專利名稱：線寬測量方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體測量領域，特別涉及一種線寬測量方法。
背景技術：
在半導體加工工藝過程中，經(jīng)常需要測量形成的帶線(lines)圖案的寬度，以確定其是否符合工藝的要求，從而保證器件的性能。如對于MOS (金屬-氧化物-半導體)晶體管的柵極、存儲器中的字線、位線等，在形成相應的圖案后，需要對其寬度進行測量。現(xiàn)有技術中通常使用掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)對帶線圖案的寬度進行測量，其中透射電子顯微鏡的測量精度較高，但是在觀測前需要進行復雜的樣品制備過程，耗時太長，一般較少使用。圖1示出了現(xiàn)有技術的一種線寬測量方法的剖面圖及相應的形貌觀測圖，該方法主要包括提供基底10，所述基底10的表面上形成有凸起的帶線圖案11和帶線圖案12，使用掃描電子顯微鏡對所述掃描觀測，得到所述基底10、帶線圖案11和帶線圖案12的形貌觀測圖，之后根據(jù)所述形貌觀測圖確定帶線圖案11和帶線圖案12的寬度。以圖1中的帶線圖案11為例，由于掃描電子顯微鏡工作原理是使用電子束掃描樣品的表面，并對激發(fā)出的信號進行檢測、放大后形成形貌觀測圖，因此在帶線圖案11的側壁的部分會產(chǎn)生部分彎曲形變，很難明確界定出帶線圖案11的側壁的邊界。現(xiàn)有技術通常將形貌觀測圖中信號低點變化至高點的50%的位置作為邊界，如對于帶線圖案11，分別將其兩側的信號低點至高點的50%的位置Ll和L2作為邊界，以位置Ll和L2之間的距離作為帶線圖案11的寬度。 然而Ll和L2不可能完全與帶線圖案11的邊界重合，因而在測量過程中引入了不確定性 (uncertainty)，導致較大的誤差。隨著器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)的不斷減小，帶線圖案11的寬度也相應減小，會加劇測量過程中的不確定性，導致測量結果的誤差較大。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種線寬測量方法，降低測量過程中的不確定性，減小誤差。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種線寬測量方法，包括提供基底，所述基底的表面上形成有凸起的帶線圖案，所述帶線圖案具有寬度；在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構；去除所述帶線圖案；測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度?？蛇x的，使用掃描電子顯微鏡測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距。可選的，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括形成測量輔助層，覆蓋所述基底和帶線圖案；對所述測量輔助層進行回刻，形成所述第一測量結構和第二測量結構?？蛇x的，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括形成測量輔助層，覆蓋所述基底和帶線圖案；對所述測量輔助層進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案的表面齊平，形成所述第一測量結構和第二測量結構。可選的，所述設定誤差為零?？蛇x的，所述設定誤差通過如下方法確定使用透射電子顯微鏡測量所述帶線圖案的寬度；使用掃描電子顯微鏡測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距；所述系統(tǒng)誤差等于所述第一測量結構和第二測量結構的間距減去所述透射電子顯微鏡測量所得的帶線圖案的寬度?？蛇x的，所述第一測量結構和第二測量結構的材料與所述帶線圖案的材料不同， 采用濕法刻蝕去除所述帶線圖案。可選的，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括在所述帶線圖案的寬度方向的兩側基底上分別形成第一輔助帶線和第二輔助帶線，所述第一輔助帶線和第二輔助帶線的表面與所述帶線圖案的表面齊平，且關于所述帶線圖案對稱；在所述基底上形成測量輔助層并進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案的表面齊平；去除所述第一輔助帶線和第二輔助帶線，形成所述第一測量結構和第二測量結構。可選的，位于所述第一輔助帶線與所述帶線圖案之間以及所述第二輔助帶線與所述帶線圖案之間的測量輔助層的寬度等于預設寬度，所述線寬測量方法還包括所述帶線圖案的寬度等于所述第一測量結構和第二測量結構的間距減去所述預設寬度。可選的，所述第一輔助帶線和第二輔助帶線的材料與所述帶線圖案的材料相同， 所述測量輔助層的材料與所述帶線圖案的材料不同，采用濕法刻蝕去除所述第一輔助帶線、第二輔助帶線和帶線圖案。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案有如下優(yōu)點本技術方案在帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構，之后去除所述帶線圖案，通過測量所述第一測量結構和第二測量結構之間的間距去除設定誤差來確定所述帶線圖案的寬度，從而將寬度的測量過程轉化為間距的測量過程，利于降低測量過程中引入的不確定性，減小測量誤差。


圖1是現(xiàn)有技術的一種線寬測量方法的剖面圖以及形貌測量圖；圖2是本發(fā)明線寬測量方法實施方式的流程示意圖3至圖5是本發(fā)明線寬測量方法第一實施例的各中間結構的剖面圖；圖6是本發(fā)明線寬測量方法第一實施例的最終結構的剖面圖以及測量圖；圖7至圖8是本發(fā)明線寬測量方法第二實施例的各中間結構的剖面圖；圖9是本發(fā)明線寬測量方法第二實施例的最終結構的剖面圖以及測量圖；圖10至圖12是本發(fā)明線寬測量方法第三實施例的各中間結構的剖面圖；圖13是本發(fā)明線寬測量方法第三實施例的最終結構的剖面圖以及測量圖。
具體實施例方式現(xiàn)有技術的線寬測量方法中，通常將掃描電子顯微鏡下信號低點至高點的50%處作為帶線圖案的邊界，從而在測量過程中引入了不確定性，增大了測量誤差。發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，將寬度的測量轉換為間距的測量能夠降低不確定性，減小誤差。仍然參考圖1，在測量帶線圖案11和帶線圖案12的間距時，同樣使用掃描電子顯微鏡掃描基底10以及帶線圖案11和帶線圖案12的形貌，之后確定測量基準點，例如分別以帶線圖案11的中心線LO和帶線圖案12的中心線L3作為測量基準點，則中心線LO和中心線L3之間的距離就是所述帶線圖案11和帶線圖案12的間距。由于中心線LO和中心線L3 的位置較容易確定，其中引入的不確定性較小，使得測量結果的誤差較小。同理，也可以分別選擇一側邊界線的估算位置Ll和L4作為測量基準點，或者另一側邊界線的估算位置L2 和L5作為測量基準點來計算二者的間距，由于所述估算位置Ll和L4、L2和L5都是以信號低點至高點的50%來確定的，因此，二者的不確定性相互抵消而降低，使得測量結果的誤差較小。本技術方案在帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構，之后去除所述帶線圖案，通過測量所述第一測量結構和第二測量結構之間的間距并去除設定誤差后確定所述帶線圖案的寬度，從而將寬度的測量過程轉化為第一測量結構和第二測量結構之間的間距測量過程，利于降低測量過程中引入的不確定性，減小測量誤差。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖2示出了本發(fā)明實施方式的線寬測量方法的流程示意圖，如圖2所示，包括步驟S21，提供基底，所述基底的表面上形成有凸起的帶線圖案，所述帶線圖案具有寬度；步驟S22，在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構；步驟S23，去除所述帶線圖案；步驟S24，測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。下面結合各個實施例對本發(fā)明的實施方式進行詳細說明。
第一實 施例參考圖3，提供基底20，所述基底20的表面上形成有凸起的帶線圖案21，所述帶線圖案21具有寬度。所述基底20可以為半導體材料，如單晶硅、鍺、鍺硅或III-V族化合物中的一種，還可以是絕緣體上硅(S0I，Silicon On Insulator)結構或硅上外延層結構，其中可以形成有半導體器件以及互連結構等。所述帶線圖案21可以為MOS晶體管形成工藝中的多晶硅材料的柵電極，或者存儲器中鋁材料的字線、位線等。在本實施例中，所述帶線圖案21為柵電極，其材料為多晶硅。參考圖4，形成測量輔助層22，覆蓋所述基底20和帶線圖案21。所述測量輔助層 22的材料與帶線圖案21的材料不同，可以為氮化硅、氧化硅、光刻膠等，本實施例中所述測量輔助層22的材料為氧化硅，其形成方法為化學氣相沉積(CVD)。參考圖5，對所述測量輔助層進行回刻(etch back)，分別在所述帶線圖案21 的兩側側壁上形成第一測量結構22a和第二測量結構22b。所述回刻過程為各向異性 (anisotropic)的刻蝕過程，與MOS晶體管中側墻(spacer)的形成過程類似的，所述帶線結構21側壁上的部分測量輔助層并不會被刻蝕去除。需要說明的是，在經(jīng)過所述回刻工藝之后，帶線圖案21四周的側壁上都保留有測量輔助層，所述第一測量結構22a和第二測量結構22b指的是沿帶線圖案21的寬度方向的兩側側壁上殘留的測量輔助層。參考圖6，去除所述帶線圖案，測量所述第一測量結構22a和第二測量結構22b之間的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。本實施例中采用濕法刻蝕去除所述帶線圖案，反應溶液為四甲基氫氧化銨(TMAH)，將多晶硅材料的帶線圖案選擇性去除。之后，使用掃描電子顯微鏡對所述基底20、第一測量結構22a和第二測量結構22b的形貌進行掃描，使用所述第一測量結構22a和第二測量結構22b中心線Li、L2作為測量基準點，確定中心線Ll和L2之間的間距D，即第一測量結構22a和第二測量結構22b之間的間距D，如果將所述設定誤差設定為零，則待測的帶線圖案的寬度即為所述間距D。當然，也可以使用所述第一測量結構22a和第二測量結構22b的左側邊界線或者右側邊界線作為基準點來測量二者的間距，但是中心線的位置較容易確定，有利于減小測量誤差。由于將帶線圖案的寬度測量轉化為了第一測量結構22a和第二測量結構22b之間的間距測量，從而降低了測量過程中引入的不確定性，減小了誤差。作為一個優(yōu)選的實施例，所述設定誤差的確定過程包括在形成所述測量輔助層之前，首先使用透射電子顯微鏡或其他儀器或方法來測量所述帶線圖案的寬度，對應于圖6 中的寬度L，由于觀測的原理與掃描電子顯微鏡不同，透射電子顯微鏡獲得的寬度L的精確度較高，逼近帶線圖案的真實寬度；之后，使用電子掃描顯微鏡測量所述第一測量結構22a 和第二測量結構22b之間的間距D，所述間距D減去所述寬度L，得到設定誤差(dl+d2)。一般的，所述設定誤差(dl+d2)的大小與所述第一測量結構22a和第二測量結構22b在所述帶線圖案的寬度方向的厚度相當。當然，在確定設定誤差的過程中也可以多次用透射電子顯微鏡進行測量，并求出測量結果的平均值。所述設定誤差(dl+d2)的確定過程僅需要進行一次，如在首次使用上述方法進行線寬測量時確定，在此后對其他帶線圖案的寬度進行測量時，將所述第一測量結構22a和第二測量結構22b之間的間距D減去設定誤差(dl+d2)之后，即可獲得帶線圖案的寬度L， 由于扣除了第一測量結構22a和第二測量結構22b造成的設定誤差(dl+d2)，使得得到的寬度L的誤差進一步減小，精確度進一步提高。另外，所述設定誤差(dl+d2)的確定過程也可以在多次測量過程中的任一次中進行，之后再將各次測量中所得的第一測量結構22a和第二測量結構22b之間的間距減去已經(jīng)確定的設定誤差(dl+d2)，得到所述帶線圖案的寬度。 由于所述設定誤差(dl+d2)的確定過程僅需要進行一次，因而其中涉及的透射電子顯微鏡樣品制備過程也僅需要進行一次，對于多次的測量過程而言，影響并不大。第二實施例 參考圖7，提供基底30，所述基底30的表面上形成有凸起的帶線圖案31，所述帶線圖案31具有寬度。所述基底30可以為半導體材料，如單晶硅、鍺、鍺硅或III-V族化合物中的一種，還可以是絕緣體上硅結構或硅上外延層結構，其中可以形成有半導體器件以及互連結構等。所述帶線圖案31可以為MOS晶體管形成工藝中的多晶硅材料的柵電極，或者存儲器中鋁材料的字線、位線等。在本實施例中，所述帶線圖案31為柵電極，其材料為多晶娃。參考圖8，形成測量輔助層(圖中未示出)，覆蓋所述基底30和帶線圖案31，之后對所述測量輔助層進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案31的表面齊平，從而在所述帶線圖案31的寬度方向的兩側側壁上形成第一測量結構32a和第二測量結構32b。其中，所述測量輔助層的材料與所述帶線圖案31的材料不同，可以為氮化硅、氧化硅、光刻膠等，本實施例中具體為氧化硅，其形成方法為化學氣相沉積。所述平坦化的方法為化學機械拋光 (CMP) ο參考圖9，去除所述帶線圖案，測量所述第一測量結構32a和第二測量結構32b之間的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。本實施例中采用濕法刻蝕去除所述帶線圖案，反應溶液為四甲基氫氧化銨，將多晶硅材料的帶線圖案選擇性去除。之后，使用掃描電子顯微鏡對所述基底30、第一測量結構32a和第二測量結構32b的形貌進行掃描，使用所述第一測量結構32a和第二測量結構32b的中心線L1、L2作為測量基準點，確定中心線Ll和L2之間的間距D，即第一測量結構32a和第二測量結構32b之間的間距D， 如果將所述設定誤差設定為零，則所述待測的帶線圖案的寬度即為所述間距D。當然，也可以使用所述第一測量結構32a和第二測量結構32b的左側邊界線或者右側邊界線作為基準點來測量二者的間距，但是中心線的位置較容易確定，有利于減小測量誤差。由于將帶線圖案的寬度測量轉化為了第一測量結構32a和第二測量結構32b之間的間距測量，從而降低了測量過程中引入的不確定性，減小了誤差。作為一個優(yōu)選的實施例，與第一實施例類似的，所述設定誤差的確定過程包括在形成所述測量輔助層之前，首先使用透射電子顯微鏡或其他儀器或方法測量所述帶線圖案的寬度，對應于圖9中的寬度L，由于觀測的原理與掃描電子顯微鏡不同，透射電子顯微鏡獲得的寬度L的精確度較高，逼近帶線圖案的真實寬度；之后，使用電子掃描顯微鏡測量所述第一測量結構32a和第二測量結構32b之間的間距D，所述間距D減去所述寬度L，得到設定誤差(dl+d2)。一般的，dl的大小與所述第一測量結構32a在所述帶線圖案的寬度方向的寬度的1/2相當，d2的大小與所述第二測量結構32b在所述帶線圖案的寬度方向的寬度的1/2相當。由于扣除了第一測量結構32a和第二測量結構32b引入的設定誤差的影響， 從而進一步降低了測量結果的誤差，提高了精確度。與第一實施例類似的，所述系統(tǒng)誤差(dl+d2)的確定過程也僅需要進行一次，可以是在多次測量中的任意一次中進行，因而對多次測量而言，影響并不大。 第三實施例參考圖10，提供基底40，所述基底40的表面上形成有凸起的帶線圖案41，所述帶線圖案41具有寬度。所述基底40可以為半導體材料，如單晶硅、鍺、鍺硅或III-V族化合物中的一種，還可以是絕緣體上硅結構或硅上外延層結構，其中可以形成有半導體器件以及互連結構等。所述帶線圖案41可以為MOS晶體管形成工藝中的多晶硅材料的柵電極，或者存儲器中鋁材料的字線、位線等。在本實施例中，所述帶線圖案41為柵電極，其材料為多晶娃。參考圖11，在所述帶線圖案41的寬度方向的兩側基底40上分別形成第一輔助帶線42a和第二輔助帶線42b，所述第一輔助帶線42a和第二輔助帶線42b的表面與所述帶線圖案41的表面齊平，且關于所述帶線圖案41對稱。在本實施例中，優(yōu)選地，所述第一輔助帶線42a和第二輔助帶線42b的材料與所述帶線圖案41的材料相同，本實施例中都為多晶娃。參考圖12，在所述基底40上形成測量輔助層43并進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案41以及第一輔助帶線42a和第二輔助帶線42b的表面齊平。所述測量輔助層43 的材料與所述帶線圖案41的材料不同，可以為氮化硅、氧化硅、光刻膠等，本實施例中具體為氧化硅，其形成方法為化學氣相沉積。所述平坦化的方法為化學機械拋光。所述帶線圖案41兩側的測量輔助層即構成了第一測量結構43a和第二測量結構43b。本實施例中，位于所述第一輔助帶線42a與所述帶線圖案41之間以及位于所述第二輔助帶線42b與所述帶線圖案41之間的測量輔助層的寬度等于預設寬度d，也即所述第一測量結構43a和第二測量結構43b的寬度等于所述預設寬度d。所述預設距離d在具體測量過程中為一確定的值，通過在形成所述第一輔助帶線42a和第二輔助帶線42b時控制其形成工藝(沉積、光刻等)來實現(xiàn)，具體數(shù)值可以根據(jù)實際的工藝條件進行合理選擇。參考圖13，去除所述帶線圖案、第一輔助帶線和第二輔助帶線，測量所述第一測量結構43a和第二測量結構43b之間的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。本實施例中采用濕法刻蝕去除所述帶線圖案、第一輔助帶線和第二輔助帶線，反應溶液為四甲基氫氧化銨。之后，使用掃描電子顯微鏡對所述基底40、第一測量結構43a和第二測量結構43b的形貌進行掃描，使用所述第一測量結構43a和第二測量結構43b的中心線 Li、L2作為測量基準點，確定中心線Ll和L2之間的間距D，即第一測量結構43a和第二測量結構43b之間的間距D，如果將所述設定誤差設定為零，則所述待測的帶線圖案的寬度即為所述間距D。當然，也可以使用所述第一測量結構43a和第二測量結構43b的左側邊界線或者右側邊界線作為基準點來測量二者的間距，但是中心線的位置較容易確定，有利于減小測量誤差。由于將帶線圖案的寬度測量轉化為了第一測量結構43a和第二測量結構43b 之間的間距測量，從而降低了測量過程中引入的不確定性，減小了誤差。作為一個優(yōu)選的實施例，還對所述帶線圖案的寬度進行進一步的運算處理。由上述步驟可以推知，所述第一測量結構43a和第二測量結構43b在所述帶線圖案的寬度方向的厚度等于所述預設寬度d，因此，可以推知所述設定誤差等于所述預設寬度d，將所述第一測量結構43a和第二測量結構43b之間的間距D減去所述預設寬度d，得到所述帶線圖案的寬度L。由于扣除了第一測量結構43a和第二測量結構43b本身的厚度的影響，因而處理后得到的寬度L的誤差進一步減小，精度進一步提高。由于本實施例中不需要通過透射電子顯微鏡來確定系統(tǒng)誤差，因此進一步縮短了測量的時間消耗，提高了效率。綜上，本技術方案中在帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構，之后去除所述帶線圖案，通過測量所述第一測量結構和第二測量結構之間的間距并去除設定誤差來確定所述帶線圖案的寬度，從而將寬度的測量過程轉化為間距的測量過程，利于降低測量過程中引入的不確定性，減小測量誤差。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種線寬測量方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底的表面上形成有凸起的帶線圖案，所述帶線圖案具有寬度；在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構；去除所述帶線圖案；測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。
2.根據(jù)權利要求1所述的線寬測量方法，其特征在于，使用掃描電子顯微鏡測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距。
3.根據(jù)權利要求1所述的線寬測量方法，其特征在于，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括形成測量輔助層，覆蓋所述基底和帶線圖案；對所述測量輔助層進行回刻，形成所述第一測量結構和第二測量結構。
4.根據(jù)權利要求1所述的線寬測量方法，其特征在于，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括形成測量輔助層，覆蓋所述基底和帶線圖案；對所述測量輔助層進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案的表面齊平，形成所述第一測量結構和第二測量結構。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的線寬測量方法，其特征在于，所述設定誤差為零。
6.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的線寬測量方法，其特征在于，所述設定誤差通過如下方法確定使用透射電子顯微鏡測量所述帶線圖案的寬度；使用掃描電子顯微鏡測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距；所述系統(tǒng)誤差等于所述第一測量結構和第二測量結構的間距減去所述透射電子顯微鏡測量所得的帶線圖案的寬度。
7.根據(jù)權利要求1所述的線寬測量方法，其特征在于，所述第一測量結構和第二測量結構的材料與所述帶線圖案的材料不同，采用濕法刻蝕去除所述帶線圖案。
8.根據(jù)權利要求1所述的線寬測量方法，其特征在于，所述在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構包括在所述帶線圖案的寬度方向的兩側基底上分別形成第一輔助帶線和第二輔助帶線，所述第一輔助帶線和第二輔助帶線的表面與所述帶線圖案的表面齊平，且關于所述帶線圖案對稱；在所述基底上形成測量輔助層并進行平坦化，使其表面與所述帶線圖案的表面齊平；去除所述第一輔助帶線和第二輔助帶線，形成所述第一測量結構和第二測量結構。
9.根據(jù)權利要求8所述的線寬測量方法，其特征在于，位于所述第一輔助帶線與所述帶線圖案之間以及所述第二輔助帶線與所述帶線圖案之間的測量輔助層的寬度等于預設寬度，所述線寬測量方法還包括所述帶線圖案的寬度等于所述第一測量結構和第二測量結構的間距減去所述預設寬度。
10.根據(jù)權利要求8所述的線寬測量方法，其特征在于，所述測量輔助層的材料與所述帶線圖案的材料不同，采用濕法刻蝕去除所述第一輔助帶線、第二輔助帶線和帶線圖案。
全文摘要
一種線寬測量方法，包括提供基底，所述基底的表面上形成有凸起的帶線圖案，所述帶線圖案具有寬度；在所述帶線圖案的寬度方向的兩側側壁上分別形成第一測量結構和第二測量結構；去除所述帶線圖案；測量所述第一測量結構和第二測量結構的間距，所述間距去除設定誤差后為所述帶線圖案的寬度。本發(fā)明利于降低測量過程中引入的不確定性，減小測量誤差。
文檔編號G01B7/02GK102437067SQ20101050035
公開日2012年5月2日 申請日期2010年9月29日 優(yōu)先權日2010年9月29日
發(fā)明者尹海洲, 朱慧瓏, 駱志炯 申請人:中國科學院微電子研究所