在又一實(shí)施例中，所述方法包含:基于所述裝置的一或多個(gè)特性來(lái)預(yù)測(cè)包含光刻過(guò)程的制作過(guò)程的良率，且預(yù)測(cè)所述良率是線內(nèi)執(zhí)行的。舉例來(lái)說(shuō)，將模型應(yīng)用于設(shè)計(jì)的結(jié)果將指示良率問(wèn)題。另外，裝置的所模擬一或多個(gè)特性可用于線內(nèi)良率預(yù)測(cè)。此外，本文中所描述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)在疊對(duì)、聚焦及劑量測(cè)量之后的較好線內(nèi)良率預(yù)測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例允許基于疊對(duì)及CD測(cè)量的較好線內(nèi)良率預(yù)測(cè)。
[0060]在另一實(shí)施例中，所述方法包含:基于所述裝置的一或多個(gè)特性來(lái)確定晶片的取樣方案，且確定所述取樣方案是線內(nèi)執(zhí)行的。舉例來(lái)說(shuō)，裝置的所模擬一或多個(gè)特性可用于線內(nèi)良率取樣推薦。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于動(dòng)態(tài)地?cái)U(kuò)充參數(shù)取樣及模型化?？舍槍?duì)例如檢驗(yàn)、缺陷再檢視或度量衡的任何過(guò)程來(lái)確定取樣方案。另外，取樣方案可經(jīng)確定使得與其中缺陷不太可能導(dǎo)致一或多個(gè)裝置特性中的爭(zhēng)論點(diǎn)的裝置區(qū)域相比，對(duì)其中更可能出現(xiàn)缺陷且導(dǎo)致一或多個(gè)特性的爭(zhēng)論點(diǎn)的裝置區(qū)域更重地取樣。
[0061]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包含:基于裝置的一或多個(gè)特性來(lái)確定將對(duì)所述晶片或?qū)⒃谄渖蠄?zhí)行所述光刻過(guò)程的其它晶片執(zhí)行的檢驗(yàn)過(guò)程的一或多個(gè)參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，裝置的所模擬一或多個(gè)特性可用于缺陷檢驗(yàn)推薦。特定來(lái)說(shuō)，確定檢驗(yàn)過(guò)程的一或多個(gè)參數(shù)可包含界定晶片檢驗(yàn)的關(guān)鍵區(qū)域(例如，以優(yōu)化處方敏感度)。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例提供較好的晶片檢驗(yàn)策略(例如，于何時(shí)及何地進(jìn)行檢驗(yàn))。因此，將模型應(yīng)用于設(shè)計(jì)的結(jié)果將推動(dòng)較好的晶片檢驗(yàn)策略。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于開(kāi)發(fā)最優(yōu)晶片檢驗(yàn)處方。
[0062]在一些實(shí)施例中，所述方法包含:基于裝置的一或多個(gè)特性來(lái)確定將對(duì)所述晶片或?qū)⒃谄渖蠄?zhí)行所述光刻過(guò)程的其它晶片執(zhí)行的度量衡過(guò)程的一或多個(gè)參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，裝置的所模擬一或多個(gè)特性可用于關(guān)鍵尺寸掃描式電子顯微鏡(CDSEM)測(cè)量地點(diǎn)推薦。另夕卜，本文中所描述的實(shí)施例提供較好的參數(shù)度量衡及CDSEM測(cè)量策略(于何時(shí)及何地進(jìn)行測(cè)量)。舉例來(lái)說(shuō)，基于模擬步驟的結(jié)果，可將其中疊對(duì)及CD度量衡較關(guān)鍵的區(qū)域識(shí)別及選擇為將通過(guò)度量衡過(guò)程來(lái)測(cè)量的地點(diǎn)。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于開(kāi)發(fā)最優(yōu)⑶SEM測(cè)量處方。
[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，所述模擬步驟包含通過(guò)以下步驟來(lái)模擬裝置的一或多個(gè)特性:分別根據(jù)疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來(lái)確定疊對(duì)可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合；及將所述疊對(duì)可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應(yīng)用于針對(duì)所述一或多個(gè)裸片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)?？梢匀魏芜m合的方式分別根據(jù)疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來(lái)確定疊對(duì)可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合?？扇绫疚闹兴枋鰜?lái)執(zhí)行將疊對(duì)可校正值、聚焦可校正值、劑量可校正值或其某一組合應(yīng)用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)。
[0064]在另一實(shí)施例中，所述方法包含:基于所述一或多個(gè)特性以及疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來(lái)確定設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的過(guò)程窗。以此方式，確定過(guò)程窗可涉及全觀途徑，所述全觀途徑可包含同時(shí)疊對(duì)、聚焦、劑量、烤板等過(guò)程窗。與本文中所描述的實(shí)施例相比，獨(dú)立地考慮當(dāng)前這些方面中的每一者(例如，單獨(dú)度量衡、單獨(dú)分析、單獨(dú)決策制定等)。實(shí)際上，光刻過(guò)程的所有不同參數(shù)為連結(jié)的，因此應(yīng)連結(jié)/協(xié)調(diào)/組合度量衡、分析及/或決策制定。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于減少新過(guò)程開(kāi)發(fā)時(shí)間且改進(jìn)過(guò)程斜變時(shí)間(ramp time)。
[0065]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包含:基于所述一或多個(gè)特性以及疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來(lái)確定針對(duì)所述晶片或在其上執(zhí)行所述光刻過(guò)程的其它晶片的重工策略。舉例來(lái)說(shuō)，基于對(duì)GDS內(nèi)的過(guò)程窗的分析，可開(kāi)發(fā)全觀及良率相關(guān)的重工策略，此可為運(yùn)行時(shí)間規(guī)范內(nèi)決策。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于改進(jìn)的重工(以降低α及β風(fēng)險(xiǎn))。因此，本文中所描述的實(shí)施例可用以減少生產(chǎn)環(huán)境中的偏離解決時(shí)間。
[0066]在另一實(shí)施例中，所述方法包含:確定所述設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合對(duì)所述裝置的一或多個(gè)特性較關(guān)鍵的一或多個(gè)區(qū)域。舉例來(lái)說(shuō)，所述方法可包含:識(shí)別其中疊對(duì)及CD度量衡較關(guān)鍵的區(qū)域。以此方式，所述實(shí)施例可包含:發(fā)現(xiàn)及監(jiān)視關(guān)鍵的圖案相關(guān)爭(zhēng)論點(diǎn)。
[0067]在一個(gè)此類實(shí)施例中，所述方法包含:將疊對(duì)、劑量及聚焦的局部模型應(yīng)用于所述一或多個(gè)區(qū)域中的至少一者。舉例來(lái)說(shuō)，所述方法可包含:應(yīng)用所識(shí)別的特定區(qū)域(例如，場(chǎng)的四分之一)的疊對(duì)、劑量及聚焦的局部模型。所述局部模型可包含任何適合的此類模型。此實(shí)施例還可包含:將應(yīng)用所述局部模型的結(jié)果與將疊對(duì)、劑量及聚焦的全局模型應(yīng)用于所述設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的結(jié)果進(jìn)行比較以確定所述全局模型的準(zhǔn)確度。舉例來(lái)說(shuō)，可將當(dāng)前應(yīng)用的規(guī)則(或全局)模型與局部模型進(jìn)行比較以驗(yàn)證所述規(guī)則模型的準(zhǔn)確度。所述局部模型可用于在全局模型與局部模型并不一致的情形中進(jìn)行準(zhǔn)確度校正及調(diào)整。
[0068]在一個(gè)實(shí)施例中，所述光刻過(guò)程為DPL過(guò)程，所述度量衡是在所述光刻過(guò)程的第一圖案化步驟之后執(zhí)行，且所述方法包含:基于疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合來(lái)確定所述光刻過(guò)程的第二圖案化步驟的一或多個(gè)參數(shù)。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于基于第一印刷步驟來(lái)增強(qiáng)DPL過(guò)程的第二印刷步驟。
[0069]在一個(gè)實(shí)施例中，所述光刻過(guò)程為DPL過(guò)程，所述一或多個(gè)裸片包含以疊對(duì)的標(biāo)稱值印刷的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片以及以所述疊對(duì)的經(jīng)調(diào)制值印刷的一或多個(gè)裸片，且所述方法包含:獲取以所述疊對(duì)的標(biāo)稱值印刷的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片中的至少一者以及以所述疊對(duì)的經(jīng)調(diào)制值印刷的一或多個(gè)裸片中的至少一者的圖像；將針對(duì)以所述疊對(duì)的標(biāo)稱值印刷的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片中的所述至少一者所獲取的圖像與針對(duì)以所述疊對(duì)的經(jīng)調(diào)制值印刷的所述一或多個(gè)裸片中的所述至少一者所獲取的圖像進(jìn)行比較；及基于所述比較步驟的結(jié)果來(lái)檢測(cè)以所述經(jīng)調(diào)制值印刷的一或多個(gè)裸片中的缺陷。可如本文中進(jìn)一步所描述來(lái)執(zhí)行這些步驟。
[0070]圖4圖解說(shuō)明經(jīng)配置以預(yù)測(cè)形成于晶片上的裝置的一或多個(gè)特性的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。如圖4中所展示，所述系統(tǒng)包含經(jīng)配置以對(duì)使用光刻過(guò)程形成于晶片上的一或多個(gè)裸片執(zhí)行度量衡的度量衡工具400。所述度量衡工具包含光源402。光源402可包含本技術(shù)領(lǐng)域中已知的任何適合的光源。來(lái)自光源402的光可被引導(dǎo)穿過(guò)一或多個(gè)光學(xué)元件，例如光學(xué)元件404，其可為偏光器。離開(kāi)所述偏光器的光可以斜入射角入射于晶片406上。
[0071]由于照明而從晶片衍射的光可由光學(xué)元件408收集，光學(xué)元件408可為集光器且可包含一或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一或多個(gè)反射光學(xué)元件。離開(kāi)光學(xué)元件408的光可被引導(dǎo)穿過(guò)一或多個(gè)光學(xué)元件，例如光學(xué)元件410，其可為分析器。離開(kāi)光學(xué)元件410的光可被引導(dǎo)到檢測(cè)器412，所述檢測(cè)器可包含本技術(shù)領(lǐng)域中已知的任何適合的檢測(cè)器。檢測(cè)器412可響應(yīng)于由所述檢測(cè)器檢測(cè)的經(jīng)衍射光而產(chǎn)生輸出。
[0072]由于照明而從晶片衍射的光還可由光學(xué)元件414收集，所述光學(xué)元件可為集光器且可包含一或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一或多個(gè)反射光學(xué)元件。離開(kāi)光學(xué)元件414的光可被引導(dǎo)穿過(guò)一或多個(gè)光學(xué)元件，例如光學(xué)元件416，其可為分析器。離開(kāi)光學(xué)元件416的光可被引導(dǎo)到檢測(cè)器418，所述檢測(cè)器可包含本技術(shù)領(lǐng)域中已知的任何適合的檢測(cè)器。檢測(cè)器418可響應(yīng)于由所述檢測(cè)器檢測(cè)的經(jīng)衍射光而產(chǎn)生輸出。
[0073]所述系統(tǒng)還包含耦合到所述檢測(cè)器的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)420，使得所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可接收由所述檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置以使用由所述度量衡子系統(tǒng)的檢測(cè)器產(chǎn)生的輸出來(lái)確定所述晶片的一或多個(gè)特性或所述晶片上的經(jīng)圖案化特征。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)還可經(jīng)配置以執(zhí)行本文中所描述的方法中的任一者的一或多個(gè)步驟。舉例來(lái)說(shuō)，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可經(jīng)配置以基于所述度量衡的結(jié)果來(lái)確定所述光刻過(guò)程在所述一或多個(gè)裸片中的疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合，如本文中進(jìn)一步所描述。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)還可經(jīng)配置以通過(guò)將所述疊對(duì)誤差、聚焦誤差、劑量誤差或其某一組合應(yīng)用于針對(duì)所述一或多個(gè)裸片的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)模擬由所述一或多個(gè)裸片形成的裝置的一或多個(gè)特性，如本文中進(jìn)一步所描述。可如本文中所描述來(lái)進(jìn)一步配置所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)?？扇绫疚闹兴枋鰜?lái)進(jìn)一步配置圖4中所展示的系統(tǒng)。
[0074]鑒于此描述，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了本發(fā)明的各種方面的進(jìn)一步修改及替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供用于檢驗(yàn)晶片及/或預(yù)測(cè)形成于晶片上的裝置的一或多個(gè)特性的方法。因此，本描述應(yīng)視為僅為說(shuō)明性的且出于教示所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)理解，本文中所展示及描述的本發(fā)明的形式應(yīng)視為目前優(yōu)選的實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在受益于本發(fā)明的此描述之后將全部了解，可替換本文中所圖解說(shuō)明及描述的那些元件及材料，可顛倒部件及過(guò)程，且可獨(dú)立地利用本發(fā)明的特定特征?？稍诓槐畴x如所附權(quán)利要求書中所描述的本發(fā)明的精神及范圍的情形下對(duì)本文中所描述的元件做出改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于檢驗(yàn)晶片的方法，其包括: 獲取印刷于晶片上的多個(gè)裸片的圖像，其中所述多個(gè)裸片中的每一者是通過(guò)對(duì)所述晶片執(zhí)行雙重圖案化光刻過(guò)程而印刷，且其中所述多個(gè)裸片包括以針對(duì)所述雙重圖案化光刻過(guò)程的疊對(duì)的標(biāo)稱值印刷的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片以及以所述疊對(duì)的經(jīng)調(diào)制值印刷的一或多個(gè)裸片； 將針對(duì)以所述標(biāo)稱值印刷的所述多個(gè)裸片所獲取的所述圖像與針對(duì)以所述經(jīng)調(diào)制值印刷的所述多個(gè)裸片所獲取的所述圖像進(jìn)行比較；及 基于所述比較的結(jié)果來(lái)檢測(cè)以所述經(jīng)調(diào)制值印刷的所述多個(gè)裸片中的缺陷，其中所述獲取、所述比較及所述檢測(cè)是使用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括:獲取印刷于另一晶片上的多個(gè)裸片的圖像，其中所述另一晶片上的所述多個(gè)裸片中的每一者是通過(guò)對(duì)所述另一晶片執(zhí)行所述雙重圖案化光刻過(guò)程而印刷，且其中所述另一晶片上的所述多個(gè)裸片包括以針對(duì)所述雙重圖案化光刻過(guò)程的聚焦及曝光的標(biāo)稱值印刷的兩個(gè)或兩個(gè)以上裸片，以及以所述聚焦及曝光的經(jīng)調(diào)制值印刷的一或多個(gè)裸片；將針對(duì)以所述聚焦及曝光的所述標(biāo)稱值印刷的所述多個(gè)裸片所獲取的圖像與針對(duì)以所述聚焦及曝光的所述經(jīng)調(diào)制值印刷的所述多個(gè)裸片所獲取的圖像進(jìn)行比較；及基于所述比較的結(jié)果來(lái)檢測(cè)以所述聚焦及曝光的所述經(jīng)調(diào)制值印刷的所