專利名稱：紅外輻射元件和使用其的氣敏傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種紅外輻射元件和使用其的氣敏傳感器。
背景技術：
已經(jīng)提供了多種類型的使用紅外輻射源的分析儀，例如紅外氣體分析儀。用于此類分析儀中的典型紅外輻射源是鹵素燈。不過，鹵素燈很大并且壽命較短，因此難以將其用于利用紅外線探測氣體的小型氣敏傳感器。
因此，作為能夠小型化的紅外輻射源，利用微加工技術形成的紅外輻射元件已經(jīng)在許多地方被開發(fā)出來(例如，參見日本未審專利公開No.9-153640( - 段，圖2)、日本未審專利公開No.2000-236110( - 段，圖1和2)以及日本未審專利公開No.10-294165( - 段，圖1))。
在以上專利文件中，披露了一種所謂的微橋結(jié)構(gòu)的紅外輻射元件，其包括支撐襯底和跨過所述支撐襯底的金屬絲熱發(fā)生器，該支撐襯底通過使用微加工技術由硅襯底等形成且為矩形框架的形式。在具有這類微橋結(jié)構(gòu)的紅外輻射元件中，通過為金屬絲熱發(fā)生器通電產(chǎn)生的焦耳熱從金屬絲熱發(fā)生器發(fā)射紅外線，且這種紅外輻射元件能夠?qū)α鹘?jīng)熱發(fā)生器的電流的通/斷狀態(tài)迅速做出響應，因為熱發(fā)生器被空氣包圍，所以熱發(fā)生器和其環(huán)境之間的熱容量差能夠得到增大。
不過，在上述具有微橋結(jié)構(gòu)的紅外輻射元件中，熱發(fā)生器易于破損，且它可能會被熱所熔化，因為熱發(fā)生器是線形的，并且僅僅熱發(fā)生器的兩端被支撐襯底支撐著。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種與常規(guī)紅外輻射元件相比能夠具有長壽命的紅外輻射元件，以及使用該種紅外輻射元件的氣敏傳感器。
本發(fā)明的紅外輻射元件包括半導體襯底；多孔絕熱層，形成于所述半導體襯底的表面上且具有比半導體襯底更小的熱導率；以及形成于所述絕熱層上的發(fā)熱層，其具有比所述絕熱層大的熱導率和電導率并在通電時發(fā)射紅外線。
因此，因為在該紅外輻射元件中，通電時發(fā)射紅外線的發(fā)熱層形成為平面形狀并被支撐在多孔絕熱層上，所以有可能提高紅外線輻射的量，并有可能延長紅外輻射元件的壽命。
優(yōu)選地，半導體襯底為硅襯底，絕熱層和發(fā)熱層均為多孔硅層，且發(fā)熱層具有比絕熱層小的孔隙率。更優(yōu)選地，發(fā)熱層的孔隙率為2-45％，且絕熱層的孔隙率為40-80％并比發(fā)熱層大10％以上。
更優(yōu)選地，所述發(fā)熱層摻有雜質(zhì)，使得電導率變得高于所述硅襯底，且其電阻溫度系數(shù)變?yōu)檎怠?br> 發(fā)熱層可以是具有導電性的碳層，或者通過雜質(zhì)摻雜具有導電性的非晶硅層。優(yōu)選地，所述非晶硅層在表面?zhèn)壬暇哂斜冉^熱層側(cè)上更高的摻雜濃度。
還優(yōu)選的是，在發(fā)熱層的表面上形成許多凸起和凹陷。
還優(yōu)選的是，在所述發(fā)熱層的表面上堆疊多個層，用于限制發(fā)射到外部的紅外線的波段。
還優(yōu)選的是，在半導體襯底的相對表面上堆疊反射涂層，所述反射涂層將從發(fā)熱層向半導體襯底側(cè)發(fā)射的紅外線反射到發(fā)熱層側(cè)。
還優(yōu)選的是，在半導體襯底的相對表面上提供熱導率小于半導體襯底的絕熱構(gòu)件。
還優(yōu)選的是，發(fā)熱層經(jīng)由電導率小于所述絕熱層的絕緣層形成于絕熱層上。


圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的紅外輻射元件的示意性截面圖。
圖2為用于解釋由圖1的紅外輻射元件所發(fā)射的紅外線的圖。
圖3是示出用于圖1的紅外輻射元件的驅(qū)動電路一例的電路圖。
圖4A是圖1的紅外輻射元件的發(fā)熱層的優(yōu)選形狀的放大截面圖。
圖4B是圖1的紅外輻射元件的發(fā)熱層的優(yōu)選形狀的放大截面圖。
圖5A是用于解釋圖1的紅外輻射元件的發(fā)熱層的優(yōu)選形狀的圖。
圖5B是用于解釋圖1的紅外輻射元件的發(fā)熱層的優(yōu)選形狀的圖。
圖6為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的紅外輻射元件的示意性截面圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的紅外輻射元件的示意性截面圖。
圖8為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的紅外輻射元件的示意性截面圖。
圖9為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的紅外輻射元件的示意性截面圖。
圖10為使用本發(fā)明的紅外輻射元件的氣敏傳感器的基本配置圖。
具體實施例方式
在下文中將參考附圖更詳細地描述本發(fā)明的紅外輻射元件(A)。
本發(fā)明的紅外輻射元件(A)是一種通過為發(fā)熱層3通電來加熱發(fā)熱層3而從發(fā)熱層3發(fā)射紅外線的紅外輻射元件。在紅外輻射元件(A)中，絕熱層2形成于半導體襯底1沿厚度方向的表面上(即，圖1中的上表面上)，該絕熱層2多孔且比半導體襯底1具有充分小的熱導率，發(fā)熱層3形成于絕熱層2上，且發(fā)熱層3為薄層(平面)形式且比絕熱層2具有更大的熱導率和更大的電導率，并且成對的用于通電的焊盤(電極)4形成于發(fā)熱層3上。半導體襯底1具有矩形平面形狀，且絕熱層2和發(fā)熱層3也均具有矩形平面形狀。成對的焊盤4由諸如金的金屬材料制成，并在發(fā)熱層3的兩端與發(fā)熱層3接觸。
絕熱層2和發(fā)熱層3由孔隙率彼此不同的多孔硅層形成，且發(fā)熱層3由孔隙率小于絕熱層2的多孔硅層形成。優(yōu)選地，發(fā)熱層3是孔隙率為2-45％的多孔硅層(在下文中，該硅層被稱為第一多孔硅層)，且絕熱層2是孔隙率為45-80％且比發(fā)熱層3的孔隙率大10％以上的多孔硅層(在下文中，該硅層被稱為第二多孔硅層)。尤其是，優(yōu)選發(fā)熱層3的孔隙率大約為40％，且絕熱層2的孔隙率大約為70％。通常，隨著其孔隙率增大，多孔硅層的熱導率和熱容量變小。例如，對于通過陽極氧化熱導率為168[W/(m·K)]且熱容量為1.67×106[J/(m3·K)]的單晶硅襯底(即，其空隙率為0％)形成的空隙率為60％的多孔硅層而言，其熱導率為1[W/(m·K)]，且該多孔硅層的熱容量為0.7×106[J/(m3·K)]。因此，由于發(fā)熱層3的孔隙率小于絕熱層2的，所以發(fā)熱層3的熱導率和熱容量大于絕熱層2的。多孔硅層是作為發(fā)熱層還是作為絕熱層并非由多孔硅層的絕對孔隙率決定，發(fā)熱層和絕熱層之間的孔隙率差異對于決定它是重要的。
絕熱層2和發(fā)熱層3是通過在氟氫酸溶液中陽極氧化被用作半導體襯底1的單晶硅襯底的一部分而形成的。絕熱層2和發(fā)熱層3能夠通過適當?shù)馗淖冴枠O氧化工藝的條件(例如，電流密度和工藝時間)而連續(xù)地形成。
至于紅外輻射元件(A)的尺度，例如，在形成絕熱層2和發(fā)熱層3之前半導體襯底1的厚度為625μm，絕熱層2的厚度為50μm，發(fā)熱層3的厚度為1μm，焊盤4的厚度為0.1μm。優(yōu)選地，絕熱層2的厚度為50μm或更大，發(fā)熱層3的厚度為3μm或更小。
在如上配置的紅外輻射元件(A)中，因為作為熱發(fā)生器的發(fā)熱層3是平面(薄層)的形式，而不像常規(guī)紅外輻射元件那樣為線的形式，因此能夠增大紅外線的發(fā)射量，且因此能夠通過降低每單位面積的輻射量而延長紅外輻射元件的壽命。此外，因為發(fā)熱層3的整個表面都被支撐在絕熱層2上，所以與線形熱發(fā)生器兩端都被支撐的常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，發(fā)熱層3幾乎不受損傷，因此能夠延長紅外輻射元件的壽命。再者，因為發(fā)熱層3被具有高孔隙率的絕熱層2所支撐，所以發(fā)熱層3在接近空氣的條件下被支撐，由此發(fā)熱層3和環(huán)境之間的熱容量差變大，紅外輻射元件能夠具有良好的熱響應性。
在紅外輻射元件(A)中，從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線的峰值波長根據(jù)發(fā)熱層3的溫度決定，峰值波長能夠由以下方程表達λ＝2898/T (方程1)其中λ代表峰值波長，T代表發(fā)熱層3的絕對溫度[K]。
亦即，在該實施例中，作為發(fā)熱層3的第一多孔硅層構(gòu)成偽黑體，且發(fā)熱層3的絕對溫度和從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線的峰值波長符合維恩(Wien)位移定律。例如，當將第一多孔硅層的每個微孔的深度設定為每個微孔的內(nèi)徑的三倍或更大時，則能夠?qū)l(fā)熱層3看作發(fā)射紅外線的偽黑體，像黑體輻射一樣。因此，如圖2所示，通過調(diào)制從外源施加到成對的焊盤4之間的電壓并改變發(fā)熱層3的絕對溫度T(亦即，通過改變由發(fā)熱層3產(chǎn)生的焦耳熱)，能夠改變從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線的峰值波長。例如，當大約300V的電壓被施加到成對焊盤4之間時，能夠發(fā)射峰值波長為約3μm-4μm的紅外線。
此外，當在室溫下(300[K])將輸入功率施加到發(fā)熱層3時，發(fā)熱層3的溫度升高值ΔT[K]能夠用以下方程表達ΔT＝2fe/β(方程2)其中f代表施加到發(fā)熱層3的輸入功率，e代表發(fā)熱層3的發(fā)射率，β代表發(fā)熱層3的熱導率[W/K]。
例如，當發(fā)熱層3的絕對溫度T為700[K]時，從方程1可明顯看出，從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線的峰值波長λ約為4μm，而從圖2可以清楚看出，隨著發(fā)熱層3的絕對溫度T升高，峰值波長λ向短波長側(cè)移動，4μm波長的紅外線的輻射能增大。因此，當形成發(fā)熱層3以符合以下關系ΔT＝2fe/β≥400∴β≤fe/200，就有可能輻射出較高輻射能的4μm波長的紅外線。
至于給予熱發(fā)生器3的輸入電壓，熱發(fā)生器3能夠響應的交流電壓的頻率f[Hz](換言之，熱發(fā)生器3的溫度能夠響應于輸入電壓而變化的頻率)能夠通過以下方程表達f＝a/(πQt2)(方程3)其中t[m]表示絕熱層2的厚度，a[W/(m·K)]表示絕熱層2的熱導率，Q[J/(m3·K)]表示熱發(fā)生器3的熱容量。
因此，當形成絕熱層2以符合以下關系時f＝a/(πQt2)≥10∴a≥10πQt2就有可能使頻率(f)為10Hz或更高。
圖3示出了用于驅(qū)動紅外輻射元件(A)的驅(qū)動電路的一個例子。在該驅(qū)動電路中，跨電源21連接晶閘管Th、電感器L、電阻器R1和電阻器R2的串聯(lián)電路，且跨電阻器R2連接紅外輻射元件(A)。電源21包括直流電源和跨直流電源連接的電容器。驅(qū)動電路還具有控制器22，該控制器22在電源21的電容器兩端的電壓超過預定閾值時向晶閘管的柵極輸出控制信號。當從控制器22向晶閘管輸出控制信號時，晶閘管Th被開啟，由此在紅外輻射元件(A)的焊盤4之間施加電壓，發(fā)熱層3發(fā)熱并發(fā)射紅外線。通過適當改變控制器22的閾值，有可能改變施加到紅外輻射元件(A)的電壓，因此有可能控制從紅外輻射元件(A)發(fā)射的紅外線的峰值波長。
在優(yōu)選實施例中，在發(fā)熱層3中重摻雜雜質(zhì)，使得發(fā)熱層3的電導率變得高于半導體襯底1且電阻溫度系數(shù)變?yōu)檎怠Ｍǔ?，多孔硅層具有高電阻率，且電阻溫度系?shù)為正值，于是需要在成對的焊盤4之間施加高電壓以加熱多孔硅層。而且此外，因為多孔硅層的電阻隨著溫度升高而變低，因此流經(jīng)成對的焊盤4的電流迅速增大，熱可控性被劣化。因此，通過在發(fā)熱層3中重摻雜雜質(zhì)以便使發(fā)熱層3的電導率變得高于半導體襯底1且電阻溫度系數(shù)變成正值，發(fā)熱層3的電阻隨著溫度升高而增大，流到發(fā)熱層3的電流值減小，由此變得易于控制發(fā)熱層3的溫度。具體來講，例如，在形成第一多孔硅層和第二多孔硅層之后，通過離子注入將雜質(zhì)離子注入第一多孔硅層中來進行退火處理。通過這樣就能夠形成具有低電阻率和類似金屬的性質(zhì)的重摻雜加熱層，該性質(zhì)即具有比半導體襯底1高的電導率且具有正的電阻溫度系數(shù)的性質(zhì)。退火處理可以在形成第一多孔硅層和第二多孔硅層之前通過向第一多孔硅層的計劃部分中注入雜質(zhì)離子而進行?；蛘?，如果發(fā)熱層3的電阻溫度系數(shù)是正的，優(yōu)選利用恒流電源作為電源在焊盤4之間流過電流。在這種情況下，盡管發(fā)熱層3的電阻隨著發(fā)熱層3溫度的升高而減小，但是熱可控性得以改善，因為焊盤4之間的電壓也減小了。
還優(yōu)選的是通過蝕刻等在發(fā)熱層3的表面中形成例如圖4A和4B所示的許多凸起和凹陷。在這種情況下，發(fā)熱層3的表面積增大，由此有可能增加從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線輻射的量。
還優(yōu)選的是，形成紅外輻射元件使得每個微孔的深度變成峰值波長λ的1/4，其中微孔是通過陽極氧化由硅襯底形成的半導體襯底1的一部分而獲得的。例如，如圖5A和5B所示，使用包括KOH等的堿性溶液蝕刻剛剛陽極氧化之后且其中多孔結(jié)構(gòu)未被暴露的多孔硅層3’的表面(亦即該表面的孔隙率小)，使得每個微孔的深度H成為λ/4。在這種情況下，能夠通過光波效應提高紅外線輻射的量。
如圖6所示，還優(yōu)選的是在發(fā)熱層3的表面上堆疊多個層5，用于限制發(fā)射到外部的紅外線的波段。在這種情況下，該多個層5僅能夠透射特定波段的紅外線，且能夠限制特定波段之外的波長的紅外線輻射到外部。
如圖7所示，還優(yōu)選的是，在半導體襯底1的下表面上堆疊反射涂層6，其包括多層并向發(fā)熱層3一側(cè)反射從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線。更優(yōu)選地，在半導體襯底1中形成中空部分1b。中空部分1b中的介質(zhì)為空氣。在這種情況下，如圖7中的箭頭所示，從發(fā)熱層3向半導體襯底1一側(cè)發(fā)射的紅外線被反射涂層6反射向發(fā)熱層3一側(cè)，由此能夠增大從發(fā)熱層3的表面發(fā)射的紅外線輻射的量。反射涂層6不局限于多層，而是可以由反射紅外線的金屬膜形成。
如圖8所示，還優(yōu)選的是，熱導率比半導體襯底小的絕熱構(gòu)件7提供于半導體襯底1的下表面上，且絕熱構(gòu)件7通過用于芯片結(jié)合的粘合劑被固定到基底構(gòu)件8。如果通過芯片結(jié)合將紅外輻射元件(A)固定到諸如罐封裝和引線框架的金屬基體的基底構(gòu)件，發(fā)熱層3中產(chǎn)生的一些熱可能會通過絕熱層2、半導體襯底1和基底構(gòu)件散發(fā)到絕熱層2的一定厚度。這種散熱可能會在加熱層3通電時導致響應速度劣化。因此，通過提供絕熱構(gòu)件7，能夠抑制從半導體襯底1的相對表面散熱，因此能夠提高響應速度。絕熱構(gòu)件7可以是絕緣玻璃襯底，或者通過例如陽極氧化半導體襯底1的相對表面的一部分而形成的多孔硅層(多孔半導體層)。
如圖9所示，發(fā)熱層3可以經(jīng)由電導率小于絕熱層2的絕緣層9形成于絕熱層2上。通過提供絕緣層9，能夠更多地抑制在為發(fā)熱層3通電時流經(jīng)半導體襯底1的漏電流，由此能夠提高響應速度并降低功耗。作為絕緣層9的材料，如果將硅襯底用作半導體襯底1，則可以采用SiO2、Si3N4等。
圖10示出了以紅外輻射元件(A)作為紅外輻射源的氣敏傳感器。該氣敏傳感器包括填充有氣體的外殼13；紅外輻射源11，其具有紅外輻射元件(A)用于將紅外線發(fā)射到填充有氣體的外殼13中；光接收元件12，用于接收穿過填充有氣體的外殼13的紅外線；兩個反射鏡14和15，它們彼此相對地放在填充有氣體的外殼13中，用以反射紅外線，使得光接收元件12能夠接收從紅外輻射源11發(fā)射到填充有氣體的外殼13中的紅外線；控制電路(未示出)，用于控制紅外輻射源11的輸出(輻射量、輻射時間等)，以及用于基于光接收元件12的輸出計算氣體濃度；以及顯示器(未示出)，用于顯示由控制電路計算出的氣體濃度。該氣敏傳感器通過測量吸收波長的紅外線的吸收率來測量目標氣體的濃度，其中吸收波長由目標氣體的分子結(jié)構(gòu)決定。
因為該氣敏傳感器裝備了紅外輻射元件(A)作為紅外輻射源11，所以有可能延長整個傳感器的壽命。此外，因為紅外輻射元件(A)很靈敏，在預定空間中輻射量達到預定量所用的時間得以縮短，且光接收元件12能夠輸出對應于濃度的精確信號。如果控制電路裝備有波長調(diào)節(jié)器用于改變施加到發(fā)熱層3的電壓來改變從發(fā)熱層3發(fā)射的紅外線波長，就能夠測量多種氣體的濃度。
雖然在以上解釋中發(fā)熱層3是基于多孔硅形成的，但是發(fā)熱層3不局限于此。例如，從改善耐熱性和機械強度以及降低電阻的角度考慮，可以由通過摻雜而具有導電性的碳層來形成發(fā)熱層3。作為碳層，可以采用包括無定形碳、石墨、類石墨碳、金剛石和類金剛石碳的多種碳層。尤其是，在采用石墨或類石墨碳時，與采用無定形碳、金剛石和類金剛石碳的情形相比，有可能減小碳層的電阻。
或者，從改善機械強度和降低電阻的角度考慮，可以由通過摻雜而具有導電性的非晶硅層形成發(fā)熱層3。優(yōu)選地，非晶硅層在其表面?zhèn)缺仍诮^熱層2一側(cè)上具有更高的雜質(zhì)摻雜濃度。在這種情況下，流經(jīng)發(fā)熱層3的電流變得易于在發(fā)熱層3的表面?zhèn)壬狭鲃?，從而與整個非晶硅層均勻摻雜的情形相比發(fā)熱層3的有效厚度變薄且能夠提高響應性。作為非晶硅層的替代，可以采用由除Si之外的半導體材料制成的非晶半導體層。
雖然用作半導體襯底1的硅襯底的導電類型可以是P型或N型，但是優(yōu)選使用P型硅襯底作為半導體襯底1，因為在通過陽極氧化制作多孔結(jié)構(gòu)時P型硅襯底易于具有大的孔隙率?？梢愿鶕?jù)半導體襯底1的導電類型以及電導率適當?shù)貨Q定陽極氧化半導體襯底1一部分時的電流密度。
半導體襯底1的材料不局限于Si，還可以是另一種能夠通過陽極氧化而變成多孔的半導體材料，例如Ge、SiC、GaP、GaAs和InP。
權(quán)利要求
1.一種紅外輻射元件，包括半導體襯底；形成于所述半導體襯底的表面上的多孔絕熱層，所述絕熱層具有比所述半導體襯底小的熱導率；形成于所述絕熱層上并通過通電而發(fā)射紅外線的發(fā)熱層，所述發(fā)熱層具有比所述絕熱層大的熱導率和電導率。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中所述半導體襯底為硅襯底，所述絕熱層和所述發(fā)熱層均為多孔硅層，所述發(fā)熱層具有比所述絕熱層小的孔隙率。
3.如權(quán)利要求2所述的紅外輻射元件，其中所述發(fā)熱層的孔隙率為2-45％，所述絕熱層的孔隙率為40-80％且比所述發(fā)熱層的孔隙率大10％以上。
4.如權(quán)利要求2所述的紅外輻射元件，其中所述發(fā)熱層摻有雜質(zhì)，使得電導率變得高于所述硅襯底的，且其電阻溫度系數(shù)變?yōu)檎怠?br> 5.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中所述發(fā)熱層由具有導電性的碳層形成。
6.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中所述發(fā)熱層由通過摻雜而具有導電性的非晶硅層形成。
7.如權(quán)利要求6所述的紅外輻射元件，其中所述非晶硅層在表面?zhèn)壬暇哂斜冉^熱層側(cè)上更高的摻雜濃度。
8.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中在所述發(fā)熱層的表面中形成許多凸起和凹陷。
9.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中多個層堆疊在所述發(fā)熱層的表面上，用于限制發(fā)射到外部的紅外線的波段。
10.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中反射涂層堆疊在所述半導體襯底的相對表面上，所述反射涂層將從所述發(fā)熱層向半導體襯底側(cè)發(fā)射的紅外線反射到發(fā)熱層側(cè)。
11.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中在所述半導體襯底的相對表面上提供有熱導率小于所述半導體襯底的絕熱構(gòu)件。
12.如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件，其中所述發(fā)熱層經(jīng)由電導率小于所述絕熱層的絕緣層而形成于所述絕熱層上。
13.一種氣敏傳感器，包括紅外輻射源，用于在預定空間中發(fā)射紅外線；光接收裝置，用于接收所述紅外線；控制裝置，利用目標氣體的吸收基于所述光接收裝置的輸出來判斷有無目標氣體；其中所述紅外輻射源為如權(quán)利要求1所述的紅外輻射元件。
全文摘要
在紅外輻射元件(A)中，絕熱層(2)沿厚度方向形成于半導體襯底(1)的表面上，其比半導體襯底(1)具有充分小的熱導率，加熱層(3)形成于絕熱層(2)上，其為薄層(平面)形式且比絕熱層(2)具有更大的熱導率和更大的電導率，用于通電的成對的焊盤(4)形成于發(fā)熱層(3)上。半導體襯底(1)由硅襯底制成。絕熱層(2)和加熱層(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅層形成，且加熱層(3)具有小于絕熱層(2)的孔隙率。通過將該紅外輻射元件(A)作為氣敏傳感器的紅外輻射源，有可能延長紅外輻射源的壽命。
文檔編號G01N21/01GK1886820SQ20048003490
公開日2006年12月27日 申請日期2004年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月27日
發(fā)明者櫟原勉, 濱田長生, 明渡甲志, 北村啟明, 福島博司, 菰田卓哉, 幡井崇 申請人:松下電工株式會社