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一種發(fā)光化合物的制作方法

文檔序號(hào):12576111閱讀:364來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及LED發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域,具體的說(shuō)涉及一種發(fā)光化合物。



背景技術(shù):

目前,顯示屏以TFT(Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)-LCD為主,由于其為非自發(fā)光之顯示器,必須透過(guò)背光源投射光線,依序穿透TFT-LCD面板中之偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關(guān)零組件,最后進(jìn)入人之眼睛成像,達(dá)到顯示之功能。但是其顯示屏在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)反應(yīng)速率慢、耗電、視角窄等缺點(diǎn),不足以成為完美的顯示屏。

相對(duì)而言,OLED,作為一種新型的平板顯示技術(shù),其與傳統(tǒng)的LCD顯示方式相比,無(wú)需背光燈,采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板,當(dāng)有電流通過(guò)時(shí),這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此,OLED具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性,近十幾年來(lái)取得了很大的發(fā)展和進(jìn)步,被譽(yù)為“夢(mèng)幻顯示器”。

OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具本道題特性的銦錫氧化物(ITO),與電力的正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治的結(jié)構(gòu),如US4769292中公開(kāi)的OLED。整個(gè)結(jié)構(gòu)層中包括了:空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí),正極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合,產(chǎn)生光亮,依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色,構(gòu)成基本色彩。事實(shí)上,OLED在全色顯示等方面仍然存在不足,重要的原因之一是缺乏高性能的材料,因此,設(shè)計(jì)與合成新型有機(jī)發(fā)光材料是OLED研究工作中的重點(diǎn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供了一種發(fā)光化合物,該化合物為如下結(jié)構(gòu)式I的化合物:

其中X1和X2獨(dú)立地選自C或N;

R1、R2獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、雜芳基或NR3R4;

其中芳基和雜芳基又可以進(jìn)一步被烷基、芳基、雜芳基或NR3R4所取代;

其中R3、R4獨(dú)立地選自隨機(jī)取代的芳基或隨機(jī)取代的雜芳基;或者R3、R4與和其相連的N組成3-16元環(huán);該環(huán)又可進(jìn)一步被烷基、芳基或雜芳基所取代;

優(yōu)選的X1=N,X2=N;或者X1=C,X2=C;

優(yōu)選的,R1、R2獨(dú)立地選自NR3R4;

進(jìn)一步優(yōu)選的,R1、R2獨(dú)立地選自如下結(jié)構(gòu)式:

上述提到的烷基、芳基、雜芳基又可以進(jìn)一步被烷基、芳基、雜芳基等所取代。

本發(fā)明還提供了上述發(fā)光化合物在OLED顯示屏領(lǐng)域的應(yīng)用,電子發(fā)光器件中的應(yīng)用,可用作電子發(fā)光器件的發(fā)光層。

本發(fā)明提供的化合物,作為一種新型的OLED材料,可以用于OLED器件的Host材料或Dopant材料,增加材料本身的熱穩(wěn)定性,可以在保證其具有較高 的三線態(tài)能級(jí)的條件下,同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性。

本發(fā)明提供的化合物用于OLED顯示屏的主體材料,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:Eg寬,HOMO深;增加電子傳輸性能;弱給電子集團(tuán),平衡電荷分布;空間位阻大的剛性集團(tuán),增加熱穩(wěn)定性。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1合成化合物A

往反應(yīng)瓶中加入化合物(1)0.1mol,化合物(2)0.1mol,0.3mol叔丁醇鉀,0.015mol鈀催化劑和甲苯(1000mL),氮?dú)獗Wo(hù)下加熱回流24小時(shí),冷卻,除去甲苯,加入二氯甲烷,水洗,干燥,粗產(chǎn)品過(guò)柱,再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到產(chǎn)品,化合物A,收率27%,C42H32N4O2S,M=656.22,檢測(cè)到M+1=657.3。

實(shí)施例2合成化合物B

往反應(yīng)瓶中加入化合物(3)0.1mol,化合物(4)0.1mol,0.3mol磷酸鈉,0.025mol鈀催化劑和甲苯(1000mL),氮?dú)獗Wo(hù)下加熱回流24小時(shí),冷卻,除去甲苯,加入二氯甲烷,水洗,干燥,粗產(chǎn)品過(guò)柱,再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到產(chǎn)品,化合物5,收率53%,C18H11BrN2O2S,M=397.97,檢測(cè)到M+1=398.8。

往反應(yīng)瓶中加入化合物(5)0.1mol,化合物(6)0.1mol,0.3mol碳酸氫鈉,0.005mol鈀催化劑和甲苯(1000mL),氮?dú)獗Wo(hù)下加熱回流24小時(shí),冷卻,除去甲苯,加入二氯甲烷,水洗,干燥,粗產(chǎn)品過(guò)柱,再用二氯甲烷和乙醇重結(jié)晶純化得到產(chǎn)品,化合物B,收率53%,C41H29N3O2S,M=627.20,檢測(cè)到M+1=628.4。

實(shí)施例3

器件制作工藝如下:

對(duì)比例:

將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘,并暴露在紫外光下20-30分鐘,隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB,然后混合蒸鍍CBP和Ir(ppy)3(Ir(ppy)3的重量百分比含量為5%),隨后蒸鍍20-40nm的Alq3,隨后再蒸鍍0.5-2nm LiF,隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。

實(shí)施例3:

以化合物A替代Ir(ppy)3,其余步驟同對(duì)比例。

經(jīng)PR-670光譜光度/色度/輻射度計(jì)測(cè)試得到如下表1的對(duì)比結(jié)果。

表1實(shí)施例3與對(duì)比例的比較

對(duì)比結(jié)果顯示相對(duì)于對(duì)比例,用本發(fā)明的化合物制備的發(fā)光器件具有更好的效率,更低的驅(qū)動(dòng)電壓,并且能夠維持器件的發(fā)光光譜相對(duì)穩(wěn)定。

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