專利名稱：使用反電動勢(bemf)值生成隨機數(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及數(shù)字數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，更具體地，但非限制地，涉及用于生成與反電動勢(BEMF)電壓有關(guān)的隨機數(shù)的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
在數(shù)字數(shù)據(jù)處理設(shè)備領(lǐng)域，一種持續(xù)趨勢是提供具有較高等級的功能性和互連性的設(shè)備。這一趨勢總體上已經(jīng)導致這些設(shè)備可以存儲或訪問的機密或個人信息的量更大了。
這種趨勢在提高個人便利和個體生產(chǎn)力的同時，也事與愿違地增加了未經(jīng)授權(quán)訪問和分發(fā)這種消息的機會。因為許多此類消費電子設(shè)備是便攜式手持設(shè)備，而這些設(shè)備很容易放錯地方或被盜，使問題雪上加霜。
一些設(shè)備開發(fā)商已經(jīng)實現(xiàn)安全系統(tǒng)，試圖降低第三方進入此類設(shè)備中信息的能力。此類安全系統(tǒng)經(jīng)常實現(xiàn)一種依賴于生成真正的隨機數(shù)的能力的安全協(xié)議。
盡管本領(lǐng)域中已經(jīng)提出了各種系統(tǒng)，但仍需繼續(xù)改進，借以方便并有效地生成真正的隨機數(shù)而設(shè)備卻無顯著電消耗。本發(fā)明的較佳實施例一般涉及這些以及其他的改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的較佳實施例一般涉及用于生成隨機數(shù)的方法和設(shè)備，比如在用于控制對數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的訪問的安全協(xié)議中使用的隨機數(shù)。
根據(jù)諸較佳實施例，處理器生成與反電動勢(BEMF)值有關(guān)的隨機數(shù)。該處理器最好是可編程處理器，但或可實現(xiàn)為硬件處理器。
較佳地，BEMF值響應于向一個電路施加電流來獲得。該電路較佳地包括線圈，且該電流的施加較佳地誘發(fā)該線圈做相對較小的移動。
該隨機數(shù)較佳地是一個多比特數(shù)值，而該隨機數(shù)的每個比特的確定與相應BEMF值是偶數(shù)還是奇數(shù)有關(guān)。所述線圈較佳地包括一個用于將傳感器定位至鄰近可旋轉(zhuǎn)存儲介質(zhì)的音圈電機(VCM)的線圈，且隨機數(shù)較佳地在該介質(zhì)處于非旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時生成。
在閱讀以下的詳細描述并瀏覽相關(guān)聯(lián)的附圖后，表征權(quán)利要求中的本發(fā)明的以上和各種其他特征和優(yōu)勢即會明了。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例構(gòu)造并操作的磁盤驅(qū)動器塊數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的平面圖。
圖2示出圖1所示設(shè)備的簡化功能圖。
圖3提供用于控制圖1所示設(shè)備的音圈電機(VCM)的操作的控制電路的示意性表示。
圖4示出根據(jù)較佳實施例的在設(shè)備的相關(guān)聯(lián)斜坡加載/卸載表面上的選定傳感器，以說明由圖3所示電路誘發(fā)的相對較小的“擺動”移動。
圖5示出的是優(yōu)選使用由圖3和圖4獲得的反電動勢(BEMF)電壓以生成用于安全協(xié)議的真正隨機數(shù)的功能框圖表示。
圖6提供說明根據(jù)本發(fā)明較佳實施例所執(zhí)行的各步驟的隨機數(shù)生成例程的流程圖。
圖7提供圖6的例程所生成的隨機數(shù)的柱狀分布。
圖8提供圖7數(shù)據(jù)的自相關(guān)分析結(jié)果。
圖9示出用于圖7數(shù)據(jù)的功率頻譜密度圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參考附圖，圖1提供了一個磁盤驅(qū)動器塊數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的俯視圖。用驅(qū)動器100來顯示可以有利地實踐本發(fā)明的較佳實施方式的示例性環(huán)境。然而，將會理解，權(quán)利要求書中的本發(fā)明并不局限于此。
設(shè)備100包括一個用基板104和頂蓋106形成的基本密封的外殼102。內(nèi)置的軸電機108被配置成旋轉(zhuǎn)多個存儲介質(zhì)110。由相應的數(shù)據(jù)傳感器112的陣列來訪問介質(zhì)110。較佳地，傳感器(“磁頭”)由通過介質(zhì)110的高速旋轉(zhuǎn)而建立的流體流(fluidic current)在毗鄰該介質(zhì)處以流體動力學方式支撐。
盡管圖1中用的是兩個磁性記錄磁盤和四個相應的磁頭，但其他數(shù)量的磁頭和磁盤(如單個磁盤等等)以及其他類型的介質(zhì)(如光學介質(zhì)等等)也可以按需有選擇地使用。當然，其他的實現(xiàn)環(huán)境既不要求介質(zhì)，也不要求磁頭。
傳感器112形成磁頭組組件(“HSA”或致動器)114。更為具體地，每個傳感器112較佳地由相應的柔性懸架(“頸曲”)116支撐，后者進而由剛性致動器臂118支撐。較佳地，通過向音圈電機(VCM)122施加電流，致動器114繞磁盤軸承組件120轉(zhuǎn)動。這樣，VCM 122的受控操作致使傳感器122與限定于介質(zhì)表面上的軌跡(未示出)對齊，以向其存儲數(shù)據(jù)或從中檢索數(shù)據(jù)。
較佳地，當設(shè)備未使用時，傳感器112移動(卸載)到位于介質(zhì)最外周邊附近的斜面結(jié)構(gòu)124上。斜面結(jié)構(gòu)124用于提供各個表面，這些表面在介質(zhì)110處于非旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時可以安全放置諸傳感器112。當需要設(shè)備I/O操作時，軸電機108把介質(zhì)110加速到足夠支撐傳感器110的速度，傳感器112從斜面結(jié)構(gòu)124移動(加載)到鄰近介質(zhì)110的支撐位置。
盡管為了說明較佳實施例的目的而提供了斜面結(jié)構(gòu)，但這并非是必需的。例如，利用如圖1所示的可旋轉(zhuǎn)介質(zhì)和可移動傳感器的實施方式可以替代地利用其他支撐構(gòu)型，比如接觸起停(CSS)法，其中使傳感器停靠在介質(zhì)110最內(nèi)周邊附近的紋路停放區(qū)。
圖1還顯示便于致動器114與外置設(shè)備印刷電路板(PCB)128上的設(shè)備控制電子設(shè)備之間的電子通信的柔性電路組件126。
圖2提供圖1中設(shè)備100的功能框圖?？删幊炭刂破?30為該設(shè)備提供頂層通信和控制。接口(I/F)塊132便于I/O通信并用設(shè)備100相關(guān)聯(lián)的主機設(shè)備(未示出)傳送。讀/寫(R/W)信道134在寫操作期間對要從主機寫入介質(zhì)110的數(shù)據(jù)加以調(diào)節(jié)，而讀操作期間對從介質(zhì)110中檢索的先前存儲的數(shù)據(jù)重新構(gòu)造以傳送至主機。
前置放大器/驅(qū)動器電路(前置放大器)136在寫期間向中選傳感器(selectedtransducer)施加必要的寫電流，而在讀期間施加必要的讀偏置電流和信號前置放大作用。前置放大器136較佳地安裝在致動器114的一側(cè)，如圖1所示。
伺服電路138使用在設(shè)備制造期間寫入介質(zhì)110的伺服數(shù)據(jù)為傳感器112提供閉環(huán)位控。伺服電路138較佳地被配置成執(zhí)行多個控制功能，包括中選傳感器112借以追蹤介質(zhì)上的相應軌跡的軌跡追蹤操作、中選傳感器112借以從初始軌跡移動到目的軌跡的尋道操作、以及傳感器借以從斜面結(jié)構(gòu)124移開或移至斜面結(jié)構(gòu)124的磁頭加載/卸載操作。
伺服電路138向VCM 122的線圈140施加必要的電流，以實施以上各種操作。伺服電路138還較佳地包括軸電機驅(qū)動器電路(未單獨示出)，以可控地操作軸電機108。對執(zhí)行這些以及其他伺服功能的要求的處理較佳地由DSP 141或伺服電路138的其他處理設(shè)備來提供，比如ARM?；蛘撸趩我惶幚砥鳝h(huán)境中，伺服處理可由頂層控制器130提供。
圖3提供圖2的伺服電路138的相關(guān)部分的概括示意性表示。VCM控制電路142較佳地使用H-橋路驅(qū)動器電路144，以提供通過VCM線圈140的雙向電流。開關(guān)設(shè)備S1-S4用數(shù)字表示為146、148、150和152，并且較佳地包括合適的場效應管(FET)。開關(guān)設(shè)備S1-S4排列在Vc電壓電源154和基準線(接地)156之間。
這樣，通過對開關(guān)S1和S4的選擇性激勵(感應的源-漏極導通)電流沿第一方向通過線圈140，而通過對開關(guān)S2和S3的選擇性激勵電流沿第二相反方向通過線圈140。
測流電阻器158較佳地放在與線圈140串聯(lián)的位置，如圖所示。線圈140(RM)和測流電阻器(RS)各自的穩(wěn)態(tài)阻抗較佳地都在幾個歐姆的數(shù)量級上。信號線160、162和164提供反饋分接頭，以分別向VCM控制電路142提供信號VCM+、IS+和IS-。線路160與164之差將表示線圈140及測流電阻器158上的總壓降；而線路162與164之差將表示測流電阻器158的電壓降。
在設(shè)備的輸入/輸出(I/O)操作期間，伺服電路138操作，以將傳感器112定位至鄰近旋轉(zhuǎn)中的介質(zhì)110。命令VCM控制電路142提供一指定電流(大小和方向)流過線圈140。至少在某些操作模式中，可使用關(guān)系IM＝VS/RS來監(jiān)控這個電流，其中IM是流過線圈140和測流電阻器158的實際電流，VS是從路徑162和164獲得的電壓，而RS是測流電阻器158的已知(或測量的)阻抗。
這時應該注意到，有許多方式可以在設(shè)備的這種I/O操作期間生成隨機數(shù)。例如，本領(lǐng)域一般已經(jīng)提出旋轉(zhuǎn)介質(zhì)、加載傳感器、然后執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作。使用所得讀數(shù)的各種特性，可以獲得名義隨機數(shù)的群體分布。
這種方法的一個局限是需要啟動介質(zhì)的加速并加載傳感器以與之交互。這會消耗大量電力，對于以電池為基礎(chǔ)或因其他原因電源受限制的系統(tǒng)尤其不利。還需要花費大量時間把介質(zhì)110加速到操作速度、加載傳感器112、然后執(zhí)行必要的訪問。這令人不悅地拖延了安全系統(tǒng)快速解析訪問請求并做出授權(quán)或阻止對設(shè)備訪問的決定的能力。
因此，VCM控制電路140較佳地被配置成便于由設(shè)備100生成真正的隨機數(shù)，而無需啟動介質(zhì)110的加速、或者在介質(zhì)110上加載傳感器112。隨機數(shù)較佳地通過感應線圈140生成低電平的反電動勢(BEMF)電壓來獲得。BEMF較佳地通過感應出傳感器112小量“擺動”，即在相應斜面結(jié)構(gòu)上做振蕩運動來生成，一般如圖4所示，解釋如下。
在該操作期間，VCM控制電路142對BEMF值進行采樣。如圖5所示，向隨機數(shù)生成器塊166提供這些BEMF值，該塊使用選定算法由此生成真正的隨機數(shù)(RN)值。隨機數(shù)生成塊166較佳地實現(xiàn)為伺服DSP 141(圖2)的一部分，并配備執(zhí)行隨機數(shù)生成器操作的相關(guān)編程，但也可替代地以硬件方式實現(xiàn)為硬件處理器。
隨機數(shù)生成器塊166將RN值送往安全協(xié)議168。安全協(xié)議168隨后使用這些RN值來授權(quán)或拒絕訪問。因為一旦生成了隨機數(shù)，實際上已知有多種常規(guī)方式可實現(xiàn)一種安全協(xié)議，對實際安全協(xié)議即沒有必要做進一步討論，故此省略。
將會認識到，BEMF是與電路中正常電流流向相反的電壓(EMF)。BEMF尤其可與線圈在磁場中的運動相反地感應產(chǎn)生，比如線圈140及VCM 122的周圍磁性電路。這種情況下，BEMF一般會隨著線圈速度、以及眾多其他參數(shù)的提高而增加。研究發(fā)現(xiàn)，在速度特別低時，BEMF值會受各種無法預料的參數(shù)如信號噪聲和電子偏移支配。較佳地，這些參數(shù)要善加利用，討論如下。
圖6提供了隨機數(shù)生成例程200的流程圖，說明了實現(xiàn)圖5所示系統(tǒng)的較佳步驟。在步驟202，首先執(zhí)行校準操作。較佳地執(zhí)行該校準以導出足以允許在適合范圍內(nèi)測量BEMF值的系數(shù)值。
較佳地，步驟202包含由圖3所示的電路對線圈140在選定方向上施加一個初始的相對小電流。這感應得線圈(以及傳感器112)在公共旋轉(zhuǎn)方向上小量移動，如圖4所示。在這種移動期間，較佳地在路徑160、162和164進行電壓的測量。這些測量較佳地使用以下公式V＝(RM+RS)IM+BEMF+α(1)式中V是在線圈140和測流電阻器158上測量的電壓，IM是所注入電流的大小，RM是線圈140的阻抗，RS是測流電阻器158的阻抗，BEMF是由線圈運動感應出的反電動勢，而α是系數(shù)?？梢酝瞥觯斚禂?shù)α設(shè)定為以下值時α＝-(RM+RS)×IM(2)那么V＝BEMF(3)這樣，VCM控制電路142可以在任何特定時間通過確定在路徑160和164上檢測的實際電壓并應用由公式(2)所確定的α系數(shù)來確定BEMF值。如先前所述，以這種方式獲得的BEMF值較佳地會被噪聲、偏移和其他隨機影響所支配。
一旦完成校準步驟202，圖6的流程前進到步驟204，這時向系統(tǒng)注入新的電流值。較佳地通過相對于所確定的BEMF修改先前施加的電流來執(zhí)行該步驟，如根據(jù)以下關(guān)系式IM2＝-(IM1+(BEMF1)×(β))(4)其中IM2是新的電流值，IM1是先前施加的電流值，BEMF1是最新確定的BEMF值，而β是比例因子。注意，公式(4)中的IM2的極性與IM1反方向。這樣，IM2的施加會感應線圈140及傳感器112在與由IM1先前所感應的相反方向上的移動(見例如，圖4)。這是較佳的，但并非必需。
注意，使用BEMF值來放大新的電流值是較佳的，但不是必須的。例如，在一些可選實施例中，在每個方向施加相同大小的電流，或者根據(jù)預選的配置改變電流大小。
一旦在步驟204注入新的電流，則在步驟206確定新的BEMF值。這個值較佳地由VCM控制電路142提供給隨機數(shù)生成器166(圖5)，用于在步驟208由此生成隨機數(shù)(圖6)。
盡管為了簡化說明而未示出，設(shè)想到VCM控制電路142使用一系列模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)來提供在路徑160、162和164上檢測到的電壓的多比特數(shù)字表示。為確定BEMF值而執(zhí)行的計算也較佳地以數(shù)字化方式執(zhí)行，這樣，提供給隨機數(shù)生成器166的BEMF值是給定大小(例如，8比特、16比特等等)的多比特值。
在一個較佳實施例中，隨機數(shù)生成器166確定BEMF值是偶數(shù)還是奇數(shù)。這較佳地通過評估BEMF值的最低有效位(LSB)來確定，盡管同樣可以使用其他方法。較佳地，如果BEMF值確定為偶數(shù)，則生成“0”比特，而如果BEMF值是奇數(shù)，則生成“1”比特。
步驟208的操作較佳地產(chǎn)生用于最終生成的隨機數(shù)的所要求比特總數(shù)之中的一個比特。即，安全協(xié)議168(圖5)將要求一個選定長度(例如，16比特、32比特、128比特等等)的隨機數(shù)。此時，圖6的流程較佳地回轉(zhuǎn)穿越例程足夠的次數(shù)，以填滿該隨機數(shù)。
因此，判定步驟210確定是否需要其它的隨機數(shù)比特；如果需要，則進程返回步驟204-208，注入其它的電流值、確定BEMF值并由此獲得RN比特。較佳地，步驟208的每次操作的結(jié)果是在緩沖器170(圖5)的選定比特位置處加載當時確定的隨機數(shù)比特。以這種方式，隨機數(shù)可從個別的比特中順序地組配而成。
一旦全部填充好了隨機數(shù)，則在步驟212把最后的數(shù)字送往安全協(xié)議168，并在步驟214結(jié)束進程。
經(jīng)驗分析表明了前述較佳實施例在生成真正的隨機數(shù)方面的的效力。一種特定的2.5英寸波形因數(shù)設(shè)備(2.5 inch form factor device)(與圖1的設(shè)備100非常相像)被配置成執(zhí)行圖6的例程并收集576,000字節(jié)的BEMF值。這些數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成72,000字節(jié)的隨機數(shù)。
圖7提供了把這些數(shù)據(jù)按8比特隨機數(shù)字編組后(它提供從0到255的10進制值)的相關(guān)結(jié)果的柱狀圖。從圖7可以看出，這些值的總體分布是基本統(tǒng)一的。
為了進一步評估數(shù)據(jù)的真正隨機性，使用白噪聲作為參考。將會認識到，白噪聲是理論上滿足以下兩個條件的信號響應條件1自相關(guān)序列(在不同時間隨機進程的各值之間的相關(guān)性量度)除0點處的峰值之外應該等于零(這意味著在任意兩個不同時刻的值是不相關(guān)的)。
條件2功率頻譜密度應該恒定(這意味著在所有頻率上功率相等)。
圖8說明的是一個自相關(guān)分析結(jié)果。默認計算的是總共20個延遲(lag)。如圖8所示，在樣本0處存在一峰值，而其余的樣本基本等于0。因此，自相關(guān)序列基本符合上述條件1。
圖9示出了計算出的功率頻譜密度曲線。整個頻譜的幅度基本是恒定的，這就意味著功率頻譜密度基本符合上述條件2。
從上面可以看出，根據(jù)前面較佳實施例獲得的數(shù)據(jù)基本上可被視為是白噪聲，且由此生成的數(shù)字可被視為是構(gòu)成了真正的隨機數(shù)。
應該想到，可以用更精細的方案來替代上面所討論的較佳方法，用在由模式生成器158對BEMF值的處理中。這些方案可包括，例如，對接收到的BEMF值應用組合邏輯運算。然而，因為已經(jīng)發(fā)現(xiàn)較佳方法可以提供實際上的白噪聲響應，在所揭示的實施例中將這種額外的處理認定為無此必要。然而，在其他應用中，據(jù)設(shè)想，覺得需要這種額外的處理，以增強所得比特分布的隨機性。
盡管較佳實施例已經(jīng)使用VCM線圈來生成隨機數(shù)，但將會認識到，這并不是必要的；相反，可以根據(jù)這里提出的各個實施例，使用生成隨機數(shù)的多種不同類型的設(shè)備和電路來獲得BEMF值。因此，盡管作為例證，BEMF值是通過向處于磁場中的線圈施加電流而生成的，但這種方式并不是對權(quán)利要求書本發(fā)明的限制。
而且，盡管較佳實施例涉及所產(chǎn)生的隨機數(shù)在控制對設(shè)備的訪問的安全協(xié)議中的應用，但本發(fā)明并不局限于此。相反，可用任何所需方式來使用隨機數(shù)，包括在認為生成隨機數(shù)字乃有所裨益的任何和各種處理系統(tǒng)、應用和/或環(huán)境中使用。
為所附權(quán)利要求書之故，所引述的“第一裝置”應理解為與前述討論相一致，至少對應于所揭示的實現(xiàn)為是硬件或軟件處理器的隨機數(shù)生成器166。
應該理解，縱然前面在說明書中已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明各個實施例的詳細結(jié)構(gòu)和功能陳述本發(fā)明各個實施例的諸多特征和優(yōu)點，但這種詳細描述只是說明性的，在細節(jié)方面可以做出變化，特別是關(guān)于結(jié)構(gòu)以及各部件的排列，可以在所附權(quán)利要求借以表達的術(shù)語的廣泛一般意義所指示的最大程度上，在本發(fā)明的原則內(nèi)進行。例如，具體元件可根據(jù)具體應用而變化，而不會脫離本發(fā)明的精神和范圍。
此外，盡管這里描述的實施例涉及磁盤驅(qū)動器存儲設(shè)備中的隨機數(shù)字的生成，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應認識到，可以在多種其他類型的設(shè)備中使用該進程，而不會脫離權(quán)利要求書的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包括生成與反電動勢BEMF值有關(guān)的隨機數(shù)的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括一個向一電路施加電流的步驟，并且其中所述生成步驟的BEMF值從所述電流的施加中獲得。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述施加步驟的電路包括一配置成將傳感器定位至鄰近可旋轉(zhuǎn)介質(zhì)的線圈，且其中所述施加步驟的所述電流系當介質(zhì)處于非旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時施加至所述線圈。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含測量所述線圈上的電壓并相對于所述電壓確定BEMF值的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述生成步驟包括生成與BEMF值是偶數(shù)還是奇數(shù)有關(guān)的所述隨機數(shù)的一個比特。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述生成步驟的隨機數(shù)包含n個比特，且其中通過向電路施加電流脈沖的步驟、測量相關(guān)聯(lián)的BEMF值的步驟、以及評估所述BEMF值以設(shè)定每個所述比特的步驟，來單獨生成所述隨機數(shù)的每個比特。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟對一線圈施加第一量值的電流；以及隨后對所述線圈施加相對于所述第一量值的電流和BEMF值所確定的第二量值的電流。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括向?qū)υO(shè)備提供訪問控制的安全協(xié)議提供所述隨機數(shù)的步驟。
9.一種設(shè)備，其包括一配置成生成與反電動勢BEMF值有關(guān)的隨機數(shù)的處理器。
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，還包括配置成對一電路施加電流的控制電路，并且其中所述BEMF值系響應于所述電流的施加而獲得。
11.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述處理器還被配置成標識線圈上的電壓，并相對于所述電壓確定BEMF值。
12.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述處理器被配置成生成與所述BEMF值是偶數(shù)還是奇數(shù)有關(guān)的所述隨機數(shù)的一個比特。
13.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述隨機數(shù)字包含n個比特，且其中通過對電路線圈施加電流脈沖并測定所產(chǎn)生的BEMF值、以及通過評估所產(chǎn)生的BEMF值以設(shè)定每個比特的處理器操作，來單獨地生成所述隨機數(shù)的每個比特。
14.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，還包括一控制電路，其被配置成向一線圈施加第一量值的電流、測量相關(guān)聯(lián)的BEMF值、以及隨后向所述線圈施加與所述第一量值的電流和BEMF值有關(guān)的電流的第二大小。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，所述線圈包括音圈電機VCM的線圈。
16.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，所述線圈被配置成將傳感器定位至鄰近可旋轉(zhuǎn)介質(zhì)，并且其中電流由控制電路在該介質(zhì)處于非旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時施加到所述線圈。
17.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，還包括與所述線圈串聯(lián)的測流電阻器，其中所述控制電路檢測所述線圈及測流電阻器上的組合壓降。
18.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，還包括被配置成響應于控制電路向線圈提供所述電流的H-橋路驅(qū)動器電路。
19.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，還包括一耦合到所述線圈的傳感器和一配置成接觸性地支撐所述傳感器的斜面結(jié)構(gòu)，其中由所述控制電路施加至所述線圈的電流誘發(fā)所述傳感器在所述斜面結(jié)構(gòu)上雙向滑動。
20.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述處理器包括具有生成所述隨機數(shù)的相關(guān)聯(lián)編程的可編程處理器。
21.一種設(shè)備，所述設(shè)備包括線圈；以及用于生成與由所述線圈生成的反電動勢BEMF有關(guān)的隨機數(shù)的第一裝置。
22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一裝置包括處理器。
23.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其特征在于，它是一種數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。
全文摘要
用于生成隨機數(shù)的方法和設(shè)備，如用于控制對數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的訪問的安全協(xié)議的隨機數(shù)。處理器生成關(guān)于反電動勢(BEMF)值的隨機數(shù)。BEMF值較佳地響應于向電路施加電流而獲得。該電路較佳地包括一線圈，且電流的施加較佳地感應出線圈的相對較小的移動。該隨機數(shù)較佳地是多比特數(shù)字值，且隨機數(shù)中每個比特的確定與相對應的BEMF值是偶數(shù)還是奇數(shù)有關(guān)。線圈較佳地包括一個用于將傳感器定位至鄰近可旋轉(zhuǎn)存儲介質(zhì)的音圈電動機(VCM)的線圈，且較佳地，在該介質(zhì)處于非旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時生成該隨機數(shù)。
文檔編號G11B19/28GK101025976SQ20061006817
公開日2007年8月29日 申請日期2006年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日
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