技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明揭示了一種測(cè)試樣品的制備方法，包括：提供一樣品，所述樣品具有正面以及與所述正面相對(duì)的背面，所述樣品包括襯底、柵極、介質(zhì)層、多個(gè)栓塞，所述襯底面向所述正面的一側(cè)具有阱區(qū)，所述阱區(qū)中設(shè)置有源極區(qū)、漏極區(qū)和體區(qū)；對(duì)所述樣品的正面進(jìn)行剝離至露出所述栓塞；對(duì)所述樣品進(jìn)行截面研磨工藝，暴露出所述樣品的一縱截面；分別對(duì)所述樣品的正面以及背面進(jìn)行細(xì)拋，對(duì)所述正面細(xì)拋至所述阱區(qū)上方，對(duì)所述背面細(xì)拋至所述阱區(qū)的下方，以得到所述測(cè)試樣品，所述測(cè)試樣品的厚度小于1.5μm。本發(fā)明還提供一種測(cè)試方法。所述測(cè)試樣品既可以進(jìn)行透射電子顯微鏡觀察，也可以用納米探針?lè)治鲭妷?電流特性。

技術(shù)研發(fā)人員：盧勤;湯光敏;張順勇;高慧敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號(hào)碼：201610613253
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2017.01.11