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一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置及方法與流程

文檔序號(hào):12118355閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置,其特征在于,它包括:高精度分析天平(1)、支架(2)、燒瓶(3)、魚(yú)線(4)、磁力攪拌器(5)、升降系統(tǒng)(6)、電導(dǎo)率儀(7)、恒溫恒濕箱(8);

所述高精度分析天平(1)置于所述支架(2)上方,用于測(cè)量頁(yè)巖樣品吸水前后的質(zhì)量變化;

所述支架(2)置于所述恒溫恒濕箱(8)內(nèi),用于承載所述高精度分析天平(1);所述支架(2)中間設(shè)有小孔,用于將懸掛在所述高精度分析天平(1)上的頁(yè)巖樣品垂直懸吊到所述支架(2)內(nèi)部;

所述燒瓶(3)置于所述磁力攪拌器(5)上表面,用于盛裝蒸餾水,垂掉在所述高精度分析天平(1)上的頁(yè)巖樣品上升或下降時(shí)可以從所述燒瓶(3)口部出入;

所述魚(yú)線(4)用于將頁(yè)巖樣品垂掉在所述高精度天平(1)上;

所述磁力攪拌器(5)置于所述升降系統(tǒng)(6)上表面,用于攪拌所述燒瓶(3)內(nèi)的蒸餾水;

所述升降系統(tǒng)(6)用于升降所述燒瓶(3),實(shí)現(xiàn)頁(yè)巖樣品浸沒(méi)或離開(kāi)所述燒瓶(3)中的蒸餾水;

所述電導(dǎo)率儀(7)垂掉于所述燒瓶(3)內(nèi)蒸餾水中,用于測(cè)定所述燒瓶(3)內(nèi)蒸餾水的離子濃度;

所述恒溫恒濕箱(8)用于使所述高精度分析天平(1)、所述支架(2)、所述燒瓶(3)、所述魚(yú)線(4)、所述磁力攪拌器(5)、所述升降系統(tǒng)(6)、所述電導(dǎo)率儀(7)處于恒溫恒濕環(huán)境。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置,其特征在于:所述高精度分析天平(1)的精度為0.0001g。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置,其特征在于:所述燒瓶(3)為250ml燒瓶。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置,其特征在于:所述魚(yú)線(4)為0.6號(hào)魚(yú)線。

5.如權(quán)利要求1所述的一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量裝置,其特征在于:所述電導(dǎo)率儀(7)精度為0.1μS/cm。

6.一種基于滲吸和離子擴(kuò)散特性的頁(yè)巖孔徑測(cè)量方法,其特征在于,包括下列步驟:

A.提取圓柱形頁(yè)巖樣品,計(jì)算截面積Ac,用環(huán)氧樹(shù)脂將圓柱形頁(yè)巖樣品柱面封固,置于烘干箱中烘干,直至圓柱形頁(yè)巖樣品質(zhì)量不再變化;

B.將高精度分析天平置于支架上,使用魚(yú)線將烘干后的圓柱形頁(yè)巖樣品懸掛于高精度分析天平上,記錄高精度分析天平讀數(shù)M0;

C.將升降系統(tǒng)置于支架下方,燒瓶置于磁力攪拌器上,磁力攪拌器置于升降系統(tǒng)上;

D.向燒瓶?jī)?nèi)加入體積為V的蒸餾水,并測(cè)定水中電導(dǎo)率G0;

E.開(kāi)啟磁力攪拌器,使升降系統(tǒng)上升,使圓柱形頁(yè)巖樣品浸沒(méi)于蒸餾水中20秒;

F.使升降系統(tǒng)下降,使得圓柱形頁(yè)巖樣品完全露出水面,記錄天平讀數(shù)M1,并測(cè)定水中電導(dǎo)率G1;

根據(jù)氣水兩相滲流理論,計(jì)算單位面積吸水量Vimb和滲吸過(guò)程中離子擴(kuò)散引起的溶液電導(dǎo)率G隨時(shí)間的變化關(guān)系;其中涉及的物性參數(shù)x,kw,Pc,Swf,Swi,μw,B,C,n都不需要進(jìn)行測(cè)定,B和C通過(guò)分析后期的測(cè)試曲線來(lái)獲得,其它參數(shù)通過(guò)后期的數(shù)學(xué)變換的手段消掉這些參數(shù)的影響;

根據(jù)Handy滲吸模型,水相滲吸前緣的位置x隨著滲吸時(shí)間t的變化關(guān)系為:

<mrow> <mi>x</mi> <mo>=</mo> <msqrt> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>k</mi> <mi>w</mi> </msub> <msub> <mi>p</mi> <mi>c</mi> </msub> <mi>t</mi> </mrow> <mrow> <msub> <mi>&phi;&mu;</mi> <msub> <mrow></mrow> <mi>w</mi> </msub> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>f</mi> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </msqrt> </mrow>

式中kw為水滲透率mD;Pc為毛細(xì)管力Pa,為孔隙度,Swf為前緣含水飽和度,Swi為初始含水飽和度;

由于圓柱形頁(yè)巖樣品致密,因此前緣含水飽和度較高,且圓柱形頁(yè)巖樣品經(jīng)過(guò)了烘干處理,則兩者間的差約等于1;

圓柱形頁(yè)巖樣品滲吸過(guò)程中,單位面積吸入水的體積隨著時(shí)間的變化為:

<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mi>m</mi> <mi>b</mi> </mrow> </msub> <mo>/</mo> <msub> <mi>A</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>B</mi> <mo>+</mo> <msqrt> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>k</mi> <mi>w</mi> </msub> <msub> <mi>p</mi> <mi>c</mi> </msub> <mi>&phi;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>f</mi> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mi>t</mi> </mrow> <msub> <mi>&mu;</mi> <mi>w</mi> </msub> </mfrac> </msqrt> </mrow>

式中:B為單位面積水的滯留量g/cm2,μw為水的粘度

則離子擴(kuò)散引起的溶液電導(dǎo)率變化為:

<mrow> <mi>G</mi> <mo>/</mo> <msub> <mi>A</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>=</mo> <mn>2</mn> <mfrac> <mi>C</mi> <mi>V</mi> </mfrac> <mo>+</mo> <mfrac> <mrow> <mn>4</mn> <mi>&pi;</mi> <mi>r</mi> <mi>n</mi> <mi>C</mi> </mrow> <mi>V</mi> </mfrac> <msqrt> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>k</mi> <mi>w</mi> </msub> <msub> <mi>p</mi> <mi>c</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>&phi;&mu;</mi> <msub> <mrow></mrow> <mi>w</mi> </msub> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>f</mi> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </msqrt> <mo>&CenterDot;</mo> <msqrt> <mi>t</mi> </msqrt> </mrow>

式中:C為單位面積離子附著量mg/cm2,n為毛細(xì)管數(shù);

G.再次使升降系統(tǒng)上升,使得圓柱形頁(yè)巖樣品完全浸沒(méi)于蒸餾水中20秒;

H.重復(fù)步驟F和步驟G,得到M~M0和G~G0隨著時(shí)間t的變化,即可得到吸水體積Vimb和溶液電導(dǎo)率G隨著時(shí)間t的變化;

I.繪制單位表面積的吸水體積、電導(dǎo)率隨著t0.5的變化曲線,分別求取曲線斜率、滲吸速率A和離子擴(kuò)散速率D,將獲取的A和D進(jìn)行計(jì)算并可以獲得A/D的比值;

根據(jù)單位面積吸水量Vimb和滲吸過(guò)程中離子擴(kuò)散引起的溶液電導(dǎo)率G隨著時(shí)間變化的理論公式,計(jì)算滲吸速率A和離子擴(kuò)散D的比值,過(guò)程如下:

<mrow> <msub> <mi>V</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mi>m</mi> <mi>b</mi> </mrow> </msub> <mo>/</mo> <msub> <mi>A</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>=</mo> <mi>B</mi> <mo>+</mo> <mi>A</mi> <msqrt> <mi>t</mi> </msqrt> </mrow>

<mrow> <mi>G</mi> <mo>/</mo> <msub> <mi>A</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>=</mo> <mn>2</mn> <mfrac> <mi>C</mi> <mi>V</mi> </mfrac> <mo>+</mo> <mi>D</mi> <msqrt> <mi>t</mi> </msqrt> </mrow>

滲吸速率與離子擴(kuò)散速率之比為:

<mrow> <mfrac> <mi>A</mi> <mi>D</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>V</mi> <mi>r</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>f</mi> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>S</mi> <mrow> <mi>w</mi> <mi>i</mi> </mrow> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>4</mn> <mi>C</mi> </mrow> </mfrac> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>V</mi> <mi>r</mi> </mrow> <mrow> <mn>4</mn> <mi>C</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>

J.電導(dǎo)率曲線延長(zhǎng)線與縱軸的截距為C/V,得到頁(yè)巖的平均孔徑r。

<mrow> <mi>r</mi> <mo>=</mo> <mn>4</mn> <mo>&CenterDot;</mo> <mfrac> <mi>A</mi> <mi>D</mi> </mfrac> <mo>&CenterDot;</mo> <mfrac> <mi>C</mi> <mi>V</mi> </mfrac> </mrow>

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