專利名稱：壓電元件及其制造方法、以及觸摸面板裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種能夠激勵表面彈性波的壓電元件及其制造方法、以及作為激勵裝置及接收裝置而具有壓電元件的觸摸面板裝置。
背景技術：
作為對FA設備、OA設備、以及測定設備等中的計算機系統(tǒng)進行輸入的輸入裝置，存在采用觸摸面板裝置的情況。觸摸面板裝置與設備的顯示器設為一體，用于檢測出在顯示器表面手指等接觸的位置。基于與在顯示器上顯示的圖像相關的數(shù)據(jù)、以及與由觸摸面板裝置檢測出的接觸位置相關的數(shù)據(jù)，在設備的計算機系統(tǒng)中執(zhí)行規(guī)定的處理。
在觸摸面板裝置的技術領域中，近年來，引人注目的是利用表面彈性波(SAW)來檢測出接觸位置的SAW方式觸摸面板裝置。SAW方式觸摸面板裝置例如具備具有檢出區(qū)域以及包圍該檢出區(qū)域的周邊區(qū)域的透明基板；以及設置在該基板的周邊區(qū)域上的多個激勵裝置以及多個接收裝置。激勵裝置以及接收裝置分別由壓電元件構成。關于這樣的SAW方式觸摸面板裝置，例如記載在JP特開平6-149459號公報和JP特開平10-55240號公報里。
構成激勵裝置或接收裝置的壓電元件，例如由在基板的周邊區(qū)域上按每個元件圖形形成的交叉指型換能器(IDT)、和以覆蓋該IDT的方式設在周邊區(qū)域上的壓電膜構成。IDT由一對梳齒電極構成，各梳齒電極具有相互平行的多個電極梳齒。一側的梳齒電極的電極梳齒與另一側的梳齒電極的電極梳齒交互并且平行配置。壓電膜，由表現(xiàn)出通過施加應變而產(chǎn)生電場的性質(zhì)(壓電效應)、以及通過施加電場而產(chǎn)生應變的性質(zhì)(逆壓電效應)的壓電材料構成。
當向作為激勵裝置的壓電元件的IDT施加交流電壓時，在相鄰的電極梳齒之間產(chǎn)生交流電場。于是，由于逆壓電效應，在對應于該電極梳齒之間的壓電膜上產(chǎn)生應變，通過全部IDT在壓電膜激勵規(guī)定的彈性波。此時，最強烈的激勵與電極梳齒間距相等的波長的彈性波。被激勵的彈性波在基板表面?zhèn)鞑?，到達作為接收裝置的壓電元件。在該元件中，由于該壓電膜的壓電效應，在IDT的電極梳齒之間產(chǎn)生交流電場。被交流電場感應，從該元件的IDT輸出交流電流。
在SAW方式觸摸面板裝置動作時，從作為激勵裝置的各壓電元件產(chǎn)生表面彈性波，該表面彈性波在基板的檢出區(qū)域傳送，由作為接收裝置的特定的壓電元件接收。在手指等接觸到檢出區(qū)域時，通過該接觸位置的表面彈性波的振幅就會衰減。通過檢測以及分析此衰減，從而指定或者檢測出檢出區(qū)域中的接觸位置。
在這樣的SAW方式觸摸面板裝置中，激勵用壓電元件，其電氣機械變換效率越高，就越能相對于施加電壓高效激勵彈性波。另一方面，接收用壓電元件，其電氣機械變換效率越高，就越能基于所接收的彈性波高效輸出交流電流。因此，在SAW方式觸摸面板裝置中，各壓電元件的電氣機械變換效率越高，一對壓電元件間的信號發(fā)送接收的插入損失(dB)就越小，其結果是，能夠降低裝置的驅動電壓，另外，提高裝置的檢出精度。
可是，根據(jù)現(xiàn)有的SAW方式觸摸面板裝置，由于在壓電元件中不能得到足夠高的電氣機械變換效率，所以存在不能充分降低驅動電壓的情況，另外，也存在不能取得需要的檢出精度的情況。
發(fā)明的公開本發(fā)明是基于這樣的情況而提出的，其目的是提供一種電氣機械變換效率高的壓電元件及其制造方法、以及作為激勵裝置及接收裝置而具備這種壓電元件的SAW方式觸摸面板裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供一種壓電元件。該壓電元件具有基板、壓電膜、第一電極、以及第二電極。第一電極以及/或者第二電極介于基板以及壓電膜之間，并且由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬的Al合金構成。在Al合金含有從該組中選擇出的多種金屬時，該Al合金中的各添加金屬的含有率在0.1～3wt％的范圍內(nèi)。
一直以來，規(guī)定的壓電元件中的壓電膜通過濺射法使壓電材料成膜而形成，在該成膜時加熱基板。當基板被加熱時，已經(jīng)形成在基板上的電極(例如，上述的現(xiàn)有的壓電元件的IDT)和基板同時升溫，由于基板以及電極的熱膨脹率的差異，會在該電極上產(chǎn)生凸起(ヒロック)(電極從基板表面部分剝離)。公知凸起越多、或者各凸起越大，該壓電元件上的電氣機械變換效率就越低。在SAW方式觸摸面板裝置中的現(xiàn)有的壓電元件中，采用Al作為用于構成作為電極的IDT的材料的情況比較多。那是因為Al電阻小、價格便宜、加工容易的緣故?？墒牵谠揂l電極中，凸起特別容易產(chǎn)生及成長。
在本發(fā)明的第一個方面涉及的壓電元件的制造中，在基板上以規(guī)定的圖形形成第一電極以及第二電極之后，在基板上形成壓電膜來覆蓋這些電極。或者，在基板上以規(guī)定的圖形形成第一電極之后，在基板上形成壓電膜來覆蓋該第一電極，進一步，在壓電膜上形成第二電極?；蛘撸诨迳弦砸?guī)定的圖形形成第二電極之后，在基板上形成壓電膜來覆蓋該第二電極，進一步，在壓電膜上形成第一電極。在任何一個方法中，在形成壓電膜時，和現(xiàn)有方法同樣，加熱基板，從而加熱已經(jīng)形成在基板上的電極。
可是，在第一個方面涉及的壓電元件中，可取得比現(xiàn)有的壓電元件高的電氣機械變換效率。那是因為介于基板和壓電膜之間的電極(第一電極以及/或者第二電極)由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬的Al合金構成，與由純Al構成的電極相比，不易熱膨脹的緣故。在形成壓電膜時已經(jīng)形成在基板上，并且在所制造的壓電元件中介于基板和壓電膜之間的電極，在由上述那樣的Al合金構成時，在壓電膜形成時，在該電極上不產(chǎn)生凸起，或者即使產(chǎn)生凸起也能抑制其數(shù)量和尺寸，其結果是，在壓電元件中能夠取得高的電氣機械變換效率。
在本發(fā)明的第一個方面中，在優(yōu)選的實施方式中，第一電極介于基板以及壓電膜之間，第二電極設置在壓電膜上。在本結構中，向壓電膜施加電壓，可利用隔著壓電膜的第一以及第二電極。此時，優(yōu)選第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且第一電極具有通過壓電膜而與多個分支電極相對向的部位。此時，當將壓電膜的厚度設為h，并且，將多個分支電極的電極周期設為λ時，優(yōu)選h/λ的值為0.005～0.1。這樣的h/λ的范圍適于取得高的電氣機械變換效率。
在本發(fā)明的第一個方面中，在其他優(yōu)選的實施方式中，第一電極以及第二電極介于基板以及壓電膜之間，構成交叉指型換能器(IDT)。在本結構中，向壓電膜施加電壓，可利用介于基板和壓電元件之間的IDT。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，提供一種壓電元件的制造方法。該制造方法包括用于在基板上形成由Al合金構成的第一電極的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于除去第一電極的表面的氧化膜的工序；用于在基板上形成重疊在第一電極上的壓電膜的工序；用于在壓電膜上形成第二電極的工序。
根據(jù)此方法，能夠適于制造本發(fā)明的第一個方面涉及的壓電元件。因此，根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，能夠在所制造的壓電元件中取得高的電氣機械變換效率。
根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，提供一種壓電元件的其他的制造方法。該制造方法包括用于在基板上形成由Al合金構成的第一電極的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于對第一電極的表面進行蝕刻處理的工序；用于在基板上形成重疊在第一電極上的壓電膜的工序；用于在壓電膜上形成第二電極的工序。
根據(jù)此方法，能夠適于制造本發(fā)明的第一個方面涉及的壓電元件。因此，根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，能夠在所制造的壓電元件中取得高的電氣機械變換效率。
在本發(fā)明的第三個方面中，優(yōu)選第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且，第一電極具有通過壓電膜而與多個分支電極相對向的部位。
根據(jù)本發(fā)明的第四個方面，提供一種壓電元件的其他的制造方法。該制造方法包括用于在基板上形成由Al合金構成的IDT的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于除去IDT的表面的氧化膜的工序；用于在基板上形成重疊在IDT上的壓電膜的工序。
根據(jù)此方法，能夠適于制造本發(fā)明的第一個方面涉及的壓電元件。這樣一來，在本發(fā)明的第四個方面中，也能夠在所制造的壓電元件中取得高的電氣機械變換效率。
根據(jù)本發(fā)明的第五個方面，提供一種壓電元件的其他的制造方法。該制造方法包括用于在基板上形成由Al合金構成的IDT的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于對該IDT的表面進行蝕刻處理的工序；用于在基板上形成重疊在該IDT上的壓電膜的工序。
根據(jù)此方法，能夠適于制造本發(fā)明的第一個方面涉及的壓電元件。因此，在本發(fā)明的第五個方面中，也能夠在所制造的壓電元件中取得高的電氣機械變換效率。
根據(jù)本發(fā)明的第六個方面，提供一種觸摸面板裝置。該觸摸面板裝置具有基板，其包括檢出區(qū)域以及包圍該檢出區(qū)域的周邊區(qū)域；激勵裝置，其設置在周邊區(qū)域，并且用于在基板上激勵表面彈性波；接收裝置，其設置在周邊區(qū)域，并且用于接收在檢出區(qū)域傳播的表面彈性波，激勵裝置以及/或者接收裝置包含有壓電膜、第一電極、以及第二電極，第一電極以及/或者第二電極介于基板以及壓電膜之間，并且由Al合金構成，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬。
這樣構成的觸摸面板裝置的激勵裝置以及/或者接收裝置，由第一個方面涉及的高的電氣機械變換效率的壓電元件構成。因此，本發(fā)明的第六個方面涉及的觸摸面板裝置，在謀求降低驅動電壓和提高檢出精度方面較為適合。
在本發(fā)明的第六個方面中，在優(yōu)選的實施方式中，第一電極介于基板以及壓電膜之間，第二電極設置在壓電膜上。此時，優(yōu)選第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且，第一電極具有通過壓電膜而與多個分支電極相對向的部位。此時，優(yōu)選將壓電膜的厚度設為h，并且，將多個分支電極的電極周期設為λ時，h/λ的值為0.005～0.1。
在本發(fā)明的第六個方面中，在其他的優(yōu)選實施方式中，第一電極以及第二電極介于基板以及壓電膜之間，構成IDT。
在本發(fā)明的第一到第六個方面中，優(yōu)選壓電膜由摻雜了Mn的ZnO構成。介于基板和壓電膜之間的電極的構成材料，有時在高溫下向壓電膜擴散，電極構成材料向壓電膜的擴散常使壓電元件的電氣機械變換效率下降。當向作為壓電材料的ZnO中摻雜入Mn時，向作為電極構成材料的例如Al的壓電膜的擴散就會被抑制。因此，本結構適于在壓電元件中取得高的電氣機械變換效率。
附圖的簡單說明

圖1是本發(fā)明第一實施方式的壓電元件的平面圖。
圖2是沿著圖1的II-II線的剖面圖。
圖3A～圖3C表示圖1所示的壓電元件的制造方法。各圖為局部剖面圖。
圖4是本發(fā)明第二實施方式的壓電元件的平面圖。
圖5是沿著圖4的V-V線的剖面圖。
圖6A～圖6C表示圖4所示的壓電元件的制造方法。各圖為局部剖面圖。
圖7表示本發(fā)明第三實施方式的觸摸面板裝置。
圖8是圖7所示的觸摸面板裝置的局部放大圖。
圖9表示本發(fā)明第四實施方式的觸摸面板裝置。
圖10是圖9的觸摸面板裝置的局部放大圖。
圖11表示具有圖1所示的壓電元件的濾波器。
圖12表示關于實施例1～3以及比較例中的各濾波器的插入損失測定的結果。
圖13表示關于實施例1、4中的各濾波器的、插入損失的退火時間依賴性。
實施發(fā)明的最佳方式圖1及圖2表示本發(fā)明第一實施方式的壓電元件X。壓電元件X具有基板11、壓電膜12、電極13、14，以能夠激勵以及接收表面彈性波的方式構成。
基板11具有確保元件的剛性的功能，同時還是傳播表面彈性波的介質(zhì)?；?1例如是透明的玻璃基板等的非壓電基板。
壓電膜12，由表現(xiàn)出通過施加應變而產(chǎn)生電場的性質(zhì)(壓電效應)、以及通過施加電場而產(chǎn)生應變的性質(zhì)(逆壓電效應)的壓電材料構成。作為這樣的壓電材料，例如能夠采用摻雜有Mn的ZnO、ZnO、或AIN。壓電膜12的厚度h例如為1.0～3.0μm。
電極13介于基板11以及壓電膜12之間，由Al合金構成，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬。Al合金含有從該組中選出的多種金屬時，該Al合金中的各添加金屬的含有率在0.1～3wt％的范圍內(nèi)。在電極13連接有具有露出到外部的部位的端子15。電極13的厚度例如為300～600nm。
電極14設置在壓電膜12之上，具有由基部14a以及多個分支電極14b構成的梳齒結構。多個分支電極14b從基部14a延伸出，并且相互平行。相互平行的多個分支電極14b，也可分別取代圖1所示的直線狀而為折曲狀或彎曲狀。另外，多個分支電極14b隔著壓電膜12與電極13相對向。
電極14的厚度例如為300～600nm，各分支電極14b的寬度d1例如為40～60μm，分支電極14b的電極周期λ1例如為100～150μm。上述的壓電膜12的厚度h、和分支電極14b的電極周期λ1最好具有這樣的關系0.005≤h/λ1≤0.1。
電極14由規(guī)定的導電材料構成。作為電極14的構成材料，可采用與電極13相同的材料。另外，在電極14連接有端子16。
圖3A～圖3C表示壓電元件X的制造方法。在壓電元件X的制造方法中，首先，在基板11上，如圖3A所示形成電極13，同時形成端子15(在圖3A～圖3C中沒有圖示出)。
在這些部件的形成中，首先將Al合金成膜在基板11上。該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬。作為成膜方法，可采用濺射法或蒸鍍法。在電極13以及端子15的形成中，接下來在Al合金膜上形成抗蝕圖形。此抗蝕圖形是用來對在Al合金膜上要被加工成電極13以及端子15的部位進行掩模的。接下來，以該抗蝕圖形作為掩模，對Al合金膜進行蝕刻。由此，能夠在基板11上形成電極13以及端子15。
形成電極13之后，最好對電極13的表面進行蝕刻處理。作為表面處理方法，例如可采用利用了Ar等離子體的逆濺射法?？烧J為是通過這樣的表面處理，清除在電極13形成后因該電極13的表面自然氧化而產(chǎn)生的氧化膜。
接下米如圖3B所示，在壓電元件X的制造中，在基板11上層疊形成壓電膜12。具體地說，在通過濺射法將壓電材料成膜在基板11上之后，通過以規(guī)定的抗蝕圖形作為掩模來對該壓電材料膜進行蝕刻，從而形成具有規(guī)定的俯視形態(tài)的壓電膜12。在通過濺射法的壓電材料的成膜時，基板11被加熱到規(guī)定的溫度。由此，電極13雖然與基板11一同升溫，但在該電極13上不產(chǎn)生凸起(ヒロック)、或即使產(chǎn)生凸起也能抑制其數(shù)量和尺寸。這是因為由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬的Al合金構成的電極13不易熱膨脹的緣故。
接下來，如圖3C所示，在壓電膜12上形成電極14，同時形成端子16(在圖3C中沒有圖示出)。在這些部件的形成中，首先將規(guī)定的導電材料成膜在整個基板11的表面以及壓電膜12的表面上。作為成膜方法，可采用濺射法或蒸鍍法。接下來在導電膜上形成抗蝕圖形。此抗蝕圖形是用來對在該導電膜上要被加工成電極14及端子16的部位進行掩模的。接下來，以該抗蝕圖形作為掩模，對導電膜進行蝕刻。由此，能夠形成電極14以及端子16。
在電極14以及端子16的形成中，也可以取代利用了濺射法的如上述那樣的方法，而利用印刷法。在印刷法中，首先對基板11的表面以及壓電膜12的表面隔著規(guī)定的掩模印刷或者涂敷例如Ag膏。接下來，在清除掩模之后，對該Ag膏進行燒結或者退火處理來使膏中的溶劑蒸發(fā)。這樣，能夠形成由Ag構成的電極14以及端子16。
像以上那樣，能夠制造具有高的電氣機械變換效率的壓電元件X。參照圖3B，在上述的壓電膜形成工序中，能夠抑制已經(jīng)形成在基板11上的電極13上的凸起的產(chǎn)生和成長，同時能夠將用于形成壓電膜12的壓電材料成膜?？梢哉J為在壓電元件X中能夠取得高的電氣機械變換效率，是由于在壓電膜形成時電極13上的凸起的產(chǎn)生及成長被抑制的緣故。另外，在形成電極13之后對該電極13的表面實施蝕刻處理時，可以認為該表面處理有助于抑制壓電膜形成時的凸起的產(chǎn)生及成長。
圖4及圖5表示本發(fā)明第二實施方式的壓電元件X′。壓電元件X′具有基板11、壓電膜12、電極23、24，以能夠激勵以及接收表面彈性波的方式構成。壓電元件X′在取代電極13、14而具有電極23、24這一點上，與壓電元件X不同。關于基板11與壓電膜12，與第一實施方式所述的相同。
電極23、24構成介于基板11以及壓電膜12之間的IDT，由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬的Al合金構成。Al合金含有從該組中選出的多種金屬時，該Al合金中的各添加金屬的含有率在0.1～3wt％的范圍內(nèi)。
電極23具有由基部23a以及多個分支電極23b構成的梳齒結構。多個分支電極23b從基部23a延伸出，并且相互平行。在電極23連接有具有露出到外部的部位的端子25。
電極24具有由基部24a以及多個分支電極24b構成的梳齒結構。多個分支電極24b從基部24a延伸出，并且相互平行。另外，分支電極24b也與分支電極23b平行。在電極24連接有具有露出到外部的部位的端子26。
電極23、24的厚度例如為300～600nm，各分支電極23b、24b的寬度d2例如為20～30μm，分支電極23b、24b的電極周期λ2例如為100～150μm。
圖6A～圖6C表示壓電元件X′的制造方法。在壓電元件X′的制造中，首先，如圖6A所示，在基板11上形成Al合金膜20′。該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬。作為成膜方法，可采用濺射法或蒸鍍法。
接下來，通過圖形形成Al合金膜20′，在基板11上，如圖6B所示，形成電極23、24，同時形成端子25、26(在圖6B以及圖6C中沒有圖示出)。具體地說，首先在Al合金膜20′上形成抗蝕圖形。此抗蝕圖形是用來對在Al合金膜20′上要被加工成電極23、24以及端子25、26的部位進行掩模的。接下來，以該抗蝕圖形為掩模，對Al合金膜20′進行蝕刻。這樣一來，在基板11上，能夠形成電極23、24以及端子25、26。
電極23、24形成之后，最好對電極23、24的表面進行蝕刻處理。作為表面處理方法，例如可采用利用了Ar等離子體的逆濺射法?？烧J為是通過這樣的處理，清除在電極23、24形成后因該電極23、24的表面自然氧化而產(chǎn)生的氧化膜。
在壓電元件X′的制造中，接下來如圖6C所示，在基板11上層疊形成壓電膜12。具體地說，在通過濺射法將壓電材料成膜在基板11上之后，通過以規(guī)定的抗蝕圖形為掩模來對該壓電材料膜進行蝕刻，從而形成具有規(guī)定的俯視形態(tài)的壓電膜12。在通過濺射法的壓電材料的成膜時，基板11被加熱到規(guī)定的溫度。由此，電極23、24雖然與基板11一同升溫，但在該電極23、24上不生成凸起、或即使產(chǎn)生凸起也能抑制其數(shù)量和尺寸。這是因為由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬的Al合金構成的電極23、24不易熱膨脹的緣故。
像以上那樣，能夠制造具有高的電氣機械變換效率的壓電元件X′。參照圖6C，在上述的壓電膜形成工序中，能夠抑制已經(jīng)形成在基板11上的電極23、24上的凸起的產(chǎn)生和成長，同時能夠將用于形成壓電膜12的壓電材料成膜?？梢哉J為是在壓電元件X′中能夠取得高的電氣機械變換效率，是由于在壓電膜形成時電極23、24上的凸起的產(chǎn)生及成長被抑制的緣故。另外，在形成電極23、24之后對該電極23、24的表面實施蝕刻處理時，可以認為該表面處理有助于抑制壓電膜形成時的凸起的產(chǎn)生及成長。
圖7及圖8表示本發(fā)明第三實施方式的觸摸面板裝置Y。觸摸面板裝置Y具有基板31、壓電膜32、電極33A～33D、34A～34D，作為SAW方式觸摸面板裝置而構成。為了讓圖更加清楚，壓電膜32用虛線表示。
基板31是傳播表面彈性波的介質(zhì)，是具有檢出區(qū)域31a以及周邊區(qū)域31b的透明基板。檢出區(qū)域31a以及周邊區(qū)域31b的邊界用虛線表示?；?1，例如是透明的玻璃基板等的非壓電基板，例如有0.7～1.1mm厚。檢出區(qū)域31a是觸摸面板裝置Y的檢出對象區(qū)域，在本實施方式中為矩形。周邊區(qū)域31b是包圍在檢出區(qū)域31a的周圍并設置有觸摸面板裝置Y的后述的激勵裝置以及接收裝置的區(qū)域。
壓電膜32被設置在基板31的周邊區(qū)域31b上，與第一實施方式的壓電膜12相同，也是由表現(xiàn)出壓電效應以及逆壓電效應的壓電材料構成。壓電膜32的厚度h例如為1.0～3.0μm。
電極33A～33D介于基板31以及壓電膜32之間，由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬的Al合金構成。電極33A～33D的厚度例如為300～600nm。在電極33A～33D上，連接有分別對應的端子35A～35D。端子35A～35D分別具有露出到外部的部位。
電極34A～34D設置在壓電膜32之上，分別具有由基部34a以及多個分支電極34b構成的梳齒結構。屬于同一電極的多個分支電極34b從同一基部34a延伸出，并且相互平行。
在本實施方式中，相互平行的多個分支電極34b，分別具有相對離檢出領域31a近的內(nèi)側部34b′以及相對離檢出區(qū)域31a遠的外側部34b″，它們向不同的規(guī)定方向延伸。即，分支電極34b以規(guī)定的角度折曲。折曲角度對應于規(guī)定了矩形的檢出區(qū)域31a的相鄰邊的比率來決定。例如，檢出區(qū)域31a是正方形時，即相鄰邊的比率為1∶1時，折曲角度為45°。另外，分支電極34b隔著壓電膜32與電極33A～33D相對向。
電極34的厚度例如為300～600nm，各分支電極34b的寬度d3(圖8所示)例如為40～60μm。另外，分支電極34b的內(nèi)側部34b′的電極周期λ3(圖8所示)以及外側部34b″的電極周期λ4(圖8所示)與上述的電極周期λ1同樣，例如為100～150μm。在一個電極中，電極周期λ3以及電極周期λ4，對應于觸摸面板裝置Y的驅動方法被設定為相同或相異。另外，在電極34A～34D之間，電極周期λ3以及/或者電極周期λ4，對應于觸摸面板裝置Y的驅動方法被設定為相同或相異。上述的壓電膜32的厚度h、和電極周期λ3最好具有這樣的關系0.005≤h/λ3≤0.1。同樣，壓電膜32的厚度h、和電極周期λ4最好具有這樣的關系0.005≤h/λ4≤0.1。
電極34A～34D由規(guī)定的導電材料構成。作為電極34A～34D的構成材料，可采用與電極33A～33D相同的材料。另外，在電極34A～34D分別連接有端子36A～36D。
觸摸面板裝置Y，在基板31的周邊區(qū)域31b，具備第一實施方式的4個壓電元件X(壓電元件XA～XD)。具體地說，電極對33A、34A、電極對33B、34B、電極對33C、34C、以及電極對33D、34D，分別相當于壓電元件X的電極對13、14；各電極對間所夾持的壓電膜32包含4個壓電元件X的4個壓電膜12；支撐它們的基板31包含4個壓電元件X的基板11。另外，端子35A～35D以及端子36A～36D，分別相當于壓電元件X的端子15以及端子16。這種含有4個壓電元件X的觸摸面板裝置Y，能夠利用參照圖3A～圖3C所述的壓電元件X的制造方法來制造。
觸摸面板裝置Y動作時，例如相對向的兩個壓電元件XA、XC在不同的定時間歇地被激勵驅動。
壓電元件XA，通過端子35A、36A在電極33A、34A之間施加交流電壓來激勵驅動。激勵驅動中，在壓電元件XA激勵出規(guī)定頻率的兩種表面彈性波(SAW)f1、f2。激勵SAWf1，使其在與壓電元件XA上的分支電極34b的內(nèi)側部34b′垂直的方向傳播。激勵SAWf2，使其在與分支電極34b的外側部34b″垂直的方向傳播。
SAWf1在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XD上的多個內(nèi)側部34b′被接收。其結果是，從壓電元件XD通過該端子35D、36D來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XD上的圖中上端的內(nèi)側部34b′接收SAWf1開始，到圖中下端的內(nèi)側部34b′接收SAWf1為止，輸出該接收信號。
SAWf2在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XB上的多個外側部34b″被接收。其結果是，從壓電元件XB通過該端子35B、36B來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XB上的圖中上端的外側部34b″接收SAWf2開始，到圖中下端的外側部34b″接收SAWf2為止，輸出該接收信號。
另一方面，壓電元件XC，通過經(jīng)由端子35C、36C在電極33C、34C之間施加交流電壓而被激勵驅動。激勵驅動中，在壓電元件XC激勵出規(guī)定頻率的兩種SAWf3、f4。激勵SAWf3，使其在與壓電元件XC上的分支電極34b的內(nèi)側部34b′垂直的方向傳播。激勵SAWf4，使其在與分支電極34b的外側部34b″垂直的方向傳播。壓電元件XC的這種激勵驅動，例如在從壓電元件XB、XD輸出上述接收信號結束后立刻進行。
SAWf3在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XB上的多個內(nèi)側部34b′被接收。其結果是，從壓電元件XB通過該端子35B、36B來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XB上的圖中下端的內(nèi)側部34b′接收到SAWf3開始，到圖中上端的內(nèi)側部34b′接收到SAWf3為止，輸出該接收信號。
SAWf4在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XD上的多個外側部34b″被接收。其結果是，從壓電元件XD通過該端子35D、36D來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XD上的圖中下端的外側部34b″接收到SAWf4開始，到圖中上端的外側部34b″接收到SAWf4為止，輸出該接收信號。
在觸摸面板裝置Y動作時，從由壓電元件XA激勵SAWf1、f2開始，到來自基于SAWf3、f4的接收的壓電元件XB、XD的接收信號的輸出為止的、上述一系列的動作反復進行。
在觸摸面板裝置Y動作時，當用手指等接觸到基板31的檢出區(qū)域31a的任意位置時，SAWf1～f4的振幅就會在通過該位置時在該位置衰減。因為基于振幅衰減了的SAW，從壓電元件XB、XD輸出的接收信號的輸出電平下降，所以通過在該接收信號中檢測以及分析輸出電平下降的情況，從而指定或者檢測出檢出區(qū)域31a的接觸位置。
為了使觸摸面板裝置Y動作，也可以利用壓電元件XB、XD取代壓電元件XA、XC來作為激勵裝置，利用壓電元件XA、XC取代壓電元件XB、XD來作為接收裝置。
觸摸面板裝置Y具備具有高的電氣機械變換效率的第一實施方式的壓電元件X(壓電元件XA～XD)作為激勵裝置以及接收裝置。這樣的觸摸面板裝置Y在謀求降低驅動電壓和提高檢出精度的方面較為適合。
圖9及圖10表示本發(fā)明第四實施方式的觸摸面板裝置Y′。觸摸面板裝置Y′具備基板31、壓電膜32、電極43A～43D、44A～44D，作為SAW方式觸摸面板裝置而構成。觸摸面板裝置Y′在取代電極33A～33D、34A～34D而具有電極43A～43D、44A～44D這點上，與觸摸面板裝置Y不同。關于基板31以及壓電膜32，與第三實施方式所述的相同。
電極對43A、44A、電極對43B、44B、電極對43C、44C、以及電極對43D、44D，構成介于基板31以及壓電膜32之間的IDT，由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組當中選出的金屬的Al合金構成。
電極43A～43D分別具有由基部43a以及多個分支電極43b構成的梳齒結構。屬于同一電極的多個分支電極43b從同一基部43a延伸出，并且相互平行。在本實施方式中，相互平行的多個分支電極43b，分別具有相對離檢出領域31a近的內(nèi)側部43b′以及相對離檢出區(qū)域31a遠的外側部43b″，他們向不同的規(guī)定方向延伸。即，分支電極43b以規(guī)定的角度折曲。另外，在電極43A～43D分別連接有對應的端子45A～45D。端子45A～45D分別具有露出到外部的部位。
電極44A～44D分別具有由基部44a以及多個分支電極44b構成的梳齒結構。屬于同一電極的多個分支電極44b從同一基部44a延伸出，并且相互平行。另外，分支電極44b也平行于分支電極43b。在本實施方式中，相互平行的多個分支電極44b，分別具有內(nèi)側部44b′以及外側部44b″，他們向不同的規(guī)定方向延伸。即，分支電極44b以規(guī)定的角度折曲。分支電極43b、44b的折曲角度對應于規(guī)定矩形的檢出區(qū)域31a的相鄰邊的比率來決定。另外，在電極44A～44D分別連接有對應的端子46A～46D。端子46A～46D分別具有露出到外部的部位。
電極43、44的厚度例如為300～600nm，各分支電極43b、44b的寬度d4例如為20～30μm。內(nèi)側部43b′、44b′的電極周期λ5以及外側部43b″、44b″的電極周期λ6，與上述的電極周期λ2一樣，例如為100～150μm。
觸摸面板裝置Y′，在基板31的周邊區(qū)域31b，具備第二實施方式涉及的4個壓電元件X′(壓電元件XA′～XD′)。具體地說，電極對43A、44A、電極對43B、44B、電極對43C、44C、以及電極對43D、44D，分別相當于壓電元件X′的電極對23、24；各電極對間所夾持的壓電膜32包含4個壓電元件X′的4個壓電膜12；支撐它們的基板31包含4個壓電元件X′的4個基板11。另外，端子45A～45D以及端子46A～46D，分別相當于壓電元件X′的端子25以及端子26。這種含有4個壓電元件X′的觸摸面板裝置Y′，能夠利用參照圖6A～圖6C所述的壓電元件X′的制造方法來制造。
觸摸面板裝置Y′動作時，例如相對向的兩個壓電元件XA′、XC′在不同的定時間歇地被激勵驅動。
壓電元件XA′，通過經(jīng)由端子45A、46A在電極43A、44A之間施加交流電壓而被激勵驅動。激勵驅動中，在壓電元件XA′激勵出規(guī)定頻率的兩種表面彈性波(SAW)f5、f6。激勵SAWf5，使其在與壓電元件XA′上的內(nèi)側部43b′、44b′垂直的方向傳播。激勵SAWf6，使其在與壓電元件XA′上外側部43b″、44b″垂直的方向傳播。
SAWf5在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XD′上的多個內(nèi)側部43b′、44b′被接收。其結果是，從壓電元件XD′通過該端子45D、46D來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XD′上的圖中上端的內(nèi)側部43b′(44b′)接收到SAWf5開始，到圖中下端的內(nèi)側部43b′(44b′)接收到SAWf5為止，輸出該接收信號。
SAWf6在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XB′上的多個外側部43b″、44b″被接收。其結果，從壓電元件XB′通過該端子45B、46B來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XB′上的圖中上端的外側部43b″(44b″)接收到SAWF6開始，到圖中下端的外側部43b″(44b″)接收到SAWf6為止，輸出該接收信號。
另一方面，壓電元件XC′，通過經(jīng)由端子45C、46C在電極43C、44C之間施加交流電壓而被激勵驅動。激勵驅動中，在壓電元件XC′激勵出規(guī)定頻率的兩種SAWf7、f8。激勵SAWf7，使其在與壓電元件XC′上的內(nèi)側部43b′、44b′垂直的方向傳播。激勵SAWf8，使其在與壓電元件XC′上的外側部43b″、44b″垂直的方向傳播。壓電元件XC′的這種激勵驅動，例如，在來自壓電元件XB′、XD′的上述接收信號的輸出結束后立刻進行。
SAWf7在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XB′上的多個內(nèi)側部43b′、44b′被接收。其結果是，從壓電元件XB′通過該端子45B、46B來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XB′上的圖中下端的內(nèi)側部43b′(44b′)接收到SAWf7開始，到圖中上端的內(nèi)側部43b′(44b′)接收到SAWf7為止，輸出該接收信號。
SAWf8在基板31的檢出區(qū)域31a傳播之后，在壓電元件XD′上的多個外側部43b″、44b″被接收。其結果是，從壓電元件XD′通過該端子45D、46D來輸出接收信號。實質(zhì)上是從壓電元件XD′上的圖中下端的外側部43b″(44b″)接收到SAWf8開始，到圖中上端的外側部43b″(44b″)接收到SAWf8為止，輸出該接收信號。
在觸摸面板裝置Y′動作時，從基于壓電元件XA′的SAWf5、f6的激勵開始，到來自基于SAWf7、f8的接收的壓電元件XB′、XD′的接收信號的輸出為止的、上述一系列的動作反復進行。
在觸摸面板裝置Y′動作時，當手指等接觸到基板31的檢出區(qū)域31a的任意位置時，SAWf5～f8的振幅就會在通過該位置時在該位置衰減。因為基于振幅衰減了的SAW而從壓電元件XB′、XD′輸出的接收信號的輸出電平下降，所以通過在從壓電元件XB′、XD′輸出的接收信號中檢測以及分析輸出電平下降的情況，從而指定或者檢測出檢出區(qū)域31a上的接觸位置。
為了使觸摸面板裝置Y′動作，也可以利用壓電元件XB′、XD′取代壓電元件XA′、XC′來作為激勵裝置、利用壓電元件XA′、XC′取代壓電元件XB′、XD′來作為接收裝置。
觸摸面板裝置Y′具備具有高的電氣機械變換效率的第二實施方式的壓電元件X′(壓電元件XA′～XD′)來作為激勵裝置以及接收裝置。這樣的觸摸面板裝置Y′在謀求降低驅動電壓和提高檢出精度方面較為合適。
作為觸摸面板裝置Y、Y′的動作方法，也可以采用其他的方式。例如，能夠采用用于使記載在JP特開2002-222041號公報里的第一～第三實施方式涉及的觸摸面板裝置動作的、記載在該公報里的方法。
實施例1制作如圖11所示這樣的、由兩個壓電元件X構成的標準相對向型的濾波器。構成該濾波器的本實施方式例的各壓電元件X是第一實施方式涉及的元件。在濾波器的制作中，首先，在第一成膜工序中，通過濺射法將含有1.0wt％的Cu的Al合金成膜在玻璃基板11上，從而形成厚度為300nm的Al合金膜。在本濺射法中使用了含有1.0wt％的Cu的Al合金靶。
接下來，通過以規(guī)定的抗蝕圖形作為掩模對Al合金膜進行蝕刻，從而圖形形成Al合金膜。這樣一來，在基板11上形成了電極13以及端子15。之后，通過利用了Ar等離子體的逆濺射法，對電極13的表面進行蝕刻處理。
接下來，在第二成膜工序中，通過濺射法，使ZnO成膜在基板11上，從而形成厚度為2μm的壓電材料膜。具體地說，通過使用ZnO燒結體靶，使用Ar氣以及O2氣作為濺射氣進行的反應性濺射，從而使ZnO成膜在基板上。在本濺射中，將Ar氣和O2氣的流量比設為4∶1。之后，通過以規(guī)定的抗蝕圖形作為掩模來對壓電材料膜進行蝕刻，從而圖形形成該壓電材料膜。這樣，形成了壓電膜12。
接下來，在第三成膜工序中，通過濺射法，使Al合金成膜在整個基板11的表面以及壓電膜12的表面上，從而形成厚度為300nm的Al合金膜。在本濺射中，使用了與上述的電極13形成時使用的相同的含有Cu的Al合金靶。接下來，通過以規(guī)定的抗蝕圖形作為掩模來對Al合金膜進行蝕刻，從而圖形形成該Al合金膜。這樣，形成了具有基部14a以及多個平行的分支電極14b的電極14以及端子16。在本實施例中的電極14，分支電極14b的寬度d1為44μm，分支電極14b的電極周期λ1為110μm。
通過以上方法，制作了本實施例涉及的多個濾波器。在全部的濾波器中，壓電膜12的厚度h為2μm，該厚度h和分支電極14b的電極周期λ1滿足以下條件0.005≤h/λ1≤0.1。
實施例2在第一成膜工序中，除了取代含有1.0wt％的Cu的Al合金而采用含有0.5wt％的Cu的Al合金來成膜以外，通過與實施例1同樣的方法，制作了本實施例涉及的多個濾波器。在本實施例的濾波器中，電極13由含有0.5wt％的Cu的Al合金構成。另外，在本實施例的全部濾波器中，壓電膜12的厚度h為2μm，該厚度h和分支電極14b的電極周期λ1滿足以下條件0.005≤h/λ1≤0.1。
實施例3在第一成膜工序中，除了取代含有1.0wt％的Cu的Al合金而采用含有2.0wt％的Cu的Al合金來成膜以外，通過與實施例1同樣的方法，制作了本實施例涉及的多個濾波器。在本實施例的濾波器中，電極13由含有2.0wt％的Cu的Al合金構成。另外，在本實施方式的全部濾波器中，壓電膜12的厚度h為2μm，該厚度h和分支電極14b的電極周期λ1滿足以下條件0.005≤h/λ1≤0.1。
比較例在第一成膜工序中，除了取代含有1.0wt％的Cu的Al合金而采用純Al來成膜以外，通過與實施例1同樣的方法，制作了本比較例涉及的多個濾波器。在本比較例的濾波器中，介于基板和壓電膜之間的電極由純Al構成。
實施例4除了壓電膜12由摻雜了Mn的ZnO取代ZnO來構成以外，制作了具有與實施例1相同結構的濾波器。在該濾波器的制作的第二成膜工序的濺射中，使用了含有規(guī)定濃度的Mn2O3的ZnO的燒結靶。
插入損失的測定關于實施例1～3以及比較例的各濾波器，測定了輸入信號和接收信號之間的插入損失。其結果如圖12的圖表所示。在圖12的圖表中，經(jīng)由壓電膜而相對向的電極對之間的電阻(kΩ)由橫軸表示，插入損失(dB)由縱軸表示。
由圖12的圖表可判定，實施例1～3的濾波器與比較例的濾波器相比，插入損失小。這可以認為是，因為介于基板和壓電膜之間的電極由含有規(guī)定濃度Cu的Al合金構成時，與該電極由純Al構成時相比，壓電元件中的電氣機械變換效率高的緣故。另外，如圖12的圖表所示，雖然在同一實施例涉及的多個濾波器之間在電極間電阻的值存在偏差，但可以判定在同一實施例涉及的多個濾波器之間，有電極間電阻越大而插入損失就越小的傾向。
關于實施例1、4的濾波器，調(diào)查其插入損失的退火時間依賴性。具體地說，關于實施例1、4的各濾波器，在實施退火處理前、在250℃實施一個小時的退火處理之后、以及進一步在250°實施一個小時而合計兩個小時的退火處理之后，分別測定了插入損失。其結果如圖13的圖表所示。在圖13的圖表中，退火時間(h)由橫軸表示，插入損失(dB)由縱軸表示。另外，實施例1的濾波器的測定結果用線E1表示，實施例4的濾波器的測定結果用線E4表示。
從圖13的圖表可判定，在壓電元件經(jīng)過規(guī)定的退火處理時，摻雜了Mn的ZnO壓電膜與沒有摻雜的ZnO壓電膜相比，適于降低插入損失。這可以認為是，因為當向作為壓電材料的ZnO中摻雜Mn時，向作為電極構成材料的Al的壓電膜的擴散被抑制了的緣故。在通過印刷法來形成壓電膜上的電極時，進行用于燒結以規(guī)定的圖形形狀印刷的導電膏的退火處理。因此，由摻砸了Mn的ZnO形成壓電膜的這種結構，在通過印刷法來形成壓電膜上的電極時，特別有實際效益。
權利要求
1.一種壓電元件，其特征在于，具有基板、壓電膜、第一電極、以及第二電極，上述第一電極以及/或者上述第二電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，并且由Al合金構成，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬。
2.如權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，上述第一電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，上述第二電極設置在上述壓電膜上。
3.如權利要求2所述的壓電元件，其特征在于，上述第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且，上述第一電極具有通過上述壓電膜而與上述多個分支電極相對向的部位。
4.如權利要求3所述的壓電元件，其特征在于，在將上述壓電膜的厚度設為h，并且，將上述多個分支電極的電極周期設為λ時，h/λ的值為0.005～0.1。
5.如權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，上述第一電極以及上述第二電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，構成交叉指型換能器。
6.如權利要求1所述的壓電元件，其特征在于，上述壓電膜由摻雜了Mn的ZnO構成。
7.一種壓電元件的制造方法，其特征在于，包括用于在基板上形成由Al合金構成的第一電極的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于除去上述第一電極的表面的氧化膜的工序；用于在上述基板上形成重疊在上述第一電極上的壓電膜的工序；用于在上述壓電膜上形成第二電極的工序。
8.一種壓電元件的制造方法，其特征在于，包括用于在基板上形成由Al合金構成的第一電極的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于對上述第一電極的表面進行蝕刻處理的工序；用于在上述基板上形成重疊在上述第一電極上的壓電膜的工序；用于在上述壓電膜上形成第二電極的工序。
9.如權利要求8所述的壓電元件的制造方法，其特征在于，上述第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且，上述第一電極具有通過上述壓電膜而與上述多個分支電極相對向的部位。
10.如權利要求8所述的壓電元件的制造方法，其特征在于，上述壓電膜由摻雜了Mn的ZnO構成。
11.一種壓電元件的制造方法，其特征在于，包括用于在基板上形成由Al合金構成的交叉指型換能器的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于除去上述交叉指型換能器的表面的氧化膜的工序；用于在上述基板上形成重疊在上述交叉指型換能器上的壓電膜的工序。
12.一種壓電元件的制造方法，其特征在于，包括用于在基板上形成由Al合金構成的交叉指型換能器的工序，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬；用于對上述交叉指型換能器的表面進行蝕刻處理的工序；用于在上述基板上形成重疊在上述交叉指型換能器上的壓電膜的工序。
13.如權利要求12所述的壓電元件的制造方法，其特征在于，上述壓電膜由摻雜了Mn的ZnO構成。
14.一種觸摸面板裝置，其特征在于，具有基板，其包括檢出區(qū)域以及包圍該檢出區(qū)域的周邊區(qū)域；激勵裝置，其設置在上述周邊區(qū)域，并且用于在上述基板上激勵表面彈性波；接收裝置，其設置在上述周邊區(qū)域，并且用于接收在上述檢出區(qū)域傳播的表面彈性波，上述激勵裝置以及/或者上述接收裝置包含有壓電膜、第一電極、以及第二電極，上述第一電極以及/或者上述第二電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，并且由Al合金構成，其中，該Al合金含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬。
15.如權利要求14所述的觸摸面板裝置，其特征在于，上述第一電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，上述第二電極設置在上述壓電膜上。
16.如權利要求15所述的觸摸面板裝置，其特征在于，上述第二電極具有基部、以及從該基部延伸出且相互平行的多個分支電極，并且，上述第一電極具有通過上述壓電膜而與上述多個分支電極相對向的部位。
17.如權利要求16所述的觸摸面板裝置，其特征在于，在將上述壓電膜的厚度設為h，并且，將多個分支電極的電極周期設為λ時，h/λ的值為0.005～0.1。
18.如權利要求14所述的觸摸面板裝置，其特征在于，上述第一電極以及上述第二電極介于上述基板以及上述壓電膜之間，構成交叉指型換能器。
19.如權利要求14所述的觸摸面板裝置，其特征在于，上述壓電膜由摻雜了Mn的ZnO構成。
全文摘要
一種壓電元件(X)，具有基板(11)、壓電膜(12)、第一電極(13)、以及第二電極(14)，第一電極(13)以及/或者第二電極(14)介于上述基板(11)以及上述壓電膜(12)之間，并且由含有0.1～3wt％的從Ti、Cr、Ni、Cu、Zn、Pd、Ag、Hf、W、Pt、以及Au構成的組中選擇出的金屬的Al合金構成。
文檔編號G06F3/03GK1771612SQ0382650
公開日2006年5月10日 申請日期2003年5月22日 優(yōu)先權日2003年5月22日
發(fā)明者勝木隆史, 中澤文彥, 佐野聰, 高橋勇治 申請人:富士通株式會社