一種數(shù)據(jù)存儲方法及電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)，尤其涉及一種數(shù)據(jù)存儲方法及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]固態(tài)硬盤(SSD，Solid State Drives)是由固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元組成?？扉W記憶體(NAND f Iash)是一種較為常見的存儲單元。對于NAND f Iash而言，其存儲單元分為三大類，分別為單層單元(SLC，Single-Level Cell)、多層單元(MLC，Multi_Level Cell)和三層單元(TLC，Trinary_Level Cell)。其中，SLC的每個單元為I比特(bit)，讀寫速度快，寫壽命長(約為10萬次)，但是價格也昂貴。MLC的每個單元為2bit，讀寫速度適中，寫壽命一般(約為I萬次)，價格也適中。TLC的每個單元為3bit，讀寫速度慢，寫壽命短(約為I千次)，價格較為便宜?；诖耍绾魏侠砝貌煌愋偷拇鎯卧诒Ｕ献x寫性能的同時，降低制造成本，是有待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供了一種數(shù)據(jù)存儲方法及電子設(shè)備。
[0004]本發(fā)明實施例提供的數(shù)據(jù)存儲方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備具有存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)至少包括:第一類存儲區(qū)域、第二類存儲區(qū)域;所述方法包括:
[0005]獲得目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷；
[0006]針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第一存儲區(qū)域；針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第二存儲區(qū)域；
[0007]在所述第一存儲區(qū)域上對所述第一類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作;在所述第二存儲區(qū)域上對所述第二類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作；
[0008]其中，所述第一類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)高于所述第二類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)。
[0009]本發(fā)明實施例中，所述獲得目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷，包括:
[0010]檢測到輸入的目標數(shù)據(jù)時，對所述目標數(shù)據(jù)的屬性信息進行解析；
[0011 ]根據(jù)解析結(jié)果，判斷所述目標數(shù)據(jù)的類型是所述第一類型或是所述第二類型。
[0012]本發(fā)明實施例中，所述針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第一存儲區(qū)域;針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第二存儲區(qū)域，包括:
[0013]針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，在地址映射表中為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)設(shè)置對應(yīng)的第一邏輯地址；
[0014]針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，在所述地址映射表中為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)設(shè)置對應(yīng)的第二邏輯地址；
[0015]所述第一邏輯地址表征所述第一存儲區(qū)域，所述第二邏輯地址表征所述第二存儲區(qū)域。
[0016]本發(fā)明實施例中，所述在所述第一存儲區(qū)域上對所述第一類型的目標數(shù)據(jù)進行寫操作;在所述第二存儲區(qū)域上對所述第二類型的目標數(shù)據(jù)進行寫操作，包括:
[0017]將所述第一類型的目標數(shù)據(jù)寫入所述第一邏輯地址表征的所述第一存儲區(qū)域;并將所述第一存儲區(qū)域的第一物理地址存儲至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第一邏輯地址和所述第一物理地址的映射關(guān)系；
[0018]將所述第二類型的目標數(shù)據(jù)寫入所述第二邏輯地址類型表征的所述第二存儲區(qū)域;并將所述第二存儲區(qū)域的第二物理地址存儲至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第二邏輯地址和所述第二物理地址的映射關(guān)系。
[0019]本發(fā)明實施例中，所述在所述第一存儲區(qū)域上對所述第一類型的目標數(shù)據(jù)進行讀操作;在所述第二存儲區(qū)域上對所述第二類型的目標數(shù)據(jù)進行讀操作，包括:
[0020]根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第一類型的目標數(shù)據(jù)的第一邏輯地址對應(yīng)的第一物理地址;從所述第一物理地址中讀取所述第一類型的目標數(shù)據(jù)；
[0021]根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第二類型的目標數(shù)據(jù)的第二邏輯地址對應(yīng)的第二物理地址;從所述第二物理地址中讀取所述第二類型的目標數(shù)據(jù)。
[0022]本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備，具有存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)至少包括:第一類存儲區(qū)域、第二類存儲區(qū)域;所述電子設(shè)備還包括:
[0023]判斷單元，用于獲得目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷；
[0024]分配單元，用于針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第一存儲區(qū)域;針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第二存儲區(qū)域；
[0025]操作單元，用于在所述第一存儲區(qū)域上對所述第一類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作;在所述第二存儲區(qū)域上對所述第二類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作；
[0026]其中，所述第一類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)高于所述第二類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)。
[0027]本發(fā)明實施例中，所述判斷單元包括:
[0028]解析子單元，用于檢測到輸入的目標數(shù)據(jù)時，對所述目標數(shù)據(jù)的屬性信息進行解析；
[0029]判斷子單元，用于根據(jù)解析結(jié)果，判斷所述目標數(shù)據(jù)的類型是所述第一類型或是所述第二類型。
[0030]本發(fā)明實施例中，所述分配單元，還用于針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，在地址映射表中為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)設(shè)置對應(yīng)的第一邏輯地址;針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，在所述地址映射表中為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)設(shè)置對應(yīng)的第二邏輯地址;所述第一邏輯地址表征所述第一存儲區(qū)域，所述第二邏輯地址表征所述第二存儲區(qū)域。
[0031]本發(fā)明實施例中，所述操作單元包括:
[0032]寫操作子單元，用于將所述第一類型的目標數(shù)據(jù)寫入所述第一邏輯地址表征的所述第一存儲區(qū)域;并將所述第一存儲區(qū)域的第一物理地址存儲至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第一邏輯地址和所述第一物理地址的映射關(guān)系;將所述第二類型的目標數(shù)據(jù)寫入所述第二邏輯地址類型表征的所述第二存儲區(qū)域;并將所述第二存儲區(qū)域的第二物理地址存儲至所述地址映射表中，以在所述地址映射表中建立所述第二邏輯地址和所述第二物理地址的映射關(guān)系。
[0033]本發(fā)明實施例中，所述操作單元還包括:
[0034]讀操作子單元，用于根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第一類型的目標數(shù)據(jù)的第一邏輯地址對應(yīng)的第一物理地址;從所述第一物理地址中讀取所述第一類型的目標數(shù)據(jù)；根據(jù)所述地址映射表，查找與所述第二類型的目標數(shù)據(jù)的第二邏輯地址對應(yīng)的第二物理地址;從所述第二物理地址中讀取所述第二類型的目標數(shù)據(jù)。
[0035]本發(fā)明另一實施例提供的電子設(shè)備，具有存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)至少包括:第一類存儲區(qū)域、第二類存儲區(qū)域;所述電子設(shè)備還包括:
[0036]控制器，用于獲得目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷;針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第一存儲區(qū)域;針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第二存儲區(qū)域;在所述第一存儲區(qū)域上對所述第一類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作;在所述第二存儲區(qū)域上對所述第二類型的目標數(shù)據(jù)進行讀/寫操作；
[0037]其中，所述第一類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)高于所述第二類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)。
[0038]本發(fā)明實施例的技術(shù)方案中，電子設(shè)備具有存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)至少包括:第一類存儲區(qū)域、第二類存儲區(qū)域;這里，第一類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)高于第二類存儲區(qū)域的存儲性能指數(shù)。存儲性能指數(shù)是指寫速度、寫壽命。對于獲得的目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷;針對第一類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第一類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第一存儲區(qū)域;針對第二類型的目標數(shù)據(jù)，為所述第二類型的目標數(shù)據(jù)分配所述第二存儲區(qū)域?？梢姡景l(fā)明實施例結(jié)合了目標數(shù)據(jù)的類型，將多種類型的存儲區(qū)域適應(yīng)分配給對應(yīng)類型的目標數(shù)據(jù);在存儲介質(zhì)中有效地混合使用了不同類型的存儲區(qū)域，在保證存儲性能的同時，降低了存儲介質(zhì)的制造成本。
【附圖說明】
[0039]圖1為本發(fā)明實施例一的數(shù)據(jù)存儲方法的流程示意圖；
[0040]圖2為本發(fā)明實施例二的數(shù)據(jù)存儲方法的流程示意圖；
[0041 ]圖3為本發(fā)明實施例三的數(shù)據(jù)存儲方法的流程示意圖；
[0042]圖4為本發(fā)明實施例四的數(shù)據(jù)存儲方法的流程示意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明實施例五的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明實施例六的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖；
[0045]圖7為本發(fā)明實施例七的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖；
[0046]圖8為本發(fā)明實施例八的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成示意圖。
【具體實施方式】
[0047]為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明實施例的特點與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例的實現(xiàn)進行詳細闡述，所附附圖僅供參考說明之用，并非用來限定本發(fā)明實施例。
[0048]圖1為本發(fā)明實施例一的數(shù)據(jù)存儲方法的流程示意圖，本示例中的數(shù)據(jù)存儲方法應(yīng)用于電子設(shè)備，所述電子設(shè)備具有存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)至少包括:第一類存儲區(qū)域、第二類存儲區(qū)域;如圖1所示，所述數(shù)據(jù)存儲方法包括以下步驟:
[0049]步驟101:獲得目標數(shù)據(jù)，對所述目標數(shù)據(jù)的類型進行判斷。
[0050]本發(fā)明實施例中，所述電子設(shè)備可以是筆記本、主機、一體機、服務(wù)器等等。所述電子設(shè)備包括存儲介質(zhì)和控制器，存儲介質(zhì)用于存儲電子設(shè)備的數(shù)據(jù)、指令等等，控制器用于控制電子設(shè)備在存