一種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法
【專利摘要】一種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，包括如下步驟：將經(jīng)過(guò)均勻化退火處理后，形成{100}織構(gòu)占有率大于95%的，表面不富集電極電位比鋁高的Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，純度為99.99%的中高壓高純鋁箔，進(jìn)行預(yù)處理除去表面的氧化膜，同時(shí)形成新的含水膜，然后在電解液中采用快速電化學(xué)沉積，在鋁箔表面沉積出彌散的鋅晶核。采用本發(fā)明的表面沉積了彌散鋅晶核的中高壓電子鋁箔，在電解腐蝕時(shí)鋅晶核可以有效引導(dǎo)鋁箔的腐蝕發(fā)孔，提高隧道孔分布的均勻性，降低鋁箔的自腐蝕減薄，因而可以顯著提高鋁箔的比電容和抗折彎性能。
【專利說(shuō)明】—種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鋁電解電容器用中高壓陽(yáng)極鋁光箔和腐蝕箔的制造領(lǐng)域，具體是一種中高壓鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，作為基礎(chǔ)元器件的中高壓鋁電解電容器勢(shì)必具有高容量和小型化的特點(diǎn)，以滿足電子產(chǎn)品的發(fā)展需要。中高壓鋁電解電容器中使用的陽(yáng)極鋁箔一般通過(guò)電化學(xué)腐蝕的方法在鋁箔表面生成大量的隧道孔以擴(kuò)大其表面積，從而提高比電容。為了保證中高壓電極鋁箔具有所需要的纏繞性能，腐蝕后的鋁箔還必須具有一定的拉伸強(qiáng)度和折彎性能，為此需要在腐蝕鋁箔的中間保持一定厚度的沒(méi)有被腐蝕的純鋁層。因此為了使腐蝕后的鋁箔性能最大化，中高壓鋁箔在腐蝕過(guò)程中，需要提高鋁箔表面蝕孔分布的均勻性、盡量避免并孔的發(fā)生以及降低發(fā)孔時(shí)鋁箔表面的自腐蝕。
[0003]中高壓鋁箔腐蝕的工藝主要包括:腐蝕前預(yù)處理、發(fā)孔處理、擴(kuò)孔處理。鋁箔發(fā)孔時(shí)，孔的形態(tài)和分布方式主要由鋁箔的表面狀態(tài)決定，鋁箔表面預(yù)處理涉及各種物理和化學(xué)的處理，包括熱處理、表面粗糙度控制、除油清洗、酸、堿處理、陰極極化處理、陽(yáng)極氧化處理、表面氧化、沉積惰性金屬等。目前，國(guó)內(nèi)外提高中高壓腐蝕鋁箔的性能主要是通過(guò)兩種途徑來(lái)實(shí)現(xiàn)的。第一種途徑:在中高壓鋁箔中加入ppm級(jí)的Pb、Sn、In等微量元素，通過(guò)退火熱處理使鋁箔中的Pb、Sn、In等微量元素在鋁箔表面發(fā)生富集，在電解質(zhì)中這些Pb、Sn、In等微量元素與鋁構(gòu)成大量的腐蝕微電池。在陽(yáng)極電解腐蝕過(guò)程中，鋁箔表面存在的這些微電池可以提高鋁 箔腐蝕發(fā)孔的均勻性，其結(jié)果是生成隧道孔的均勻性提高了，但同時(shí)鋁箔的腐蝕減薄也增加了，前者使鋁箔的比電容得到提高，而后者使腐蝕鋁箔的機(jī)械性能下降。第二種途徑:通過(guò)預(yù)處理進(jìn)一步提高鋁箔發(fā)孔的均勻性，甚至實(shí)現(xiàn)隧道孔的有序排列，使比電容得到顯著的提高，同時(shí)抑制鋁箔的腐蝕減薄。
[0004]大量的研究表明，在鋁箔表面沉積電位比鋁正的疏松金屬薄層，如Pb、In、Sn、Zn、Fe、Cu等，使其均勻的附著在鋁箔表面，沉積的這些疏松的金屬薄膜與鋁箔構(gòu)成的微電池可以改善鋁箔發(fā)孔的均勻性。但同時(shí)會(huì)加速鋁箔表面的自腐蝕，導(dǎo)致鋁箔的減薄(W.Lin, G.C.Tu, C.F.Lin and Y.M.Peng, The effects of lead impurity on the DC-etchingbehavior of aluminum for electrolytic capacitor usage,Corrosion Science, Vol? 38，N0.6，(1996)，pp.889-907.) (ff.Lin, G.C.Tu, C.F.Lin and Y.M.Peng, The effectsof indium impurity on the DC-etching behavior of aluminum for electrolyticcapacitor usage, Corrosion Science, Vol.39, N0.9, (1997), pp.1531-1543.)在這些微電池中，沉積的疏松的金屬薄膜中的金屬粒子為陰極，鋁箔為陽(yáng)極，由此增加了鋁箔表面發(fā)生腐蝕的活性點(diǎn)，降低了發(fā)生孔蝕的臨界電位，因而提高了隧道孔發(fā)孔的均勻性。但因?yàn)檫@些疏松的金屬薄膜中的金屬粒子的面密度很高，在鋁箔表面形成了大量的腐蝕微電池，其面密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)需要發(fā)孔的面密度，因而加速了鋁箔表面自腐蝕，引起鋁箔顯著減薄，即不利于比電容的大幅度提高，又降低了鋁箔的利用率和腐蝕箔的力學(xué)性能。因此，在中高壓鋁箔表面沉積Pb、In、Sn、Zn、Fe、Cu等電位較正金屬薄層的技術(shù)至今沒(méi)有在電子鋁箔工業(yè)中獲
得應(yīng)用。
[0005]采用快速電沉積的方法在鋁箔表面沉積出彌散的錫晶核，來(lái)引導(dǎo)鋁箔的腐蝕發(fā)孔，取得了較好的效果(專利受理號(hào):201310302175.5)。鋅作為電位比鋁正的元素，也能夠與鋁基體構(gòu)成局部微電池來(lái)引導(dǎo)鋁箔的腐蝕發(fā)孔，而且鋅的電極電位比錫的負(fù)(Zn2+:-0.763V, Sn4+:+0.05V)，即可以引導(dǎo)鋁箔的腐蝕發(fā)孔，又不容易引起過(guò)腐蝕，另外電沉積鋅需要的電量比電沉積錫低，有利于提高鋁箔發(fā)孔的質(zhì)量和降低生產(chǎn)成本。
[0006]由于鋁是非?；顫姷慕饘?，其表面非常容易生成保護(hù)性的氧化膜。為了生成垂直于鋁箔表面生長(zhǎng)的隧道孔，中高壓電子鋁箔必須具有{100}織構(gòu)，為了獲得{100}織構(gòu)，鋁箔需要在500-600°C進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間退火處理。然而，在此退火處理過(guò)程中，鋁箔表面的氧化膜變得更為致密，成為后續(xù)電解腐蝕發(fā)孔的障礙。因此，在傳統(tǒng)的中高壓鋁箔電解腐蝕發(fā)孔時(shí)，必須進(jìn)行預(yù)處理將這層致密的氧化膜除去，形成新的含有大量缺陷的薄膜以利于隧道孔的形成。在電沉積鋅晶核時(shí)，由于經(jīng)過(guò)500-600°C長(zhǎng)時(shí)間退火的鋁箔表面存在致密的氧化膜，因此不可能在其表面直接沉積出鋅晶核。本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)之一就是經(jīng)過(guò)預(yù)處理除去鋁箔表面的致密的氧化膜，然后形成新的含水薄膜。在電沉積鋅的過(guò)程中，鋅離子可以通過(guò)這層含水薄膜，在鋁表面沉積出鋅晶核。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，鋁箔能夠經(jīng)過(guò)預(yù)處理除去其表面的致密的氧化膜，并形成新的含水膜。在電解液中電沉積鋅晶核的過(guò)時(shí)，鋅離子可以通過(guò)這層含水膜，從而在鋁箔表面沉積出彌散的鋅晶核。
[0008]本發(fā)明采用以下技術(shù)方案達(dá)到上述目的:一種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，包括如下步驟:將經(jīng)過(guò)均勻化退火處理后，形成{100}織構(gòu)占有率大于95%的，表面不富集電極電位比鋁高的Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，純度為99.99%的中高壓高純鋁箔，在高純水、或堿溶液、或磷酸溶液中、或硝酸溶液中進(jìn)行預(yù)處理、或在硫酸-硫酸溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光處理，除去表面的氧化膜，在鋁箔表面形成新的含水薄膜，然后在沉積鋅晶核的電解液中采用快速電沉積技術(shù)，鋅離子可以穿透鋁箔表面的含水薄膜，在鋁箔表面沉積出彌散的鋅晶核。
[0009]具體操作步驟是:將經(jīng)過(guò)均 勻化退火處理后的中高壓高純鋁箔置于溫度為60~IOO0C的高純水中水煮5~50秒，或在溫度為15~70°C濃度為0.5~1.5mol/L的堿溶液中處理5~30秒，或在40~60°C濃度為0.1~lmol/L的磷酸溶液中處理30~60秒，或在溫度為30~70°C濃度為0.5~2mol/L的硝酸溶液中處理10~40秒，或在溫度為40~70°C含有5~14mol/L磷酸+5~10mol/L硫酸+0.1~lmol/L丙三醇混合溶液中進(jìn)行電解拋光處理，拋光電流密度為30~120mA/cm2，拋光時(shí)間為10~60秒，除去表面的氧化膜并形成新的含水膜。之后，將上述處理好的具有含水薄膜的鋁箔置于含有鋅離子的電解液中進(jìn)行電沉積，電解液成為:0.01~0.5mol/L氧化鋅+0.02~0.2mol/L氫氧化鈉;溫度為30~60°C ;以石墨為陽(yáng)極，以表面形成新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極；電沉積彌散錫晶核時(shí)鋁箔帶電進(jìn)入電解液，其中電沉積的電流密度為5~60mA/cm2，電沉積時(shí)間為5~30秒。[0010]本發(fā)明針對(duì)表面沉積電位較正的疏松金屬薄層的鋁箔在陽(yáng)極電解腐蝕中存在的問(wèn)題，發(fā)明了在中高壓高純鋁箔表面通過(guò)電化學(xué)沉積出彌散鋅晶核的新方法。原方法存在的問(wèn)題主要為:這種疏松的金屬薄層雖然可以改善鋁箔發(fā)孔的均勻性，但會(huì)強(qiáng)烈加速鋁箔表面的自腐蝕，導(dǎo)致鋁箔的減薄，不僅不利于大幅度提高腐蝕箔的比電容，而且降低了鋁箔的利用率和腐蝕箔的力學(xué)性能，在本發(fā)明中，通過(guò)使電沉積得到的彌散鋅晶核的面密度略微大于需要發(fā)孔的面密度來(lái)解決上述問(wèn)題，其原理和技術(shù)優(yōu)勢(shì)如下:
[0011]1.彌散鋅晶核與鋁箔之間構(gòu)成微電池，在陽(yáng)極電解過(guò)程中，這些微電池成為優(yōu)先產(chǎn)生隧道孔的活性位置，可以控制發(fā)孔的密度，提高發(fā)孔的均勻性，降低并孔的發(fā)生，因而可以顯著提高腐蝕鋁箔的比電容。
[0012]2.由于彌散鋅晶核與鋁箔之間構(gòu)成微電池的數(shù)量比沉積疏松的金屬薄層的大幅度下降，導(dǎo)致除發(fā)孔位置外，鋁箔其它表面的微電池很少，因此除發(fā)孔位置外，鋁箔其它表面的自腐蝕減薄量下降，可顯著提高腐蝕鋁箔的利用率和機(jī)械性能。 [0013]3.采用本發(fā)明的沉積彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行陽(yáng)極電解腐蝕時(shí)，由于鋁箔絕大部分表面為高純鋁，因而對(duì)腐蝕溶液的雜質(zhì)不敏感，即可允許腐蝕溶液中含有較高的雜質(zhì)含量，不會(huì)造成顯著的鋁箔自腐蝕減薄，降低了鋁箔腐蝕溶液工業(yè)控制的難度，可提高鋁箔工業(yè)腐蝕產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0014]4.本發(fā)明的沉積彌散鋅晶核的方法可以作為制造中高壓電子鋁光箔的最后處理技術(shù)，制造新型的中高壓電子鋁光箔；也可以作為制造中高壓電子鋁腐蝕箔的前處理技術(shù)，制造高質(zhì)量的中高壓電子鋁腐蝕箔。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是采用本發(fā)明中所述的中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法制備得到的鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的掃描電鏡形貌。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步描述。
[0017]采用本發(fā)明中表面沉積出彌散的鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L招離子的混合溶液,溫度為75°C,再進(jìn)行擴(kuò)孔腐蝕，擴(kuò)孔溶液為0.07mol/L的硝酸溶液，溫度為70°C，后處理為硝酸溶液，清洗，烘干，最后根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行520V化成。
[0018]對(duì)比例
[0019]純度為99.99%，厚度為120 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的表面富集微量鉛元素的高純鋁箔，采用傳統(tǒng)的混合酸預(yù)處理工藝，所用的預(yù)處理液為lmol/L鹽酸+3mol/L硫酸，溫度為80°C，將鋁箔在預(yù)處理液中直接浸泡120秒，再進(jìn)行上述的發(fā)孔腐蝕、擴(kuò)孔腐蝕、后處理和520V化成處理。
[0020]實(shí)施例1
[0021]將純度為99.99%，厚度為110 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的經(jīng)過(guò)均勻化退火后表面不富集Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb這些電極電位比招高的中高壓高純鋁箔置于95°C沸水中水煮30秒，在鋁箔表面形成新的含水膜后。將上述鋁箔置于電解液中進(jìn)行電沉積鋅晶核處理，電解液的成分為:0.3mol/L氧化鋅+0.lmol/L氫氧化鈉；以石墨為陽(yáng)極，以上述經(jīng)過(guò)水煮的表面形成了新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，將鋁箔帶電進(jìn)入電解液中，其中電解液的溫度為40°C，電沉積的電流密度為25mA/cm2，電沉積時(shí)間為15秒。
[0022]將上述已經(jīng)通過(guò)電沉積在表面得到彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L的混合溶液，溫度為75°C，再進(jìn)行與對(duì)比例相同的擴(kuò)孔腐蝕，后處理和520V化成處理。
[0023]實(shí)施例2
[0024]將純度為99.99%，厚度為110 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的經(jīng)過(guò)均勻化退火后表面不富集Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb這些電極電位比招高的中高壓高純鋁箔置于溫度為60°C濃度為lmol/L的堿溶液中處理15秒，在鋁箔表面形成新的含水膜后。將上述鋁箔置于電解液中進(jìn)行電沉積鋅晶核處理，電解液的成分為:0.3mol/L氧化鋅+0.lmol/L氫氧化鈉；以石墨為陽(yáng)極，以上述經(jīng)過(guò)水煮的表面形成了新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，將鋁箔帶電進(jìn)入電解液中，其中電解液的溫度為40°C，電沉積的電流密度為25mA/cm2,電沉積時(shí)間為15秒。
[0025]將上述已經(jīng)通過(guò)電沉積在表面得到彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L的混合溶液，溫度為75°C，再進(jìn)行與對(duì)比例相同的擴(kuò)孔腐蝕，后處理和520V化成處理。
[0026]實(shí)施例3
[0027]將純度為99.99%，厚度為110 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的經(jīng)過(guò)均勻化退火后表面不富集Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb這些電極電位比招高的中高壓高純鋁箔置于60°C濃度為0.5mol/L的磷酸溶液中處理30~60秒，在鋁箔表面形成新的含水膜。將上述鋁箔置于電解`液中進(jìn)行電沉積鋅晶核處理，電解液的成分為:0.3mol/L氧化鋅+0.lmol/L氫氧化鈉；以石墨為陽(yáng)極，以上述經(jīng)過(guò)水煮的表面形成了新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，將鋁箔帶電進(jìn)入電解液中，其中電解液的溫度為40°C，電沉積的電流密度為25mA/cm2,電沉積時(shí)間為15秒。
[0028]將上述已經(jīng)通過(guò)電沉積在表面得到彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為
0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L的混合溶液，溫度為75°C，再進(jìn)行與對(duì)比例相同的擴(kuò)孔腐蝕，后處理和520V化成處理。
[0029]實(shí)施例4
[0030]將純度為99.99%，厚度為110 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的經(jīng)過(guò)均勻化退火后表面不富集Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb這些電極電位比招高的中高壓高純鋁箔置于60°C濃度為lmol/L的硝酸溶液中處理30秒除去表面的氧化膜，在鋁箔表面形成新的含水膜。將上述鋁箔置于電解液中進(jìn)行電沉積鋅晶核處理，電解液的成分為:0.3mol/L氧化鋅+0.lmol/L氫氧化鈉；以石墨為陽(yáng)極，以上述經(jīng)過(guò)水煮的表面形成了新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，將鋁箔帶電進(jìn)入電解液中，其中電解液的溫度為40°C，電沉積的電流密度為25mA/cm2，電沉積時(shí)間為15秒。
[0031]將上述已經(jīng)通過(guò)電沉積在表面得到彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為
0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L的混合溶液，溫度為75°C，再進(jìn)行與對(duì)比例相同的擴(kuò)孔腐蝕，后處理和520V化成處理。[0032]實(shí)施例5
[0033]將純度為99.99%，厚度為110 μ m，立方織構(gòu)占有率大于95%的經(jīng)過(guò)均勻化退火后表面不富集Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb這些電極電位比招高的中高壓高純鋁箔置于拋光液中進(jìn)行電化學(xué)拋光處理，拋光液的成分為:12mol/L磷酸+7.6mol/L硫酸+0.2mol/L丙三醇混合溶液；進(jìn)行拋光時(shí)拋光電流密度為60mA/cm2，拋光時(shí)間為30秒，在鋁箔表面形成新的含水膜。將上述鋁箔置于電解液中進(jìn)行電沉積鋅晶核處理，電解液的成分為:0.3mol/L氧化鋅+0.lmol/L氫氧化鈉；以石墨為陽(yáng)極，以上述經(jīng)過(guò)水煮的表面形成了新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，將鋁箔帶電進(jìn)入電解液中，其中電解液的溫度為40°C，電沉積的電流密度為25mA/cm2，電沉積時(shí)間為15秒。
[0034]將上述已經(jīng)通過(guò)電沉積在表面得到彌散鋅晶核的鋁箔進(jìn)行發(fā)孔腐蝕，發(fā)孔溶液為
0.8mol/L鹽酸+3.6mol/L硫酸+0.8mol/L的混合溶液，溫度為75°C，再進(jìn)行與對(duì)比例相同的擴(kuò)孔腐蝕，后處理和520V化成處理。
[0035]表1是對(duì)比例和實(shí)施例中采用本發(fā)明表面沉積出彌散鋅晶核的鋁箔在陽(yáng)極電解腐蝕和化成后，鋁箔的腐蝕減薄量、比電容和折彎次數(shù)，可以看到采用本發(fā)明表面沉積出彌散的鋅晶核的鋁箔，腐蝕減薄降低l_3mm，比電容提高大于5%，折彎次數(shù)提高15%左右。表1對(duì)比例和實(shí)施例的鋁箔腐蝕減薄量、比電容和折彎次數(shù)
[0036]
【權(quán)利要求】
1.一種中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，其特征是，包括如下步驟:將經(jīng)過(guò)均勻化退火處理后，形成{100}織構(gòu)占有率大于95%的，表面不富集電極電位比鋁高的Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Cd、Ga、Ge、In、Sn、Pb元素，純度為99.99%的中高壓高純鋁箔，在高純水、或堿溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中進(jìn)行預(yù)處理，或磷酸-硫酸混合溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光預(yù)處理，以除去表面的氧化膜，同時(shí)在鋁箔表面形成新的含水膜；然后在沉積鋅晶核的電解液中采用快速電化學(xué)沉積鋅晶核技術(shù)，在鋁箔表面沉積出彌散的鋅晶核。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，其特征是:所述在高純水、或堿溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中進(jìn)行預(yù)處理，是將經(jīng)過(guò)均勻化退火處理后的中高壓高純鋁箔在60~100°C高純水中處理5~50秒；或在15~70°C，濃度為0.5~1.5mol/L的堿溶液中處理5~30秒；或在40~60°C，濃度為0.1~lmol/L的磷酸溶液中處理30~60秒，或在30~70°C，濃度為0.5~2mol/L的硝酸溶液中處理10~40秒；除去鋁箔表面的氧化膜，水洗，在鋁箔表面形成新的含水膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，其特征是:所述在磷酸-硫酸混合溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光預(yù)處理，是將經(jīng)過(guò)均勻化退火處理后的中高壓高純鋁箔，在溫度為40~70°C，含有5~14mol/L磷酸+5~10mol/L硫酸+0.1~Imol/L丙三醇混合溶液中進(jìn)行電解拋光處理，其中，拋光電流密度為30~120mA/cm2，拋光時(shí)間為10~60秒，水洗，在鋁箔表面形成新的含水膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3所述的中高壓電子鋁箔表面電沉積彌散鋅晶核的方法，其特征是:所述在沉積鋅晶核的電解液中采用快速電化學(xué)沉積鋅晶核技術(shù)，在鋁箔表面沉積出彌散的鋅晶核，其電沉積彌散 鋅晶核電解液的組成為:0.01~0.5mol/L氧化鋅+0.02~.0.2mol/L氫氧化鈉，溫度為30~60°C ;沉積鋅晶核時(shí)以石墨板為陽(yáng)極，表面形成新的含水膜的中高壓鋁箔為陰極，鋁箔帶電進(jìn)入電解液，電沉積的電流密度為5~60mA/cm2，電沉積時(shí)間為5~30秒。
【文檔編號(hào)】C25D3/22GK103774193SQ201410004941
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】何業(yè)東, 彭寧, 梁力勃, 宋洪洲, 楊小飛, 蔡小宇, 熊傳勇 申請(qǐng)人:廣西賀州市桂東電子科技有限責(zé)任公司