專利名稱：涂層材料的涂布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種涂層材料的涂布方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造工藝中，通過一系列的光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積、平坦化以及 清洗等工藝在半導(dǎo)體晶片上形成具有各種功能的集成電路，其中，用于定義刻蝕或摻雜 區(qū)域的光刻工藝起著十分重要的作用。在光刻工藝中，首先，通過旋涂設(shè)備在半導(dǎo)體晶片上形成光刻膠層；然后，將 所述光刻膠層進(jìn)行烘烤后置于曝光設(shè)備中，通過曝光工藝對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光，以 將掩模板上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層中；接著，對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行曝光后烘烤，并 通過顯影工藝進(jìn)行顯影，在光刻膠層中形成光刻圖形。一般的，用以形成光刻膠層的涂布方法包括如下步驟首先，需要將半導(dǎo)體晶片放置于旋涂設(shè)備的晶片支撐臺(tái)上，通過真空吸附所述 半導(dǎo)體晶片；然后，將光刻膠噴頭移動(dòng)至所述半導(dǎo)體晶片的上方，所述半導(dǎo)體晶片處于靜止 狀態(tài)，所述光刻膠噴頭向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑光刻膠；接著，通過馬達(dá)驅(qū)動(dòng)所述晶片支撐臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述晶片支撐臺(tái)帶動(dòng)所述半導(dǎo)體晶 片以較小的速率旋轉(zhuǎn)，使光刻膠沿所述半導(dǎo)體晶片表面向外鋪開，并覆蓋整個(gè)半導(dǎo)體晶 片的表面；最后，以較大的速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，使多余的光刻膠被甩出所述半 導(dǎo)體晶片之外，并使光刻膠中的溶劑揮發(fā)，以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成光刻膠層。然而，在半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)的離心力的作用下，最終形成的光刻膠層的表面大致 呈凹形，也就是說，所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域聚集較多的光刻膠，而中央?yún)^(qū)域則較 少，使得所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的光刻膠層厚度比中央?yún)^(qū)域的光刻膠層厚度大，這極 易導(dǎo)致光刻膠沿半導(dǎo)體晶片的側(cè)邊流向半導(dǎo)體晶片的背面而造成污染，并且所述半導(dǎo)體 晶片還會(huì)對(duì)曝光機(jī)臺(tái)的載片臺(tái)造成污染，更為嚴(yán)重的是，半導(dǎo)體晶片表面的邊緣較厚的 光刻膠還將影響曝光工藝的線寬，使得在靠近半導(dǎo)體晶片側(cè)邊3mm范圍內(nèi)的產(chǎn)品的良率 嚴(yán)重下降。同樣，利用所述旋涂設(shè)備在半導(dǎo)體晶片上形成其它涂層的過程中，例如在聚酰 亞胺的涂布工藝中，在半導(dǎo)體晶片的旋轉(zhuǎn)的離心力的作用下，形成的聚酰亞胺層的厚度 也是不均勻的，半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域的聚酰亞胺層厚度比中央?yún)^(qū)域的聚酰亞胺層的厚 度大，這將影響后續(xù)的曝光工藝，給工藝生產(chǎn)帶來巨大的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種涂布方法，所述涂布方法可以形成厚度均勻性較好的涂層，解 決了半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域較厚的涂層對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種涂層材料的涂布方法，包括如下步驟 提供一半導(dǎo)體晶片；向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料；旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所 述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的 涂層厚度大；繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域 噴 灑清洗液；再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片?？蛇x的，所述涂層材料是光刻膠。可選的，所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域是靠近該半導(dǎo)體晶片側(cè)邊3mm的區(qū)域，所 述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域是靠近該半導(dǎo)體晶片側(cè)邊1.5mm的區(qū)域，向所述半導(dǎo) 體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑的清洗液的體積為5 25ml?？蛇x的，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在該半導(dǎo)體晶片表面形成涂層。可選的，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片之前，還包括以小于所述第一速率 的第四速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。可選的，以第二速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，其中所述第二速率小于所述第 一速率，以第三速率再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，其中所述第三速率大于所述第二速率并 小于所述第一速率。可選的，向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料?？蛇x的，在向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料之前，還包括向 所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑表面活性劑；以第五速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片?？蛇x的，以第六速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央 區(qū)域噴灑涂層材料?？蛇x的，所述涂層材料是聚酰亞胺。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的涂層材料的涂布方法具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在半導(dǎo)體晶片表面形成涂層之后，繼續(xù)旋轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體晶片，并且同時(shí)向 該半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清洗液，所述清洗液可去除該半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū) 域的部分區(qū)域內(nèi)的涂層，接下來再次旋轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體晶片，使該半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的未 被清洗掉的較厚的涂層材料向所述已被清洗液清洗過的區(qū)域流動(dòng)，進(jìn)一步進(jìn)行平坦化， 可形成厚度均勻性較好的涂層，解決了半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域較厚的涂層對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成 污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的涂布方法的流程圖；圖2A至圖2F為本發(fā)明實(shí)施例所提供的涂布方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意 圖。
具體實(shí)施例方式在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，在光刻膠以及聚酰亞胺等涂層材料的涂布工藝中，由 于旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的影響，使得形成的涂層表面呈凹形，也就是說，半導(dǎo)體晶片的 邊緣區(qū)域聚集了較多的光刻膠，而中央?yún)^(qū)域則較少，使得半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域的涂層 厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層厚度大，這不僅導(dǎo)致涂層材料沿半導(dǎo)體晶片的側(cè)邊流向背面而造成污染，還會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片對(duì)曝光機(jī)臺(tái)的載片臺(tái)造成污染，并且半導(dǎo)體晶片表面的邊 緣區(qū)域較厚的涂層材料還將影響曝光工藝的線寬，降低產(chǎn)品的良率，給工藝生產(chǎn)帶來巨 大的損失。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種涂層材料的涂布方法，所述方法可以形成厚 度均勻的涂層，解決了半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域較厚的涂層材料對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問 題，極大的提高了產(chǎn)品的良率。請(qǐng)參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的涂布方法的流程圖，如圖所示，所述方 法包括步驟步驟S110，提供一半導(dǎo)體晶片；步驟S120，向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料； 步驟S130，旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述 半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層厚度大；步驟S140，繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分 區(qū)域噴灑清洗液；步驟S150，再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。本發(fā)明實(shí)施例所提供的涂布方法在半導(dǎo)體晶片表面形成涂層之后，繼續(xù)旋轉(zhuǎn)該 半導(dǎo)體晶片，并且同時(shí)向該半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清洗液，所述清洗液可 去除該半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域內(nèi)的涂層，接下來再次旋轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體晶片，使該 半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的未被清洗掉的較厚的涂層向所述已被清洗液清洗過的區(qū)域流動(dòng)， 進(jìn)一步進(jìn)行平坦化，可形成厚度均勻性較好的涂層，解決了半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域較厚的 涂層對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。下面將結(jié)合剖面示意圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選 實(shí)施例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的 有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為 對(duì)本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的 功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施 例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有 關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能 是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利 要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均 使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。參照?qǐng)D2A，首先提供半導(dǎo)體晶片100，所述半導(dǎo)體晶片100可以是裸片或者已經(jīng) 具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或器件的晶片，所述半導(dǎo)體晶片100需要涂布涂層材料。本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述涂層材料是光刻膠，以使半導(dǎo)體晶片100執(zhí) 行光刻工藝。然而應(yīng)認(rèn)識(shí)到，在本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例中，所述涂層材料也可以是 其它可利用所述旋涂設(shè)備進(jìn)行涂布工藝的材料，例如聚酰亞胺。然后，將所述半導(dǎo)體晶片100放置于旋涂設(shè)備的晶片支撐臺(tái)上，所述晶片支撐臺(tái)的表面具有真空吸盤，通過所述真空吸盤吸附所述半導(dǎo)體晶片100。接著，向所述半導(dǎo)體晶片100表面噴灑光刻膠。 在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在向所述半導(dǎo)體晶片100表面噴灑光刻膠之 前，首先向所述半導(dǎo)體晶片100表面噴灑表面活性劑(RRC)。詳細(xì)的，可將旋涂設(shè)備的表面活性劑噴頭移動(dòng)至半導(dǎo)體晶片100表面的上方位 置，所述半導(dǎo)體晶片100處于靜止?fàn)顟B(tài)，并向所述半導(dǎo)體晶片100表面的中央?yún)^(qū)域噴灑表 面活性劑，噴灑的表面活性劑的體積可以為1.5 5cc。接著，通過驅(qū)動(dòng)馬達(dá)帶動(dòng)所述晶 片支撐臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述晶片支撐臺(tái)帶動(dòng)所述半導(dǎo)體晶片100以第五速率旋轉(zhuǎn)，在離心力的 作用下，使所述表面活性劑沿半導(dǎo)體晶片100的表面向邊緣鋪開，其中，所述第五速率 可以為500 2500rpm，旋轉(zhuǎn)的時(shí)間可以為0.5至5秒，通過旋轉(zhuǎn)使得所述表面活性劑鋪 滿整個(gè)半導(dǎo)體晶片100的表面，多余的表面活性劑通過旋轉(zhuǎn)甩出半導(dǎo)體晶片100的表面。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，通過在半導(dǎo)體晶片100表面先旋涂表面活性 齊U，可減少后續(xù)工藝中光刻膠在半導(dǎo)體晶片100表面流動(dòng)的阻力，有助于減小光刻膠的 用量，節(jié)約了生產(chǎn)成本。在向所述半導(dǎo)體晶片100表面噴灑表面活性劑之后，向所述半導(dǎo)體晶片100表面 噴灑光刻膠。詳細(xì)的，如圖2B所示，將光刻膠噴頭移動(dòng)至所述半導(dǎo)體晶片100的中央?yún)^(qū)域的 上方位置，并與所述半導(dǎo)體晶片100表面保持一定距離，所述半導(dǎo)體晶片100處于靜止?fàn)?態(tài)，所述光刻膠噴頭向所述半導(dǎo)體晶片100表面中央?yún)^(qū)域噴灑光刻膠，以確保形成厚度 一致的涂層?？蛇x的，可以第六速率旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶片100，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片100表面 中央?yún)^(qū)域噴灑光刻膠，例如，所述第六速率可以為10 50rpm，旋轉(zhuǎn)時(shí)間可以為10 20sec。其中，噴灑的光刻膠的數(shù)量根據(jù)要形成的光刻膠層的厚度決定，光刻膠的種類根 據(jù)光刻工藝的工藝參數(shù)，例如根據(jù)線寬以及刻蝕工藝的工藝參數(shù)決定。接下來，如圖2C所示，以小于所述第一速率的第四速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片 100，通過離心作用，噴灑的光刻膠沿著半導(dǎo)體晶片100的表面由中心向邊緣鋪開，并布 滿整個(gè)半導(dǎo)體晶片100的表面；其中所述第四速率主要取決于所使用的光刻膠的粘度， 例如，所述第四速率可以為500 lOOOrpm，以所述第四速率旋轉(zhuǎn)的時(shí)間可以為5至25 秒。之后，如圖2D所示，改變半導(dǎo)體晶片100的轉(zhuǎn)速至第一速率，使多余的光刻膠 被甩出半導(dǎo)體晶片之外，并使光刻膠中的溶劑揮發(fā)，以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層 200，其中所述涂層是光刻膠層。其中所述第一速率可以根據(jù)要形成的光刻膠層的厚度做 調(diào)整，例如，所述第一速率可以為800 4000rpm，以所述第一速率旋轉(zhuǎn)的時(shí)間可以5至 25秒。由于旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的離心力的影響，半導(dǎo)體晶片100的邊緣區(qū)域210的光刻膠層的 厚度比中央?yún)^(qū)域220的光刻膠層厚度大，這不僅導(dǎo)致光刻膠沿半導(dǎo)體晶片100的側(cè)邊流向 背面而造成污染，并且還會(huì)對(duì)曝光機(jī)臺(tái)的載片臺(tái)造成污染，更為嚴(yán)重的是，半導(dǎo)體晶片 100表面的邊緣較厚的光刻膠還將影響曝光工藝的線寬，降低產(chǎn)品的良率，給工藝生產(chǎn)帶 來巨大的損失。
在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述邊緣區(qū)域210是指靠近所述半導(dǎo)體晶片100 的側(cè)邊3mm的區(qū)域，所述邊緣區(qū)域210內(nèi)的光刻膠層的厚度比中央?yún)^(qū)域220的厚度大。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明增加了以第二速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片100并且 同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片100邊緣區(qū)域210的部分區(qū)域噴灑清洗液的步驟，并增加了以第三 速率再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片100的步驟。具體的說，如圖2E所示，在所述半導(dǎo)體晶片100表面形成涂層200之后，以第 二速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片100，并且同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片100的邊緣區(qū)域210的 第一區(qū)域211內(nèi)噴灑清洗液，所述清洗液可去除半導(dǎo)體晶片100表面的第一區(qū)域211內(nèi)的 光刻膠層，其中，所述第一區(qū)域211是指靠近半導(dǎo)體晶片100的側(cè)邊1.5_的區(qū)域。所 述第二速率小于所述第一速率，所述第二速率可以為500 800rpm，以所述第二速率旋 轉(zhuǎn)的時(shí)間可以5至25秒。所述清洗液是一種能夠溶解光刻膠的化學(xué)液體。其中，噴灑的清洗液型號(hào)和數(shù) 量根據(jù)邊緣區(qū)域內(nèi)的光刻膠層的厚度、光刻膠種類以及半導(dǎo)體晶片的尺寸等因素決定， 本領(lǐng)域技術(shù)人員通過實(shí)驗(yàn)即可獲得所述具體數(shù)值。例如，向所述半導(dǎo)體晶片100表面的 第一區(qū)域211內(nèi)噴灑的清洗液的體積可以為5 25ml。接下來，如圖2F所示，以第三速率再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片100，依靠旋轉(zhuǎn)所 產(chǎn)生的離心力，使邊緣區(qū)域210中未被清洗的第二區(qū)域212中的較厚的光刻膠層向所述已 被清洗液清洗過的第一區(qū)域211流動(dòng)，使第二區(qū)域212中多余的光刻膠覆蓋所述第一區(qū) 域211，使所述光刻膠層200進(jìn)一步平坦化，以形成厚度均勻性較好的光刻膠層，解決了 半導(dǎo)體晶片邊緣較厚的涂層對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。其中，所 述第三速率大于所述 第二速率并小于所述第一速率，例如，所述第三速率可以為600 2000rpm,以所述第三速率旋轉(zhuǎn)時(shí)間可以為5至25秒。綜上所述，本發(fā)明提供一種涂層材料的涂布方法，所述方法包括如下步驟提 供半導(dǎo)體晶片；向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料；旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半 導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層 厚度大；繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清 洗液；再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。所述涂布方法可形成厚度均勻的涂層，解決了半導(dǎo)體 晶片邊緣較厚的涂層材料對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的 精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的 范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種涂層材料的涂布方法，包括 提供半導(dǎo)體晶片；向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料；旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述半導(dǎo)體晶片邊緣 區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層厚度大；繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清洗液；再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂層材料是光刻膠。
3.如權(quán)利要求2所述的涂布方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域是靠近該 半導(dǎo)體晶片側(cè)邊3mm的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的涂布方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域 是靠近該半導(dǎo)體晶片側(cè)邊1.5mm的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的涂布方法，其特征在于，向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū) 域噴灑的清洗液的體積為5 25ml。
6.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在 所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層。
7.如權(quán)利要求6所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片之 前，還包括以小于所述第一速率的第四速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
8.如權(quán)利要求7中任意一項(xiàng)所述的涂布方法，其特征在于，以第二速率繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述 半導(dǎo)體晶片，其中所述第二速率小于所述第一速率。
9.如權(quán)利要求8所述的涂布方法，其特征在于，以第三速率再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶 片，其中所述第三速率大于所述第二速率并小于所述第一速率。
10.如權(quán)利要求9所述的涂布方法，其特征在于，向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域 噴灑涂層材料。
11.如權(quán)利要求10所述的涂布方法，其特征在于，在向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū) 域噴灑涂層材料之前，還包括向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑表面活性劑； 以第五速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。
12.如權(quán)利要求11所述的涂布方法，其特征在于，以第六速率旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片， 同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片表面的中央?yún)^(qū)域噴灑涂層材料。
13.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂層材料是聚酰亞胺。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種涂層材料的涂布方法，所述方法包括如下步驟提供半導(dǎo)體晶片；向所述半導(dǎo)體晶片表面噴灑涂層材料；旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片以在所述半導(dǎo)體晶片表面形成涂層，其中所述半導(dǎo)體晶片的邊緣區(qū)域的涂層厚度比中央?yún)^(qū)域的涂層厚度大；繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片，同時(shí)向所述半導(dǎo)體晶片邊緣區(qū)域的部分區(qū)域噴灑清洗液；再次旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。所述涂布方法可形成厚度均勻的涂層，解決了半導(dǎo)體晶片邊緣較厚的涂層材料對(duì)曝光機(jī)臺(tái)造成污染的問題，提高了產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)B05D7/00GK102019266SQ200910195840
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者劉貴娟, 吳欣華, 張爾飚, 章國偉 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司