用于生物反應(yīng)系統(tǒng)的包被的基底的制作方法
【專利摘要】提供了用于生物反應(yīng)的裝置。所述裝置包括基底和在所述基底中的多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)。所述基底的表面被配置為具有第一親水性，且所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的每個(gè)表面被配置為具有第二親水性，以用樣品體積加載相當(dāng)數(shù)量的反應(yīng)位點(diǎn)。每個(gè)加載的反應(yīng)位點(diǎn)的樣品體積基本上被限制于其各自的反應(yīng)位點(diǎn)。所述樣品體積被配置為在反應(yīng)位點(diǎn)內(nèi)經(jīng)歷生物反應(yīng)。
【專利說明】用于生物反應(yīng)系統(tǒng)的包被的基底
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2012年3月16日遞交的美國臨時(shí)專利申請第61/612, 005號、2012年 3月16日遞交的美國臨時(shí)專利申請第61/612, 087號、2012年11月7日遞交的美國臨時(shí) 專利申請第61/723,759號、2012年3月16日遞交的美國臨時(shí)專利申請第61/612, 008號、 2012年11月7日遞交的美國臨時(shí)專利申請第61/723, 658號和2012年11月7日遞交的美 國臨時(shí)專利申請第61/723, 738號的優(yōu)先權(quán)，所有以上申請還均通過引用整體并入本文。
[0003] 發(fā)明背景
[0004] 本公開涉及處理用于生物反應(yīng)系統(tǒng)的基底表面的方法，且更具體地，涉及對用于 生物反應(yīng)系統(tǒng)的基底表面進(jìn)行化學(xué)處理以防止生物分子粘附于該表面的方法。
[0005] 聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（PCR)是擴(kuò)增靶DNA序列的方法。以前，PCR通常在96或384孔 微板中進(jìn)行。如果期望更高的產(chǎn)量，在微板中進(jìn)行的常規(guī)PCR方法則不具成本效益或高效 性。而且，在增加通量方面，降低PCR反應(yīng)體積可降低試劑的消耗，并從反應(yīng)體積的熱質(zhì)減 少而使得擴(kuò)增次數(shù)減少。該策略可以陣列形式（m X n)實(shí)施，產(chǎn)生大量的較小反應(yīng)體積。此 夕卜，采用陣列允許進(jìn)行具有增加的定量靈敏度、動態(tài)范圍和特異性的可擴(kuò)展高通量分析。
[0006] 陣列也已經(jīng)被用于進(jìn)行數(shù)字聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（dPCR)。來自dPCR的結(jié)果可用于檢 測和定量稀有等位基因的濃度，以提供核酸樣品的絕對定量，并測量核酸濃度的低倍數(shù)變 化。通常，增加重復(fù)的數(shù)量能增加 dPCR結(jié)果的精確度和再現(xiàn)性。
[0007] 大多數(shù)定量聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（qPCR)平臺中的陣列形式被設(shè)計(jì)用于基于樣品的分 析（sample-by-assay)的實(shí)驗(yàn)，其中PCR結(jié)果需為可尋址的以用于運(yùn)行后分析。然而，對于 dPCR，每個(gè)PCR結(jié)果的具體位置或小井可能是不重要的，且可僅分析陽性和陰性重復(fù)的數(shù) 目。
[0008] dPCR的讀數(shù)，也即，陽性反應(yīng)數(shù)目和陰性反應(yīng)數(shù)目與模板的濃度呈線性比例關(guān)系， 而qPCR讀數(shù)（信號相對于循環(huán)）與模板濃度的對數(shù)成比例。因而，對于dPCR，可取的是使 樣品體積最小化。
[0009] 然而，持續(xù)降低反應(yīng)體積會導(dǎo)致例如對涉及將樣品體積加載至陣列并維持所述樣 品體積的物理分離的置信度的挑戰(zhàn)。換句話說，將樣品體積加載至盡可能多的小井或通孔 并減少小井或通孔之間的交叉串?dāng)_非常重要。
[0010] 發(fā)明概述
[0011] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，提供了用于生物反應(yīng)的裝置。所述裝置包括基底和在 所述基底中的多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)?；椎谋砻姹慌渲脼榫哂械谝挥H水性，且所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn) 的每個(gè)表面被配置為具有第二親水性，以用樣品體積加載相當(dāng)數(shù)量的反應(yīng)位點(diǎn)。每個(gè)加載 的反應(yīng)位點(diǎn)的樣品體積基本上被限制于其各自的反應(yīng)位點(diǎn)。所述樣品體積被配置為在反應(yīng) 位點(diǎn)內(nèi)經(jīng)歷生物反應(yīng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1為根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的示例性包被的基底；
[0013] 圖2顯示了根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的后退和前進(jìn)接觸角；
[0014] 圖3顯示了根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案，通過樣品加載器加載反應(yīng)位點(diǎn)；
[0015] 圖4的流程圖顯示了根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的示例性方法；
[0016] 圖5顯示了包被根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的基底的基底表面的步驟；
[0017] 圖6顯示了包被根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的基底的垂直面的步驟；
[0018] 圖7顯示了包被根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的基底的基底表面的另一步驟；
[0019] 圖8顯示了包被根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案的基底的垂直面的另一步驟；和
[0020] 圖9的方框圖顯示了可使用根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案包被的基底的示例性 聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)儀。
[0021] 發(fā)明詳述
[0022] 為了提供對本發(fā)明更充分的理解，以下描述列舉了很多具體細(xì)節(jié)如具體結(jié)構(gòu)、參 數(shù)、實(shí)例等。然而，應(yīng)認(rèn)識到這樣的描述并非旨在限制本發(fā)明的范圍，而是旨在提供對示例 性實(shí)施方案的更好描述。
[0023] 同時(shí)進(jìn)行幾個(gè)生物反應(yīng)可能需要具有多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的基底，各反應(yīng)位點(diǎn)具有加載 的樣品。應(yīng)認(rèn)識到，反應(yīng)位點(diǎn)可為但不限于，例如通孔、凹口或小井。而且，為增加每個(gè)實(shí)驗(yàn) 的反應(yīng)數(shù)目，可增加基底上的反應(yīng)位點(diǎn)密度，同時(shí)也降低樣品區(qū)大小。例如，在15_xl5mm 的基底上可包含10, 〇〇〇個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)。然而，如果在15mmxl5mm的基底包含30, 000個(gè)反應(yīng) 位點(diǎn)，樣品區(qū)可隨著基底上的反應(yīng)位點(diǎn)密度不斷增大而變得更小。
[0024] 根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案，提供了可用樣品體積充分加載的裝置。基底特定 區(qū)域的表面特性如疏水性和/或親水性可有助于將液體樣品加載至反應(yīng)位點(diǎn)。如上所述， 疏水性/親水性的水平可基于影響加載基底的多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的便利性和效率的各種因素。
[0025] 例如，影響反應(yīng)位點(diǎn)加載的一個(gè)因素為反應(yīng)位點(diǎn)的物理幾何形狀，并且/或者基 底可能有助于加載所述樣品。例如基于反應(yīng)位點(diǎn)深度（芯片厚度）和反應(yīng)位點(diǎn)直徑的反應(yīng) 位點(diǎn)之間的縱橫比，可為確定充分加載所述反應(yīng)位點(diǎn)所需特性的因素。反應(yīng)位點(diǎn)深度（芯 片厚度）與直徑的比率被稱為縱橫比。例如，如果反應(yīng)位點(diǎn)深度等于反應(yīng)位點(diǎn)直徑，則縱橫 比為1。在另一實(shí)例中，當(dāng)反應(yīng)位點(diǎn)深度為反應(yīng)位點(diǎn)直徑的10倍時(shí)，縱橫比為10。反應(yīng)位 點(diǎn)的直徑影響毛細(xì)管力，其使得能夠/有助于用液體反應(yīng)媒介加載反應(yīng)位點(diǎn)。在一些實(shí)施 方案中，直徑越小，毛細(xì)管力越大，且更利于/便于加載反應(yīng)位點(diǎn)。
[0026] 根據(jù)各種實(shí)施方案，影響用樣品體積加載反應(yīng)位點(diǎn)的另一因素為期望的加載效率 和/或一致性。期望的效率是大于或等于90%的反應(yīng)位點(diǎn)被加載。在其他實(shí)施方案中，期 望的效率可為90%的反應(yīng)位點(diǎn)被加載，且反應(yīng)位點(diǎn)之間的差異最多為10%。
[0027] 根據(jù)各種實(shí)施方案，影響用樣品體積加載反應(yīng)位點(diǎn)的另一因素為在反應(yīng)位點(diǎn)內(nèi)材 料與期望的反應(yīng)的相容性。在一些實(shí)施方案中，所述期望的反應(yīng)可為擴(kuò)增反應(yīng)。更具體地， 所述擴(kuò)增反應(yīng)可為聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)（PCR)。根據(jù)各種實(shí)施方案，裝置接觸例如參與反應(yīng)的樣 品體積、酶或試劑的部分，不應(yīng)該與樣品體積、酶或試劑發(fā)生化學(xué)相互作用。例如，接觸反應(yīng) 的材料不應(yīng)該將可能干擾反應(yīng)的離子泄露到所述反應(yīng)位點(diǎn)。
[0028] 根據(jù)各種實(shí)施方案，影響加載反應(yīng)位點(diǎn)的又一因素為被加載至反應(yīng)位點(diǎn)后所需的 樣品體積的限制。換句話說，需要有足夠的力來防止從每個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)泄漏樣品體積，以防止 從一個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)溢出至另一反應(yīng)位點(diǎn)，并防止樣品體積在反應(yīng)位點(diǎn)外的任何積聚。
[0029] 考慮到上述因素，能滿足這些目標(biāo)的裝置可被設(shè)計(jì)和用于在包含小體積的多個(gè)反 應(yīng)位點(diǎn)中進(jìn)行反應(yīng)。
[0030] 為使表面產(chǎn)生足夠的疏水/親水特性，可將該表面包被另一種材料。根據(jù)本文教 導(dǎo)的各種實(shí)施方案，基底表面的部分的涂層具有親水特性，且反應(yīng)位點(diǎn)表面的部分的涂層 具有親水特性。盡管兩種表面均具有親水特性，所述反應(yīng)位點(diǎn)可通過例如毛細(xì)管作用來加 載。根據(jù)各種實(shí)施方案，所述親水涂層可為相同的涂層。根據(jù)各種實(shí)施方案，所述涂層可通 過氣相沉積來包被。
[0031] 另一方面，根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案，基底表面的部分的涂層具有疏水特性， 且反應(yīng)位點(diǎn)表面的部分的涂層具有疏水特性。盡管兩種表面均具有疏水特性，所述反應(yīng)位 點(diǎn)可通過例如毛細(xì)管作用來加載。根據(jù)各種實(shí)施方案，所述疏水涂層可為相同的涂層。根 據(jù)各種實(shí)施方案，所述涂層可通過氣相沉積來包被。
[0032] 而且，根據(jù)本文描述的其他實(shí)施方案，基底的包被方法包括包被基底表面的部分 以具有疏水特性，并包被基底表面的部分以具有親水特性，這可能會有助益。而且，根據(jù)一 些實(shí)施方案，包被樣品區(qū)表面以具有親水性，并包被基底的其他表面以具有疏水性。以這種 方式，所述疏水性/親水性有助于將液體樣品加載至反應(yīng)位點(diǎn)。所述反應(yīng)位點(diǎn)可通過例如 毛細(xì)管作用來加載。
[0033] 此外，根據(jù)各種實(shí)施方案，具有疏水/親水表面可減少反應(yīng)位點(diǎn)之間液體樣品的 交叉污染。所述疏水區(qū)可有助于將每個(gè)液體樣品保持在反應(yīng)位點(diǎn)內(nèi)其各自的樣品區(qū)。根據(jù) 各種實(shí)施方案，連續(xù)或完全的涂層也可防止或減少從基底泄漏可能會干擾反應(yīng)的離子。 [0034] 根據(jù)各種實(shí)施方案，涂層相比其他涂層具有增加的物理和化學(xué)穩(wěn)定性且為生物相 容的。其可防止或減少吸附以及隨后用于生物反應(yīng)的活性生物化學(xué)物質(zhì)和材料的抑制作 用。這些可包括例如酶、探針和DNA。尤其是對于數(shù)字PCR應(yīng)用，重要的是使反應(yīng)化學(xué)物質(zhì) 和組分被吸附至不期望的表面減至最小。
[0035] 某底
[0036] 根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案，基底材料可為例如硅、氧化硅、玻璃、金屬、陶瓷或 塑料。玻璃可為光敏玻璃。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案， 可包被生物相容且不干擾熒光檢測的任何材料。
[0037] 如以上所述，減少反應(yīng)體積可允許更高密度的反應(yīng)體積，從而可在給定的區(qū)域內(nèi) 進(jìn)行更多的反應(yīng)。例如，基底上由300 iim直徑的通孔組成的陣列可含有約30nL的反應(yīng)體 積。例如，通過將陣列中每個(gè)通孔的大小降低至直徑60-70 ii m，每個(gè)反應(yīng)體積可為100pL。 根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案，反應(yīng)體積的范圍可為約IpL至30nL。在一些實(shí)施方案中，反 應(yīng)位點(diǎn)陣列可由各種不同體積的反應(yīng)區(qū)域組成以增加動態(tài)范圍。
[0038] 圖1顯示了根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案的芯片100,其包含具有反應(yīng)位點(diǎn)104的 陣列的基底1〇〇。芯片1〇〇可稱為例如物件、裝置、消耗品、陣列、滑片（slide)或壓板。
[0039] 芯片100包括基底100?；?02可為各種材料，包括但不限于，例如金屬、玻璃、 陶硅和氧化硅。
[0040] 芯片100還包括多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)104。所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)104可為例如小井、空腔或 通孔。每個(gè)樣品區(qū)也可具有多種橫截面幾何形狀，例如圓形、三角形或六邊形。具有其他幾 何形狀可允許更緊密地裝填反應(yīng)位點(diǎn)，以進(jìn)一步增加在給定區(qū)域中的反應(yīng)數(shù)目。而且，反應(yīng) 位點(diǎn)的幾何形狀也可有助于將液體樣品加載至反應(yīng)位點(diǎn)。
[0041] 圖1中芯片100的橫截面圖顯示了多個(gè)通孔104。每個(gè)通孔104從基底102第一表 面的開口延伸至基底102第二表面的開口，每個(gè)通孔104被配置為通過毛細(xì)管作用提供足 夠的表面張力以容納待處理或檢測的各個(gè)含有生物樣品的液體樣品。芯片100可具有如以 下任一申請中所公開的通用形式或結(jié)構(gòu)：美國專利第6, 306, 578、7, 332, 271、7, 604, 983、 7, 682, 565、6, 387, 331或6, 893, 877號，其通過引用整體并入本文，如同其在本文被充分地 陳述。
[0042] 根據(jù)各種實(shí)施方案，通孔104可具有約1. 3納升的容積?？蛇x擇地，例如，通過減 小通孔104的直徑和/或基底102的厚度，每個(gè)通孔的容積可小于1. 3納升。例如，每個(gè)通 孔104具有的容積可為小于或等于1納升、小于或等于100皮升、小于或等于30皮升，或小 于或等于10皮升。在其他實(shí)施方案中，一些或所有通孔104的容積范圍可為1-20納升。
[0043] 在某些實(shí)施方案中，通孔104的密度可為至少50個(gè)通孔/平方毫米。在其他實(shí)施 方案中，通孔的密度可能更高。例如，芯片100內(nèi)通孔104的密度可大于或等于150個(gè)通孔 /平方毫米、大于或等于200個(gè)通孔/平方毫米、大于或等于500個(gè)通孔/平方毫米、大于或 等于1，000個(gè)通孔/平方毫米、大于或等于10, 000個(gè)通孔/平方毫米。
[0044] 芯片100的其他實(shí)施方案還描述于以下文獻(xiàn)中：2012年3月16日遞交的第 61/612, 087號臨時(shí)申請（案件編號LT00655 PRO)和2012年11月7日遞交的第61/723, 759 號臨時(shí)申請（案件編號LT00655 PRO 2)，為所有目的將其并入本文。
[0045] 如上所述，減少樣品區(qū)域的大小可導(dǎo)致與將液體樣品加載至每個(gè)樣品區(qū)有關(guān)的挑 戰(zhàn)。根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案，施用至基底表面的涂層可有助于將液體樣品加載至反 應(yīng)位點(diǎn)，以及使反應(yīng)位點(diǎn)之間的串?dāng)_減至最小。
[0046] 根據(jù)本文描述的實(shí)施方案，在包被之前，可清潔和水化所述基底以使其準(zhǔn)備用于 隨后的化學(xué)反應(yīng)。清潔以去除在運(yùn)輸和儲藏期間可能發(fā)生的任何可能的污染，例如，從而確 保包被過程的一致性。
[0047] 應(yīng)認(rèn)識到，本文件描述的方法和方案為根據(jù)本文描述的各種實(shí)施方案的實(shí)例。可 修改所述方案以用于高縱橫比芯片和/或低縱橫比芯片。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)水接觸角 為60-100度時(shí)，可產(chǎn)生充分的加載。在其他實(shí)施方案中，當(dāng)水接觸角為75-90度時(shí)，可產(chǎn)生 充分的加載。
[0048] 而且，如各種實(shí)施方案所描述，雙涂層和單涂層均可實(shí)現(xiàn)包被。而且，根據(jù)各種實(shí) 施方案的包被方法可包括例如液體包被方法以及氣相沉積方法。
[0049] 親水性方法
[0050] 如以上所述，根據(jù)本文教導(dǎo)的各種實(shí)施方案，可使用基底表面以及反應(yīng)位點(diǎn)表面 的親水涂層以便制備用于生物反應(yīng)的反應(yīng)位點(diǎn)陣列。同樣，如以上所述，基底可稱為芯片， 而反應(yīng)位點(diǎn)可為，但不限于，例如通孔、凹口或小井。根據(jù)各種實(shí)施方案，基底表面和反應(yīng)位 點(diǎn)的涂層可為相同的材料。在其他實(shí)施方案中，基底表面和反應(yīng)位點(diǎn)的涂層可為不同的材 料?；妆砻婧头磻?yīng)位點(diǎn)表面可通過氣相沉積方法來包被。
[0051] 盡管根據(jù)各種實(shí)施方案，基底表面和反應(yīng)位點(diǎn)表面均可能具有親水特性，可基于 毛細(xì)管作用來加載液體樣品。換句話說，液體樣品和反應(yīng)位點(diǎn)壁之間的粘附力將把所述液 體樣品拉入反應(yīng)位點(diǎn)。從以下等式中可知，可被拉入每個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的液體樣品的量，取決于 反應(yīng)位點(diǎn)的半徑。
[0052] 液柱的高度h通過下式給出：
[0053]

【權(quán)利要求】
1. 用于生物反應(yīng)的裝置，所述裝置包括： 基底；和 在所述基底中的多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)， 其中所述基底的表面被配置為具有第一親水性，且所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的每個(gè)表面被配 置為具有第二親水性，以用樣品體積加載相當(dāng)數(shù)量的反應(yīng)位點(diǎn)， 其中每個(gè)加載的反應(yīng)位點(diǎn)的樣品體積基本上被限制于其各自的反應(yīng)位點(diǎn)，和 其中所述樣品體積被配置為在反應(yīng)位點(diǎn)內(nèi)經(jīng)歷生物反應(yīng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一親水性產(chǎn)生60-100度的水前進(jìn)接觸角。
3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一親水性產(chǎn)生75-90度的前進(jìn)接觸角。
4. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一親水性與所述第二親水性相同。
5. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中水后退接觸角為60-100度。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述水前進(jìn)接觸角和所述后退接觸角之間的差異為 〇度。
7. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述水前進(jìn)接觸角和所述后退接觸角之間的差異為 〇-30 度。
8. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述水前進(jìn)接觸角和所述后退接觸角之間的差異為 10-15 度。
9. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中通過用相同的材料包被所述基底的表面和所述多個(gè) 反應(yīng)位點(diǎn)的每個(gè)表面，所述基底的表面被配置為具有第一親水性，且所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的 每個(gè)表面被配置為具有第二親水性。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述材料為六甲基二硅氮烷（HMDS)。
11. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其中通過氣相沉積方法來包被所述基底的表面和所述 多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的每個(gè)表面。
12. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述相當(dāng)數(shù)量的反應(yīng)位點(diǎn)為90% -100%的所述多 個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)。
13. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中加載至所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的液體樣品體積最多為1 納升。
14. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述基底由下述材料之一組成：硅、氧化硅、玻璃和 塑料。
15. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)為通孔。
16. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述生物反應(yīng)為擴(kuò)增反應(yīng)。
17. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一和第二親水性產(chǎn)生足夠的表面張力以將 樣品體積基本上限制在每個(gè)加載的反應(yīng)位點(diǎn)內(nèi)。
18. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中毛細(xì)管作用決定加載至每個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的液體樣品 的體積，其中毛細(xì)管作用的量是基于每個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的容積。
19. 設(shè)計(jì)具有多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的基底的方法，所述方法包括： 用第一材料確定液體樣品的水前進(jìn)接觸角； 用所述第一材料確定液體樣品的水后退接觸角；以及 如果所述水后退接觸角在所述水前進(jìn)接觸角的15度以內(nèi)，則用所述第一材料包被基 底的第一表面和所述多個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)的每個(gè)反應(yīng)位點(diǎn)表面。
【文檔編號】B01L3/00GK104334273SQ201380023031
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月16日
【發(fā)明者】艾里奧道·陳丘, 埃文·福斯特, 西奧多·斯特勞博, 邁克爾·C·帕拉斯 申請人:生命技術(shù)公司