專利名稱：Otp器件(二)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體集成電路或分離元器件的OTP器件。
背景技術(shù)：
在Single-Poly OTP器件(單層多晶硅一次可編程器件)設(shè)計(jì)中，如何提高電容型晶體管的耦合效率對(duì)于提高器件的編程效率與效果，是涉及器件開發(fā)成敗的關(guān)鍵因數(shù)。現(xiàn)有技術(shù)中的Single-Poly OTP器件，均采用在電容型晶體管側(cè)采用N+/NWell，P+/PWell或在Poly下做一層掩埋層的結(jié)構(gòu)。《ASingle Poly EEPROM Cell Structure for Use in Standard CMOSProcesses》(IEEE JOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.24，NO.4，AUGUST 1989)、《Cell and Circuit Design for Single-Poly EPROM》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.29，NO.3，March，1994)等文獻(xiàn)都介紹了這種結(jié)構(gòu)的OTP器件。該Single-Poly OTP器件，通常在WordLine(字線)側(cè)采用類似平板電容的MOS電容結(jié)構(gòu)。該類型結(jié)構(gòu)的器件制作時(shí)往往需要追加一次光刻來達(dá)到掩埋層的效果，或者利用純粹的MOS電容，或者在Poly下產(chǎn)生一個(gè)相同的阱。該Single-Poly OTP器件不是需要追加光刻，就是需要設(shè)計(jì)較大的面積來增大電容型晶體管側(cè)的電容，達(dá)到適當(dāng)?shù)臇烹娙荼壤?，這樣必然影響到OTP器件的生產(chǎn)成本，生產(chǎn)周期及集成度的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種OTP器件，在不改變?cè)羞壿嬛圃旃に嚰捌骷渌匦缘那闆r下，實(shí)現(xiàn)高密度內(nèi)置OTP器件，并且生產(chǎn)周期短，制造成本低。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明OTP器件，在Word Line側(cè)增大Poly的周長(zhǎng)，增加Poly與擴(kuò)散層間的邊緣耦合周長(zhǎng)來增大電容效率。
采用這樣的結(jié)構(gòu)，在普通邏輯工藝中，不改變其他邏輯工藝的情況下，即可制作高密度內(nèi)置OTP器件。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中Poly為規(guī)則形狀的OTP器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明Poly為多邊形狀的OTP器件結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的OTP器件其Poly為規(guī)則形狀的矩形結(jié)構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)中可以發(fā)現(xiàn)，除平板電容外，柵的邊緣電容也起到了非常重要的作用。本發(fā)明OTP器件(如圖2所示)，在Word Line側(cè)增大Poly的周長(zhǎng)。將Poly的規(guī)則矩形結(jié)構(gòu)，改為連續(xù)的條狀或彎曲條狀或樹狀Poly結(jié)構(gòu)。利用增加Poly與擴(kuò)散層間的邊緣耦合周長(zhǎng)來增大電容效率，提高編程效果。從而達(dá)到在不改變?cè)羞壿嬛圃旃に嚰捌骷渌匦缘那闆r下，制成高密度內(nèi)置OTP器件。除了縮短生產(chǎn)周期，降低制造成本，在一定程度上縮小版圖面積外，本發(fā)明還具有以下優(yōu)點(diǎn)(1)為Single-Poly OTP器件提供了一種新的電容耦合方式。(2)利用邊緣耦合來增加?xùn)烹娙蓠詈闲省?br> 權(quán)利要求
1.一種OTP器件，其特征在于在Word Line側(cè)增大Poly的周長(zhǎng)，增加Poly與擴(kuò)散層間的邊緣耦合周長(zhǎng)來增大電容效率。
2.如權(quán)利要求1所述的OTP器件，其特征在于所述增大Poly的周長(zhǎng)是Poly為連續(xù)的條狀或彎曲條狀或樹狀Poly結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種OTP器件，在Word Line側(cè)增大Poly的周長(zhǎng)，增加Poly與擴(kuò)散層間的邊緣耦合周長(zhǎng)來增大電容效率。本發(fā)明在普通邏輯工藝中，不改變其他邏輯工藝及器件其他特性的情況下，即可制作高密度內(nèi)置OTP器件，并且生產(chǎn)周期短，制造成本低。
文檔編號(hào)H01L29/92GK1627527SQ20031010923
公開日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2003年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月10日
發(fā)明者徐向明, 龔順強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司