本發(fā)明涉及導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案，更具體地涉及能夠改善導(dǎo)電性的導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案。

背景技術(shù)：

最近，觸摸面板已經(jīng)應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，通過所述觸摸面板，用手指或如觸筆的輸入裝置觸摸顯示裝置上顯示的圖像來輸入用戶輸入內(nèi)容。

這樣的觸摸面板主要可以分為電阻膜式觸摸面板和電容式觸摸面板。由于輸入裝置施加的壓力使玻璃和電極短路，檢測到電阻膜式觸摸面板上的觸摸位置。通過感測觸摸板被手指觸摸時(shí)引起的電極之間的電容的變化，檢測到電容式觸摸面板上的觸摸位置。

隨著電阻膜式觸摸面板被重復(fù)使用，觸摸面板的性能可能降低，并且觸摸面板可能被劃傷。因此，具有高耐用性和長壽命的電容式觸摸面板受到了大量關(guān)注。

電容式觸摸面板被定義為具有可以輸入觸摸命令的有效區(qū)和該有效區(qū)之外的無效區(qū)。在有效區(qū)中，電極圖案由透明導(dǎo)電材料形成以透過來自顯示裝置的光。

以往，電極圖案由氧化銦錫(ito)形成。ito在薄層電阻高、制造成本高和原料市場中銦的供求不平衡方面受到限制。此外，ito不能用于近期趨勢(shì)中的柔性顯示裝置。

最近，已經(jīng)對(duì)透明電極材料(如可以替代ito的銀納米線)進(jìn)行了研究。

圖1是表示由以往的銀納米線形成的透明電極的圖。

參見圖1，以往的銀納米線200的縱橫比由于材料和制造工藝的限制而受到限制，為了實(shí)現(xiàn)高透射率，銀納米線200被制造為各自具有約100nm的小直徑。因此，將具有5μm至10μm的較短長度的銀納米線200施加到透明電極上。

為了施加到透明電極上，要求銀納米線200具有高導(dǎo)電性。然而，由于銀納米線200之間有許多斷線處，所以銀納米線200的長度短，并且因此具有低導(dǎo)電性。

此外，如圖2所示，有機(jī)膜210存在于每個(gè)銀納米線200的表面，因此銀納米線200之間的接觸區(qū)的電阻增加。此外，應(yīng)該進(jìn)行另外的過程來將銀納米線210電連接，由此增加制造成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本發(fā)明涉及能夠保持透光性恒定并提高導(dǎo)電性的導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案。

本發(fā)明還涉及能夠減少制造成本的導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案。

本發(fā)明的方面不限于此，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，由以下描述和附圖，另外的方面將是顯而易見的。

技術(shù)方案

本發(fā)明的一個(gè)方面提供了包括相互交叉配置的第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電片。第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的交叉區(qū)的厚度為第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的非交叉區(qū)的厚度之和的0.6至0.9倍。

本發(fā)明的另一方面提供了導(dǎo)電圖案，其包括形成觸摸像素的至少一個(gè)單位導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案包括在至少一個(gè)單位導(dǎo)電圖案中相互交叉配置的第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體。第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的交叉區(qū)的厚度為第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的非交叉區(qū)的厚度之和的0.6至0.9倍。

然而，本發(fā)明的方面不限于此，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，由以下描述和附圖，另外的方面將是顯而易見的。

有益效果

根據(jù)本發(fā)明，通過電紡絲形成較長的導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案的納米結(jié)構(gòu)體，因此可以增加納米結(jié)構(gòu)體之間的交叉區(qū)以改善導(dǎo)電性。

此外，根據(jù)本發(fā)明，導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案的納米結(jié)構(gòu)體之間的交叉區(qū)在去除聚合物期間形成。因此，可以跳過另外的過程，因此可以降低制造成本。

然而，本發(fā)明的效果不限于此，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，由以下描述和附圖，另外的效果將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是表示由以往的銀納米線形成的透明電極的圖。

圖2是以往銀納米線的交叉區(qū)的放大圖。

圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電片的頂視圖。

圖4是圖3的區(qū)域a的放大圖。

圖5是表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的場發(fā)射裝置的圖。

圖6是表示根據(jù)實(shí)施方式的電極圖案的一部分的實(shí)例的圖。

圖7是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的分解透視圖。

圖8是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的頂視圖。

圖9是應(yīng)用了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的顯示裝置的立體圖。

具體實(shí)施方式

為了清晰地向本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員清楚地解釋本發(fā)明的主旨，提供了本文陳述的實(shí)施方式。因此，本發(fā)明不受這些實(shí)施方式的限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)理解為包括落入本發(fā)明主旨內(nèi)的變更的實(shí)例或修改的實(shí)例。

在本公開內(nèi)容中，如果可能的話，考慮到本發(fā)明的功能，選擇當(dāng)前已經(jīng)廣泛使用的一般術(shù)語，但根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的意圖、先例或新技術(shù)等，可以選擇非一般術(shù)語。此外，本申請(qǐng)人可以任意選擇一些術(shù)語。在這種情況下，會(huì)在本公開內(nèi)容的相應(yīng)部分中詳細(xì)解釋這些術(shù)語的含義。因此，本文使用的術(shù)語不應(yīng)基于其名稱而應(yīng)基于其含義和本發(fā)明的整個(gè)上下文來定義。

提供附圖以容易地解釋本發(fā)明，其中為了清楚起見，每個(gè)元件的形狀可能被夸大。因此，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)解釋為受其限制。

在以下描述中，如果確定由于不必要的細(xì)節(jié)會(huì)使本發(fā)明變得難以理解，則對(duì)于熟知的功能或結(jié)構(gòu)不作詳細(xì)描述。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電片包括相互交叉配置的第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體。第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的交叉區(qū)的厚度為第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的非交叉區(qū)的厚度之和的0.6至0.9倍。

導(dǎo)電片可以包括基底，所述基底容納第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體。基底可以與第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體直接接觸。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以通過交叉區(qū)彼此電連接。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以通過將金屬材料和聚合物的混合溶液紡絲來各自形成。可以在混合溶液的紡絲后，通過去除聚合物來形成交叉區(qū)。

交叉區(qū)的寬度可以比非交叉區(qū)的寬度大1.2至1.8倍。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以各自具有100,000或更大的縱橫比。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以通過電紡絲形成。

第一納米結(jié)構(gòu)體可以在交叉區(qū)和非交叉區(qū)中具有相同的橫截面積。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面的導(dǎo)電圖案包括形成觸摸像素的至少一個(gè)單元導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電圖案包括在至少一個(gè)單元導(dǎo)電圖案中相互交叉配置的第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體。第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的交叉區(qū)的厚度為第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體的非交叉區(qū)的厚度之和的0.6至0.9倍。

第一納米結(jié)構(gòu)體可以包括第一末端和第二末端。第一末端可以在第一點(diǎn)與導(dǎo)電圖案的第一側(cè)表面接觸。第二末端可以在第二點(diǎn)與導(dǎo)電圖案的第二側(cè)表面接觸。第一點(diǎn)和第二點(diǎn)之間的距離可以比第一納米結(jié)構(gòu)體的長度短。

第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可以彼此相鄰。

第一側(cè)表面和第二側(cè)表面可以彼此相對(duì)。

導(dǎo)電圖案可以包括基底，所述基底容納第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體。基底可以與第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體直接接觸。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以在交叉區(qū)彼此電連接。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以通過將金屬材料和聚合物的混合溶液紡絲來形成。可以在混合溶液的紡絲后，通過去除聚合物來形成交叉區(qū)。

交叉區(qū)的寬度可以比非交叉區(qū)的寬度大1.2至1.8倍。

第一納米結(jié)構(gòu)體和第二納米結(jié)構(gòu)體可以通過電紡絲形成。

第一納米結(jié)構(gòu)體可以在交叉區(qū)和非交叉區(qū)中具有相同的橫截面積。

第一納米結(jié)構(gòu)體可以在至少一個(gè)點(diǎn)與連接第一點(diǎn)和第二點(diǎn)的直線接觸。

以下將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的導(dǎo)電片。

圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電片的頂視圖。

參見圖3，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的導(dǎo)電片1包括多個(gè)納米結(jié)構(gòu)體10和基底20。

納米結(jié)構(gòu)體10可以是具有100,000或更大的縱橫比的納米纖維。納米結(jié)構(gòu)體10可以具有1μm或更小的寬度。

納米結(jié)構(gòu)體10可以包含金屬材料。金屬材料的實(shí)例可以包括銀、金、銅、鎳、鍍金的銀、鉑和鈀。當(dāng)納米結(jié)構(gòu)體10包含銀時(shí)，納米結(jié)構(gòu)體10可以定義為銀納米結(jié)構(gòu)體。供選擇地，納米結(jié)構(gòu)體10可以僅由金屬材料形成。

納米結(jié)構(gòu)體10形成為具有小的寬度，因此其無法用肉眼觀察。包括納米結(jié)構(gòu)體10的導(dǎo)電片1保證具有高透光率。

基底20被認(rèn)為是形成導(dǎo)電片1的主體的固體材料，納米結(jié)構(gòu)體10分散在或被包含在基底20中。

基底20可以從外部保護(hù)納米結(jié)構(gòu)體10?；?0可以防止納米結(jié)構(gòu)體10被氧化。當(dāng)導(dǎo)電片1附接于如基板那樣的構(gòu)件上時(shí)，基底20可以提供粘接強(qiáng)度。

納米結(jié)構(gòu)體10可以與基底20直接接觸。也就是說，納米結(jié)構(gòu)體10的外表面可以與基底20直接接觸。

基底20可以包含導(dǎo)電聚合物。當(dāng)基底20包含導(dǎo)電聚合物時(shí)，基底20可以提供電荷移動(dòng)路徑。當(dāng)基底20提供電荷移動(dòng)路徑并且因此將導(dǎo)電片1用作電極時(shí)，基底20可以被用作輔助電極。

導(dǎo)電聚合物可以包括但不限于聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚對(duì)苯撐、聚對(duì)苯撐乙烯撐、pedot:pss或碳納米管等。

納米結(jié)構(gòu)體10形成為具有100,000或更大縱橫比的長結(jié)構(gòu)體。因此，納米結(jié)構(gòu)體10中的每個(gè)可以具有與其他納米結(jié)構(gòu)體10的多個(gè)交點(diǎn)(如區(qū)域a)。

圖4是圖3的區(qū)域a的放大圖。圖4a是圖3的區(qū)域a的頂視圖。圖4b是沿圖4a的線x-x`的橫截面圖。

參見圖4，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)體10可以包括第一納米結(jié)構(gòu)體11和第二納米結(jié)構(gòu)體13。納米結(jié)構(gòu)體10可以形成為圓柱形。

第一納米結(jié)構(gòu)體11可以與第二納米結(jié)構(gòu)體13交叉?？梢詫⒌谝患{米結(jié)構(gòu)體11和第二納米結(jié)構(gòu)體13相互交叉的區(qū)域一起定義為交叉區(qū)15。

第一納米結(jié)構(gòu)體11可以包括第一非交叉區(qū)11a和第一交叉區(qū)11b。第二納米結(jié)構(gòu)體13可以包括第二非交叉區(qū)13a和第二交叉區(qū)13b。

第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b是第一納米結(jié)構(gòu)體11和第二納米結(jié)構(gòu)體13的相互交叉的區(qū)域，并且一起形成交叉區(qū)15。第一納米結(jié)構(gòu)體11和第二納米結(jié)構(gòu)體13在交叉區(qū)15處彼此電連接。也就是說，第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b彼此電連接。

第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a可以具有相同的寬度。第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a可以具有相同的厚度。第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a可以具有相同的寬度和厚度可以理解為不僅包括其寬度和厚度相同的情況，而且包括雖然第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的寬度和厚度被設(shè)計(jì)為相同，但是在過程期間其寬度或厚度在誤差范圍內(nèi)變得彼此不同的情況。

第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a可以以第一寬度w1形成。第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a可以以第一厚度h1形成。

交叉區(qū)15可以以小于第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的厚度之和的厚度形成。也就是說，交叉區(qū)15可以以小于第一厚度h1兩倍的第二厚度h2形成。

交叉區(qū)15可以以大于第一非交叉區(qū)11a的寬度和第二非交叉區(qū)13a的寬度的寬度形成。也就是說，第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b可以以大于第一寬度w1的第二寬度w2形成。

當(dāng)?shù)谝唤徊鎱^(qū)11b和第二交叉區(qū)13b相互接觸時(shí)，交叉區(qū)15的厚度減少，并且交叉區(qū)15的寬度隨其厚度的減少而增加。

第一交叉區(qū)11b可以具有比第一非交叉區(qū)11a更小的厚度和更大的寬度，但是可以具有與第一非交叉區(qū)11a相同的橫截面積。也就是說，在第一交叉區(qū)11b上某個(gè)點(diǎn)沿第一厚度h1方向截?cái)喽玫降牡谝唤徊鎱^(qū)11b橫截面的面積可以與在第一非交叉區(qū)11a上某個(gè)點(diǎn)沿第二厚度h2方向截?cái)喽玫降牡谝环墙徊鎱^(qū)11a橫截面的面積相同。

總之，包括第一交叉區(qū)11b和第一非交叉區(qū)11a的第一納米結(jié)構(gòu)體11的所有區(qū)域可以具有相同的橫截面積。第一納米結(jié)構(gòu)體11的所有區(qū)域可以具有相同的橫截面積可以理解為不僅包括第一交叉區(qū)11b的橫截面積和第一非交叉區(qū)11a的橫截面積具有相同數(shù)值的情況，而且包括雖然第一交叉區(qū)11b的橫截面積和第一非交叉區(qū)11a的橫截面積被設(shè)計(jì)為具有相同值，但是在過程期間其橫截面積在誤差范圍內(nèi)變得彼此不同的情況。當(dāng)線x-x'所示的方向是第一納米結(jié)構(gòu)體11的長度方向并且第一納米結(jié)構(gòu)體11以相等長度被分割時(shí)，從第一納米結(jié)構(gòu)體11分割的區(qū)域具有相同的體積。也就是說，當(dāng)?shù)谝唤徊鎱^(qū)11b以某種長度被分割并且第一非交叉區(qū)11a以某種長度被分割時(shí)，從第一交叉區(qū)11b被分割的部分和從第一非交叉區(qū)11a被分割的部分可以具有相同的體積。

第二交叉區(qū)13b可以具有比第二非交叉區(qū)13a更小的厚度和大的寬度，但是可以具有與第二非交叉區(qū)13a相同的橫截面積。也就是說，在第二交叉區(qū)13b上某個(gè)點(diǎn)沿第二厚度h2方向截?cái)嗟牡诙徊鎱^(qū)13b橫截面的面積可以與在第二非交叉區(qū)13a上某個(gè)點(diǎn)沿第二厚度h2方向截?cái)嗟牡诙墙徊鎱^(qū)13a橫截面的面積相同。

總之，包括第二交叉區(qū)13b和第二非交叉區(qū)13a的第二納米結(jié)構(gòu)體13的所有區(qū)域可以具有相同的橫截面積。第二納米結(jié)構(gòu)體13的所有區(qū)域可以具有相同的橫截面積可以理解為不僅包括第二交叉區(qū)13b的橫截面積和第二非交叉區(qū)13a的橫截面積具有相同數(shù)值的情況，而且包括雖然第二交叉區(qū)13b的橫截面積和第二非交叉區(qū)13a的橫截面積被設(shè)計(jì)為具有相同值，但是在過程期間其橫截面積在誤差范圍內(nèi)變得彼此不同的情況。

當(dāng)?shù)诙{米結(jié)構(gòu)體13延伸的方向是其長度方向并且第二納米結(jié)構(gòu)體13以相等長度被分割時(shí)，從第二納米結(jié)構(gòu)體13分割的區(qū)域具有相同的體積。也就是說，當(dāng)?shù)诙徊鎱^(qū)13b以某種長度被分割并且第二非交叉區(qū)13a以某種長度被分割時(shí)，從第二交叉區(qū)13b被分割的部分和從第二非交叉區(qū)13a被分割的部分可以具有相同的體積。

圖5是表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的場發(fā)射裝置的圖。

參見圖5，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的場發(fā)射裝置30包括噴嘴31、注射器32、注射器泵33、供電單元34和收集器35。

噴嘴31可以連接于注射器32。注射器32可以連接于注射器泵33。將紡絲溶液注射進(jìn)注射器32。注射器泵33向注射器32施加壓力。由于注射器泵33施加的壓力，注射進(jìn)注射器32的紡絲溶液可以轉(zhuǎn)移至噴嘴31。

紡絲溶液可以包含金屬材料和聚合物。紡絲溶液可以是金屬材料和聚合物的混合溶液。

注射器泵33可以調(diào)節(jié)施加于注射器32的壓力從而通過噴嘴31噴射恒定量的紡絲溶液。

供電單元34可以電連接于噴嘴31和收集器35，并且對(duì)噴嘴31和收集器35施加電壓。

當(dāng)供電單元34對(duì)噴嘴31和收集器35施加電壓時(shí)，噴嘴31和收集器35之間形成電場。當(dāng)電場的強(qiáng)度與紡絲溶液的表面張力相同時(shí)，噴嘴31的端部被具有電荷的紡絲溶液覆蓋。

在這種情況下，當(dāng)施加大于或等于紡絲溶液的表面張力的電壓時(shí)，沿作為地電壓方向的收集器35的方向噴射納米纖維40。上述形成納米纖維40的方法稱為電紡絲。

雖然上文中描述了電紡絲作為一個(gè)實(shí)施方式中形成納米纖維40的方法的實(shí)例，但是本發(fā)明不限于此。

可以通過控制由供電單元34施加的電壓和由注射器泵33施加的壓力，通過電紡絲來形成具有小寬度和高縱橫比的納米纖維40。

通過電紡絲形成的納米纖維40可以包含金屬材料和聚合物。

此后，可以通過從納米纖維40去除聚合物來形成圖3和圖4的僅包含金屬材料的納米結(jié)構(gòu)體10。

可以通過上述方法形成具有小寬度的納米結(jié)構(gòu)體10來改善導(dǎo)電片1的透光率。

此外，因?yàn)榭梢孕纬删哂懈呖v橫比的納米結(jié)構(gòu)體10(即長的納米結(jié)構(gòu)體10)，每單位數(shù)量的納米結(jié)構(gòu)體10中交叉的納米結(jié)構(gòu)體10的數(shù)量增加。隨著每單位數(shù)量的納米結(jié)構(gòu)體10中交叉的納米結(jié)構(gòu)體10的數(shù)量增加，納米結(jié)構(gòu)體10之間的電荷移動(dòng)路徑的數(shù)量增加。因此，改善了整個(gè)導(dǎo)電片1的導(dǎo)電性。也就是說，因?yàn)椴煌募{米結(jié)構(gòu)體10彼此電連接的交叉點(diǎn)的數(shù)量增加，所以可以改善整個(gè)導(dǎo)電片1的導(dǎo)電性。

可以通過熱處理從納米纖維40中去除聚合物。

在從納米纖維40去除聚合物期間，第一納米結(jié)構(gòu)體11和第二納米結(jié)構(gòu)體13可以在交叉區(qū)15彼此電連接。也就是說，通過去除聚合物期間施加的熱，可以使第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b的部分熔化，因此第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b的寬度可以大于第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的寬度。在第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b的部分被去除聚合物期間施加的熱熔化然后硬化的同時(shí)，第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b可以整體硬化。隨著第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b整體硬化，交叉區(qū)15可以具有與非交叉區(qū)11a和13a基本相同的導(dǎo)電性。

第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b的寬度可以比第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的寬度大1.2至1.8倍。

此外，由于在去除聚合物期間施加的熱，交叉區(qū)15可以以小于第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的厚度之和的厚度形成。

交叉區(qū)15的厚度可以是第一非交叉區(qū)11a和第二非交叉區(qū)13a的厚度之和的0.6至0.9倍。

當(dāng)交叉區(qū)15的寬度比非交叉區(qū)11a和13a的寬度大1.2至1.8倍，并且厚度是非交叉區(qū)11a和13a的厚度之和的0.6至0.9倍時(shí)，交叉的納米結(jié)構(gòu)體10之間的接觸面積增加。因此，交叉的納米結(jié)構(gòu)體10之間的電荷的遷移率可以是平穩(wěn)的，因此接觸電阻降低。隨著交叉的納米結(jié)構(gòu)體10之間的接觸電阻降低，整個(gè)導(dǎo)電片1的導(dǎo)電性可以被改善。此外，納米結(jié)構(gòu)體10之間的接觸面積增加，從而改善了導(dǎo)電片1的穩(wěn)定性。

也就是說，在交叉的納米結(jié)構(gòu)體10的部分熔化和硬化的同時(shí)，第一交叉區(qū)11b和第二交叉區(qū)13b之間的結(jié)合力增加，并且可以防止納米結(jié)構(gòu)體10中的一些由于外部沖擊而分離。

當(dāng)交叉區(qū)15以比非交叉區(qū)域11a和13a的厚度之和大0.9倍的厚度形成時(shí)，降低接觸電阻的效果低，因此改善導(dǎo)電性的效果低。

在一個(gè)實(shí)施方式中，由于可以通過去除聚合物來實(shí)現(xiàn)提高導(dǎo)電片1的導(dǎo)電性的效果，可以比處理銀納米線的交叉區(qū)的過程更容易地改善導(dǎo)電性，所述銀納米線在其表面上具有有機(jī)膜。因此，減少了制造成本。此外，可以通過一個(gè)過程同時(shí)進(jìn)行聚合物的去除和交叉區(qū)的處理，從而提高制造成品率。

在去除聚合物之后，應(yīng)該進(jìn)行處理交叉區(qū)的另外的過程，使得交叉區(qū)15以非交叉區(qū)11a和13a的厚度之和的0.6倍的厚度形成。在這種情況下，添加另外的過程，因此制造成本增加并且制造成品率降低。

因此，為了改善導(dǎo)電性、降低制造成本和增加制造成品率，交叉區(qū)15可以以非交叉區(qū)11a和13a的厚度之和的0.6至0.9倍的厚度形成。

圖6是表示根據(jù)實(shí)施方式的電極圖案的部分的實(shí)例的圖。

雖然圖6中僅表示了在電極圖案的部分中形成的一個(gè)納米結(jié)構(gòu)體而沒有表示其余的納米結(jié)構(gòu)體，但是電極圖案的部分中實(shí)際上形成了多個(gè)納米結(jié)構(gòu)體。

參見圖6，電極圖案51可以通過使導(dǎo)電片1圖案化來形成。電極圖案51可以通過經(jīng)過光刻工藝使導(dǎo)電片1圖案化來形成。因?yàn)橥ㄟ^使導(dǎo)電片1圖案化來形成電極圖案51，所以電極圖案51可以包括納米結(jié)構(gòu)體10和基底20。

電極圖案51可以為四邊形。電極圖案51可以具有第一側(cè)表面51a、第二側(cè)表面51b、第三側(cè)表面51c和第四側(cè)表面51d。第一側(cè)表面51a被定義為朝向第三側(cè)表面51c的表面。第二側(cè)表面51b被定義為朝向第四側(cè)表面51d的表面。第二側(cè)表面51b是與第一側(cè)表面51a和第三側(cè)表面51c相鄰的表面。第四側(cè)表面51d是與第一側(cè)表面51a和第三側(cè)表面51c相鄰的表面。雖然圖中電極圖案51表示為四邊形，但是電極圖案51可以為四邊形以外的各種形狀，因此不限于四邊形。

由于基底20形成導(dǎo)電片1的主體，第一側(cè)表面51a至第四側(cè)表面51d可以是通過光刻工藝圖案化的橫截面。

相似地，納米結(jié)構(gòu)體10可以是通過光刻工藝圖案化的橫截面。也就是說，穿過通過光刻工藝圖案化的表面的納米結(jié)構(gòu)體10也可以被圖案化，并且因此具有橫截面。

納米結(jié)構(gòu)體10的相對(duì)末端在納米結(jié)構(gòu)體10中被圖案化，該納米結(jié)構(gòu)體10可以包括與電極圖案51的側(cè)表面接觸的第一末端10a和第二末端10b。第一末端10a和第二末端10b分別在第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q處與電極圖案51的側(cè)表面接觸。

例如，在圖6a中，第一點(diǎn)p可以位于第一側(cè)表面51a上，而第二點(diǎn)q可以位于第二側(cè)表面51b上。也就是說，納米結(jié)構(gòu)體10的第一末端10a會(huì)在第一點(diǎn)p處與第一側(cè)表面51a相交接觸，納米結(jié)構(gòu)體10的第二末端10b會(huì)在第二點(diǎn)q處與第二側(cè)表面51b相交接觸。換言之，納米結(jié)構(gòu)體10的第一末端10a和第二末端10b可以分別與電極圖案51的相鄰的第一側(cè)表面51a和第二側(cè)表面51b相交接觸。

第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的距離比具有第一末端10a和第二末端10b的納米結(jié)構(gòu)體10的長度短。由于納米結(jié)構(gòu)體10不大可能具有直線形狀，所以第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的距離比具有第一末端10a和第二末端10b的納米結(jié)構(gòu)體10的長度短。作為另一實(shí)例，在圖6b中，第一點(diǎn)p可以位于第一側(cè)表面51a上，而第二點(diǎn)q可以位于第三側(cè)表面51c上。也就是說，納米結(jié)構(gòu)體10的第一末端10a會(huì)在第一點(diǎn)p處與第一側(cè)表面51a接觸，納米結(jié)構(gòu)體10的第二末端10b會(huì)在第二點(diǎn)q處與第三側(cè)表面51c接觸。換言之，納米結(jié)構(gòu)體10的第一末端10a和第二末端10b可以分別與電極圖案51的彼此相對(duì)的第一側(cè)表面51a和第三側(cè)表面51c接觸。

第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的距離比具有第一末端10a和第二末端10b的納米結(jié)構(gòu)體10的長度短。由于納米結(jié)構(gòu)體10不大可能具有直線形狀，所以第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的距離比具有第一末端10a和第二末端10b的納米結(jié)構(gòu)體10的長度短。

由于納米結(jié)構(gòu)體10具有高縱橫比并且因此是長的，所以納米結(jié)構(gòu)體10可以具有與電極圖案51的不同側(cè)表面接觸的第一末端10a和第二末端10b。

雖然未示出，連接第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q的直線可以穿過納米結(jié)構(gòu)體10。也就是說，當(dāng)繪制連接第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q的直線時(shí)，直線和納米結(jié)構(gòu)體10可以在至少一點(diǎn)彼此交叉。所述至少一點(diǎn)可以包括除了第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q以外的點(diǎn)。

由于納米結(jié)構(gòu)體10可以具有任意的彎曲形狀，所以納米結(jié)構(gòu)體10可以具有位于第一末端10a和第二末端10b之間并且與第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的直線交叉的區(qū)域。所述第一點(diǎn)p和第二點(diǎn)q之間的直線可以是虛擬線。

每單位數(shù)量的納米結(jié)構(gòu)體10中交叉的納米結(jié)構(gòu)體10的數(shù)量可以通過形成較長的納米結(jié)構(gòu)體10來增加。隨著每單位數(shù)量的納米結(jié)構(gòu)體10中交叉的納米結(jié)構(gòu)體10的數(shù)量增加，納米結(jié)構(gòu)體10之間的電荷移動(dòng)路徑的數(shù)量增加，因此電極圖案51的導(dǎo)電性可以被改善。

圖7是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的分解透視圖。圖8是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的頂視圖。

參見圖7和圖8，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板可以包括第一基板50、第二基板60、蓋基板70和印刷電路板80。

第二基板60位于蓋基板70下方。第一基板50位于第二基板60下方。

蓋基板70可以附接于第二基板60?？梢允褂萌绻鈱W(xué)透明粘接劑(oca)的粘接物質(zhì)將蓋基板70和第二基板60彼此粘接。

第一基板50可以附接到第二基板60?？梢允褂萌鏾ca的粘接物質(zhì)將第一基板50和第二基板60彼此粘接。

第一基板50和第二基板60可以包括塑料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)的塑料。

電極圖案和線圖案可以在第一基板50和第二基板60上形成。

第一電極圖案51和第一線圖案53可以在第一基板50上形成。第二電極圖案61和第二線圖案63可以在第二基板60上形成。

第一電極圖案51可以以第一方向形成。第一電極圖案51可以與第一線圖案53電連接。

第二電極圖案61可以以第二方向形成。第二方向可以與第一方向相交。第二電極圖案61可以以與第一電極圖案51相交的方向形成。第二電極圖案61可以與第二線圖案63電連接。

觸摸面板可以包括有效區(qū)aa和無效區(qū)ua。

有效區(qū)aa可以理解為用戶可以輸入觸摸命令的區(qū)域。無效區(qū)ua可以被理解為位于有效區(qū)aa之外的區(qū)域，并且由于該區(qū)域即使被用戶觸摸也不被激活，因此該區(qū)域不被輸入觸摸命令。

當(dāng)觸摸面板在被附接于顯示面板的同時(shí)被使用，觸摸面板的有效區(qū)aa和無效區(qū)ua可以分別對(duì)應(yīng)于顯示裝置的顯示區(qū)和非顯示區(qū)。在顯示區(qū)中顯示圖像。在非顯示區(qū)中不顯示圖像。因此，觸摸面板的有效區(qū)aa可以包括透光的區(qū)域。觸摸面板的無效區(qū)ua可以包括不透光的區(qū)域。

多個(gè)電極圖案可以在有效區(qū)aa中形成。多個(gè)第一電極圖案51可以在第一基板50的有效區(qū)aa中形成。多個(gè)第二電極圖案61可以在第二基板60的有效區(qū)aa中形成。

多個(gè)線圖案可以在無效區(qū)ua中形成。多個(gè)第一線圖案53可以在第一基板50的無效區(qū)ua中形成。多個(gè)第二線圖案63可以在第二基板60的無效區(qū)ua中形成。

第一電極圖案51可以電連接于第一線圖案53。第一電極圖案51可以與第一線圖案53一體形成。供選擇地，第一電極圖案51可以與第一線圖案53分開地形成。

第二電極圖案61可以電連接于第二線圖案63。第二電極圖案61可以與第二線圖案63一體形成。供選擇地，第二電極圖案61可以與第二線圖案63分開地形成。

第一電極圖案51和第二電極圖案61可以與圖6所示的電極圖案基本上相同。第一電極圖案51和第二電極圖案61可以是圖6所示的單元電極圖案的集合。也就是說，第一電極圖案51和第二電極圖案61可以具有多個(gè)單元電極圖案彼此連接的結(jié)構(gòu)。第一電極圖案51和第二電極圖案61可以形成一個(gè)觸摸像素，所述一個(gè)觸摸像素包括多個(gè)單元導(dǎo)電圖案中的至少一個(gè)。

盡管已經(jīng)參考圖6作為例子描述了第一電極圖案51，第二電極圖案61可以具有與第一電極圖案51相同的形狀。也就是說，第一電極圖案51和第二電極圖案61可以包括納米結(jié)構(gòu)體和基底。如上文所述，由于納米結(jié)構(gòu)體具有高縱橫比并且因此是長的，因此可以提供具有高導(dǎo)電性的電極圖案。當(dāng)?shù)谝浑姌O圖案51和第二電極圖案61具有高導(dǎo)電性時(shí)，電阻-電容(rc)延遲可能降低，因此可以防止使用第一電極51和第二電極圖案61傳輸?shù)男盘?hào)失真。因此，可以改善由觸摸面板感測到的觸摸的靈敏度和可靠性。

雖然在圖中這些電極圖案被表示為以菱形連接，但是實(shí)施方式不限于此，電極圖案可以以各種形狀形成，例如條形。

蓋基板70可以包括玻璃或塑料。蓋基板70可以包括鋼化玻璃、半鋼化玻璃、堿石灰玻璃、增強(qiáng)塑料或軟塑料。

印刷電路板80可以附接于第一基板50和第二基板60。印刷電路板80可以附接于第一基板50和第二基板60中每一個(gè)的一側(cè)。印刷電路板80可以附接于第一基板50和第二基板60中每一個(gè)的一側(cè)，以電連接于第一線圖案53和第二線圖案63。各向異性導(dǎo)電膜(acf)可以施加在附接于印刷電路板80的第一基板50和第二基板60中每一個(gè)的一側(cè)上。印刷電路板80可以通過acf向第一線圖案53和第二線圖案63施加電壓。

印刷電路板80可以是柔性印刷電路板(fpcb)。印刷電路板80可以包括控制器，其通過第一線圖案53和第二線圖案63從第一電極圖案51和第二電極圖案61接收感測信號(hào)并控制該感測信號(hào)。

控制器可以接收未失真的感測信號(hào)，并對(duì)感測信號(hào)執(zhí)行操作以檢測觸摸。因此，可以跳過補(bǔ)償失真信號(hào)的處理，并且可以通過更快地執(zhí)行操作來檢測觸摸。

圖9是應(yīng)用了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的觸摸面板的顯示裝置的立體圖。

參見圖9，顯示裝置100可以包括從外部對(duì)輸入按鈕110輸入命令的輸入按鈕110，被配置為捕獲靜止圖像和活動(dòng)圖像的照相機(jī)120以及輸出聲音的揚(yáng)聲器130。

顯示裝置100可以包括如上所述的觸摸面板、以及顯示面板(未圖示)。觸摸面板可以在顯示面板的前表面上形成，因此蓋玻璃70可以暴露于顯示裝置100的頂表面上。供選擇地，顯示面板可以附接于觸摸面板。

顯示面板可以顯示圖像。顯示面板可以是液晶顯示面板或有機(jī)發(fā)光顯示面板，并且可以應(yīng)用于如移動(dòng)電話、電視(tv)和導(dǎo)航裝置的各種產(chǎn)品。

盡管上文已經(jīng)描述了顯示裝置來作為可應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的觸摸面板的裝置的實(shí)例，但是該裝置不限于顯示裝置，該裝置可以用于如鍵盤、便攜式電腦的觸摸板和車輛的觸摸輸入設(shè)備的各種產(chǎn)品。

盡管上文已經(jīng)關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式描述了本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和特征，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的是，本發(fā)明不限于此，在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下可以進(jìn)行各種變更或修改。因此，應(yīng)當(dāng)理解，這樣的變更或修改落在如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。