NAND Flash操作處理方法、裝置及邏輯器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，具體而言，涉及一種NAND Flash操作處理方法、裝置及邏輯器件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前比較常見的非易失性存儲器包括NOR Flash (NOR閃存)和NAND Flash (NAND閃存)兩種，相比于NOR Flash, NAND Flash存儲器具備寫入速度比NOR Flash存儲器快很多、擦除速度遠(yuǎn)比NORFlash存儲器快、單片容量較大、單位存儲容量成本低等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲。由于技術(shù)發(fā)展需求和成本方面的原因，NAND Flash已經(jīng)在各種電子產(chǎn)品中有很廣泛的應(yīng)用。
[0003]在各種選用NAND Flash的場合中，來自軟件的不當(dāng)操作有可能導(dǎo)致NAND Flash被錯誤地擦除，會造成比較嚴(yán)重的后果，尤其是當(dāng)用于系統(tǒng)引導(dǎo)的Boot和系統(tǒng)運(yùn)行版本被錯誤擦除時甚至可能導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動。
[0004]因此，在相關(guān)技術(shù)中，NAND Flash存在被錯誤擦除與寫入引起的不可靠的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種NAND Flash操作處理方法、裝置及邏輯器件，以解決相關(guān)技術(shù)中NAND Flash存在被錯誤擦除與寫入引起的不可靠的問題。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種NAND Flash操作處理方法，包括:建立對NANDFlash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表；判斷對所述NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中；在判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對所述NAND Flash的操作。
[0007]優(yōu)選地，建立對所述NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的所述地址保護(hù)表包括:對所述NAND Flash保護(hù)區(qū)的不同區(qū)域進(jìn)行保護(hù)的重要程度劃分級別；依據(jù)劃分級別后的所述不同區(qū)域?qū)?yīng)的地址，建立地址保護(hù)表。
[0008]優(yōu)選地，在建立對所述NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的所述地址保護(hù)表之后，還包括:對所述地址保護(hù)表進(jìn)行更新。
[0009]優(yōu)選地，判斷對所述NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中包括:解析來自中央處理器CPU的對所述NAND Flash進(jìn)行操作的信號命令；比較所述信號命令所針對的所述NAND Flash的地址與所述地址保護(hù)表中的地址是否匹配；在匹配的情況下，確定對所述NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中。
[0010]優(yōu)選地，屏蔽對所述NAND Flash的操作包括:判斷對所述NAND Flash的操作的操作類型是否為修改操作；在判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對所述NAND Flash的操作。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種NAND Flash操作處理裝置，包括:建立模塊，用于建立對NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表；判斷模塊，用于判斷對所述NANDFlash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中；屏蔽模塊，用于在所述判斷模塊的判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對所述NAND Flash的操作。
[0012]優(yōu)選地，所述建立模塊包括:劃分單元，用于對所述NAND Flash保護(hù)區(qū)的不同區(qū)域進(jìn)行保護(hù)的重要程度劃分級別；建立單元，用于依據(jù)劃分級別后的所述不同區(qū)域?qū)?yīng)的地址，建立地址保護(hù)表。
[0013]優(yōu)選地，該裝置還包括:更新模塊，用于對所述地址保護(hù)表進(jìn)行更新。
[0014]優(yōu)選地，所述判斷模塊包括:解析單元，用于解析來自中央處理器CPU的對所述NAND Flash進(jìn)行操作的信號命令；比較單元，用于比較所述信號命令所針對的所述NANDFlash的地址與所述地址保護(hù)表中的地址是否匹配；確定單元，用于在匹配的情況下，確定對所述NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中。
[0015]優(yōu)選地，所述屏蔽模塊包括:判斷單元，用于判斷對所述NAND Flash的操作的操作類型是否為修改操作；屏蔽單元，用于在所述判斷單元的判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對所述NAND Flash的操作。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種邏輯器件，包括上述任一項(xiàng)所述的裝置。
[0017]通過本發(fā)明，采用建立對NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表；判斷對所述NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于所述地址保護(hù)表中；在判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對所述NAND Flash的操作，解決了相關(guān)技術(shù)中NAND Flash存在被錯誤擦除與寫入引起的存儲不可靠的問題，進(jìn)而達(dá)到了不僅能夠有效避免重要存儲區(qū)域被損壞，而且有效地提高了 NAND Flash存儲數(shù)據(jù)的可靠性的效果。
【附圖說明】
[0018]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0019]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理方法的流程圖；
[0020]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0021]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理裝置中建立模塊22的結(jié)構(gòu)框圖；
[0022]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理裝置的優(yōu)選結(jié)構(gòu)框圖；
[0023]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理裝置中判斷模塊24的結(jié)構(gòu)框圖；
[0024]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理裝置中屏蔽模塊26的結(jié)構(gòu)框圖；
[0025]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的邏輯器件的結(jié)構(gòu)框圖；
[0026]圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的防止NAND Flash被誤擦除和誤寫入的架構(gòu)示意圖；
[0027]圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的防止NAND Flash被誤擦除和誤寫入的實(shí)現(xiàn)方法功能說明圖；
[0028]圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的防止NAND FLASH被誤擦除和誤寫入的實(shí)現(xiàn)方法的流程圖；
[0029]圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的防止NAND FLASH被誤擦除和誤寫入的實(shí)現(xiàn)方法的增加或修改保護(hù)區(qū)的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下文中將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0031]在本實(shí)施例中提供了一種NAND Flash操作處理方法，圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的NAND Flash操作處理方法的流程圖，如圖1所示，該流程包括如下步驟:
[0032]步驟S102，建立對NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表；
[0033]步驟S104，判斷對NAND Flash進(jìn)行操作的地址是否存在于地址保護(hù)表中；
[0034]步驟S106，在判斷結(jié)果為是的情況下，屏蔽對NAND Flash的操作。
[0035]通過上述步驟，依據(jù)建立地址保護(hù)表來對NAND Flash的存儲區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，不僅有效地解決了相關(guān)技術(shù)中不對NAND Flash區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，導(dǎo)致NAND Flash被錯誤擦除與寫入引起的存儲不可靠，甚至可能導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動的問題，而且有效地提高了 NAND Flash存儲數(shù)據(jù)的可靠性的效果。
[0036]在建立對NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表時，可以采用多種方式，例如，在需要對各個保護(hù)區(qū)域區(qū)別對待時，可以對NAND Flash保護(hù)區(qū)的不同區(qū)域進(jìn)行保護(hù)的重要程度劃分級別；依據(jù)劃分級別后的不同區(qū)域?qū)?yīng)的地址，建立地址保護(hù)表。通過這樣的處理，使得NAND Flash區(qū)域存儲的數(shù)據(jù)有重要程度的區(qū)分，比如，對于特別重要不能刪除的可以將其的保護(hù)級別設(shè)置得最高，對于一般重要的可以設(shè)置得稍微低一些。
[0037]優(yōu)選地，在建立對NAND Flash保護(hù)區(qū)進(jìn)行保護(hù)的地址保護(hù)表之后，還可以對地址保護(hù)表進(jìn)行更新，例如，在不同的時期，NAND Flash存儲區(qū)域的重要性會發(fā)生變化，因此，需要對地址保護(hù)表進(jìn)行相