中所示相同。 還被包括的是位線隔離設(shè)備424A和424B。這些隔離設(shè)備使得能夠改變和還原一行存儲(chǔ)器 中每個(gè)單元的極化。圖4中所示的箭頭表示之前寫入數(shù)據(jù)的極化。圖4還示出了字線驅(qū)動(dòng) 器418、板線驅(qū)動(dòng)器420和位線驅(qū)動(dòng)器422。隔離設(shè)備驅(qū)動(dòng)器416特別值得注意，因?yàn)樗鼪](méi)
5有被用在現(xiàn)有技術(shù)中。根據(jù)圖5，必須施加與板線電壓相反的電壓來(lái)切換極化。存在位線驅(qū) 動(dòng)器已經(jīng)將位線驅(qū)動(dòng)為低電平位(預(yù)充電)。位線驅(qū)動(dòng)器還需要被改變來(lái)驅(qū)動(dòng)高電平。位 線402、板線404和字線406基本上與圖3所示相同。檢測(cè)放大器408、存取晶體管410和 鐵電電容器412也基本上類似于圖3中所示。 現(xiàn)在參照?qǐng)D5，時(shí)序圖示出了用于在至少一個(gè)循環(huán)處翻轉(zhuǎn)每個(gè)位的極化并且還原 原始狀態(tài)的過(guò)程的相對(duì)時(shí)序。圖5中所示的事件序列如下
1、導(dǎo)通隔離設(shè)備。這將位線連接到檢測(cè)放大器。2、導(dǎo)通字線并且脈沖化板線。這使得位1中的鐵電電容器切換。檢測(cè)放大器將各 自的位線驅(qū)動(dòng)為軌道接地電壓或Vdd。位線上的電壓將比切換位的參考電壓高而比未切換 位的參考電壓低。3、關(guān)斷隔離設(shè)備，這將位線與檢測(cè)放大器斷開。(在圖4中提出的位線驅(qū)動(dòng)器是三 態(tài)位線驅(qū)動(dòng)器。它可以驅(qū)動(dòng)高電平、低電平或高阻態(tài)?，F(xiàn)有技術(shù)的位線驅(qū)動(dòng)器通常驅(qū)動(dòng)低 電平或高阻態(tài)。)鐵電存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)被鎖存在各自的檢測(cè)放大器中。4、驅(qū)動(dòng)板線為低電平并且驅(qū)動(dòng)位線為高電平。這使得所有鐵電存儲(chǔ)器單元中的極 化翻轉(zhuǎn)。字線驅(qū)動(dòng)器、板線驅(qū)動(dòng)器和位線驅(qū)動(dòng)器為一行存儲(chǔ)器所共用，所述存儲(chǔ)器通常是64 位存儲(chǔ)器。5、驅(qū)動(dòng)板線為高電平并且驅(qū)動(dòng)位線為低電平。這使得所有鐵電存儲(chǔ)器單元中的極 化在另一方向翻轉(zhuǎn)。6、驅(qū)動(dòng)板線為低電平并且懸空位線驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)隔離設(shè)備導(dǎo)通從而位線為Vdd或 Gnd(由檢測(cè)放大器驅(qū)動(dòng))時(shí)，位線驅(qū)動(dòng)器是高阻態(tài)。7、導(dǎo)通隔離設(shè)備。檢測(cè)放大器驅(qū)動(dòng)位線到軌道并且數(shù)據(jù)被還原。8、關(guān)斷字線并且對(duì)位線預(yù)充電?？梢砸詳?shù)種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法。最簡(jiǎn)單的方法是在存取之后執(zhí)行復(fù)原循 環(huán)。這將會(huì)有性能影響，因?yàn)檠h(huán)時(shí)間將必定增加。另一種方法是使用復(fù)原命令(用于串行存儲(chǔ)器)或引腳(pin)命令(用于并行存 儲(chǔ)器)。這允許用戶周期性地或當(dāng)方便的時(shí)候生成信號(hào)。對(duì)總存儲(chǔ)器帶寬的整體影響將是 極小的，因?yàn)閺?fù)原率相對(duì)于存儲(chǔ)器的帶寬而言是很小的。例如，如果確定需要100K個(gè)循環(huán) /年來(lái)減輕壓印并且每個(gè)設(shè)備有16K行，那么復(fù)原時(shí)段大約是20ms。如果存儲(chǔ)器的循環(huán)時(shí) 間是200ns，那么總帶寬中的損失是100K分之一個(gè)循環(huán)或0. 001%。如上所述，包括復(fù)原方案的設(shè)備將需要計(jì)數(shù)器來(lái)確定要復(fù)原的下一行。優(yōu)選實(shí)現(xiàn) 為非易失性計(jì)數(shù)器。該計(jì)數(shù)器將是N位長(zhǎng)，其中2~N等于行數(shù)。在下文中進(jìn)一步詳細(xì)地描 述該計(jì)數(shù)器。如上文所提到的，本發(fā)明的方法有兩種可能的實(shí)現(xiàn)。第一種方法是在每個(gè)讀取存 取結(jié)束時(shí)增加復(fù)原操作。該方法將僅要求用戶周期性地讀取存儲(chǔ)器的每一行以獲得該益 處。這將延長(zhǎng)每個(gè)讀取循環(huán)的循環(huán)時(shí)間，因此降低了性能。第二種方法是實(shí)現(xiàn)以下復(fù)原方 案跟蹤已復(fù)原的行并且允許客戶當(dāng)其方便時(shí)周期性地用信號(hào)通知要執(zhí)行復(fù)原循環(huán)的部 件。對(duì)于用戶控制的復(fù)原而言，需要用于啟動(dòng)該處理的方法。串行存儲(chǔ)器可以使用I2C 設(shè)備的專用從屬ID和SPI設(shè)備的專用命令。在并行存儲(chǔ)器中啟動(dòng)該處理的最簡(jiǎn)單的方法是使用引腳。還可以期望有用信號(hào)向用戶通知處理結(jié)束的方法。如果在I2C設(shè)備的復(fù)原循 環(huán)結(jié)束之前嘗試進(jìn)行存取，那么可以通過(guò)在從屬ID之后返回No Acknowledge (未確認(rèn))來(lái) 實(shí)現(xiàn)該方法。狀態(tài)寄存器中的就緒位可以在處理開始時(shí)被設(shè)置，而當(dāng)處理在SPI設(shè)備中結(jié) 束時(shí)被清除?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6，示出了鐵電存儲(chǔ)器600，其包括具有N行的FRAM單元陣列606、行譯 碼器604和相應(yīng)的計(jì)數(shù)器602。工作的存儲(chǔ)器600的處理在步驟608處從復(fù)原信號(hào)開始。 要復(fù)原的行將在N位非易失性計(jì)數(shù)器中，其中，N是存儲(chǔ)器中的行數(shù)。在步驟610，計(jì)數(shù)器 602被讀取。在步驟612，存儲(chǔ)器陣列606中的當(dāng)前行被復(fù)原。在處理結(jié)束之后，計(jì)數(shù)器在 步驟614處被增加，并且重復(fù)該處理。當(dāng)計(jì)數(shù)器602到達(dá)存儲(chǔ)器中的最后一行時(shí)，計(jì)數(shù)器繞 回0并且重復(fù)該處理。下文參照?qǐng)D7-10描述進(jìn)行復(fù)原的1兆比特SPI鐵電存儲(chǔ)器。現(xiàn)在參照?qǐng)D7，具有 SPI接口 700的1兆比特F-RAM在陣列710中具有16，384行，每行具有64位?？梢酝ㄟ^(guò)包 括14位NV計(jì)數(shù)器708、一些額外的位線和板控制以及用于訪問(wèn)狀態(tài)寄存器的一些額外的 邏輯，來(lái)添加本發(fā)明的復(fù)原技術(shù)。圖7中所示的模塊包括譯碼模塊702、指令寄存器704、地 址寄存器計(jì)數(shù)器706、NV計(jì)數(shù)器708、NV存儲(chǔ)器陣列710、數(shù)據(jù)I/O寄存器712、NV狀態(tài)寄存 器714和輸出緩沖器716。標(biāo)準(zhǔn)SPI接口最少具有設(shè)備選擇(/S)、時(shí)鐘(C)、數(shù)據(jù)輸入(D) 和數(shù)據(jù)輸出(Q)。用時(shí)鐘同步地記錄數(shù)據(jù)輸入和輸出的時(shí)間。用戶通過(guò)記錄操作碼(如圖 8所示)進(jìn)入的時(shí)間來(lái)操作部件。只有有效的操作碼(命令)可以引起操作。無(wú)效的操作 碼被忽略。用專用命令來(lái)啟動(dòng)復(fù)原處理。所需要的僅是操作碼是唯一的。在圖8中示出了示 例性命令表。在圖8中將復(fù)原命令示出為REJUV命令，其具有示例性操作碼00010111b。每當(dāng)發(fā)出復(fù)原命令時(shí)，對(duì)一行進(jìn)行存取并且鐵電電容器被至少切換和還原一次。 非易失性計(jì)數(shù)器是行地址指針。該計(jì)數(shù)器在處理結(jié)束時(shí)被增加，并且在最高有效行地址之 后滾轉(zhuǎn)。這允許用戶在其方便的時(shí)候周期性地發(fā)出命令并且確保處理依次通過(guò)存儲(chǔ)器而繼 續(xù)進(jìn)行?？梢云谕奶卣魇蔷哂杏糜诋?dāng)復(fù)原命令結(jié)束時(shí)通知用戶的單元?？梢酝ㄟ^(guò)將位0 變?yōu)榫途w位來(lái)使用狀態(tài)寄存器。就緒位是只讀的。然后，用戶可以輪詢狀態(tài)寄存器來(lái)觀察 處理是否已經(jīng)結(jié)束。在圖9中示出了示例狀態(tài)寄存器。圖10中所示的流程圖1000以SPI協(xié)議作為示例來(lái)描述本發(fā)明的內(nèi)部處理。在步 驟1002，設(shè)備被選擇并且復(fù)原命令被譯碼?？臻e處理在步驟1004處被中斷并且復(fù)原序列在 步驟1006開始。在步驟1016處，狀態(tài)寄存器中的就緒位被設(shè)置。非易失性行地址計(jì)數(shù)器 在步驟1008處被讀取(要復(fù)原的行的指針)。行(在該示例中為64位)在步驟1010處經(jīng) 受復(fù)原處理。然后，計(jì)數(shù)器在步驟1012處被增加(要復(fù)原的下一行的指針)。就緒標(biāo)志在 步驟1014處被清除。然后，設(shè)備返回到在步驟1004處的空閑狀態(tài)。雖然上文已經(jīng)結(jié)合根據(jù)本發(fā)明的鐵電存儲(chǔ)器的特定實(shí)現(xiàn)描述了本發(fā)明的原理，但 是應(yīng)當(dāng)清楚地理解，僅以舉例說(shuō)明而非限制本發(fā)明的范圍的方式進(jìn)行以上描述。特別地，應(yīng) 當(dāng)認(rèn)識(shí)到，上述公開的教導(dǎo)將向相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員啟發(fā)其它變型。這種變型可以涉及本 身已知的其它特征和可以與本文已經(jīng)描述的特征相替代或附加來(lái)使用的其他特征。盡管在 本申請(qǐng)中已經(jīng)將權(quán)利要求闡述為特征的特定組合，但是應(yīng)當(dāng)理解，本文公開的范圍還包括對(duì)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見、明確或隱含公開的任何新穎特征或特征的任何新穎組合或 者其歸納或變型，而無(wú)論它們是否是關(guān)于任何一項(xiàng)權(quán)利要求在此要求保護(hù)的同一發(fā)明，并 且無(wú)論它們是否減輕了本發(fā)明所面臨的任何或所有相同的技術(shù)問(wèn)題。申請(qǐng)人特此保留在本 申請(qǐng)或從其得到的任何其他申請(qǐng)的申請(qǐng)與審查期間針對(duì)這些特征和/或這些特征的組合 闡述新權(quán)利要求的權(quán)利。
權(quán)利要求
一種用于減輕鐵電存儲(chǔ)器單元陣列中的壓印的方法，所述鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)字線、板線和位線，所述方法包括將所述多個(gè)位線耦合到各自的多個(gè)檢測(cè)放大器；導(dǎo)通字線并且脈沖化與一行鐵電存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的板線；將所述位線從所述各自的檢測(cè)放大器斷開；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且驅(qū)動(dòng)所述位線為高電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為高電平并且驅(qū)動(dòng)所述位線為低電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且懸空所述位線；將所述位線連接到所述檢測(cè)放大器；用所述檢測(cè)放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)所述位線；以及關(guān)斷所述字線并且對(duì)所述位線預(yù)充電，以使得每個(gè)偶極至少被切換一次。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用隔離設(shè)備來(lái)將所述位線耦合到所述檢測(cè)放 大器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括減輕所述鐵電存儲(chǔ)器陣列的相繼的行中的壓印。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在每次存儲(chǔ)器存取之后減輕壓印。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用復(fù)原命令或引腳來(lái)啟動(dòng)壓印減輕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述行中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元的參考電壓被設(shè)置 為比切換位線電壓小并且比未切換位線電壓大的電壓。
7.一種用于減輕鐵電存儲(chǔ)器單元陣列中的壓印的方法，所述鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包括 多個(gè)字線、板線和位線，所述方法包括周期性地切換所述陣列中一行存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及 還原所述陣列中所述一行存儲(chǔ)器單元中的原始數(shù)據(jù)狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括減輕所述鐵電存儲(chǔ)器陣列的相繼的行中的壓印。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在每次存儲(chǔ)器存取之后減輕壓印。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用復(fù)原命令或引腳來(lái)啟動(dòng)壓印減輕。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述行中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元的參考電壓被設(shè)置 為比切換位線電壓小并且比未切換位線電壓大的電壓。
12.一種鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其允許壓印減輕，所述鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包括 多個(gè)鐵電存儲(chǔ)器單元，其分別耦合到多個(gè)字線、板線和位線；字線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述字線；板線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述板線；位線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述位線；以及隔離設(shè)備驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)耦合到多個(gè)位線的多個(gè)隔離設(shè)備。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其中，鐵電電容器改變到第一極化 狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述鐵電電容器改變到與所 述第一極化狀態(tài)相反的第二極化狀態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述存儲(chǔ)器單元包括第二切 換狀態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述存儲(chǔ)器單元包括還原的 原始存儲(chǔ)器狀態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列，其中，所述位線驅(qū)動(dòng)器包括高輸出 阻抗位線驅(qū)動(dòng)器。
18.一種用于減輕鐵電存儲(chǔ)器單元陣列中的壓印的方法，所述鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包 括多個(gè)字線、板線和位線，所述方法包括將所述陣列中的一組存儲(chǔ)器單元從原始數(shù)據(jù)狀態(tài)切換到第一極化狀態(tài)； 將所述原始極化狀態(tài)存儲(chǔ)在各自的檢測(cè)放大器中；將所述陣列中的所述一組存儲(chǔ)器單元從所述第一極化狀態(tài)切換到與所述第一極化狀 態(tài)相反的第二極化狀態(tài)；以及將所述陣列中的所述一組存儲(chǔ)器單元從所述第二極化狀態(tài)切換到還原的原始數(shù)據(jù)狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述原始數(shù)據(jù)狀態(tài)和所述還原的原始數(shù)據(jù)狀 態(tài)包括同一數(shù)據(jù)狀態(tài)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一數(shù)據(jù)狀態(tài)僅包含所述第一極化狀態(tài)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第二數(shù)據(jù)狀態(tài)僅包含所述第二極化狀態(tài)。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，跟蹤與過(guò)程相關(guān)的鐵電存儲(chǔ)器單元包括使用 非易失性計(jì)數(shù)器。
23.一種鐵電存儲(chǔ)器陣列，包括多個(gè)1T/1C鐵電存儲(chǔ)器單元，每一個(gè)所述1T/1C鐵電存儲(chǔ)器單元具有位線節(jié)點(diǎn)、板線節(jié) 點(diǎn)和字線節(jié)點(diǎn)；多個(gè)檢測(cè)放大器，其通過(guò)多個(gè)隔離設(shè)備耦合到所述存儲(chǔ)器單元的位線節(jié)點(diǎn)；以及 多個(gè)位線隔離設(shè)備，其耦合在所述存儲(chǔ)器單元的位線節(jié)點(diǎn)之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的鐵電存儲(chǔ)器陣列，其中，所述存儲(chǔ)器單元的板線節(jié)點(diǎn)被耦合在一起。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的鐵電存儲(chǔ)器陣列，其中，所述存儲(chǔ)器單元的字線節(jié)點(diǎn)被耦合在一起。
全文摘要
一種允許壓印減輕的鐵電存儲(chǔ)器單元陣列包括鐵電存儲(chǔ)器單元，其分別耦合到字線、板線和位線；字線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述字線；板線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述板線；位線驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)所述位線；以及隔離設(shè)備驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)耦合在所述位線和多個(gè)位線之間的隔離設(shè)備。用于減輕壓印的方法包括將位線耦合到各自的多個(gè)檢測(cè)放大器；導(dǎo)通字線并且脈沖化與一行鐵電存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的板線；將所述位線與所述各自的檢測(cè)放大器斷開；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且驅(qū)動(dòng)所述位線為高電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為高電平并且驅(qū)動(dòng)所述位線為低電平；驅(qū)動(dòng)所述板線為低電平并且懸空所述位線；用所述檢測(cè)放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)所述位線；以及關(guān)斷所述字線并且對(duì)所述位線預(yù)充電。所述方法可以在每次存儲(chǔ)器存取之后被執(zhí)行，或者可以在任何方便的時(shí)候用計(jì)數(shù)器和復(fù)原命令來(lái)執(zhí)行。
文檔編號(hào)G11C11/22GK101853696SQ20101015500
公開日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者C·泰勒, 儲(chǔ)釩, 孫山 申請(qǐng)人:瑞創(chuàng)國(guó)際公司