對相關(guān)申請的交叉引用本申請要求在韓國知識產(chǎn)權(quán)局于2016年1月5日提交的韓國專利申請no.10-2016-0001035的優(yōu)先權(quán)、以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，將其內(nèi)容全部引入本文中作為參考。本公開內(nèi)容涉及組合物、包括所述組合物的薄膜、和包括所述組合物或所述薄膜的有機發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機發(fā)光器件(oled)是具有寬的視角、高的對比度、和短的響應(yīng)時間的自發(fā)射器件。oled還呈現(xiàn)優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓、和響應(yīng)速度特性，并且可產(chǎn)生全色圖像。例如，有機發(fā)光器件可包括陽極、陰極、以及設(shè)置在陽極和陰極之間的有機層且可進一步包括發(fā)射層。有機發(fā)光器件還可包括設(shè)置在陽極和發(fā)射層之間的空穴傳輸區(qū)域、以及設(shè)置在發(fā)射層和陰極之間的電子傳輸區(qū)域。從陽極注入的空穴通過空穴傳輸區(qū)域傳輸至發(fā)射層，且從陰極注入的電子通過電子傳輸區(qū)域傳輸至發(fā)射層。載流子例如空穴和電子可然后在發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時，發(fā)射光。多種類型的有機發(fā)光器件是已知的。然而，在具有低的驅(qū)動電壓、高的效率、高的亮度、和長的壽命的oled方面仍然保持需要。技術(shù)實現(xiàn)要素：提供包括各自具有給定的式的第一化合物和第二化合物的組合物、包括所述組合物的薄膜、以及包括所述組合物或所述薄膜并且具有低的驅(qū)動電壓、高的效率、高的亮度、和長的壽命的有機發(fā)光器件。額外的方面將部分地在隨后的描述中闡明并且部分地將由所述描述明晰，或者可通過所提供的實施方式的實踐獲悉。根據(jù)實施方式的一個方面，組合物包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物：式1ar1-(l1)a1-ar2式2ar11-(l11)a11-ar12其中式1中的ar1可為由式11或12表示的基團，式1中的ar2可為由式13或14表示的基團，式12中的y1可為氧(o)、硫(s)、或n(r21)，式14中的y2可為o、s、或n(r22)，式1中的l1可為由式15表示的基團，式1中的a1可為選自1-5的整數(shù)，其中當(dāng)a1為2或更大時，兩個或更多個基團l1可彼此相同或不同，式11至15中的r1-r5、r21、和r22可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c7-c60芳烷基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳氧基、取代或未取代的c1-c60雜芳硫基、取代或未取代的c2-c60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q1)(q2)(q3)，式11至15中的b1-b5可各自獨立地為選自0-4的整數(shù)，式1中的由*-(l1)a1-*'表示的基團中的氰基的數(shù)量表示為“c5”，且式1中的c1-c5之和可為選自1-5的整數(shù)，i)當(dāng)式1中的ar1為由式12表示的基團、式1中的ar2為由式14表示的基團、且式12中的y1為n(r21)時，式14中的y2可為o或s，ii)當(dāng)式1中的ar1為由式12表示的基團、式1中的ar2為由式14表示的基團、且式14中的y2為n(r22)時，式12中的y1可為o或s，式2中的ar11可為由式21或22表示的基團，式2中的ar12可選自：由式23或24表示的基團，c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳氧基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳硫基、不包括在n和c之間的雙鍵的c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q11)(q12)(q13)，式21至24中的a1和a2可各自獨立地選自：單鍵、c1-c4亞烷基、和c2-c4亞烯基；和各自被選自如下的至少一個取代的c1-c4亞烷基和c2-c4亞烯基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)，式22中的y11可為o、s、或n(r41)，式24中的y12可為o、s、或n(r42)，式21至24中的r11-r14、r41、和r42可各自獨立地選自：氫、氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、和c1-c60烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、和c1-c60烷氧基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、和羧酸基團或其鹽；c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳氧基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳硫基、不包括在n和c之間的雙鍵的c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q41)(q42)(q43)；和-si(q51)(q52)(q53)，式21至24中的b11-b14可各自獨立地為選自0-4的整數(shù)，式2中的l11可選自：c3-c10亞環(huán)烷基、c1-c10亞雜環(huán)烷基、c3-c10亞環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10亞雜環(huán)烯基、c6-c60亞芳基、c1-c60亞雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10亞環(huán)烷基、c1-c10亞雜環(huán)烷基、c3-c10亞環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10亞雜環(huán)烯基、c6-c60亞芳基、c1-c60亞雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q31)(q32)(q33)，式2中的a11可為選自0-5的整數(shù)，其中當(dāng)a11為2或更大時，兩個或更多個基團l11可彼此相同或不同，所述第二化合物可不包括氰基，所述取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c7-c60芳烷基、取代的c1-c60雜芳基、取代的c1-c60雜芳氧基、取代的c1-c60雜芳硫基、取代的c2-c60雜芳烷基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的取代基的至少一個可選自：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c1-c60雜芳基、c1-c60雜芳氧基、c1-c60雜芳硫基、c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q61)(q62)(q63)，和q1-q3、q11-q13、q21-q23、q31-q33、q41-q43、q51-q53、和q61-q63可各自獨立地選自氫、氘、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、和蒽基，和由*-(l1)a1-*'表示的基團中的*和*'各自獨立地表示與相鄰原子的結(jié)合位點。根據(jù)實施方式的一個方面，薄膜包括所述組合物。根據(jù)實施方式的一個方面，薄膜包括所述組合物和磷光摻雜劑。根據(jù)實施方式的一個方面，有機發(fā)光器件包括：第一電極；第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機層，其中所述有機層包括所述組合物或所述薄膜。這里，包括在所述有機發(fā)光器件中的所述薄膜可為發(fā)射層。附圖說明由結(jié)合圖1考慮的實施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰和更容易理解，圖1為根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器件的示意性橫截面圖。具體實施方式現(xiàn)在將對實施方式詳細(xì)地進行介紹，其實例說明于附圖中，其中相同的附圖標(biāo)記始終指的是相同的元件。在這點上，本實施方式可具有不同的形式且不應(yīng)被解釋為限于本文中闡明的描述。因此，下面僅通過參考附圖描述實施方式，以說明方面。如本文中使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項目的一個或多個的任何和全部組合。表述例如“的至少一個(種)”當(dāng)在要素列表之前或之后時，修飾整個要素列表而不修飾所述列表的單獨要素。將理解，當(dāng)一個元件被稱為“在”另外的元件“上”時，其可與所述另外的元件直接接觸或者在其間可存在中間元件。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接在”另外的元件“上”時，則不存在中間元件。將理解，盡管術(shù)語第一、第二、第三等可在本文中用于描述各種元件、組分、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)別于另外的元件、組分、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離本實施方式的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分可稱為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分。本文中使用的術(shù)語僅為了描述具體實施方式的目的且不意圖為限制性的。如本文中使用的，單數(shù)形式“一個(種)(a，an)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指明。術(shù)語“或”意味著“和/或”。將進一步理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”、或者“含有”和/或“含”當(dāng)用在本說明書中時，表明存在所陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、和/或組分，但不排除存在或增加一種或多種另外的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組分、和/或其集合。除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)的含義與本總的發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同。將進一步理解，術(shù)語，例如在常用字典中定義的那些，應(yīng)被解釋為其含義與它們在相關(guān)領(lǐng)域的背景和本公開內(nèi)容中的含義一致，并且將不以理想化或過度形式的意義進行解釋，除非在本文中清楚地如此定義。在本文中參照作為理想化實施方式的示意圖的橫截面圖描述示例性實施方式。這樣，將預(yù)計到作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的與圖的形狀的偏差。因而，本文中描述的實施方式不應(yīng)解釋為限于如本文中所示的區(qū)域的具體形狀，而是包括由例如制造所導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，圖示或描述為平坦的區(qū)域可典型地具有粗糙的和/或非線性的特征。此外，所圖示的尖銳的角可為圓形的。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不意圖圖示區(qū)域的精確形狀且不意圖限制本權(quán)利要求的范圍。如本文中使用的“約”或“大約”包括所陳述的值且意味著在如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員考慮到所討論的測量和與具體量的測量有關(guān)的誤差(即，測量系統(tǒng)的限制)而確定的對于具體值的可接受的偏差范圍內(nèi)。例如，“約”可意味著相對于所陳述的值的偏差在一種或多種偏差范圍內(nèi)，或者在±30％、±20％、±10％、±5％范圍內(nèi)。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的組合物可包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物。在一個實施方式中，所述組合物可由由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物組成。式1ar1-(l1)a1-ar2式2ar11-(l11)a11-ar12其中式1中的ar1可為由式11或12表示的基團，和式1中的ar2可為由式13或14表示的基團：其中式12中的y1可為氧(o)、硫(s)、或n(r21)，和式14中的y2可為o、s、或n(r22)。式11至14的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的其描述。在式1中，l1可為由式15表示的基團，和a1可為選自1-5的整數(shù)，其中當(dāng)a1為2或更大時，兩個或更多個基團l1可彼此相同或不同：在式1中，a1表示基團l1的數(shù)量，且可為1、2、3、4、或5。例如，式1中的a1可為2、3、4、或5。例如，式1中的a1可為2或3，但實施方式不限于此。在式11至15中，r1-r5、r21、和r22可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c7-c60芳烷基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳氧基、取代或未取代的c1-c60雜芳硫基、取代或未取代的c2-c60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q1)(q2)(q3)。例如，在式11至15中，r1-r5、r21、和r22可各自獨立地選自：氫、氘、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。在多種實施方式中，在式11至15中，r1-r5、r21、和r22可各自獨立地選自：氫、氘、氰基、c1-c10烷基、苯基、聯(lián)苯基、和三聯(lián)苯基；被選自氘和氰基的至少一個取代的c1-c10烷基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、和三聯(lián)苯基：氘、氰基、c1-c10烷基、苯基、聯(lián)苯基、和三聯(lián)苯基，但實施方式不限于此。在式11至15中，b1-b5可各自獨立地為選自0-4的整數(shù)。例如，式11至15中的b1-b5可為0、1或2，且例如可為0或1，但實施方式不限于此。在一個實施方式中，式1中的ar1可選自由式11-1至11-3和12-1至12-14表示的基團，和式1中的ar2可選自由式13-1至13-3和14-1至14-14表示的基團：在式11-1至11-3、12-1至12-14、13-1至13-3、和14-1至14-14中，對于y1和y2的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的其描述，r1a、r1b、r2a、r2b、r3a、r3b、r4a、和r4b的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的r1的描述，和*表示與相鄰原子的結(jié)合位點。例如，在式11-1至11-3、12-1至12-14、13-1至13-3、和14-1至14-14中，r1a、r1b、r2a、r2b、r3a、r3b、r4a、和r4b可各自獨立地選自：氫、氘、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。在多種實施方式中，式1中的l1可選自由式15(1)至15(16)表示的基團：在式15(1)至15(16)中，對于r5的描述可參考本公開內(nèi)容中的其描述，r5a和r5b的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的r5的描述，且*和*'各自表示與相鄰原子的結(jié)合位點。例如，在式15(1)至15(16)中，r5、r5a、和r5b可各自獨立地選自：氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；各自被選自氘和氰基的至少一個取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。在式1中，式1中的由*-(l1)a1-*'表示的基團中包括的氰基的數(shù)量表示為“c5”，且式1中的c1-c5之和可為選自1-5的整數(shù)(例如，2、3、或4)。在這點上，由式1表示的第一化合物可具有優(yōu)異的耐熱性且可具有合適的電特性以用作用于電子器件例如有機發(fā)光器件的材料。由*-(l1)a1-*'表示的基團中的*和*'可各自獨立地表示與相鄰原子的結(jié)合位點。在一個實施方式中，由式1表示的第一化合物中包括的氰基的總數(shù)量可為1、2、3、4、或5，且例如可為2、3、或4，但實施方式不限于此。例如，由式1表示的第一化合物可由式1-1至1-5之一表示：在式1-1至1-5中，對于ar1和ar2的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的其描述，z1-z10的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的r5的描述，且c6-c10可各自獨立地為0、1、或2。在多種實施方式中，i)式1-1中的c1、c2、c3、c4與c6之和，ii)式1-2中的c1、c2、c3、c4、c6與c7之和，iii)式1-3中的c1、c2、c3、c4、c6、c7與c8之和，iv)式1-4中的c1、c2、c3、c4、c6、c7、c8與c9之和，以及v)式1-5中的c1、c2、c3、c4、c6、c7、c8、c9與c10之和可各自獨立地為2、3、4、或5，且例如2、3、或4。在多種實施方式中，式1-1至1-5中的c1、c2、c3、與c4之和可為1或2，和i)式1-1中的c6，ii)式1-2中的c6與c7之和，iii)式1-3中的c6、c7、與c8之和，iv)式1-4中的c6、c7、c8、和c9之和，以及v)式1-5中的c6、c7、c8、c9、與c10之和可各自獨立地為1或2，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，式1-1至1-5中的c1、c2、c3、與c4之和可為1或2，i)式1-1中的c6，ii)式1-2中的c6和c7之和，iii)式1-3中的c6、c7、和c8之和，iv)式1-4中的c6、c7、c8、與c9之和，以及v)式1-5中的c6、c7、c8、c9、與c10之和可各自獨立地為1或2，和由式1-1至1-5表示的基團中包括的氰基的總數(shù)量可為2、3、或4，但實施方式不限于此。i)當(dāng)式1中的ar1為由式12表示的基團、式1中的ar2為由式14表示的基團、且式12中的y1為n(r21)時，式14中的y2可為o或s，和ii)當(dāng)式1中的ar1為由式12表示的基團、式1中的ar2為由式14表示的基團、且式14中的y2為n(r22)時，式12中的y1可為o或s。在一個實施方式中，式2中的ar11可為由式21或22表示的基團，式2中的ar12可選自：由式23或24表示的基團，c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳氧基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳硫基、不包括在n和c之間的雙鍵的c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q11)(q12)(q13)：在式21至24中，a1和a2可各自獨立地選自：單鍵、c1-c4亞烷基、和c2-c4亞烯基；和各自被選自如下的至少一個取代的c1-c4亞烷基和c2-c4亞烯基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)。例如，在式21至24中，a1和a2可各自獨立地選自：單鍵、亞甲基、和亞乙烯基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞甲基和亞乙烯基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，但實施方式不限于此。在一個實施方式中，式22中的y11可為o、s、或n(r41)，和式24中的y12可為o、s、或n(r42)。在一個實施方式中，在式21至24中，r11-r14、r41、和r42可各自獨立地選自：氫、氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、和c1-c60烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、和c1-c60烷氧基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、和羧酸基團或其鹽；c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳氧基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳硫基、不包括在n和c之間的雙鍵的c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q41)(q42)(q43)；和-si(q51)(q52)(q53)。例如，在式21至24中，r11-r14可各自獨立地選自：氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；各自被至少一個氘取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，和r41-r42可各自獨立地選自：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，但實施方式不限于此。在式21至24中，b11-b14可各自獨立地為選自0-4的整數(shù)，其中當(dāng)b11為2或更大時，兩個或更多個基團r11可彼此相同或不同，當(dāng)b12為2或更大時，兩個或更多個基團r12可彼此相同或不同，當(dāng)b13為2或更大時，兩個或更多個基團r13可彼此相同或不同，和當(dāng)b14為2或更大時，兩個或更多個基團r14可彼此相同或不同。在一個實施方式中，式21至24中的b11-b14可各自獨立地為0、1、或2。在式2中，l11可選自：c3-c10亞環(huán)烷基、c1-c10亞雜環(huán)烷基、c3-c10亞環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10亞雜環(huán)烯基、c6-c60亞芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c3-c10亞環(huán)烷基、c1-c10亞雜環(huán)烷基、c3-c10亞環(huán)烯基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c10亞雜環(huán)烯基、c6-c60亞芳基、不包括在n和c之間的雙鍵的c1-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、以及不包括在n和c之間的雙鍵的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、不包括在n和c之間的雙鍵的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q31)(q32)(q33)。例如，在式2中，l11可選自：亞苯基、亞芴基、亞吡啶基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞芴基、亞吡啶基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，但實施方式不限于此。在式2中，a11可為選自0-5的整數(shù)，其中當(dāng)a11為2或更大時，兩個或更多個基團l11可彼此相同或不同。當(dāng)式2中的a11為0時，式2中的由*-(l11)a11-*'表示的基團可為單鍵。在式2中，a11可為0、1、或2。由*-(l11)a11-*'表示的基團中的*和*'各自獨立地表示與相鄰原子的結(jié)合位點。在一個實施方式中，式2中的ar11可選自由式21-1至21-3和22-1至22-12表示的基團，式2中的ar12可選自：由式23-1至23-3和24-1至24-12表示的基團；苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、和吡啶基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、和吡啶基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：在式21-1至21-3、22-1至22-12、23-1至23-3、和24-1至24-12中，對于y11和y12的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的其描述，r11a、r11b、r12a、r12b、r13a、r13b、r14a、和r14b的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的r11的描述，r43-r46可各自獨立地選自氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，和*表示與相鄰原子的結(jié)合位點。在式21-1至21-3、22-1至22-12、23-1至23-3、和24-1至24-12中，r43和r44可任選地通過如下彼此連接：單鍵；c1-c4亞烷基；或被選自c1-c10烷基和苯基的至少一個取代的c1-c4亞烷基，并且r45和r46可任選地通過如下彼此連接：單鍵；c1-c4亞烷基；或被選自c1-c10烷基和苯基的至少一個取代的c1-c4亞烷基。例如，在式21-1至21-3、22-1至22-12、23-1至23-3、和24-1至24-12中，r11a、r11b、r12a、r12b、r13a、r13b、r14a、和r14b可各自獨立地選自：氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；各自被至少一個氘取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，由式2表示的第二化合物可由ar11-ar12表示，或者可由式2-1至2-95之一表示：在式2-1至2-95中，ar11和ar12的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的其描述，y51可為o、s、c(z61)(z62)、或n(z61)，和z51-z58、z61、和z62可各自獨立地選自氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。在多種實施方式中，由式2表示的第二化合物可由ar11-ar12表示，其中ar11可為由式21表示的基團且ar12可為由式24表示的基團，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，由式2表示的第二化合物可由ar11-ar12表示，其中ar11可為由式21-1表示的基團且ar12可為由式24-1、24-4、24-7、或24-10表示的基團，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，由式2表示的第二化合物可由ar11-ar12表示，其中ar11可為由式21-1表示的基團且ar12可為由式24-1、24-4、24-7、或24-10表示的基團，其中在式24-1、24-4、24-7和24-10中，y12可為n(r42)且r42可為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芴基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、或二苯并噻吩基，但實施方式不限于此。由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物可各自具有2.75電子伏(ev)或更大的實際測量的三線態(tài)(t1)能量值。為了測量以上化合物的t1能量值，將包括2-methf和相應(yīng)的化合物的混合物(將1毫克(mg)相應(yīng)化合物的每一種溶解在3立方厘米(cc)的2-methf中)添加到石英池，并且向其添加液氮(處于77k的溫度)。通過使用光致發(fā)光測量儀測量以上化合物的光致發(fā)光光譜。t1能量值是通過計算在所述光致發(fā)光光譜的短波長側(cè)上的起點處的t1能級而測量的。當(dāng)由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的t1能級在以上范圍內(nèi)時，通過由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物形成的激基復(fù)合物可具有至少2.7ev的高的t1能級和足以將能量完全傳遞到摻雜劑的長的發(fā)射耗散(dissipation)時間。因此，包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的組合物可對具有高的色純度的藍(lán)色光的發(fā)射做貢獻(xiàn)。在一個實施方式中，由式1表示的第一化合物可為選自化合物e-1至e-8的一種，和由式2表示的第二化合物可選自化合物h-1至h-42的一種：所述組合物可包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，由此具有改善的電子和空穴的遷移率。因而，包括所述組合物的電子器件例如有機發(fā)光器件可具有高的發(fā)射效率。另外，式1中的ar1可為由式11或12表示的基團，且式1中的ar2可為由式13或14表示的基團。即，在式1中，由*-(l1)a1-*'表示的基團可在兩個各自由式11至14之一表示的咔唑核之間。在這點上，包括所述組合物的電子器件可具有低的驅(qū)動電壓、高的效率、高的功率效率、和長的壽命。此外，式1中的l1可為由式15表示的基團。即，具有作為連接體的作用的式1中的l1可選自具有在間位處的連接點的亞苯基和其衍生物。因此，由式1表示的第一化合物可具有相對高的t1能級。例如，通過使用利用高斯程序的dft方法的在b3lyp/6-31g(d,p)水平下的結(jié)構(gòu)優(yōu)化計算來評價化合物e-2、e-4、e-6和e-8以及化合物a的t1能級，并且結(jié)果示于表1中。表1t1(ev)化合物e-22.98化合物e-43.00化合物e-62.97化合物e-83.03化合物a2.95參考表1，已確定化合物e-2、e-4、e-6、和e-8各自具有比在兩個咔唑環(huán)之間包括亞二苯并呋喃基的化合物a的t1能級高的t1能級。在式1中，式1中的由*-(l1)a1-*'表示的基團中包括的氰基的數(shù)量表示為“c5”，且式1中的c1-c5之和可為選自1-5的整數(shù)。即，式1的結(jié)構(gòu)中包括的氰基的總數(shù)可為1、2、3、4、或5。在這點上，由式1表示的第一化合物可具有優(yōu)異的耐熱性，且因此，包括包含由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的組合物或薄膜的電子器件例如有機發(fā)光器件可具有高的效率和長的壽命。在所述組合物中，由式1表示的第一化合物對由式2表示的第二化合物的重量比可選自約0.1:99.9-約99.9:0.1、例如約1:9-約9:1的范圍。在一個實施方式中，由式1表示的第一化合物對由式2表示的第二化合物的重量比可選自約3:7-約7:3的范圍。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述組合物中的由式1表示的第一化合物對由式2表示的第二化合物的重量比在以上范圍內(nèi)時，有機發(fā)光器件中的發(fā)射層可具有有效的電荷平衡，由此實現(xiàn)具有高的效率的有機發(fā)光器件。根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的薄膜可包括所述組合物。所述薄膜可通過利用各種合適的方法例如真空沉積、旋涂、流延、或朗繆爾-布羅杰特(lb)沉積形成。當(dāng)所述薄膜通過真空沉積形成時，沉積條件可根據(jù)用作用于形成所述薄膜的材料的化合物、以及所述薄膜的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。例如，沉積條件可包括約100-約500℃的沉積溫度、約10-8-約10-3托的真空度、和約0.01-約100埃/秒(/秒)的沉積速率。然而，沉積條件不限于此。當(dāng)所述薄膜通過旋涂形成時，旋涂條件可根據(jù)作為用于形成所述薄膜的材料的化合物、以及所述薄膜的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。例如，旋涂條件可包括約2,000轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)-約5,000rpm的旋涂速率，且在涂覆之后進行熱處理以除去溶劑的溫度可選自約80℃-約200℃的范圍。然而，旋涂條件不限于此。除以上描述的組合物之外，所述薄膜可進一步包括磷光摻雜劑。所述磷光摻雜劑可為能夠根據(jù)磷光發(fā)射機理進行發(fā)射的摻雜劑。所述磷光摻雜劑可選自紅色磷光摻雜劑、綠色磷光摻雜劑、和藍(lán)色磷光摻雜劑。在一個實施方式中，所述磷光摻雜劑可為綠色磷光摻雜劑或藍(lán)色磷光摻雜劑，但不限于此。例如，所述磷光摻雜劑可包括由式81表示的有機金屬化合物：式81m(l81)n81(l82)n82式81a在式81中，m可選自銥(ir)、鉑(pt)、鋨(os)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉿(hf)、銪(eu)、鋱(tb)、銩(tm)、和銠(rh)，l81可為由式81a表示的配體，且n81可為選自1-3的整數(shù)，其中當(dāng)n81為2或更大時，兩個或更多個配體l81可彼此相同或不同，l82可為有機配體，且n82可為選自0-4的整數(shù)，其中當(dāng)n82為2或更大時，兩個或更多個配體l82可彼此相同或不同，在式81a中，y81-y84可各自獨立地為碳(c)或氮(n)，y81和y82可通過單鍵或雙鍵彼此連接，且y83和y84可通過單鍵或雙鍵彼此連接，cy81和cy82可各自獨立地選自c5-c30碳環(huán)型環(huán)和c2-c30雜環(huán)型環(huán)，cy81和cy82可進一步任選地通過有機連接基團彼此連接，r81-r85可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、-sf5、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c7-c60芳烷基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳氧基、取代或未取代的c1-c60雜芳硫基、取代或未取代的c2-c60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q81)(q82)(q83)、-n(q84)(q85)、-b(q86)(q87)、和-p(＝o)(q88)(q89)，a81-a83可各自獨立地為選自0-5的整數(shù)，其中當(dāng)a81為2或更大時，兩個或更多個基團r81可彼此相同或不同，當(dāng)a82為2或更大時，兩個或更多個基團r82可彼此相同或不同，當(dāng)a81為2或更大時，兩個或更多個相鄰的基團r81可任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，和當(dāng)a82為2或更大時，相鄰的基團r82可任選地彼此連接以形成飽和或不飽和環(huán)，式81a中的*和*'可各自獨立地為與式81的m的結(jié)合位點，和所述取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c7-c60芳烷基、取代的c1-c60雜芳基、取代的c1-c60雜芳氧基、取代的c1-c60雜芳硫基、取代的c2-c60雜芳烷基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的取代基的至少一個可選自：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c1-c60雜芳基、c1-c60雜芳氧基、c1-c60雜芳硫基、c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q91)(q92)(q93)，其中q81-q89和q91-q93可各自獨立地選自氫、氘、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、被至少一個c1-c60烷基取代的c6-c60芳基、被至少一個c6-c60芳基取代的c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。在一個實施方式中，在式81a中，a83可為1或2，r83-r85可各自獨立地選自：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h、和-cd2cdh2；正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基；和各自被選自如下的至少一個取代的正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基：氘、c1-c10烷基、和苯基，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，在式81a中，y81可為n，y82和y83可為c，和y84可為n或c，cy81和cy82可各自獨立地選自環(huán)戊二烯環(huán)、苯環(huán)、庚搭烯環(huán)、茚環(huán)、萘環(huán)、薁環(huán)、引達(dá)省環(huán)、苊環(huán)、芴環(huán)、螺-二芴環(huán)、苯并芴環(huán)、二苯并芴環(huán)、非那烯環(huán)、菲環(huán)、蒽環(huán)、熒蒽環(huán)、苯并[9,10]菲環(huán)、芘環(huán)、環(huán)、并四苯環(huán)、苉環(huán)、苝環(huán)、并五苯環(huán)、并六苯環(huán)、戊芬環(huán)、紅玉省環(huán)、暈苯環(huán)、卵苯環(huán)、吡咯環(huán)、異吲哚環(huán)、吲哚環(huán)、吲唑環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、三唑環(huán)、唑環(huán)、異唑環(huán)、二唑環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、噻二唑環(huán)、嘌呤環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、苯并喹啉環(huán)、酞嗪環(huán)、萘啶環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹唑啉環(huán)、噌啉環(huán)、菲啶環(huán)、吖啶環(huán)、菲咯啉環(huán)、吩嗪環(huán)、苯并咪唑環(huán)、苯并呋喃環(huán)、苯并噻吩環(huán)、異苯并噻唑環(huán)、苯并唑環(huán)、異苯并唑環(huán)、苯并咔唑環(huán)、二苯并咔唑環(huán)、咪唑并吡啶環(huán)、咪唑并嘧啶環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、二苯并噻吩環(huán)、二苯并噻吩砜環(huán)、咔唑環(huán)、二苯并噻咯環(huán)(二苯并硅雜環(huán)戊二烯環(huán))、和2,3-二氫-1h-咪唑環(huán)。在多種實施方式中，在式81a中，y81可為n，y82-y84可為c，cy81可為包括兩個氮作為成環(huán)原子的5元環(huán)，和cy82可選自苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、和二苯并噻吩環(huán)，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，在式81a中，y81可為n，y82-y84可為c，cy81可為咪唑環(huán)或2,3-二氫-1h-咪唑環(huán)，和cy82可選自苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、和二苯并噻吩環(huán)，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，在式81a中，y81可為n，y82-y84可各自獨立地為c，cy81可選自吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、三唑環(huán)、唑環(huán)、異唑環(huán)、二唑環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑環(huán)、噻二唑環(huán)、吡啶環(huán)、嘧啶環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、苯并喹啉環(huán)、酞嗪環(huán)、萘啶環(huán)、喹喔啉環(huán)、喹唑啉環(huán)、噌啉環(huán)、苯并咪唑環(huán)、異苯并噻唑環(huán)、苯并唑環(huán)、和異苯并唑環(huán)，和cy82可選自環(huán)戊二烯環(huán)、苯環(huán)、萘環(huán)、芴環(huán)、苯并芴環(huán)、二苯并芴環(huán)、菲環(huán)、蒽環(huán)、苯并[9,10]菲環(huán)、芘環(huán)、環(huán)、苝環(huán)、苯并呋喃環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并咔唑環(huán)、二苯并咔唑環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、二苯并噻吩環(huán)、二苯并噻吩砜環(huán)、咔唑環(huán)、和二苯并噻咯環(huán)。在多種實施方式中，在式81a中，r81和r82可各自獨立地選自：氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、-sf5、c1-c20烷基、和c1-c20烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c10烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基(三環(huán)癸烷基)、降莰烷基(降冰片烷基)、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、和嘧啶基；環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基；和各自被選自如下的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基；和-b(q86)(q87)和-p(＝o)(q88)(q89)，其中q86-q89可各自獨立地選自：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h、和-cd2cdh2；正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基；和各自被選自如下的至少一個取代的正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基：氘、c1-c10烷基、和苯基。在多種實施方式中，在式81a中，r81和r82可各自獨立地選自：氫、氘、-f、氰基、硝基、-sf5、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、正己基、異己基、仲己基、叔己基、正庚基、異庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、異壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、異癸基、仲癸基、叔癸基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、和嘧啶基；各自被選自如下的至少一個取代的甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、正己基、異己基、仲己基、叔己基、正庚基、異庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、異壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、異癸基、仲癸基、叔癸基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、和嘧啶基：氘、-f、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、氰基、硝基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、吡啶基，和嘧啶基；和-b(q86)(q87)和-p(＝o)(q88)(q89)，其中q86-q89可各自獨立地選自：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h、和-cd2cdh2；正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基；和各自被選自如下的至少一個取代的正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基：氘、c1-c10烷基、和苯基。在多種實施方式中，在式81a中，r81和r82可各自獨立地選自氫、氘、-f、氰基、硝基、-sf5、-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、和由式9-1至9-19和式10-1至10-30表示的基團，但實施方式不限于此：在式9-1至9-19和10-1至10-30中，*表示與相鄰原子的結(jié)合位點。在多種實施方式中，在式81a中，選自數(shù)量為a81的r81和數(shù)量為a82的r82的至少一個可為氰基。在多種實施方式中，在式81a中，選自數(shù)量為a82的r82的至少一個可為氰基。在多種實施方式中，在式81a中，選自數(shù)量為a81的r81和數(shù)量為a82的r82的至少一個可為氘。在多種實施方式中，在式81中，l82可選自由式3-1(1)至3-1(60)、3-1(61)至3-1(69)、3-1(71)至3-1(79)、3-1(81)至3-1(88)、3-1(91)至3-1(98)、和3-1(101)至3-1(114)表示的配體：在式3-1(1)至3-1(60)、3-1(61)至3-1(69)、3-1(71)至3-1(79)、3-1(81)至3-1(88)、3-1(91)至3-1(98)、和3-1(101)至3-1(114)中，x1可為o、s、c(z21)(z22)、或n(z23)，x31可為n或c(z1a)，和x32可為n或c(z1b)，x41可為o、s、n(z1a)、或c(z1a)(z1b)，z1-z4、z1a、z1b、z1c、z1d、z2a、z2b、z2c、z2d、z11-z14、和z21-z23可各自獨立地選自：氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、-sf5、c1-c20烷基、和c1-c20烷氧基；各自被選自如下的至少一個取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c10烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、和嘧啶基；環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基；各自被選自如下的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、金剛烷基、降莰烷基、降冰片烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、環(huán)庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、唑基、異唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并唑基、異苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、和咪唑并嘧啶基；和-b(q86)(q87)和-p(＝o)(q88)(q89)，其中q86-q89可各自獨立地選自：-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-ch2ch3、-ch2cd3、-ch2cd2h、-ch2cdh2、-chdch3、-chdcd2h、-chdcdh2、-chdcd3、-cd2cd3、-cd2cd2h、和-cd2cdh2；正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基；和各自被選自如下的至少一個取代的正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、和萘基：氘、c1-c10烷基、和苯基，d2和e2可各自獨立地為0或2，e3可為選自0-3的整數(shù)，d4和e4可各自獨立地為選自0-4的整數(shù)，d6和e6可各自獨立地為選自0-6的整數(shù)，d8和e8可各自獨立地為選自0-8的整數(shù)，和*和*'各自表示與式1的m的結(jié)合位點。例如，z1-z4、z1a、z1b、z1c、z1d、z2a、z2b、z2c、z2d、z11-z14、和z21-z23可各自獨立地選自氫、氘、-f、氰基、硝基、-sf5、-ch3、-cd3、-cd2h、-cdh2、-cf3、-cf2h、-cfh2、以及由式9-1至9-19和10-1至10-30表示的基團，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，在式81中，m可為ir，且n81與n82之和可為3；或者m可為pt，且n81與n82之和可為2。在多種實施方式中，由式81表示的有機金屬化合物可不為由陽離子和陰離子對組成的化合物，而是電中性的非離子型化合物。在多種實施方式中，所述薄膜中的所述磷光摻雜劑可包括選自化合物pd1至pd78和fir6的至少一種，但實施方式不限于此：所述薄膜中的所述磷光摻雜劑的量可在基于100重量份的所述組合物的約0.01重量份-約20重量份的范圍內(nèi)，但所述磷光摻雜劑的量不限于此。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述磷光摻雜劑的量在以上范圍內(nèi)時，可發(fā)射光而沒有猝滅現(xiàn)象。所述薄膜可應(yīng)用于電子器件，例如，有機發(fā)光器件的有機層。因此，根據(jù)本公開內(nèi)容的另一方面，提供有機發(fā)光器件，其包括：第一電極；第二電極；以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機層；其中所述有機層包括所述組合物或所述薄膜。在一個實施方式中，所述有機層中包括的所述薄膜可為發(fā)射層。這里，所述發(fā)射層中包括的所述組合物可用作主體。所述發(fā)射層中包括的所述組合物的量可比所述磷光摻雜劑的量大。當(dāng)所述薄膜為包括所述組合物和所述磷光摻雜劑的發(fā)射層時，所述發(fā)射層中的由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物可改善所述有機發(fā)光器件中的電子和空穴的遷移率，且所述發(fā)射層可控制電荷平衡，由此實現(xiàn)具有高的效率和長的壽命的有機發(fā)光器件。所述薄膜可包括所述組合物和藍(lán)色磷光摻雜劑，由此實現(xiàn)發(fā)射具有高的色純度的藍(lán)色光的有機發(fā)光器件。例如，包括所述薄膜作為發(fā)射層的有機發(fā)光器件可發(fā)射具有0.3或更小的ciey坐標(biāo)的藍(lán)色光。圖1為根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器件10的結(jié)構(gòu)的示意性橫截面圖。在下文中，將結(jié)合圖1描述根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和根據(jù)實施方式的有機發(fā)光器件的制造方法。有機發(fā)光器件10可具有其中第一電極11、有機層15、和第二電極19以所陳述的次序順序地堆疊的結(jié)構(gòu)?？闪硗庠诘谝浑姌O11下面或者在第二電極19之上設(shè)置基底。對于用作基底，可使用在通常的有機發(fā)光器件中使用的任何基底，并且所述基底可為各自具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面光滑度、易操縱性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。第一電極11可通過在基底上沉積或濺射用于形成第一電極11的材料而形成。第一電極11可為陽極。用于形成第一電極11的材料可選自具有高的功函的材料以促進空穴注入。第一電極11可為反射性電極、半透射性電極、或者透射性電極。用于形成第一電極11的材料可為例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化錫(sno2)、和氧化鋅(zno)。在多種實施方式中，可使用金屬例如鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、或鎂-銀(mg-ag)作為用于形成第一電極11的材料。第一電極11可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個或更多個層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極11可具有ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu)，但第一電極110的結(jié)構(gòu)不限于此。有機層15設(shè)置在第一電極11上。有機層15可包括空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、和電子傳輸區(qū)域。所述空穴傳輸區(qū)域可設(shè)置在第一電極11和所述發(fā)射層之間。所述空穴傳輸區(qū)域可包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、緩沖層、或其任意組合。所述空穴傳輸區(qū)域可僅包括空穴注入層或空穴傳輸層。在多種實施方式中，所述空穴傳輸區(qū)域可具有空穴注入層/空穴傳輸層的結(jié)構(gòu)、或者空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，所述各層從第一電極11起以該陳述的順序順次堆疊。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層時，所述空穴注入層可利用各種合適的方法例如真空沉積、旋涂、流延、或lb沉積在第一電極11上形成。當(dāng)空穴注入層通過真空沉積形成時，沉積條件可根據(jù)作為用于形成空穴注入層的材料的化合物、以及所述空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。例如，沉積條件可包括約100-約500℃的沉積溫度、約10-8-約10-3托的真空度、和約0.01-約/秒的沉積速率。然而，沉積條件不限于此。當(dāng)所述空穴注入層通過旋涂形成時，涂覆條件可根據(jù)用作用于形成所述空穴注入層的材料的化合物、以及所述空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。例如，旋涂條件可包括約2,000rpm-約5,000rpm的涂覆速率，并且在涂覆之后進行熱處理以除去溶劑的溫度可選自約80℃-約200℃的范圍。然而，旋涂條件不限于此。用于形成空穴傳輸層和電子阻擋層的條件可通過參考用于形成所述空穴注入層的條件而理解。所述空穴傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一種：m-mtdata、tdata、2-tnata、npb、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4″-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-磺苯乙烯)(pani/pss)、由式201表示的化合物、和由式202表示的化合物：式201式202在式201中，ar101和ar102可各自獨立地選自：亞苯基，亞并環(huán)戊二烯基，亞茚基，亞萘基，亞薁基，亞庚搭烯基，亞苊基，亞芴基，亞非那烯基，亞菲基，亞蒽基，亞熒蒽基，亞苯并[9,10]菲基，亞芘基，亞基，亞并四苯基，亞苉基，亞苝基，和亞并五苯基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞苊基、亞芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并[9,10]菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、和亞并五苯基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c1-c60雜芳基、c1-c60雜芳氧基、c1-c60雜芳硫基、c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團。在式201中，xa和xb可各自獨立地為選自0-5的整數(shù)。例如，在式201中，xa可為1，且xb可為0，但xa和xb不限于此。在式201和202中，r101-r108、r111-r119和r121-r124可各自獨立地選自：氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c10烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、或己基)、和c1-c10烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、或戊氧基)；各自被選自如下的至少一個取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、和磷酸基團或其鹽；苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c10烷基、和c1-c10烷氧基，但實施方式不限于此。在式201中，r109可選自：苯基、萘基、蒽基、和吡啶基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、蒽基、和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、和吡啶基。在一個實施方式中，由式201表示的化合物可由式201a表示，但不限于此：式201a在式201a中，r101、r111、r112、和r109的描述可各自獨立地通過參考本公開內(nèi)容中的其描述而理解。例如，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可各自獨立地包括化合物ht1至ht20，但不限于此：所述空穴傳輸區(qū)域的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域包括選自空穴注入層和空穴傳輸層的至少一個時，所述空穴注入層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)，且所述空穴傳輸層的厚度可在約-約且例如約-約的范圍內(nèi)。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在以上范圍內(nèi)時，可獲得令人滿意的空穴傳輸特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。除以上描述的材料之外，所述空穴傳輸區(qū)域可進一步包括用于改善導(dǎo)電性質(zhì)的電荷產(chǎn)生材料。所述電荷產(chǎn)生材料可均勻地或不均勻地分散在所述空穴傳輸區(qū)域中。所述電荷產(chǎn)生材料可為例如p-摻雜劑。所述p-摻雜劑可選自醌衍生物、金屬氧化物、和包含氰基的化合物，但是實施方式不限于此。所述p-摻雜劑的實例包括醌衍生物例如四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(f4-tcnq)；金屬氧化物例如氧化鎢或氧化鉬；和包含氰基的化合物例如化合物ht-d1和hp-1，但實施方式不限于此：所述空穴傳輸區(qū)域可進一步包括緩沖層。所述緩沖層可根據(jù)從所述發(fā)射層發(fā)射的光的波長補償光學(xué)諧振距離，并且因而可改善所形成的有機發(fā)光器件的發(fā)光效率。所述空穴傳輸區(qū)域可進一步包括電子阻擋層。所述電子阻擋層可包括本領(lǐng)域中已知的材料例如mcp，但實施方式不限于此：在多種實施方式中，可使用由式2表示的第二化合物作為用于電子阻擋層的材料。所述發(fā)射層可通過利用各種合適的方法例如真空沉積、旋涂、流延、或lb沉積設(shè)置在所述空穴傳輸區(qū)域上。當(dāng)所述發(fā)射層通過真空沉積和旋涂形成時，沉積和涂覆條件可根據(jù)用于形成所述發(fā)射層的化合物而改變，但是通常，可通過參考用于所述空穴注入層的沉積和涂覆條件確定。當(dāng)有機發(fā)光器件10為全色有機發(fā)光器件時，可將所述發(fā)射層圖案化為紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和藍(lán)色發(fā)射層。在多種實施方式中，所述發(fā)射層可具有其中紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和/或藍(lán)色發(fā)射層彼此堆疊的結(jié)構(gòu)，以由此發(fā)射白色光。所述發(fā)射層可包括所述薄膜。在一個實施方式中，所述發(fā)射層可包括主體和摻雜劑。所述主體可包括包含由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物的組合物。所述摻雜劑可包括熒光摻雜劑或磷光摻雜劑。所述磷光摻雜劑的描述可通過參考本公開內(nèi)容中的其描述而理解。例如，所述發(fā)射層可具有僅包括所述薄膜的單層結(jié)構(gòu)、或者包括本領(lǐng)域中已知的其它另外的發(fā)射層的多層結(jié)構(gòu)。所述發(fā)射層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述發(fā)射層的厚度在以上范圍內(nèi)時，所述發(fā)射層可具有發(fā)光特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。接著，可在所述發(fā)射層上設(shè)置電子傳輸區(qū)域。所述電子傳輸區(qū)域可包括空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、或其任意組合。例如，所述電子傳輸區(qū)域可具有空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)、或電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，但實施方式不限于此。所述電子傳輸層可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個或多個彼此不同的層的多層結(jié)構(gòu)。用于形成所述電子傳輸區(qū)域中的空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的條件可通過參考用于形成所述空穴注入層的條件而理解。當(dāng)所述電子傳輸區(qū)域包括空穴阻擋層時，所述空穴阻擋層可包括例如選自bcp和bphen的至少一種，但實施方式不限于此：在多種實施方式中，由式1表示的第一化合物可用作用于所述空穴阻擋層的材料，但實施方式不限于此。所述空穴阻擋層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴阻擋層的厚度在以上范圍內(nèi)時，可獲得令人滿意的空穴阻擋特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。所述電子傳輸層可進一步包括選自bcp、bphen、alq3、balq、taz、和ntaz的至少一種：在多種實施方式中，可使用由式40或41表示的化合物作為所述電子傳輸層中的電子傳輸材料：式40式41在式40和41中，l41和l42可各自獨立地選自：c6-c60亞芳基、c2-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、和二價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c6-c60亞芳基、c2-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、和二價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，a41和a42可各自獨立地為選自0-5的整數(shù)，ar41和ar42可各自獨立地選自：c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，和r41和r42可各自獨立地選自：苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、苯基、萘基、芘基、基、芴基、和菲基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、苯基、萘基、芘基、基、芴基、和菲基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、苯基、萘基、芘基、基、芴基、和菲基。式40和41中的l41和l42的描述可各自獨立地參考本公開內(nèi)容中的l11的描述。替代地，可使用由式42表示的化合物作為所述電子傳輸層中的電子傳輸材料：式42在式42中，t1可為n或c(r201)，t2可為n或c(r202)，和t3可為n或c(r203)，其中選自t1-t3的至少一個可為n，r201-r203可各自獨立地選自：氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，ar201-ar203可各自獨立地選自：c6-c60亞芳基、c2-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、和二價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c6-c60亞芳基、c2-c60亞雜芳基、二價非芳族稠合多環(huán)基團、和二價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，p、q、和r可各自獨立地為0、1或2，和ar211-ar213可各自獨立地選自：c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團；和各自被選自如下的至少一個取代的c6-c60芳基、c2-c60雜芳基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、和單價非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基。在一個實施方式中，式42中的選自t1-t3的至少兩個可為n。在多種實施方式中，式42中的t1-t3全部可為n。在式42中，ar201-ar203可各自獨立地選自：亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芘基、亞芴基、苯并[9,10]菲基、亞吡啶基、和亞嘧啶基；和各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芘基、亞芴基、苯并[9,10]菲基、亞吡啶基、和亞嘧啶基：苯基、萘基、蒽基、芘基、芴基、苯并[9,10]菲基、吡啶基、和嘧啶基，但實施方式不限于此。在式42中，p、q、和r可各自獨立地為0、1、或2。例如，在式42中，p、q、和r可各自獨立地為0或1，但實施方式不限于此。在式42中，ar211-ar213可各自獨立地選自：苯基、萘基、芘基、基、芴基、菲基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、和三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯基、萘基、芘基、基、芴基、菲基、苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、和三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，但實施方式不限于此。在一個實施方式中，式42中的選自ar211-ar213的至少一個可選自：苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、和三嗪基；和各自被選自如下的至少一個取代的苯并咪唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、苯并嘧啶基、咪唑并嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、和三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、芘基、基、菲基、吡啶基、嘧啶基、和三嗪基，但實施方式不限于此。在多種實施方式中，式42中的選自ar211-ar213的至少一個可為取代或未取代的菲基。例如，所述電子傳輸層可包括選自化合物et1至et17的至少一種，但實施方式不限于此：所述電子傳輸層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述電子傳輸層的厚度在以上范圍內(nèi)時，可獲得令人滿意的電子傳輸特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。除以上描述的材料之外，所述電子傳輸層可進一步包括包含金屬的材料。所述包含金屬的材料可包括li絡(luò)合物。所述li絡(luò)合物可包括例如化合物et-d1(羥基喹啉鋰(liq))或化合物et-d2：另外，所述電子傳輸區(qū)域可包括促進從第二電極19的電子注入的電子注入層。所述電子注入層可包括選自lif、nacl、csf、li2o、和bao的至少一種。所述電子注入層的厚度可在約-約例如約-約的范圍內(nèi)。盡管不希望受理論束縛，但是理解，當(dāng)所述電子注入層的厚度在以上范圍內(nèi)時，可獲得令人滿意的電子注入特性而沒有驅(qū)動電壓的顯著增加。第二電極19可設(shè)置在有機層15上。第二電極19可為陰極。用于形成第二電極19的材料可選自具有相對低的功函的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、和其組合。例如，可使用li、mg、al、al-li、ca、mg-in、或mg-ag作為用于形成第二電極19的材料。在多種實施方式中，為了制造頂發(fā)射型發(fā)光器件，可使用利用ito或izo形成的透射性電極作為第二電極19。在上文中，已經(jīng)參照圖1描述了有機發(fā)光器件10，但其不限于此。如本文中使用的c1-c60烷基指的是具有1-60個碳原子的直鏈或支化的脂族飽和烴單價基團。其詳細(xì)實例為甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、和己基。如本文中使用的c1-c60亞烷基指的是具有與c1-c60烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c1-c60烷氧基指的是由-oa101(其中a101為c1-c60烷基)表示的單價基團。其詳細(xì)實例為甲氧基、乙氧基、和異丙基氧基(異丙氧基)。如本文中使用的c2-c60烯基指的是通過在c2-c60烷基的中間或末端處包括至少一個碳-碳雙鍵而形成的烴基。其詳細(xì)實例為乙烯基、丙烯基、和丁烯基。如本文中使用的c2-c60亞烯基指的是具有與c2-c60烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c2-c60炔基指的是通過在c2-c60烷基的中間或末端處包括至少一個碳-碳三鍵而形成的烴基。其詳細(xì)實例為乙炔基、和丙炔基。如本文中使用的c2-c60亞炔基指的是具有與c2-c60炔基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c3-c10環(huán)烷基指的是具有3-10個碳原子的單價飽和烴單環(huán)基團。其詳細(xì)實例為環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、和環(huán)庚基。如本文中使用的c3-c10亞環(huán)烷基指的是具有與c3-c10環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c1-c10雜環(huán)烷基指的是具有至少一個選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子和1-10碳原子的單價飽和單環(huán)基團。其詳細(xì)實例為四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文中使用的c1-c10亞雜環(huán)烷基指的是具有與c1-c10雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c3-c10環(huán)烯基指的是在其環(huán)中具有3-10個碳原子和至少一個碳-碳雙鍵并且不具有芳香性的單價單環(huán)基團，并且其詳細(xì)實例為環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、和環(huán)庚烯基。如本文中使用的c3-c10亞環(huán)烯基指的是具有與c3-c10環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c1-c10雜環(huán)烯基指的是在其環(huán)中具有至少一個選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子、1-10個碳原子、和至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團。所述c1-c10雜環(huán)烯基的詳細(xì)實例為2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文中使用的c1-c10亞雜環(huán)烯基指的是具有與c1-c10雜環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的c6-c60芳基指的是具有6-60個碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的單價基團，并且如本文中使用的c6-c60亞芳基指的是具有6-60個碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的二價基團。c6-c60芳基的詳細(xì)實例為苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、和基。當(dāng)c6-c60芳基和c6-c60亞芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合。如本文中使用的術(shù)語c1-c60雜芳基指的是具有如下的雜環(huán)芳族體系和1-60個碳原子的單價基團：所述雜環(huán)芳族體系具有至少一個選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子。如本文中使用的c1-c60亞雜芳基指的是具有如下的芳族體系和1-60個碳原子的二價基團：所述芳族體系具有至少一個選自n、o、p、si和s的雜原子作為成環(huán)原子。c1-c60雜芳基的實例為吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、和異喹啉基。當(dāng)c1-c60雜芳基和c1-c60亞雜芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，所述環(huán)可彼此稠合。如本文中使用的c6-c60芳氧基表示-oa102(其中a102為c6-c60芳基)，如本文中使用的c6-c60芳硫基表示-sa103(其中a103為c6-c60芳基)，且如本文中使用的c7-c60芳烷基表示-a104a105(其中a104為c1-c54亞烷基和a105為c6-c59芳基)。如本文中使用的單價非芳族稠合多環(huán)基團指的是如下的單價基團(例如，具有8-60個碳原子)：其具有兩個或更多個彼此稠合的環(huán)，僅具有碳原子作為成環(huán)原子，并且在整個分子結(jié)構(gòu)方面具有非芳香性。所述單價非芳族稠合多環(huán)基團的詳細(xì)實例為芴基。如本文中使用的術(shù)語“二價非芳族稠合多環(huán)基團”指的是具有與所述單價非芳族稠合多環(huán)基團相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。如本文中使用的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團指的是如下的單價基團(例如，具有1-60個碳原子)：其具有兩個或更多個彼此稠合的環(huán)，除碳原子之外還具有選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子，并且在整個分子結(jié)構(gòu)方面具有非芳香性。所述單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的實例為咔唑基。如本文中使用的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團指的是具有與所述單價非芳族稠合雜多環(huán)基團相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c60亞芳基、取代的c1-c60亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c7-c60芳烷基、取代的c1-c60雜芳基、取代的c1-c60雜芳氧基、取代的c1-c60雜芳硫基、取代的c2-c60雜芳烷基、取代的單價非芳族稠合多環(huán)基團、和取代的單價非芳族稠合雜多環(huán)基團的取代基的至少一個可選自：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c7-c60芳烷基、c1-c60雜芳基、c1-c60雜芳氧基、c1-c60雜芳硫基、c2-c60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環(huán)基團、單價非芳族稠合雜多環(huán)基團、和-si(q61)(q62)(q63)，其中q1-q3、q11-q13、q21-q23、q31-q33、q41-q43、q51-q53、和q61-q63可各自獨立地選自氫、氘、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、和蒽基。當(dāng)包含規(guī)定數(shù)量的碳原子的基團被前面段落中列舉的任意基團取代時，所得“取代的”基團中的碳原子的數(shù)量定義為原始的(未取代的)基團中包含的碳原子和取代基中包含的碳原子(如果有的話)之和。例如，當(dāng)術(shù)語“取代的c1-c60烷基”指的是被c6-c60芳基取代的c1-c60烷基時，所得芳基取代的烷基中的碳原子的總數(shù)量為c7-c120。如本文中使用的術(shù)語“室溫”指的是約25℃的溫度。如本文中使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”指的是其中兩個苯環(huán)經(jīng)由單鍵連接在一起的單價基團。如本文中使用的術(shù)語“三聯(lián)苯基”指的是其中三個苯環(huán)經(jīng)由單鍵連接在一起的單價基團。在下文中，將參照合成實施例和實施例更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個或多個實施方式的有機發(fā)光器件。在描述合成實施例時使用的表述“使用b代替a”可指的是a的摩爾當(dāng)量與b的摩爾當(dāng)量相同。表述“eq”可指的是摩爾當(dāng)量。實施例評價實施例1：光致發(fā)光量子效率(plqy)的評價將聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)的ch2cl2溶液與8重量％(wt％)的化合物e-8、化合物h-16和fir6的混合物(化合物e-8對h-16的體積比為7:3，且fir6的重量為10重量％，基于化合物e-8、化合物h-16和fir6的100重量％的總重量)混合，并且通過使用旋涂器將所得產(chǎn)物涂覆在石英基底上。使所述石英基底在烘箱中在80℃的溫度下經(jīng)歷熱處理，并且將其冷卻至室溫，由此制造膜1。另外通過使用如表2中所示的組成變化而制造膜2和3以及對比膜a。通過使用裝備有氙光源、單色器、光子多通道分析儀、和積分球的hamamatsuphotonics絕對pl量子產(chǎn)率測量系統(tǒng)并且利用plqy測量軟件(hamamatsuphotonics，ltd.，shizuoka，日本)對膜1-3和對比膜a中的發(fā)光量子產(chǎn)率各自進行測量和評價。結(jié)果總結(jié)于表2中。表2基于表2中顯示的結(jié)果，確定各自利用由兩個咔唑環(huán)形成的化合物e-8、e-2、和e-5的膜1-3的plqy值比利用由僅一個咔唑環(huán)形成的化合物b的對比膜a的plqy值高。實施例1作為基底和陽極，將其上形成氧化銦錫(ito)電極的玻璃基底切割成50毫米(mm)×50mm×0.5mm的尺寸，用丙酮、異丙醇和純水超聲洗滌，各自15分鐘，并且通過暴露于uv臭氧30分鐘而洗滌。將化合物ht3和hp-1(化合物hp-1的濃度為3重量％)共沉積在陽極上以形成具有100埃的厚度的空穴注入層，并且將化合物ht3沉積在所述空穴注入層上以形成具有的厚度的空穴傳輸層。將化合物h-16沉積在所述空穴傳輸層上以形成具有的厚度的電子阻擋層，由此形成空穴傳輸區(qū)域。將各自作為主體的化合物e-8和化合物h-16以及作為磷光摻雜劑的fir6共沉積在所述空穴傳輸區(qū)域上以形成具有的厚度的發(fā)射層(所述發(fā)射層的組成示于表3中)。將mcp真空沉積在所述發(fā)射層上以形成具有的厚度的空穴阻擋層，并且將化合物et17和liq以5:5的重量比共沉積在所述空穴阻擋層上以形成具有的厚度的電子傳輸層。然后，將liq沉積在所述電子傳輸層上以形成具有的厚度的電子注入層，并且將al在所述電子注入層形成至的厚度，由此完成有機發(fā)光器件的制造。實施例2-6和對比例a-d以與實施例1中相同的方式制造有機發(fā)光器件，除了在形成發(fā)射層時，分別使用表3中所示的主體和摻雜劑。表3評價實施例2：有機發(fā)光器件的特性的評價通過使用電流-電壓測量儀(keithley2400)和亮度測量儀(minoltacs-1000a)測量實施例1-6和對比例a-d的有機發(fā)光器件的驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、功率效率、量子效率和壽命(t95)特性，并且其結(jié)果示于表4中。這里，通過測量有機發(fā)光器件的亮度達(dá)到初始亮度(即，100％)的70％時的時間而獲得壽命t70(在500尼特下)結(jié)果。表4基于表4中所示的結(jié)果，確定與對比例a-d的有機發(fā)光器件的那些相比，實施例1-6的有機發(fā)光器件具有更低的驅(qū)動電壓、更高的發(fā)光效率、更高的功率效率、更高的量子效率和更長的壽命。根據(jù)一個或多個實施方式的有機發(fā)光器件包括包含第一化合物和第二化合物的組合物或薄膜，且因此，同時具有低的驅(qū)動電壓、高的發(fā)光效率、高的功率效率、高的量子效率和長的壽命。應(yīng)理解，本文中描述的實施方式應(yīng)僅在描述的意義上考慮且不用于限制的目的。在各實施方式中的特征或方面的描述應(yīng)典型地被認(rèn)為可用于其它實施方式中的其它類似特征或方面。盡管已經(jīng)參照附圖描述了一個或多個實施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離如由所附權(quán)利要求所限定的本公開內(nèi)容的精神和范圍的情況下，可在其中進行形式和細(xì)節(jié)方面的多種變化。當(dāng)前第1頁12