遮蓋自動識別裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及安裝在腔體上的遮蓋尺寸的識別裝置，尤其涉及安裝在濕法工藝腔體上的遮蓋尺寸的識別裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體的濕法工藝腔體中，為了實(shí)現(xiàn)不同晶圓尺寸的兼容，具有不同尺寸(直徑圓周)的遮蓋。例如較大圓周的遮蓋配合300mm晶圓,較小圓周的遮蓋配合200mm晶圓。不同的晶圓有對應(yīng)的處理，因此在處理時需要獲知晶圓的大小。用人工方法去判斷晶圓的大小顯然費(fèi)時費(fèi)力，由于不同尺寸的遮蓋有對應(yīng)的晶圓大小，因此如何用機(jī)器而不是人工去識別出遮蓋的尺寸是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供了一種遮蓋自動識別裝置，可自動識別出與腔體接合的遮蓋的尺寸，進(jìn)而識別出腔體內(nèi)的晶圓的大小。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案為:本發(fā)明揭示了一種遮蓋自動識別裝置，用于識別與腔體接合的遮蓋的尺寸類型，包括:
[0005]第一傳感器，位于腔體上的遮蓋接合處；
[0006]第二傳感器，位于腔體上的遮蓋接合處，與第一傳感器的位置并列；
[0007]第一凹槽，位于遮蓋上，且遮蓋與腔體接合時第一凹槽的位置與第一傳感器的位置相對應(yīng)；
[0008]第二凹槽，位于遮蓋上，與第一凹槽的位置并列，且遮蓋與腔體接合時第二凹槽的位置與第二傳感器的位置相對應(yīng)；
[0009]其中第一凹槽與第二凹槽的深度不同，第一傳感器和第二傳感器基于第一凹槽和第二凹槽的不同深度反饋不同的信號值，基于信號值識別遮蓋的尺寸類型。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的一實(shí)施例，第一種尺寸的遮蓋的第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，當(dāng)?shù)谝徽谏w與腔體接合時，第一傳感器基于第一凹槽的深度反饋信號值1，第二傳感器基于第二凹槽的深度反饋信號值0。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的一實(shí)施例，第二種尺寸的遮蓋的第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，當(dāng)?shù)诙谏w與腔體接合時，第一傳感器基于第一凹槽的深度反饋信號值0，第二傳感器基于第二凹槽的深度反饋信號值1。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的一實(shí)施例，第一傳感器和第二傳感器反饋的信號值還可以識別系統(tǒng)錯誤信息。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的一實(shí)施例，遮蓋自動識別裝置應(yīng)用于安裝在濕法工藝腔體上的遮蓋尺寸的識別。
[0014]本發(fā)明對比現(xiàn)有技術(shù)有如下的有益效果:本發(fā)明的方案是在腔體和遮蓋接合的位置上安裝兩個傳感器，然后在每一個遮蓋的與傳感器對應(yīng)的位置上開設(shè)兩個凹槽，這兩個凹槽的深淺不同，傳感器可以根據(jù)凹槽的深淺反饋出不同的信號值，系統(tǒng)根據(jù)兩個傳感器反饋來的信號值判斷出遮蓋的尺寸。相較于現(xiàn)有的技術(shù)，本發(fā)明無需人工，實(shí)現(xiàn)了遮蓋尺寸、晶圓尺寸的自動化識別，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0015]圖1示出了本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的較佳實(shí)施例(大尺寸遮蓋)的立體圖。
[0016]圖2示出了本發(fā)明的遮蓋自動識別裝置的較佳實(shí)施例(小尺寸遮蓋)的立體圖。
[0017]圖3、圖4示出了大尺寸遮蓋與腔體接合的原理圖。
[0018]圖5、圖6示出了小尺寸遮蓋與腔體接合的原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達(dá)成目的及效果，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合圖式予以詳細(xì)說明。
[0020]圖1示出了遮蓋是大尺寸的遮蓋時，遮蓋自動識別裝置的立體圖。圖3是其俯視圖，圖4是其剖視圖。請同時參見圖1、圖3和圖4，遮蓋自動識別裝置的第一傳感器2和第二傳感器3位于腔體上的遮蓋接合處，第一傳感器2和第二傳感器3的位置是并列的。
[0021]在遮蓋1上并列設(shè)有第一凹槽10和第二凹槽11，第一凹槽10的深度大于第二凹槽11的深度。當(dāng)遮蓋1與腔體接合時，第一凹槽10的位置與第一傳感器2的位置對應(yīng)，第二凹槽11的位置與第二傳感器3的位置對應(yīng)。
[0022]由于傳感器都有一個感應(yīng)范圍，第一傳感器2在第一凹槽10中，由于第一凹槽10的深度大于第一傳感器2的感應(yīng)范圍，導(dǎo)致第一傳感器2檢測不到信號，因此反饋信號值0。第二傳感器3在第二凹槽11中，由于第二凹槽11的深度小于第二傳感器3的感應(yīng)范圍，第二傳感器3檢測到信號后反饋信號值1。
[0023]因此當(dāng)系統(tǒng)接收到第一傳感器2反饋的信號值0和第二傳感器3反饋的信號值1時，就能判斷出接合在腔體上的遮蓋是大尺寸遮蓋。
[0024]圖2示出了遮蓋是小尺寸的遮蓋時，遮蓋自動識別裝置的立體圖。圖5是其俯視圖，圖6是其剖視圖。請同時參見圖2、圖5和圖6，遮蓋自動識別裝置的第一傳感器2和第二傳感器3位于腔體上的遮蓋接合處，第一傳感器2和第二傳感器3的位置是并列的。
[0025]在遮蓋4上并列設(shè)有第一凹槽40和第二凹槽41，第一凹槽40的深度小于第二凹槽41的深度。當(dāng)遮蓋4與腔體接合時，第一凹槽40的位置與第一傳感器2的位置對應(yīng)，第二凹槽41的位置與第二傳感器3的位置對應(yīng)。
[0026]由于傳感器都有一個感應(yīng)范圍，第一傳感器2在第一凹槽40中，由于第一凹槽40的深度小于第一傳感器2的感應(yīng)范圍，導(dǎo)致第一傳感器2檢測到信號后反饋信號值1。第二傳感器3在第二凹槽41中，由于第二凹槽41的深度大于第二傳感器3的感應(yīng)范圍，第二傳感器3檢測不到信號，因此反饋信號值0。
[0027]因此當(dāng)系統(tǒng)接收到第一傳感器2反饋的信號值1和第二傳感器3反饋的信號值0時，就能判斷出接合在腔體上的遮蓋是小尺寸遮蓋。
[0028]也就是說，系統(tǒng)是根據(jù)第一傳感器2和第二傳感器3反饋的信號值來判斷遮蓋是屬于大尺寸還是小尺寸，亦即，當(dāng)檢測到信號值為01時為大尺寸，信號值為10時為小尺寸，而信號值為00或者11時則表示系統(tǒng)發(fā)生錯誤。
[0029]綜上所述，本發(fā)明通過上述實(shí)施方式及相關(guān)圖式說明，己具體、詳實(shí)的揭露了相關(guān)技術(shù)，使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以據(jù)以實(shí)施。而以上所述實(shí)施例只是用來說明本發(fā)明，而不是用來限制本發(fā)明的，本發(fā)明的權(quán)利范圍，應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求來界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種遮蓋自動識別裝置，用于識別與腔體接合的遮蓋的尺寸類型，包括: 第一傳感器，位于腔體上的遮蓋接合處； 第二傳感器，位于腔體上的遮蓋接合處，與第一傳感器的位置并列； 第一凹槽，位于遮蓋上，且遮蓋與腔體接合時第一凹槽的位置與第一傳感器的位置相對應(yīng)； 第二凹槽，位于遮蓋上，與第一凹槽的位置并列，且遮蓋與腔體接合時第二凹槽的位置與第二傳感器的位置相對應(yīng)； 其中第一凹槽與第二凹槽的深度不同，第一傳感器和第二傳感器基于第一凹槽和第二凹槽的不同深度反饋不同的信號值，基于信號值識別遮蓋的尺寸類型。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蓋自動識別裝置，其特征在于，第一種尺寸的遮蓋的第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，當(dāng)?shù)谝徽谏w與腔體接合時，第一傳感器基于第一凹槽的深度反饋信號值1，第二傳感器基于第二凹槽的深度反饋信號值0。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蓋自動識別裝置，其特征在于，第二種尺寸的遮蓋的第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，當(dāng)?shù)诙谏w與腔體接合時，第一傳感器基于第一凹槽的深度反饋信號值0，第二傳感器基于第二凹槽的深度反饋信號值1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蓋自動識別裝置，其特征在于，第一傳感器和第二傳感器反饋的信號值還可以識別系統(tǒng)錯誤信息。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的遮蓋自動識別裝置，其特征在于，遮蓋自動識別裝置應(yīng)用于安裝在濕法工藝腔體上的遮蓋尺寸的識別。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種遮蓋自動識別裝置，可自動識別出與腔體接合的遮蓋的尺寸，進(jìn)而識別出腔體內(nèi)的晶圓的大小。其技術(shù)方案為：本發(fā)明是在腔體和遮蓋接合的位置上安裝兩個傳感器，然后在每一個遮蓋的與傳感器對應(yīng)的位置上開設(shè)兩個凹槽，這兩個凹槽的深淺不同，傳感器可以根據(jù)凹槽的深淺反饋出不同的信號值，系統(tǒng)根據(jù)兩個傳感器反饋來的信號值判斷出遮蓋的尺寸。
【IPC分類】G01B21/00
【公開號】CN105300329
【申請?zhí)枴緾N201410235849
【發(fā)明人】張鎮(zhèn)磊, 金一諾, 張懷東, 王堅(jiān), 王暉
【申請人】盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2014年5月30日