本發(fā)明涉及膠粘薄膜、切割膠帶一體型膠粘薄膜、多層薄膜、半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

作為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體裝置的高功能化、小型化等要求的技術(shù)，已知三維安裝技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2013-30684號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

如圖12所示，通過(guò)具有將芯片接合用芯片2005壓接在構(gòu)件2006上的工序等的方法等可以制造半導(dǎo)體裝置。在此，芯片接合用芯片2005具有半導(dǎo)體芯片2041和配置在半導(dǎo)體芯片2041上的薄膜狀膠粘劑2111。構(gòu)件2006具有被粘物2606、半導(dǎo)體芯片2641以及連接半導(dǎo)體芯片2641和被粘物2606的接合線2607。膠粘劑層2611位于半導(dǎo)體芯片2641與被粘物2606之間。

在這樣的制造方法中，有時(shí)在接合線2607的周邊產(chǎn)生空隙?？障秾?dǎo)致半導(dǎo)體裝置的可靠性下降，因此希望減少空隙量。另外，通過(guò)將芯片接合用芯片2005壓接在構(gòu)件2006上，有時(shí)薄膜狀膠粘劑2111向側(cè)面突出。

本發(fā)明的目的在于解決上述問(wèn)題，提供能夠減少接合線周邊的空隙、并且可以減少突出的膠粘薄膜。

本發(fā)明的目的還在于提供包含所述膠粘薄膜的切割膠帶一體型膠粘薄膜、多層薄膜。本發(fā)明的目的還在于提供使用所述膠粘薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的目的還在于提供使用所述膠粘薄膜得到的半導(dǎo)體裝置。

用于解決問(wèn)題的手段

本發(fā)明涉及一種膠粘薄膜，其中，所述膠粘薄膜的120℃、頻率0.1Hz的tanδ(損耗彈性模量G”/儲(chǔ)能彈性模量G’)為0.7～2.0。tanδ為0.7以上，因此芯片粘接時(shí)本發(fā)明的膠粘薄膜是柔軟的。因此，可以減少接合線周邊的空隙。tanδ為2.0以下，因此可以減少突出。

本發(fā)明的膠粘薄膜的120℃、頻率0.1Hz的儲(chǔ)能彈性模量G’優(yōu)選為10000Pa以下。本發(fā)明的膠粘薄膜的120℃、頻率0.1Hz的損耗彈性模量G”優(yōu)選為5000Pa以下。

本發(fā)明的膠粘薄膜的120℃的粘度優(yōu)選為2000Pa·s以下。

本發(fā)明還涉及一種切割膠帶一體型膠粘薄膜。本發(fā)明的切割膠帶一體型膠粘薄膜包含：包含基材和配置在基材上的粘合劑層的切割膠帶、和配置在粘合劑層上的膠粘薄膜。

本發(fā)明還涉及一種多層薄膜。本發(fā)明的多層薄膜包含：隔片、和配置在隔片上的切割膠帶一體型膠粘薄膜。

本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括準(zhǔn)備包含被粘物、第1半導(dǎo)體芯片以及接合線的構(gòu)件 的工序。接合線將第1半導(dǎo)體芯片和被粘物連接。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括將半導(dǎo)體晶片壓接在膠粘薄膜上的工序、在將半導(dǎo)體晶片壓接在膠粘薄膜上的工序之后，通過(guò)進(jìn)行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序、和將芯片接合用芯片壓接在構(gòu)件上的工序。芯片接合用芯片包含第2半導(dǎo)體芯片和配置在第2半導(dǎo)體芯片上的薄膜狀膠粘劑。

本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是多層薄膜的概略俯視圖。

圖2是多層薄膜的一部分的概略剖視圖。

圖3是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖4是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖5是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖6是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖7是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖8是變形例4的多層薄膜的一部分的概略剖視圖。

圖9是變形例6的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖10是變形例6的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

圖11是實(shí)施方式2的多層薄膜的概略剖視圖。

圖12是半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖視圖。

附圖標(biāo)記

1 多層薄膜

11 膠粘薄膜

12 切割膠帶

13 隔片

71 切割膠帶一體型膠粘薄膜

121 基材

122 粘合劑層

122A 接觸部

122B 周邊部

4 半導(dǎo)體晶片

5 芯片接合用芯片

41 半導(dǎo)體芯片

111 薄膜狀膠粘劑

6 構(gòu)件

606 被粘物

611 膠粘層

641 半導(dǎo)體芯片

607 接合線

2 復(fù)合構(gòu)件

407 接合線

411 膠粘層

8 密封樹(shù)脂

20 復(fù)合體

1005 層疊用芯片

1041 半導(dǎo)體芯片

1111 薄膜狀膠粘劑

1407 接合線

9 多層薄膜

14 隔片

15 隔片

具體實(shí)施方式

以下列出實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于這些實(shí)施方式。

[實(shí)施方式1]

(多層薄膜1)

如圖1和圖2所示，多層薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的膠粘薄膜11。更具體而言，多層薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的切割膠帶一體型膠粘薄膜71a、71b、71c、……、71m(以下統(tǒng)稱(chēng)為“切割膠帶一體型膠粘薄膜71”)。切割膠帶一體型膠粘薄膜71a與切割膠帶一體型膠粘薄膜71b之間的距離、切割膠帶一體型膠粘薄膜71b與切割膠帶一體型膠粘薄膜71c之間的距離、……、切割膠帶一體型膠粘薄膜71l與切割膠帶一體型膠粘薄膜71m之間的距離是恒定的。多層薄膜1可以形成為卷筒狀。

切割膠帶一體型膠粘薄膜71包含切割膠帶12和配置在切割膠帶上的膠粘薄膜11。切割膠帶12包含基材121和配置在基材121上的粘合劑層122。膠粘薄膜11可以由與粘合劑層11接觸的第1主面和與第1主面相對(duì)的第2主面定義兩面。第2主面與隔片13接觸。

(膠粘薄膜11)

膠粘薄膜11具有熱固化性。膠粘薄膜11還具有電絕緣性。

膠粘薄膜11的120℃、頻率0.1Hz的tanδ為0.7以上。由于為0.7以上，因此芯片粘接時(shí)膠粘薄膜11是柔軟的。因此，可以減少接合線周邊的空隙。另一方面，膠粘薄膜11的120℃、頻率0.1Hz的tanδ為2.0以下。為2.0以下時(shí)，可以減少突出。tanδ優(yōu)選為1.9以下。tanδ為損耗彈性模量G”/儲(chǔ)能彈性模量G’。

120℃、頻率0.1Hz的tanδ可以通過(guò)填料的含量、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的含量等控制。例如，通過(guò)減少填料的含量、減少丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的含量，可以降低tanδ。

120℃、頻率0.1Hz的儲(chǔ)能彈性模量G’優(yōu)選為10000Pa以下，更優(yōu)選為8000Pa以下，進(jìn)一步優(yōu)選為6000Pa以下，更進(jìn)一步優(yōu)選為4000Pa 以下。為10000Pa以下時(shí)，可以減少接合線周邊的空隙。120℃、頻率0.1Hz的儲(chǔ)能彈性模量G’的下限例如為100Pa、200Pa等。

120℃、頻率0.1Hz的損耗彈性模量G”優(yōu)選為5000Pa以下，更優(yōu)選為3000Pa以下。為5000Pa以下時(shí)，可以有效地減少突出。120℃、頻率0.1Hz的損耗彈性模量G”的下限例如為300Pa、400Pa等。

膠粘薄膜11的120℃的粘度優(yōu)選為2000Pa·s以下，更優(yōu)選為1500Pa·s以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1300Pa·s以下。為2000Pa·s以下時(shí)，可以減少接合線周邊的空隙。120℃的粘度的下限例如為100Pa·s、300Pa·s等。

膠粘薄膜11含有樹(shù)脂成分。作為樹(shù)脂成分，可以列舉熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂等。

熱塑性樹(shù)脂優(yōu)選為丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂。

作為丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂，沒(méi)有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4～18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作為成分的聚合物(丙烯酸類(lèi)共聚物)等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。

另外，作為形成聚合物(丙烯酸類(lèi)共聚物)的其它單體，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基) 丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基單體。

丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂中，優(yōu)選重均分子量為10萬(wàn)以上的樹(shù)脂，更優(yōu)選重均分子量為30萬(wàn)～300萬(wàn)的樹(shù)脂，進(jìn)一步優(yōu)選重均分子量為50萬(wàn)～200萬(wàn)的樹(shù)脂。這是因?yàn)?，重均分子量在上述?shù)值范圍內(nèi)時(shí)，膠粘性及耐熱性?xún)?yōu)良。需要說(shuō)明的是，重均分子量是通過(guò)GPC(凝膠滲透色譜法)進(jìn)行測(cè)定，并通過(guò)聚苯乙烯換算而計(jì)算出的值。

丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂優(yōu)選含有能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的官能團(tuán)。由此，可以將丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂與環(huán)氧樹(shù)脂交聯(lián)。

作為能夠與環(huán)氧基反應(yīng)的官能團(tuán)，可以列舉例如羥基、羧基等。

作為熱固性樹(shù)脂，可以列舉環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂等。

作為環(huán)氧樹(shù)脂，沒(méi)有特別限制，可以使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環(huán)氧樹(shù)脂。這些環(huán)氧樹(shù)脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂或四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)?，這些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。

優(yōu)選樹(shù)脂成分包含在室溫下呈固態(tài)的環(huán)氧樹(shù)脂(以下稱(chēng)為“第1環(huán)氧樹(shù)脂”)。

第1環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為120g/eq.以上，更優(yōu)選為170g/eq.以上。第1環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為270g/eq.以下，更優(yōu)選為220g/eq.以下。

需要說(shuō)明的是，環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量可以通過(guò)JIS K 7236-2009中規(guī)定的方法測(cè)定。

環(huán)氧樹(shù)脂100重量％中第1環(huán)氧樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為10重量％以上，更優(yōu)選為20重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為30重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為40重量％以上。環(huán)氧樹(shù)脂100重量％中第1環(huán)氧樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為70重量％以下，更優(yōu)選為60重量％以下。

優(yōu)選樹(shù)脂成分包含在室溫下呈液態(tài)的環(huán)氧樹(shù)脂(以下稱(chēng)為“第2環(huán)氧樹(shù)脂”)。

第2環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為120g/eq.以上，更優(yōu)選為170g/eq.以上。第2環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為270g/eq.以下，更優(yōu)選為220g/eq.以下。

在本說(shuō)明書(shū)中，在室溫下呈液態(tài)是指25℃的粘度小于5000Pa·s。需要說(shuō)明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制造的型號(hào)HAAKE Roto VISCO1測(cè)定。

環(huán)氧樹(shù)脂100重量％中第2環(huán)氧樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為30重量％以上，更優(yōu)選為40重量％以上。環(huán)氧樹(shù)脂100重量％中第2環(huán)氧樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為90重量％以下，更優(yōu)選為80重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為70重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為60重量％以下。

酚醛樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑起作用，可以列舉例如：苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂、甲階酚醛樹(shù)脂型酚醛樹(shù)脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹(shù)脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂。這是因?yàn)榭梢蕴岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。

優(yōu)選酚醛樹(shù)脂在室溫下呈固態(tài)。

酚醛樹(shù)脂的羥基當(dāng)量?jī)?yōu)選為120g/eq.以上，更優(yōu)選為170g/eq.以上。酚醛樹(shù)脂的羥基當(dāng)量?jī)?yōu)選為270g/eq.以下，更優(yōu)選為220g/eq.以下。

關(guān)于環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的配合比例，優(yōu)選例如以相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂成分中的環(huán)氧基1當(dāng)量酚醛樹(shù)脂中的羥基為0.5～2.0當(dāng)量的方式進(jìn)行配合。更優(yōu)選為0.8～1.2當(dāng)量。即，這是因?yàn)椋簝烧叩呐浜媳壤绻谒龇秶酝?，則固化反應(yīng)不充分進(jìn)行，固化物的特性容易變差。

膠粘薄膜11中的樹(shù)脂成分的含量?jī)?yōu)選為30重量％以上，更優(yōu)選為40重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50重量％以上。膠粘薄膜11中的樹(shù)脂成分的含量?jī)?yōu)選為95重量％以下。

膠粘薄膜11中的熱塑性樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為5重量％以上，更優(yōu)選為10重量％以上。膠粘薄膜11中的熱塑性樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為70重量％以下，更優(yōu)選為50重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為40重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為30重量％以下。

膠粘薄膜11中的環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的合計(jì)含量?jī)?yōu)選為30重量％以上，更優(yōu)選為40重量％以上。膠粘薄膜11中的環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的合計(jì)含量?jī)?yōu)選為80重量％以下，更優(yōu)選為70重量％以下。

膠粘薄膜11優(yōu)選含有填料。優(yōu)選填料具有電絕緣性。

作為填料，可以列舉無(wú)機(jī)填料、有機(jī)填料等。其中，優(yōu)選有機(jī)填料。有機(jī)填料不容易使接合線彎曲，可以減少接合線、半導(dǎo)體芯片的損傷。

作為有機(jī)填料，可以列舉具有三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂等。有機(jī)填料優(yōu)選為甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂(以下稱(chēng)為“PMMA樹(shù)脂”)。

有機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選為0.01μm以上，更優(yōu)選為0.1μm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1μm以上。為0.01μm以上時(shí)，膠粘薄膜11的流動(dòng)性不會(huì)顯著下降。有機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選為5μm以下，更優(yōu)選為3μm以下。為5μm以下時(shí)，可以防止膠粘薄膜11的表面粗糙。即，可以防止在膠粘薄膜11的表面產(chǎn)生凹凸。有機(jī)填料的平均粒徑可以使用光度式粒度分布計(jì)(堀場(chǎng)制造，裝置名：LA-910)求出。

將膠粘薄膜11的厚度設(shè)為100％時(shí)，有機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選為50％以下。為50％以下時(shí)，可以防止膠粘薄膜11的表面粗糙。將膠粘薄膜11的厚度設(shè)為100％時(shí)，有機(jī)填料的平均粒徑優(yōu)選為0.01％以上。為0.01％以上時(shí)，膠粘薄膜11的流動(dòng)性不會(huì)顯著下降。

有機(jī)填料的最大粒徑優(yōu)選為10μm以下，更優(yōu)選為5μm以下。為10μm以下時(shí)，可以防止膠粘薄膜11的表面粗糙。有機(jī)填料的最大粒徑可以使用光度式粒度分布計(jì)(堀場(chǎng)制造，裝置名：LA-910)求出。

將膠粘薄膜11的厚度設(shè)為100％時(shí)，有機(jī)填料的最大粒徑優(yōu)選為50％以下。為50％以下時(shí)，可以防止膠粘薄膜11的表面粗糙。

在有機(jī)填料的粒度分布中，優(yōu)選90％以上的有機(jī)填料存在于 0.01μm～5μm的范圍內(nèi)。90％以上的有機(jī)填料存在于所述范圍內(nèi)時(shí)，粗大的粒子少。因此，可以防止膠粘薄膜11的表面粗糙。

作為有機(jī)填料的形狀，可以列舉例如薄片狀、針狀、長(zhǎng)絲狀、球形、鱗片狀等。從可以減少接合線的損傷、半導(dǎo)體芯片的損傷的理由考慮，優(yōu)選球形。

膠粘薄膜11中的有機(jī)填料的含量?jī)?yōu)選為5重量％以上，更優(yōu)選為10重量％以上。膠粘薄膜11中的有機(jī)填料的含量?jī)?yōu)選為60重量％以下，更優(yōu)選為50重量％以下。

無(wú)機(jī)填料優(yōu)選為二氧化硅。

二氧化硅的平均粒徑優(yōu)選為0.01μm以上，更優(yōu)選為0.1μm以上。二氧化硅的平均粒徑優(yōu)選為10μm以下，更優(yōu)選為2μm以下。二氧化硅的平均粒徑可以使用光度式粒度分布計(jì)(堀場(chǎng)制造，裝置名：LA-910)求出。

作為二氧化硅的形狀，可以列舉例如薄片狀、針狀、長(zhǎng)絲狀、球形、鱗片狀等。其中，優(yōu)選球形。

膠粘薄膜11中的無(wú)機(jī)填料的含量?jī)?yōu)選為5重量％以上，更優(yōu)選為10重量％以上。膠粘薄膜11中的無(wú)機(jī)填料的含量?jī)?yōu)選為60重量％以下，更優(yōu)選為50重量％以下。

膠粘薄膜11優(yōu)選含有固化促進(jìn)劑。固化促進(jìn)劑的含量相對(duì)于樹(shù)脂成分100重量份優(yōu)選為0.1～5重量份，更優(yōu)選為0.1～3重量份。為0.1重量份以上時(shí)，可以在短時(shí)間內(nèi)固化。

作為固化促進(jìn)劑，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如：咪唑類(lèi)化合物、 三苯基膦類(lèi)化合物、胺類(lèi)化合物、三苯基硼烷類(lèi)化合物、三鹵代硼烷類(lèi)化合物等。

作為咪唑類(lèi)化合物，可以列舉：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸鹽(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基(1)’]乙基-均三嗪異氰脲酸加成產(chǎn)物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等(均為四國(guó)化成株式會(huì)社制)。

作為三苯基膦類(lèi)化合物，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如：三苯基膦、三丁基膦、三(對(duì)甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦等三有機(jī)膦、四苯基溴化(商品名：TPP-PB)、甲基三苯基溴化(商品名：TPP-MB)、甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MC)、甲氧基甲基三苯基氯化(商品名：TPP-MOC)、芐基三苯基氯化(商品名：TPP-ZC)等(均為北興化學(xué)公司制)。

作為三苯基硼烷類(lèi)化合物，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如三(對(duì)甲基苯基)硼烷等。另外，作為三苯基硼烷類(lèi)化合物，還包括具有三苯基膦結(jié)構(gòu)的化合物。作為具有三苯基膦結(jié)構(gòu)及三苯基硼烷結(jié)構(gòu)的化合物，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如：四苯基四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-K)、四苯基四對(duì)甲苯基硼酸鹽(商品名：TPP-MK)、芐基三苯基 四苯基硼酸鹽(商品名：TPP-ZK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等(均為北興化學(xué)公司制)。

作為胺類(lèi)化合物，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如：一乙醇胺三氟硼酸鹽(STELLA CHEMIFA株式會(huì)社制)、雙氰胺(NACALAI TESQUE株式會(huì)社制)等。

作為三鹵代硼烷類(lèi)化合物，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如三氯硼烷等。

膠粘薄膜11除了前述成分以外可以適當(dāng)含有一般用于薄膜制造的配合劑，例如交聯(lián)劑等。

膠粘薄膜11可以通過(guò)通常的方法制造。例如，通過(guò)制作含有前述各成分的膠粘劑組合物溶液，將膠粘劑組合物溶液涂布到基材隔片上以達(dá)到規(guī)定厚度而形成涂膜，然后將涂膜干燥，可以制造膠粘薄膜11。

作為膠粘劑組合物溶液中使用的溶劑，沒(méi)有特別限制，優(yōu)選能夠?qū)⑶笆龈鞒煞志鶆虻厝芙狻⒒鞜捇蚍稚⒌挠袡C(jī)溶劑?？梢粤信e例如：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類(lèi)溶劑、甲苯、二甲苯等。涂布方法沒(méi)有特別限制。作為溶劑涂布的方法，可以列舉例如：口模式涂布機(jī)、凹版涂布機(jī)、輥式涂布機(jī)、逆轉(zhuǎn)涂布機(jī)、逗號(hào)刮刀涂布機(jī)、管式刮刀涂布機(jī)(パイプドクターコーター)、絲網(wǎng)印刷等。其中，從涂布厚度的均勻性高的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選口模式涂布機(jī)。

作為基材隔片，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類(lèi)剝離劑等剝離劑進(jìn)行表面涂布后的塑料薄膜或紙等。作為膠粘劑組合物溶液的涂布方法，可以列舉例如：輥式涂布、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，涂 膜的干燥條件沒(méi)有特別限制，例如可以在干燥溫度70℃～160℃、干燥時(shí)間1分鐘～5分鐘的條件下進(jìn)行。

作為膠粘薄膜11的制造方法，例如通過(guò)利用混合器將前述各成分混合，并將所得到的混合物壓制成形而制造膠粘薄膜11的方法等也是適合的。作為混合器，可以列舉行星式混合器等。

作為膠粘薄膜11的厚度，優(yōu)選為5μm以上，更優(yōu)選為10μm以上。膠粘薄膜11的厚度優(yōu)選為200μm以下，更優(yōu)選為100μm以下。

膠粘薄膜11可以用于制造半導(dǎo)體裝置。

(隔片13)

作為隔片13，可以列舉聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片13優(yōu)選為經(jīng)脫模處理后的隔片。隔片13的厚度可以適當(dāng)設(shè)定。

(切割膠帶一體型膠粘薄膜71)

切割膠帶一體型膠粘薄膜71包含切割膠帶12和配置在切割膠帶12上的膠粘薄膜11。切割膠帶12包含基材121和配置在基材121上的粘合劑層122。粘合劑層122包含與膠粘薄膜11接觸的接觸部122A。粘合劑層122還包含配置在接觸部122A的周邊的周邊部122B。接觸部122A利用輻射線進(jìn)行了固化。另一方面，周邊部122B具有利用輻射線固化的性質(zhì)。作為輻射線，優(yōu)選紫外線。

基材121優(yōu)選具有輻射線透射性。基材121更優(yōu)選具有紫外線透射性。作為基材121，可以使用例如：紙等紙類(lèi)基材；布、無(wú)紡布、氈、網(wǎng)等纖維類(lèi)基材；金屬箔、金屬板等金屬類(lèi)基材；塑料薄膜或片等塑料類(lèi)基材；橡膠片等橡膠類(lèi)基材；發(fā)泡片等發(fā)泡體；以及它們的層疊體[特別是塑料類(lèi)基材與其它基材的層疊體、塑料薄膜(或片)彼此的層疊體等]等適當(dāng)?shù)谋∑瑺钗?。作為基?21，可以?xún)?yōu)選使用塑料薄膜或 片等塑料類(lèi)基材。作為這樣的塑料材料的材料，可以列舉例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烴類(lèi)樹(shù)脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹(shù)脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物等以乙烯作為單體成分的共聚物；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龍)、全芳香族聚酰胺(ARAMID)等酰胺類(lèi)樹(shù)脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類(lèi)樹(shù)脂；聚硅氧烷樹(shù)脂；含氟樹(shù)脂等。

基材121可以以未拉伸的形式使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。通過(guò)拉伸處理等賦予基材121熱收縮性，通過(guò)使基材121熱收縮，可以減少粘合劑層122與膠粘薄膜11的膠粘面積，可以容易回收半導(dǎo)體元件。

為了提高與鄰接層的粘附性、保持性等，基材121的表面可以實(shí)施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、暴露于臭氧、暴露于火焰、暴露于高壓電擊、電離輻射處理等化學(xué)或物理處理、利用底涂劑的涂布處理。

基材121可以適當(dāng)?shù)剡x擇使用相同種類(lèi)或不同種類(lèi)的基材，可以根據(jù)需要將多種共混后使用。另外，為了賦予基材121防靜電能力，可以在基材121上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約～約的導(dǎo)電性物質(zhì)的蒸鍍層?；?21可以為單層或兩層以上的多層。

基材121的厚度(在層疊體的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限制，可以根據(jù)強(qiáng)度、柔軟性、使用目的等適當(dāng)選擇，例如，一般為約1000μm以下(例如約1μm～約1000μm)，優(yōu)選為約10μm～約500μm，進(jìn)一 步優(yōu)選為約20μm～約300μm，特別為約30μm～約200μm，但是不限于這些。

需要說(shuō)明的是，基材121中可以含有各種添加劑(著色劑、填充材料、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。

粘合劑層122由粘合劑形成，具有粘合性。作為這樣的粘合劑，沒(méi)有特別限制，可以從公知的粘合劑中適當(dāng)選擇。具體而言，作為粘合劑，可以從例如丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠類(lèi)粘合劑、乙烯基烷基醚類(lèi)粘合劑、聚硅氧烷類(lèi)粘合劑、聚酯類(lèi)粘合劑、聚酰胺類(lèi)粘合劑、聚氨酯類(lèi)粘合劑、含氟型粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類(lèi)粘合劑、在這些粘合劑中配合有熔點(diǎn)約200℃以下的熱熔融性樹(shù)脂的蠕變特性改良型粘合劑等公知的粘合劑(例如參見(jiàn)日本特開(kāi)昭56-61468號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61-174857號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63-17981號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56-13040號(hào)公報(bào)等)中適當(dāng)選擇使用具有所述特性的粘合劑。另外，作為粘合劑，可以使用輻射固化型粘合劑(或者能量射線固化型粘合劑)、熱膨脹性粘合劑。粘合劑可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。

作為粘合劑，可以?xún)?yōu)選使用丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠類(lèi)粘合劑，特別優(yōu)選丙烯酸類(lèi)粘合劑。作為丙烯酸類(lèi)粘合劑，可以列舉以使用一種或兩種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分的丙烯酸類(lèi)聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類(lèi)粘合劑。

作為丙烯酸類(lèi)粘合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲 基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選烷基的碳原子數(shù)為4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。需要說(shuō)明的是，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以為直鏈或支鏈的任一種。

需要說(shuō)明的是，為了改善凝集力、耐熱性、交聯(lián)性等，丙烯酸類(lèi)聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它單體成分(可共聚單體成分)對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的可共聚單體成分，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯、(甲基)丙烯酸羥基辛酯、(甲基)丙烯酸羥基癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代的)酰胺類(lèi)單體；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯類(lèi)單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類(lèi)單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環(huán)氧基丙烯酸類(lèi)單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯類(lèi)單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯類(lèi)單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴類(lèi)單體；乙烯基醚等乙烯基醚類(lèi)單體；N- 乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺類(lèi)、N-乙烯基己內(nèi)酰胺等含氮單體；N-環(huán)己基馬來(lái)酰亞胺、N-異丙基馬來(lái)酰亞胺、N-月桂基馬來(lái)酰亞胺、N-苯基馬來(lái)酰亞胺等馬來(lái)酰亞胺類(lèi)單體；N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N-丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、N-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺等衣康酰亞胺類(lèi)單體；N-(甲基)丙烯酰氧亞甲基琥珀酰亞胺、N-[6-(甲基)丙烯酰氧基六亞甲基]琥珀酰亞胺、N-[8-(甲基)丙烯酰氧基八亞甲基]琥珀酰亞胺等琥珀酰亞胺類(lèi)單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇類(lèi)丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷(甲基)丙烯酸酯等具有雜環(huán)、鹵素原子、硅原子等的丙烯酸酯類(lèi)單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。

使用輻射固化型粘合劑(或者能量射線固化型粘合劑)作為粘合劑的情況下，作為輻射固化型粘合劑(組合物)，可以列舉例如：使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型的輻射固化型粘合劑、或者在粘合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的輻射固化型粘合劑等。另外，使用熱膨脹性粘合劑作為粘合劑的情況下，作為熱膨脹性粘合劑，可以列舉例如：含有粘合劑和發(fā)泡劑(特別是熱膨脹性微球)的熱膨脹性粘合劑等。

粘合劑層122可以含有各種添加劑(例如，增粘樹(shù)脂、著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。

粘合劑層122例如可以通過(guò)將粘合劑(壓敏膠粘劑)和根據(jù)需要的溶劑、其它添加劑等混合，并利用形成為片狀層的慣用的方法形成。具體而言，例如，可以通過(guò)將含有粘合劑以及根據(jù)需要的溶劑和其它添加劑的混合物涂布到基材121上的方法、將混合物涂布到適當(dāng)?shù)母羝?剝離紙等)上而形成粘合劑層122并將其轉(zhuǎn)印(轉(zhuǎn)移)到基材121上的方法等形成粘合劑層122。

粘合劑層122的厚度優(yōu)選為1μm以上，更優(yōu)選為2μm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為5μm以上。粘合劑層122的厚度優(yōu)選為100μm以下，更優(yōu)選為50μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為30μm以下。需要說(shuō)明的是，粘合劑層122可以為單層、多層的任一種。

(半導(dǎo)體裝置的制造方法)

如圖3所示，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割膠帶一體型膠粘薄膜71上。作為半導(dǎo)體晶片4，可以列舉硅晶片、碳化硅晶片、化合物半導(dǎo)體晶片等。作為化合物半導(dǎo)體晶片，可以列舉氮化鎵晶片等。

作為壓接方法，可以列舉例如利用壓接輥等按壓工具進(jìn)行按壓的方法等。

壓接溫度(粘貼溫度)優(yōu)選為35℃以上，更優(yōu)選為37℃以上。優(yōu)選壓接溫度的上限低，優(yōu)選為80℃以下，更優(yōu)選為70℃以下。通過(guò)在低溫下壓接，可以防止對(duì)半導(dǎo)體晶片4的熱影響，并且可以抑制半導(dǎo)體晶片4的翹曲。另外，壓力優(yōu)選為1×10⁵Pa～1×10⁷Pa，更優(yōu)選為2×10⁵Pa～8×10⁶Pa。

如圖4所示，通過(guò)將半導(dǎo)體晶片4切割，形成芯片接合用芯片5。芯片接合用芯片5包含半導(dǎo)體芯片41和配置在半導(dǎo)體芯片41上的薄膜狀膠粘劑111。半導(dǎo)體芯片41包含電極焊盤(pán)。作為電極焊盤(pán)的材料，可以列舉鋁等。本工序中，可以采用切入一直進(jìn)行到切割膠帶一體型膠粘薄膜71的稱(chēng)為全切割的切割方式等。作為切割裝置，沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導(dǎo)體晶片4由切割膠帶一體型膠粘薄膜71膠粘固定，因此可以抑制芯片缺損或芯片飛散，并且也可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。

將芯片接合用芯片5拾取。作為拾取方法，沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的各種方法。例如可以列舉：用針將各個(gè)半導(dǎo)體芯片41從切割膠帶一體型膠粘薄膜71一側(cè)上推，然后利用拾取裝置拾取芯片接合用芯片5的方法等。

如圖5所示，準(zhǔn)備構(gòu)件6。構(gòu)件6包含被粘物606、半導(dǎo)體芯片641和將半導(dǎo)體芯片641和被粘物606連接的接合線607。更具體而言，構(gòu)件6包含被粘物606、配置在被粘物606上的膠粘層611、配置在膠粘層611上的半導(dǎo)體芯片641和將半導(dǎo)體芯片641和被粘物606連接的接合線607。接合線607將半導(dǎo)體芯片641的電極焊盤(pán)與被粘物606的端子連接。即，接合線607的一端與半導(dǎo)體芯片41的電極焊盤(pán)接觸。接合線607的另一端與被粘物606的端子接觸。作為被粘物606，可以列舉引線框、TAB薄膜、基板等。作為接合線607的材料，可以列舉銅等。

如圖6所示，通過(guò)將芯片接合用芯片6壓接在構(gòu)件6上而形成復(fù)合構(gòu)件2。具體而言，將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6的半導(dǎo)體芯片641上。

復(fù)合構(gòu)件2包含構(gòu)件6和配置在構(gòu)件6上的芯片接合用芯片5。 具體而言，復(fù)合構(gòu)件2包含被粘物606、配置在被粘物606上的膠粘層611、配置在膠粘層611上的半導(dǎo)體芯片641、配置在半導(dǎo)體芯片641上的薄膜狀膠粘劑111、配置在薄膜狀膠粘劑111上的半導(dǎo)體芯片41和具有埋入薄膜狀膠粘劑111的部分的接合線607。接合線607將半導(dǎo)體芯片641和被粘物606連接。接合線607的一端與半導(dǎo)體芯片41的電極焊盤(pán)接觸。接合線607的另一端與被粘物606的端子接觸。接合線607的另一端未與薄膜狀膠粘劑111接觸。

將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6上的溫度(以下也稱(chēng)為“芯片粘接溫度”)優(yōu)選為80℃以上，更優(yōu)選為100℃以上，進(jìn)一步優(yōu)選為110℃以上。另外，芯片粘接溫度優(yōu)選為180℃以下，更優(yōu)選為140℃以下，進(jìn)一步優(yōu)選為130℃以下。

芯片粘接的載荷優(yōu)選為0.05MPa以上。芯片粘接的載荷優(yōu)選為0.5MPa以下，更優(yōu)選為0.3MPa以下。

通過(guò)加熱復(fù)合構(gòu)件2而使薄膜狀膠粘劑111固化。由此，使半導(dǎo)體芯片41固定在構(gòu)件6上。優(yōu)選在加壓氣氛下加熱薄膜狀膠粘劑111。通過(guò)在加壓氣氛下使薄膜狀膠粘劑111固化，可以消除在薄膜狀膠粘劑111與構(gòu)件6之間存在的空隙，可以確保薄膜狀膠粘劑111與構(gòu)件6接觸的面積。

作為在加壓氣氛下加熱的方法，可以列舉例如：對(duì)配置在填充有惰性氣體的腔室內(nèi)的復(fù)合構(gòu)件2進(jìn)行加熱的方法等。加壓氣氛的壓力優(yōu)選為0.5kg/cm²(4.9×10^-2MPa)以上。為0.5kg/cm²以上時(shí)，可以容易地消除在薄膜狀膠粘劑111與構(gòu)件6之間存在的空隙。加壓氣氛的壓力優(yōu)選為20kg/cm²(1.96MPa)以下。為20kg/cm²以下時(shí)，可以抑制由于過(guò)度的加壓而造成的薄膜狀膠粘劑111的突出。

加熱溫度優(yōu)選為100℃以上，更優(yōu)選為120℃以上。加熱溫度優(yōu)選 為260℃以下，更優(yōu)選為200℃以下。

如圖7所示，用接合線407將半導(dǎo)體芯片41的電極焊盤(pán)與被粘物606的端子電連接。

引線接合工序包括：將接合線407的一端與半導(dǎo)體芯片41的電極焊盤(pán)接合的步驟、將接合線407的另一端與被粘物606的端子接合的步驟等。

進(jìn)行引線接合工序后，利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片41和半導(dǎo)體芯片641密封。作為密封樹(shù)脂，例如使用環(huán)氧樹(shù)脂。

根據(jù)需要，在密封后可以進(jìn)一步進(jìn)行加熱(后固化工序)。由此，可以使在密封工序中固化不充分的密封樹(shù)脂8完全固化。加熱溫度可以適當(dāng)設(shè)定。

通過(guò)以上的方法得到的半導(dǎo)體裝置包含被粘物606、配置在被粘物606上的膠粘層611、配置在膠粘層611上的半導(dǎo)體芯片641、配置在半導(dǎo)體芯片641上的膠粘層411、配置在膠粘層411上的半導(dǎo)體芯片41和具有埋入膠粘層411的部分的接合線607。半導(dǎo)體裝置還包含半導(dǎo)體芯片41和覆蓋半導(dǎo)體芯片641的密封樹(shù)脂8。密封樹(shù)脂8也覆蓋接合線607。膠粘層411通過(guò)薄膜狀膠粘劑111固化而形成。

半導(dǎo)體裝置可以用于存儲(chǔ)器等。

如上所述，半導(dǎo)體裝置的制造方法包括準(zhǔn)備構(gòu)件6的工序、將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的工序、在將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的工序之后通過(guò)進(jìn)行芯片分割而形成芯片接合用芯片5的工序、和將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6上的工序。

還包括加熱通過(guò)將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6上的工序而形成的復(fù)合構(gòu)件2，從而使薄膜狀膠粘劑111固化的工序。還包括利用接合線407將半導(dǎo)體芯片41和被粘物606連接的工序。還包括利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片41和半導(dǎo)體芯片641密封的工序。

(變形例1)

粘合劑層122的接觸部122A具有利用輻射線固化的性質(zhì)。粘合劑層122的周邊部122B也具有利用輻射線固化的性質(zhì)。在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成芯片接合用芯片5，對(duì)粘合劑層122照射紫外線，并拾取芯片接合用芯片5。由此，粘合劑層122對(duì)芯片接合用芯片5的粘合力下降，因此可以容易地拾取芯片接合用芯片5。

(變形例2)

粘合劑層122的接觸部122A利用輻射線進(jìn)行了固化。粘合劑層122的周邊部122B也利用輻射線進(jìn)行了固化。

(變形例3)

膠粘薄膜11形成為包含第1層和配置在第1層上的第2層的多層形狀。

(變形例4)

如圖8所示，切割膠帶12的整個(gè)粘合面與膠粘薄膜11接觸。粘合劑層122優(yōu)選具有利用輻射線固化的性質(zhì)。在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成芯片接合用芯片5，對(duì)粘合劑層122照射紫外線，并拾取芯片接合用芯片5。由此，粘合劑層122對(duì)芯片接合用芯片5的粘合力下降，因此可以容易地拾取芯片接合用芯片5。

(變形例5)

形成芯片接合用芯片5的工序包括通過(guò)對(duì)配置在切割膠帶一體型膠粘薄膜71上的半導(dǎo)體晶片4照射激光而在半導(dǎo)體晶片4的內(nèi)部形成 脆弱層的步驟。形成芯片接合用芯片5的工序還包括在形成脆弱層的步驟之后進(jìn)行擴(kuò)張的步驟。通過(guò)擴(kuò)張，將膠粘薄膜11和半導(dǎo)體晶片4同時(shí)分割。

(變形例6)

如圖9所示，通過(guò)將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6的被粘物606上而形成復(fù)合體20。復(fù)合體20包含被粘物606、配置在被粘物606上的薄膜狀膠粘劑111和配置在薄膜狀膠粘劑111上的半導(dǎo)體芯片41。復(fù)合體20包含埋入薄膜狀膠粘劑111的半導(dǎo)體芯片641和接合線607。接合線607將半導(dǎo)體芯片641和被粘物606連接。接合線607的一端與半導(dǎo)體芯片41的電極焊盤(pán)接觸。接合線607的另一端與被粘物606的端子接觸。接合線607包含埋入薄膜狀膠粘劑111的兩端。膠粘層611位于被粘物606和半導(dǎo)體芯片641之間。半導(dǎo)體芯片641優(yōu)選為控制芯片。如圖10所示，將層疊用芯片1005壓接在半導(dǎo)體芯片41上。層疊用芯片1005包含半導(dǎo)體芯片1041和配置在半導(dǎo)體芯片1041上的薄膜狀膠粘劑111。利用接合線1407將半導(dǎo)體芯片1041和半導(dǎo)體芯片41連接。用密封樹(shù)脂將半導(dǎo)體芯片41和半導(dǎo)體芯片1041密封。

(其它變形例)

變形例1～變形例6等可以任意地組合。

[實(shí)施方式2]

(多層薄膜9)

如圖11所示，多層薄膜9包含隔片14、配置在隔片14上的膠粘薄膜11和配置在膠粘薄膜11上的隔片15。膠粘薄膜11可以由與隔片14接觸的第1面和與第1面相對(duì)的第2面定義兩個(gè)面。第2面與隔片15接觸。

作為隔片14，可以列舉聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片14優(yōu)選為經(jīng)脫模處理后的隔片。隔片14的厚度可以適當(dāng)設(shè)定。

作為隔片15，可以列舉聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。隔片15優(yōu)選為經(jīng)脫模處理后的隔片。隔片15的厚度可以適當(dāng)設(shè)定。

(半導(dǎo)體裝置的制造方法)

半導(dǎo)體裝置的制造方法包括準(zhǔn)備構(gòu)件6的工序、將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的工序、在將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的工序之后通過(guò)進(jìn)行芯片分割而形成芯片接合用芯片5的工序、和將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6上的工序。

半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括包含將隔片14剝離的步驟和在將隔片14剝離的步驟之后將膠粘薄膜11與切割膠帶12貼合的步驟的工序。將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的工序包括將隔片15剝離的步驟和在將隔片15剝離的工序之后將半導(dǎo)體晶片4壓接在膠粘薄膜11上的步驟。

還包括對(duì)通過(guò)將芯片接合用芯片5壓接在構(gòu)件6上的工序形成的復(fù)合構(gòu)件進(jìn)行加熱，由此使薄膜狀膠粘劑111固化的工序。還包括利用接合線407將半導(dǎo)體芯片41和被粘物606連接的工序。還包括利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片41和半導(dǎo)體芯片641密封的工序。

(變形例)

膠粘薄膜11形成為包含第1層和配置在第1層上的第2層的多層形狀。實(shí)施方式2可以采用實(shí)施方式1的變形例5、6等。

【實(shí)施例】

以下，關(guān)于本發(fā)明，使用實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是只要不超出本發(fā)明的要旨，則本發(fā)明不限于以下的實(shí)施例。

對(duì)實(shí)施例中使用的成分進(jìn)行說(shuō)明。

丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂：Nagase ChemteX公司制造的Teisan Resin SG-708-6(具有羥基和羧基的丙烯酸酯共聚物，Mw：70萬(wàn)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：4℃)

環(huán)氧樹(shù)脂1：東都化成公司制造的KI-3000(環(huán)氧當(dāng)量195～205g/eq.的固態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂)

環(huán)氧樹(shù)脂2：三菱化學(xué)公司制造的jER YL980(環(huán)氧當(dāng)量180～190g/eq.的液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂)

酚醛樹(shù)脂：MEH-7851SS，明和化成公司制造的MEH-7851SS(羥基當(dāng)量203g/eq.的固態(tài)酚醛樹(shù)脂)

二氧化硅填料：Admatechs公司制造的SE-2050MC(平均粒徑0.5μm的二氧化硅填料)

PMMA粒子：根上工業(yè)公司制造的Art Pearl J-4PY(平均粒徑2.2μm，最大粒徑5μm，單分散等級(jí)，比重1.2的球形PMMA粒子)

催化劑：北興化學(xué)公司制造的TPP-MK(四苯基四對(duì)甲苯基硼酸鹽)

[膠粘薄膜的制作]

根據(jù)表1所示的配合比配合各成分和甲乙酮(MEK)，并進(jìn)行攪拌，由此得到清漆。將清漆涂布在隔片(聚硅氧烷脫模處理后的PET薄膜)上，在130℃的烘箱中干燥2分鐘，從而得到厚度60μm的膠粘薄膜。

[評(píng)價(jià)]

對(duì)于所得到的膠粘薄膜，進(jìn)行以下的評(píng)價(jià)。結(jié)果如表1所示。

(儲(chǔ)能彈性模量G’、損耗彈性模量G”以及tanδ)

通過(guò)層疊多片膠粘薄膜而得到厚度約1000μm的層疊體。通過(guò)沖裁層疊體而得到直徑8mm的圓盤(pán)狀的試驗(yàn)片。使用HAAKE公司制造的MARS III，在頻率0.1Hz～10Hz、測(cè)定溫度120℃、測(cè)定間隙700μm、應(yīng)變0.10％、夾具直徑8mm的條件下，測(cè)定了試驗(yàn)片的儲(chǔ)能彈性模量G’、損耗彈性模量G”、tanδ。

(粘度)

通過(guò)層疊多片膠粘薄膜而得到厚度約120μm的片。從片切出20mm見(jiàn)方的試驗(yàn)片。使用HAAKE公司制造的MARS III，在測(cè)定速度5(1/s)、測(cè)定溫度120℃、測(cè)定時(shí)間5分鐘、測(cè)定間隙100μm、夾具直徑15mm的條件下測(cè)定了試驗(yàn)片的粘度。

(掩埋性)

除了厚度為25μm以外制作與實(shí)施例1的膠粘薄膜相同的芯片接合薄膜。將縱向6mm×橫向6mm的第1芯片粘貼到芯片接合薄膜上。沿第1芯片切割芯片接合薄膜，由此得到帶有第1芯片的芯片接合薄膜。將帶有第1芯片的芯片接合薄膜壓接在BGA基板上，由此得到帶有第1芯片的BGA基板。然后，在0.5kg/cm²下在150℃進(jìn)行1小時(shí)的熱固化。在帶有第1芯片的BGA基板上釘進(jìn)47根23μm的金屬線。金屬線彼此的間隔為100μm，從第1芯片的上表面至金屬線頂點(diǎn)的高度最高為50μm。將縱向6mm×橫向6mm的第2芯片粘貼在膠粘薄膜上。沿第2芯片切割膠粘薄膜，由此得到帶有第2芯片的膠粘薄膜。在芯片粘接溫度120℃、芯片粘接時(shí)間1秒、芯片粘接載荷0.1MPa的條件下，將帶有第2芯片的膠粘薄膜壓接在帶有第1芯片的BGA基板上。然后，在0.5kg/cm²下在150℃進(jìn)行1小時(shí)的熱固化。使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察在金屬線下是否存在空隙。在金屬線下不存在空隙時(shí)判斷為“○”。在金屬線下存在空隙時(shí)判斷為“×”。

(突出)

將縱向6mm×橫向6mm的芯片粘貼在膠粘薄膜上。沿芯片切割膠粘薄膜，由此得到帶有芯片的膠粘薄膜。在芯片粘接溫度120℃、芯片粘接時(shí)間1秒、芯片粘接載荷0.1MPa的條件下，將帶有芯片的膠粘薄膜壓接在BGA基板上，由此得到帶有芯片的BGA基板。使用顯微鏡從上方觀察帶有芯片的BGA基板。膠粘薄膜從芯片的端部突出超過(guò)100μm時(shí)判斷為“×”。膠粘薄膜從芯片的端部突出100μm以下時(shí)判斷為“○”

表1