專利名稱：光刻裝置及其應(yīng)用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種光刻裝置，更加具體地涉及一種使用偏振監(jiān)測的光刻裝置。
背景技術(shù)：
光刻裝置是一種將期望的圖案投射到基底的靶部的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況中，可以使用構(gòu)圖部件或構(gòu)圖結(jié)構(gòu)例如掩模產(chǎn)生對應(yīng)于IC的一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一個或者多個管芯)。一般地，單一的基底將包含相鄰靶部的網(wǎng)格，該相鄰靶部可逐個相繼曝光。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器，其中通過將整個圖案一次暴露于靶部上來輻射每一靶部，和所謂的掃描器，其中通過在投影光束下沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種在光刻裝置中測量偏振的方法，其包括通過光刻投影裝置的投影透鏡投射具有偏振態(tài)的光，使被投射的光經(jīng)過偏振器，該偏振器至少包括具有第一偏振特征的第一區(qū)域和具有不同于第一偏振特征的第二偏振特征的第二區(qū)域，并分析已經(jīng)通過偏振器的光以確定偏振態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括通過光刻投影裝置的投影透鏡投射具有偏振態(tài)的光，使被投射的光經(jīng)過偏振器，該偏振器至少包括具有第一偏振特征的第一區(qū)域和具有不同于第一偏振特征的第二偏振特征的第二區(qū)域，分析已經(jīng)通過偏振器的光以確定偏振態(tài)，根據(jù)期望圖案對至少一部分被投射的光構(gòu)圖，并將帶圖案的光成像在基底的輻射敏感層上。
盡管可以具體參照光刻裝置在制造IC中的應(yīng)用，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)的制造、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解在這種可替換的用途范圍中，這里的任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用可認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語“基底”或者“靶部”同義。此外，這里提到的基底可以在曝光前或后在例如軌跡器(track)(一種工具，通常對基底施加一層抗蝕劑，并顯影已經(jīng)曝光的抗蝕劑)或計量或檢驗工具中進(jìn)行處理。在可適用的地方，這里的公開可以應(yīng)用于這種或者其他基底處理工具。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如波長為365，248、193、157或126nm)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長)。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”或“構(gòu)圖結(jié)構(gòu)”應(yīng)廣義地解釋為能夠用來給投影光束的橫截面賦予圖案的裝置，例如用于在基底的靶部形成圖案的裝置。應(yīng)該注意賦予投影光束的圖案可以不精確地對應(yīng)于基底的靶部上的期望圖案。一般地，賦予投影光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應(yīng)。
構(gòu)圖部件可以是透射型或者反射型。構(gòu)圖部件的實例包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。一個可編程反射鏡陣列的實例使用小反射鏡的矩陣布置，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而以不同的方向反射入射的輻射光束；通過這種方式，對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。在構(gòu)圖部件的每個實例中，支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的，并且支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件處于期望的位置，例如相對于投影系統(tǒng)。這里任何術(shù)語“中間掩模版”或“掩?！钡氖褂每梢哉J(rèn)為與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖部件”意思相同。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)，和反折射光學(xué)系統(tǒng)，例如適用于所用的曝光輻射，或者適用于其他因素，如使用浸液或使用真空。這里的任何術(shù)語“透鏡”的使用應(yīng)認(rèn)為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
照射系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學(xué)元件，包括折射，反射，和反折射光學(xué)元件，這些元件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投影光束，這種元件在下文還可共同地或者單獨地稱作“透鏡”。
光刻裝置可以是具有兩個(二級)或者多個基底臺(和/或兩個或多個掩模臺)的類型。在這種“多級式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中將基底浸濕在具有相對高的折射率的液體例如水中，從而填充投影系統(tǒng)的最終元件和基底之間的空間。也可以將浸液施加到光刻裝置的其它空間，例如在掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之間。浸濕技術(shù)在本領(lǐng)域是公知的，其用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。


現(xiàn)在僅通過實例的方式，參照附圖描述本發(fā)明的實施例，其中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻裝置的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的偏振器的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的偏振結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是圖3的結(jié)構(gòu)的特殊實施例的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的結(jié)合了偏振結(jié)構(gòu)的一部分中間掩模版的示意圖；圖6是具有切向偏振的四極照射模式的示意圖。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光刻裝置。該裝置包括一個基板BP。該裝置還包括一個輻射源LA(例如UV或EUV輻射，例如由在248nm、193nm、或157nm的波長下操作的受激準(zhǔn)分子激光器或者由在13.6nm的波長下操作的等離子源產(chǎn)生)。第一物體(掩模)臺MT具有配置成保持掩模(例如中間掩模版)的掩模保持器，并與第一定位裝置PM連接，該定位裝置可將掩模相對于投影系統(tǒng)或透鏡PL精確對準(zhǔn)。第二物體(基底)臺WT具有配置成保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的晶片)的基底保持器，并與第二定位裝置PW連接，該定位裝置可將基底相對于投影系統(tǒng)或透鏡PL精確對準(zhǔn)。投影系統(tǒng)或透鏡PL(例如石英和/或氟化鈣透鏡系統(tǒng)或折射或反折射系統(tǒng)，反射鏡組或場偏轉(zhuǎn)器陣列)配置成將掩模MA的被輻射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。投影系統(tǒng)PL支撐在參考系RF上。如這里指出的，該裝置可以是反射型(例如具有反射性掩模)。然而，一般地，該裝置也可以是透射型(例如具有透射性掩模)。
輻射源LA(例如UV受激準(zhǔn)分子激光器、在圍繞存儲環(huán)或同步加速器的路徑提供的波動器和搖擺器、產(chǎn)生激光的等離子源、放電源或電子或離子束)產(chǎn)生輻射?；蛘咧苯踊蛘咴诮?jīng)過調(diào)節(jié)裝置例如擴(kuò)束器Ex之后將輻射提供給照射系統(tǒng)(照射器)IL。照射器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AM，該調(diào)節(jié)裝置配置成設(shè)置光束中強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，照射器IL包括各種其它元件，如積分器IN和聚光器CO。通過這種方式，入射到掩模MA上的投影光束PB在其截面上具有期望的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意對于圖1輻射源LA可以在光刻投影裝置的機(jī)殼(通常是例如當(dāng)輻射源是汞燈的情況)中，但是輻射源也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，并將其產(chǎn)生的輻射光束引入裝置(例如借助于多個合適的引導(dǎo)反射鏡)中。后一種情況常常是當(dāng)輻射源SO是受激準(zhǔn)分子激光器時。本發(fā)明包括這兩種情況。
特別地，本發(fā)明包括多種實施例，其中照射器IL配置成提供具有小于170nm的波長的輻射投影光束，例如波長為157nm、126nm和13.6nm。
投影光束PB入射到掩模MA上，該掩模保持在掩模臺MT上。穿過掩模MA后，投影光束PB通過投影系統(tǒng)PL，該投影系統(tǒng)將光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和干涉儀測量系統(tǒng)IF的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，從而例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路精確定位。一般地，在長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的輔助下，可以實現(xiàn)物體臺MT和WT的移動。然而，在晶片步進(jìn)器(與步進(jìn)和掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可僅僅與短行程致動裝置連接，或者固定?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2對準(zhǔn)掩模MA和基底W。
所示的裝置可以以兩種不同的模式使用1.在步進(jìn)模式中掩模臺MT基本保持靜止，同時賦予給輻射光束的整個掩模圖像被一次投射到靶部C上，即單次“靜態(tài)曝光”。然后基底臺WT沿x和/或y方向移動，以使不同的靶部C能夠由光束PB輻射。
2.在掃描模式中，基本上是相同的情況，除了給定的靶部C不是在單次“閃光”中曝光。相反，掩模臺MT沿給定方向(所謂的“掃描方向”，例如Y方向)以速度v移動，使得導(dǎo)致投影光束PB在掩模圖像上掃描。同時，基底臺WT沿相同或相反的方向以速度v＝Mv同時移動，其中M是投影系統(tǒng)PL的放大倍率(典型地，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，能夠曝光相對大的靶部C，而不必犧牲分辨率。
在照射系統(tǒng)IL中，利用光束分離器BS使投影光束PB的一部分轉(zhuǎn)向能量傳感器ES。光束分離器BS可以是通過在石英上淀積鋁形成的反射鏡，并可用于將投影光束彎折到便利的方向。將小孔的圖案蝕刻到鋁層中以讓已知的比例例如1％穿過到達(dá)能量傳感器。能量傳感器的輸出用于控制在曝光中傳送的射線劑量，下面將進(jìn)一步描述。
特別是在使用輻射波長為157nm或更小的情況中，裝置的整個光路被封閉在一個或多個殼體CA中，該殼體能夠使用對用于投影光束的輻射透明的氣體例如干的N2進(jìn)行沖洗。沖洗或凈化氣體由氣體供給GS提供，該氣體供給可以是一個純氣體的容器或用于清洗和干燥空氣的裝置。
更加特別地在使用輻射波長為20nm或更小的情況中，裝置的整個光路被封閉在一個或多個殼體CA中，該殼體能夠使用真空泵送系統(tǒng)PS進(jìn)行排空。
在光刻裝置例如圖1的系統(tǒng)中，有時會有這種情況即光的偏振對圖象質(zhì)量具有一定影響，特別地，可能減小臨界尺寸(CD)均勻性。一般地，在晶片層面上的光的偏振態(tài)是未知的，其可以是投影透鏡PL的偏振性能或者甚至是在進(jìn)入投影透鏡PL之前的偏振態(tài)。
圖2示出了一個特殊的偏振器100，其可用作系統(tǒng)的一部分用于測量光刻裝置中的偏振以及測量和模型化光刻裝置的光學(xué)元件的性能。圖2的偏振器100包含四個偏振副元件102、104、106和108。每個偏振副元件包括具有各自方向的光柵。一般地，偏振器可以布置在中間掩模版平面或中間掩模版自身上。
在一個實施例中，光柵由尺寸小于在檢驗的情況下裝置的分辨率的線組成。一般地，測量的強(qiáng)度與線寬、鉻圖案厚度和光柵的節(jié)距有關(guān)，本發(fā)明人已經(jīng)確定小于18nm的線寬非常適合于在本發(fā)明中使用，因為它們可產(chǎn)生相對大比例的TE(水平)偏振的光和TM(垂直)偏振的光。此外，更厚的鉻似乎對給定的線寬會產(chǎn)生更高的比率。例如，在一個使用10nm線寬的模擬實驗中，厚度為110nm的鉻產(chǎn)生的TE偏振的光比70nm厚的鉻多大約50％。
因為光柵是亞分辨率，所以它們不會作為晶片級上的圖像被復(fù)制，并且因此可以避免與待成像的集成電路或其它器件干涉。在一個特殊的實施例中，光柵的節(jié)距可以是例如大約50nm至100nm。正如所理解的，現(xiàn)代的光刻裝置能夠得到的分辨率的數(shù)量級為90nm，并傾向于使用具有更小節(jié)距的光柵。每個光柵可以是例如在晶片層面上數(shù)量級間隔為30μm×30μm的區(qū)域。正如下面進(jìn)一步所描述的，一般地每個光柵應(yīng)該足夠大使得能夠利用適當(dāng)?shù)臋z測器獨立地測量和確定通過光柵的光。
正如在有關(guān)本發(fā)明的實施例中所使用的，在掩模平面中可以看到水平和垂直偏振。所以，使用圖1的座標(biāo)系統(tǒng)，水平偏振是沿X方向的偏振，垂直偏振是沿Y方向的偏振。如圖2所示，第一光柵102包括具有一般為垂直方向的多條線。由于亞分辨率的線，該光柵僅允許量級為0th的光通過到達(dá)投影透鏡PL。此外，光柵圖案將使光沿一個方向(該方向垂直于光柵圖案的方向)偏振。因此，光柵102僅通過在水平方向偏振的量級為0th的光。同樣，光柵104僅通過在垂直方向偏振的量級為0th的光。兩個對角的光柵106、108可分別通過在45°和135°偏振的光。
將一個未示出的傳感器布置在晶片級上，以便檢測來自偏振器的偏振光。同時一般地，下面的討論著重于被傳輸?shù)墓獾膹?qiáng)度(I)，或者可以測量被傳輸?shù)碾妶鯡。
在一個實施例中，可以使用傳輸圖像傳感器作為傳感器，該傳感器已經(jīng)存在于系統(tǒng)中，并用于監(jiān)視工具的性能。一般地將傳輸圖傳感器(TIS)插入到與基底臺(WT)相聯(lián)的物理參考平面。在一個特殊的實施例中，兩個傳感器安裝在基準(zhǔn)板上，該基準(zhǔn)板安裝在基底臺(WT)的頂面，處于由晶片W覆蓋的區(qū)域外部的對角相對的位置。該基準(zhǔn)板由具有非常低的熱膨脹系數(shù)的高穩(wěn)定材料例如鎳鐵合金組成，并且具有平滑的反射上表面，該上表面可以承載多個標(biāo)記，這些標(biāo)記可以和另一個基準(zhǔn)在對準(zhǔn)過程中使用。使用該TIS來直接確定在掩模上TIS圖案的虛象的垂直和水平(即X-Y)位置，該虛像是正如由投影透鏡投射的虛像。然后水平地(沿一個或者優(yōu)選地兩個方向)和垂直地掃描基底臺，使得TIS的孔徑通過期望該虛像存在的空間。當(dāng)TIS孔徑通過TIS圖案的圖像的亮部分和暗部分時，光電探測器的輸出將波動(波紋效應(yīng))。在一垂直標(biāo)準(zhǔn)光電檢測器輸出的振幅變化率最高，這表示在該垂直標(biāo)準(zhǔn)TIS圖案的圖像具有最大的對比度，因此表示最佳的聚焦平面。在變化率最高的水平層面表示虛像的側(cè)位置。在美國專利No.4,540,277中更加詳細(xì)地描述了一個這種類型的TIS實例?；蛘呤褂肨IS，能夠曝光具有輻射敏感抗蝕劑的晶片。通過測量在中間掩模版平面經(jīng)過每個光柵102、104、106、108的光的強(qiáng)度，能夠確定關(guān)于光的初始偏振態(tài)的信息。
因為光柵具有不同的偏振特征(例如通過垂直偏振的這對偏振子元件102、104)，每一個都提供關(guān)于光的偏振態(tài)的一些不同的信息。例如，通過垂直偏振器102和水平偏振器104的光的強(qiáng)度比較能夠給出響應(yīng)于水平或垂直偏振的光的透鏡相關(guān)性能的表示。還應(yīng)該注意并不需要所有的四個光柵來實施本發(fā)明。一般地，所需要的是一對互相垂直的光柵，例如102和104或者106和108。然而，全套光柵可以提供從任何一對光柵不能夠得到的附加信息。
在如圖3所示的本發(fā)明的另一個實施例中，可以使用兩對結(jié)構(gòu)提供在晶片級上有關(guān)光的偏振態(tài)的完全信息。一種示出的偏振結(jié)構(gòu)118一般包括一對偏振敏感結(jié)構(gòu)120和122以及一對偏振不敏感結(jié)構(gòu)124、126。偏振敏感結(jié)構(gòu)的圖像取決于照射輻射的偏振態(tài)，而偏振不敏感結(jié)構(gòu)的圖像即使在照射輻射的偏振態(tài)改變時也是一致的。實際上，這些結(jié)構(gòu)比整個一個或其它的結(jié)構(gòu)相對敏感或不敏感。
在結(jié)構(gòu)118中，每對結(jié)構(gòu)包括具有不同偏振特征的結(jié)構(gòu)，且每對結(jié)構(gòu)具有不同于其它對的偏振特征。特別地，結(jié)構(gòu)120對水平偏振敏感，而結(jié)構(gòu)122對垂直偏振敏感。同樣，結(jié)構(gòu)124一般對水平偏振不敏感，結(jié)構(gòu)126一般對垂直偏振不敏感。由于結(jié)構(gòu)124和126每個都是偏振不敏感，所以它們一般彼此表現(xiàn)相似，并且能夠獨立地用作一個參考，或者能夠獨立地用作其各對敏感結(jié)構(gòu)的參考。由于在光刻裝置中的成像可以具有隨變量而改變的特征方向，例如使用雙極照射時，水平和垂直線可以成像不同，最好是保持水平參考124與水平敏感結(jié)構(gòu)120相關(guān)聯(lián)，類似地垂直參考126與垂直敏感結(jié)構(gòu)122相關(guān)聯(lián)。
為了確定表示光的偏振態(tài)的偏振向量(α，β)，測量四個強(qiáng)度，偏振器118的每個結(jié)構(gòu)測量一個。設(shè)定α＝(Pv-Rv)，其中Pv是通過垂直偏振敏感結(jié)構(gòu)122的光的測量強(qiáng)度，Rv是通過垂直偏振不敏感結(jié)構(gòu)126的光的測量強(qiáng)度，設(shè)定β＝(Ph-Rh)，其中Ph是通過水平偏振敏感結(jié)構(gòu)120的光的測量強(qiáng)度，Rh是通過水平偏振不敏感結(jié)構(gòu)124的光的測量強(qiáng)度，從而得出偏振向量(α，β)。在α＝β的情況中，光是未偏振的、圓形偏振的或切線偏振的光中的一種。例如，切線偏振的意思是沿垂直于在離軸照射模式中光瞳平面的軸線的方向偏振光。為了說明這點，圖6示出了四極照射模式170的一個實例，其中四個極172沿x和Y軸布置。在每個極中，偏振方向由箭頭表示。在具有切線偏振的交叉四極模式(從圖6所示的旋轉(zhuǎn)45度)中，偏振箭頭將垂直于一組與極一同旋轉(zhuǎn)的軸線。
此外，向量長度可以提供附加信息。特別地，對于未偏振的和45度旋轉(zhuǎn)的切線偏振，向量具有長度L，而適當(dāng)切線偏振的光將產(chǎn)生長度為0的向量。由于不同的測量(Pv-Rv)、(Ph-Rh)是相對的，而不是絕對的測量，因此它們?nèi)鄙訇P(guān)于向量的絕對數(shù)值的完全信息。因此，當(dāng)取決于特征響應(yīng)的偏振是已知或者能夠進(jìn)行模擬時，向量(α，β)能夠提供偏振向量的具體數(shù)值和方向。
圖4示出了結(jié)構(gòu)128的特殊實施例，該結(jié)構(gòu)能夠用作圖3的偏振器118，然而相對于圖3的結(jié)構(gòu)該結(jié)構(gòu)被旋轉(zhuǎn)了。結(jié)構(gòu)130、132、136和138可以是例如一個相移對，其中白色區(qū)域未包含相移，黑色區(qū)域包含180度或π的相移。由于較大的相位邊緣134，結(jié)構(gòu)130、132對偏振相對不敏感。相反，結(jié)構(gòu)136和138分別對垂直和水平偏振敏感。這種結(jié)構(gòu)的操作可如圖3所示的和描述的。盡管為了簡化說明圖4示出了一個光場，但是也可以提供一個類似的結(jié)構(gòu)用于黑色區(qū)域的中間掩模版。
當(dāng)使用如圖4所示的結(jié)構(gòu)時，根據(jù)所用的照射類型使用兩個不同的過程是有益的。對于軸線上的(on-axis)照射，能夠測量在單次曝光操作中的水平和垂直結(jié)構(gòu)。相反，當(dāng)使用離軸照射時，可以通過將水平和垂直測量分開來促進(jìn)測量。特別地，通過遮蔽垂直結(jié)構(gòu)，例如使用雙極葉片，可以僅掃描水平結(jié)構(gòu)。接著，通過遮蔽水平結(jié)構(gòu)，可以僅掃描垂直結(jié)構(gòu)?；蛘撸@些結(jié)構(gòu)自身可以物理上分開，使得僅有水平結(jié)構(gòu)在掃描中的一點處存在，而僅有垂直結(jié)構(gòu)在另一個時間間隔開的點存在。為了實現(xiàn)更加完全的分開，可以使用完全分開的中間掩模版。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的結(jié)合了偏振結(jié)構(gòu)的中間掩模版的圖案的一個實例。特別地，多個芯片或其它器件150利用其間的位置線被布置在圖案中。在位置線中布置了分別如圖3和4所示的圖案100和圖案128。一般地應(yīng)該理解，在任何時刻只有一種或兩種類型的圖案被使用，但是為了說明的目的兩種都示出了。在另一個實施例中，偏振測量結(jié)構(gòu)可以布置在與任一芯片圖案分開的中間掩模版上或檢驗圖案中間掩模版上，從而不需要對任何其它器件成像就可以進(jìn)行測量。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，可以理解可以不同于所描述的實施本發(fā)明。說明書不是為了限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種在光刻投影裝置中測量偏振的方法，其包括通過光刻投影裝置的投影透鏡投射具有偏振態(tài)的光；使被投射的光經(jīng)過偏振敏感結(jié)構(gòu)，該偏振敏感結(jié)構(gòu)至少包括具有第一偏振特征的第一區(qū)域和具有不同于第一偏振特征的第二偏振特征的第二區(qū)域；以及分析已經(jīng)通過偏振敏感結(jié)構(gòu)的光以確定偏振態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該偏振器被布置在投影透鏡的目標(biāo)側(cè)光瞳平面或其傅立葉變換平面。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域包括一對互相垂直的偏振器。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該分析包括測量光的強(qiáng)度。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該分析包括檢測來自第一區(qū)域的光和來自第二區(qū)域的光。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該分析包括測量來自第一區(qū)域的光的強(qiáng)度，和在第二區(qū)域中被檢測的光的強(qiáng)度并使用這兩個測量出的強(qiáng)度確定偏振態(tài)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中這兩個測量出的強(qiáng)度形成限定偏振態(tài)的偏振向量的元件。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域包括分別為相對偏振敏感和相對偏振不敏感的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中每個相對偏振敏感和相對偏振不敏感的結(jié)構(gòu)包括至少兩個具有各自互相垂直的元件的副結(jié)構(gòu)。
10.一種器件制造方法，其包括通過光刻投影裝置的投影透鏡投射具有偏振態(tài)的光；使被投射的光經(jīng)過偏振敏感結(jié)構(gòu)，該偏振敏感結(jié)構(gòu)至少包括具有第一偏振特征的第一區(qū)域和具有不同于第一偏振特征的第二偏振特征的第二區(qū)域；分析已經(jīng)通過偏振器的光以確定偏振態(tài)；根據(jù)所需圖案對至少一部分被投射的光構(gòu)圖；以及將帶圖案的光成像在基底的輻射敏感層上。
11.一種光刻裝置，其包括用于提供具有偏振態(tài)的輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖結(jié)構(gòu)構(gòu)造和布置成根據(jù)所需圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；用于保持基底的基底臺；用于將帶圖案的光束投影到基底的靶部上的投影系統(tǒng)，和檢測器，其構(gòu)造和布置成檢測通過布置在投影系統(tǒng)的目標(biāo)側(cè)的偏振敏感結(jié)構(gòu)的光，該投影系統(tǒng)至少包括具有第一偏振特征的第一區(qū)域和具有不同于第一偏振特征的第二偏振特征的第二區(qū)域以確定偏振態(tài)。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中偏振敏感結(jié)構(gòu)布置在構(gòu)圖結(jié)構(gòu)上。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種方法，其用于確定通過光刻裝置的投影透鏡的光的偏振態(tài)。將偏振結(jié)構(gòu)布置在光刻裝置的投影透鏡的目標(biāo)側(cè)上。通過測量經(jīng)過偏振結(jié)構(gòu)的光，能夠確定關(guān)于投影透鏡的偏振特征的信息。
文檔編號G01J1/00GK1680877SQ20041001146
公開日2005年10月12日 申請日期2004年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月22日
發(fā)明者R·M·范迪克, D·G·弗拉格爾洛, M·F·H·克拉亞斯森, L·特雷格, T·厄特迪克 申請人:Asml荷蘭有限公司