專利名稱：用于鋁的化學(xué)機(jī)械拋光的漿液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及微電子器件制造領(lǐng)域。具體來說，本發(fā)明的一個(gè)實(shí) 施方式涉及用于鋁和鋁合金的化學(xué)機(jī)械拋光漿液。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)被用于半導(dǎo)體工業(yè)，從半導(dǎo)體基材表面除去薄膜。 這些技術(shù)的一種常規(guī)應(yīng)用是通過以下步驟形成金屬互連線路、通路或觸點(diǎn)(a) 在介電層中形成圖案(pattern)和蝕刻形成溝槽或孔，(b)沉積金屬覆蓋層，以及(c) 通過化學(xué)機(jī)械拋光除去置于介電層之上的金屬。圖la-lc說明了使用該方法形成 鋁互連線路。
圖la顯示了已經(jīng)在介電層102中形成圖案和蝕刻出的兩個(gè)溝槽110的截面 圖。所述介電層102位于硅基材100上方。圖lb顯示了覆蓋沉積阻擋層104和鋁 層106之后的溝槽110。圖lc顯示了在CMP步驟完成之后，已經(jīng)形成的兩條互連 線路112的截面圖。
圖2顯示了常規(guī)CMP工藝的設(shè)備。基材晶片200面朝下置于拋光墊212上， 該拋光墊212安裝于旋轉(zhuǎn)平臺214上。通過這種方式，待拋光的薄膜以與拋光墊 212直接接觸的方式放置。使用支架216對基材晶片200的背面施加向下的壓力 F。在拋光工藝過程中，支架以及平臺214和拋光墊212進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，同時(shí)將化學(xué)活 性物質(zhì)和研磨溶液(統(tǒng)稱為"漿液"222)泵送到拋光墊212的表面上。
所述漿液222通過與所述薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以及在平臺214旋轉(zhuǎn)的同時(shí)提: 供磨料除去所述薄膜，從而促進(jìn)所述拋光過程。漿液組成對于該加工過程的可 應(yīng)用性來說是一個(gè)很重要的因素。
用于鋁拋光的現(xiàn)有技術(shù)的漿液組合物包含強(qiáng)氧化劑(例如過氧化氫(11202) 或過硫酸根離子(82082—))以及強(qiáng)的蝕刻劑(例如無機(jī)酸)或強(qiáng)的氧化性蝕刻劑(例 如氟化鉀(potassium fluorite)(KF))。需要用這些化學(xué)物質(zhì)除去由強(qiáng)氧化劑產(chǎn)生的 厚的氧化鋁層。但是，這種化學(xué)物質(zhì)的組合導(dǎo)致化學(xué)侵蝕，使得鋁103金屬線
路或通路凹陷至介電層表面以下，如圖lc所示。對于KF化學(xué)物質(zhì)，還導(dǎo)致在介 電層102上造成化學(xué)侵蝕。這些凹陷產(chǎn)生了非平面結(jié)構(gòu)，這些非平面結(jié)構(gòu)擴(kuò)散 到之后的層，影響了在這些層上印刷狹窄的高密度線路的能力。這些凹陷還會 影響在CMP步驟中形成的金屬線路或通路的整體性，帶來可靠性方面的問題。 對于用于前端用途的薄金屬厚度，這種高度的凹陷可能導(dǎo)致A1層被完全除去。 另外，通過氧化劑形成的氧化鋁(八1203)厚層增大了氧化鋁的濃度。這些氧化鋁 作為具有侵蝕性的磨料，為鋁103造成過多的表面粗糙結(jié)構(gòu)和劃痕。當(dāng)所述鋁 103互連線路的寬度越來越小的時(shí)候，凹陷、表面粗糙結(jié)構(gòu)和劃痕的影響帶來的 問題越來越嚴(yán)重。


圖1A-1C說明了基材的橫截面圖，該基材包括用現(xiàn)有技術(shù)的化學(xué)機(jī)械拋光 漿液拋光的鋁。
圖2是顯示使用現(xiàn)有技術(shù)的漿液對包括鋁的基材進(jìn)行拋光的現(xiàn)有技術(shù)的化 學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的三維圖。'
圖3A-3D說明了使用新穎的化學(xué)機(jī)械拋光漿液形成包括鋁的基材的截面圖。
具體實(shí)施例方式
描述了對用于制造集成電路的包括鋁的基材進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的化 學(xué)機(jī)械拋光漿液和方法。在以下描述中，列舉了大量具體的細(xì)節(jié)，例如具體的 機(jī)械、材料和厚度，以便完全理解本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以顯而易 見地看出，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于這些具體細(xì)節(jié)。在其它的情況下，對其它 眾所周知的方法和機(jī)械結(jié)構(gòu)沒有具體描述，以避免對本發(fā)明造成不必要的混 淆。
本發(fā)明實(shí)施方式中新穎的漿液和CMP工藝可用于在生產(chǎn)線前端 (front-end-of-the-line)或生產(chǎn)線后端(back-end-of-the-line)工藝中對包括鋁或鋁 合金的基材進(jìn)行拋光。在生產(chǎn)線前端工藝中，可以對與晶體管門電路連接的鋁 進(jìn)行拋光。在生產(chǎn)線后端工藝中，可以對通過雙金屬鑲嵌法形成的鋁互連線路 和通路進(jìn)行拋光。但是，本發(fā)明實(shí)施方式中講述的情況可用于集成電路制造中 的其它工藝，包括但不限于各種層的平面化。實(shí)際上，本發(fā)明講述的情況可應(yīng)
用于CMP工藝，用于除了集成電路制造以外的領(lǐng)域。
圖3A-3D顯示了使用本發(fā)明的槳液，通過CMP法，在生產(chǎn)線前端工藝中形 成鋁觸點(diǎn)。所述鋁觸點(diǎn)形成于基材300上方。所述基材優(yōu)選是硅晶片，但是可以 是其它的半導(dǎo)體，例如砷化鎵或鍺，或者可以是一些其它的非半導(dǎo)體的材料， 例如陶瓷。介電層302設(shè)置于基材上方?？梢允垢鞣N層置于所述基材300和介電 層302之間(圖中未顯示)。這些層可包括門電極、隔離區(qū)、電容器或其它特征。 介電層302通常是未摻雜的二氧化硅、磷硅酸鹽玻璃，或者通過化學(xué)氣相沉積 (CVD)形成的硼磷硅酸鹽玻璃。還可使用其它的介電層，例如氮化硅，或多層 復(fù)合電介質(zhì)，其包括例如旋涂玻璃之類的物質(zhì)。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，所 述介電層可以是低-k介電材料，例如碳摻雜的氧化物。所述介電層302的功能是 將隨后形成的互連線路與任意的下面的導(dǎo)電層電隔離開。所述介電層302可通 過本領(lǐng)域眾所周知的技術(shù)形成。
首先，在介電層302中形成開口310。在介電層302上形成了光刻膠層，然 后用本領(lǐng)域眾所周知的技術(shù)對其進(jìn)行掩蔽、曝光、顯影，限定開口310的位置。 然后用本領(lǐng)域眾所周知的技術(shù)(例如活性離子蝕刻)蝕刻所述介電層302,形成所 述開口310。所述開口310的寬度可以約等于或小于1微米，以形成具有相同寬 度的鋁觸點(diǎn)。
接下來，將粘著層304覆蓋沉積在所述介電層302上。所述粘著層304的功能 是確保對沉積入開口310的鋁層306均勻覆蓋。所述粘著層304通過眾所周知的 方法(例如濺射法或CVD)形成，厚度約為40 A?？梢杂免?、氮化鈦或其組合之 類的材料形成所述粘著層304。
接下來，使用眾所周知的方法(例如濺射或CVD)在粘著層304上覆蓋沉積鋁 層306。該沉積過程形成了厚度為1OOO-1OOOO A、但是優(yōu)選約為2000 A的鋁層 306，以用鋁完全填充開口310。所述介電層302上方的鋁層306的厚度可約為 1500-2000 A。為了適當(dāng)?shù)靥畛溟_口310，將鋁加熱至至少350℃，但是優(yōu)選低于 550℃。注意所述工藝步驟的組合與可用于形成末端互連的A1鑲嵌法相符。然 而，對于生產(chǎn)前端工藝，例如文獻(xiàn)中己經(jīng)討論過的替換金屬門電路法 (replacement metal gate process),可以用粘著層沉積、鋁溝槽沉積和隨后的退火 完成金屬填充。對于生產(chǎn)線前端和生產(chǎn)線后端工藝，隨后的Al拋光工藝是相同 的。
接下來，對鋁層306和粘著層304進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，形成寬度約小于或等于1微米的鋁觸點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖3C所示的設(shè)備可用來對包含鋁的基材 進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。還可使用類似的設(shè)備，例如圖2所示的設(shè)備。
將基材300面朝下置于拋光組件327的拋光墊326上，拋光墊326與平臺324 的上表面固定連接。通過這種方式，包含鋁的待拋光的基材與拋光墊326的上 表面以直接接觸的方式放置。在拋光墊326圍繞固定點(diǎn)328沿軌道旋轉(zhuǎn)(orbit)、 基材300圍繞其中心338逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，在所述基材/拋光墊界面上均勻分配 漿液，促進(jìn)所述拋光過程。所述漿液的流速可約為100-300毫升/分鐘，更優(yōu)選流 速約為120毫升/分鐘。漿液具有低流速的情況是有價(jià)值的，這是因?yàn)檫@樣可以 節(jié)約成本。通過這種方式持續(xù)進(jìn)行拋光，直至除去了所需量的鋁。
為了促進(jìn)拋光，可以用與支架330相連的桿336對基材300的背面施加向下 的作用力F,。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述向下的壓力是約為0.1-2.0psi、更優(yōu)選約 為1.0-1.5psi的低壓力。使用低的向下壓力來減少除去的氧化鋁的量，從而減少 劃痕。所述低的壓力還可與本發(fā)明漿液的實(shí)施方式相結(jié)合，用來減少粗糙、侵 蝕和碟陷(dishing)。所述基材300的背面可以通過真空或者簡單地通過濕表面張 力保持與支架330接觸。優(yōu)選用插入的墊331在基材300和支架330之間作為緩沖 襯墊?？梢允褂贸Ｒ?guī)的扣環(huán)3'34防止在處理的過程中，基材300從支架330下面 橫向滑脫。
為了促進(jìn)拋光的均勻性，平臺324和墊426的中心340圍繞固定的點(diǎn)328順時(shí) 針沿軌道旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)半徑小于基材300的半徑。所述基材300的中心338與墊326 的中心324和旋轉(zhuǎn)軸328相偏離?？刹捎米銐虻霓D(zhuǎn)速，以產(chǎn)生在上述范圍內(nèi)的低 的向下壓力。例如，對于12英寸的拋光墊，轉(zhuǎn)速可約為20-50rpm,更優(yōu)選約為 30rpm。
為了使得漿液以足夠的量均勻地輸送到基材/拋光墊表面上，通過形成在 拋光墊326中的多個(gè)等間距的孔342加入所述漿液。所述拋光墊326可以是硬的 或軟的。在一個(gè)實(shí)施方式中，使用RodelTMIC IOOO聚氨酯基硬拋光墊。在另一 個(gè)實(shí)施方式中，可使用軟的氈基微孔性人造革(porometric)拋光墊，例如PolitexTM拋光墊。
在本發(fā)明的實(shí)施方式中，'要獲得良好的、可行的CMP結(jié)果，關(guān)鍵是用于拋光鋁和鋁合金的新穎的漿液。用來拋光鋁層306的獎(jiǎng)液包含以下組分粒徑小 于或等于100納米的沉淀二氧化硅磨料，以及包含檸檬酸和草酸的螯合緩沖體系，使得漿液的pH值約為1.5-4.0。
在漿液中包含具有小粒徑的沉淀二氧化硅磨料，這是因?yàn)槠涫禽^軟的磨 料，而且具有更均勻的粒度和形狀。二氧化硅顆粒的密度小于氧化鋁，比氧化 鋁軟。另外，由于含水，而且是低溫處理，所以沉淀的二氧化硅比較不容易包 含能夠產(chǎn)生劃痕的硬聚集體，這些聚集體在熱解法二氧化硅或氧化鋁顆粒中是 常見的。由于沉淀的二氧化硅顆粒具有均勻的形狀，它們在溶液中更趨于穩(wěn)定， 比較不易聚集形成會造成劃痕的大的、硬的顆粒。這些性質(zhì)有利于防止被拋光 的表面產(chǎn)生劃痕和粗糙結(jié)構(gòu)。小粒徑的磨料是很有價(jià)值的，這是因?yàn)槠淠軌驕p 少鋁表面的劃痕，還可減少所得的粗糙結(jié)構(gòu)，從而提供平滑的拋光表面。沉淀的二氧化硅的粒徑可小于100納米，或者為3-100納米，或者更優(yōu)選約為10-50納 米。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述沉淀的二氧化硅的粒徑可約為35納米。沉淀的二 氧化硅的價(jià)值還在于其表面是活性的，能夠從包含鋁的基材表面吸取氧化鋁， 使得鋁離開表面，使其不會在該表面上造成裂紋和碟陷。所述槳液中沉淀的二 氧化硅的含量可約為1.0-10.0重量％，但是優(yōu)選約為2-5重量％。
所述螯合緩沖劑體系是檸檬酸與草酸的組合。該組合物將pH值保持在大約 1.5-4.0的狹窄范圍內(nèi)，更優(yōu)選約為1.8-2.1。低的pH值是有價(jià)值的，這是因?yàn)槠?有助于將鋁層306表面上氧化的鋁層保持在較薄(小于100 A)的水平，這是因?yàn)?形成了較少的氧化鋁。形成的氧化鋁越少，則由于除去的氧化鋁在表面上產(chǎn)生 的劃痕越少，所以表面越平整。另外，當(dāng)氧化的鋁層較薄的時(shí)候，鋁層306的拋 光更快。該組合在對寬度小于l微米的鋁結(jié)構(gòu)(feature)(例如觸點(diǎn)或互連線路)進(jìn) 行拋光的時(shí)候特別有益。加入漿液中的檸檬酸的量約為0.1-1.0重量％,更優(yōu)選 約為0.2-0.5重量％。加入漿液中的草酸的量可約為0.1-1.0重量％，但是更優(yōu)選 約為0.2-0.5重量％。
之所以形成氧化鋁薄層，是由于在漿液中使用了草酸。草酸是溫和的氧化 劑，因此不會形成厚的氧化鋁層。草酸還宜用于本發(fā)明所述漿液的實(shí)施方式， 這是因?yàn)槠錇轵蟿?，能夠從鋁層306的表面除去氧化鋁，以利于防止在鋁的 表面產(chǎn)生劃痕?？墒褂门c草酸類似的酸代替草酸，例如可使用其它弱有機(jī)酸， 如抗壞血酸。
漿液中包含的檸檬酸作為緩沖劑體系的一部分，但是之所以包含檸檬酸， 也是因?yàn)槠錇檠趸X的有效的螯合劑。檸檬酸在水溶液中是氧化鋁的極佳的絡(luò) 合劑，因此可以從鋁層306表面上除去氧化鋁。檸檬酸的價(jià)值還在于其能夠在 氧化鋁顆粒從鋁層306表面離開之后，立刻穩(wěn)定氧化鋁顆粒上的負(fù)電荷。在pH＜8的條件下，氧化鋁顆粒的電荷從正電荷變?yōu)樨?fù)電荷。在pH〉2的時(shí)候，二氧化硅 顆粒上的電荷是負(fù)的，在pH〈的時(shí)候，電荷是中性至極弱的正電荷。在pH》 的范圍內(nèi)，檸檬酸可以防止沉淀的二氧化硅磨料與氧化鋁顆粒的聚集體的形 成。這是因?yàn)檠趸X具有很強(qiáng)的負(fù)電荷，使其與具有負(fù)電荷的二氧化硅顆粒相 斥。據(jù)推測，由于形成聚集體，會產(chǎn)生大量的劃痕。因此，通過向本文所述的 拋光氧化鋁的漿液中加入檸樣酸，可以得到改進(jìn)的表面，取得這種效果在很大 程度上可能是由于防止了二氧化硅和氧化鋁的聚集體的形成。
所述漿液還可包含干擾劑(interference agent)，例如原硅酸四乙酯(TEOS)。 TEOS是一種活性特別高的硅垸醇試劑，但是應(yīng)當(dāng)理解，還可將其它的活性硅垸 醇試劑用于所述漿液中。所述干擾劑是一種添加劑，其在任意氧化鋁顆粒聚集 體的形成過程中與這些聚集體結(jié)合，以防止氧化鋁顆粒聚集生長成較大的尺 寸。較小的氧化鋁顆粒聚集體比較不容易在包含鋁的表面上產(chǎn)生劃痕。所述干 擾劑還可影響氧化鋁膜在被拋光的鋁表面上的生長。因此，所述氧化鋁膜可以 保持較薄(遠(yuǎn)小于100 A)，這會產(chǎn)生較少的可以形成聚集體的氧化鋁。總之， TEOS或其它硅烷醇試劑可以通過減少劃痕的數(shù)量，改進(jìn)拋光后的鋁表面的質(zhì) 量。所述槳液中TEOS的量約為0.1-1.0重量X,更優(yōu)選約為0.0.2-0.0.5重量％。 將漿液的組分與水混合，形成漿料溶液。
通過將粒徑小于100納米的沉淀二氧化硅磨料與檸檬酸/草酸螯合緩沖劑體 系以及TEOS干擾劑組合起來，制得了一種用于拋光鋁的漿液，該漿液能夠在 不產(chǎn)生顯著的劃痕或凹陷的情況下得到高質(zhì)量的拋光的鋁表面。所述漿液與軟 拋光墊的向下作用力的進(jìn)一步結(jié)合，進(jìn)一步改進(jìn)了經(jīng)過拋光的表面的質(zhì)量。所 述的鋁漿液為前述沒有解決的問題提供了解決方案，這些問題是寬度小于l微 米的鋁結(jié)構(gòu)的過分劃痕、粗糙結(jié)構(gòu)和凹陷。
在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，所述漿液可包含粒徑約為10-50納米的沉淀的二 氧化硅磨料，所述漿液中沉淀的二氧化硅磨料的含量約為2.0-5.0重量％。所述 螯合緩沖劑體系由檸檬酸和草酸形成，使得漿液的pH值約為1.8-2.1。加入漿液 中的檸檬酸的量約為0.2-0.5重量％。加入漿液中的草酸的量約為0.2-0.5重量％。 所述漿液還包含濃度約為0.01-0.1重量X的TEOS。
所述新穎的鋁漿液的優(yōu)選組合物表現(xiàn)出許多的品質(zhì)，使得CMP具有極佳的 可應(yīng)用性。在不造成過多劃痕:、凹陷或碟陷的前提下，獲得了大約1000-1500 A /秒的鋁去除速率。所述去除速率是足夠的，因此無需過度拋光(overpolish)。注意，結(jié)果的再現(xiàn)性除了取決于漿液組成以外，還可能取決于其它的因素，例如 拋光墊種類、拋光壓力和拋光墊繞軌道旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速。
上文描述的所述化學(xué)機(jī)械拋光方法可以使用單個(gè)平臺進(jìn)行，這是因?yàn)榇?去的鋁層很薄。但是，在另一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用兩個(gè)平臺。在此實(shí)施方
式中，可以使用第一平臺除去鋁層306的本體層(bulklayer)，可以用第二平臺清 潔所述鋁層306。在另一個(gè)實(shí)施方式中，可以用另外的平臺對包含鋁的基材的 表面進(jìn)行磨光。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明新穎的漿液和方法可用來形成除了互連線路以外的特 征。例如，可以用本發(fā)明來形成通路、互連線路或其它電氣連接。
在之前的說明書中，包括了漿液化學(xué)物質(zhì)、膜組成和設(shè)備參數(shù)之類的具體 細(xì)節(jié)，以便能夠最好地描述優(yōu)選的實(shí)施方式。但是本發(fā)明不限于這些細(xì)節(jié)，可 以在本發(fā)明范圍之內(nèi)對這些細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。說明書和附圖必須看作用來說 明本發(fā)明，而不是限制。本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書所限定。因此，已 經(jīng)描述了本發(fā)明的一些實(shí)施方式。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，本發(fā)明不 限于所述的實(shí)施方式，而且可以在所附權(quán)利要求書的范圍和精神之內(nèi)對其進(jìn)行 改良和替代。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光漿液，該漿液包含粒徑小于或等于100納米的沉淀的二氧化硅磨料；以及包含檸檬酸和草酸以使得漿液pH值約為1.5-4.0的螯合緩沖劑體系。
2. 如權(quán)利要求l所述的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所述漿液配制用來拋光鋁。
3. 如權(quán)利要求l所述的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所述漿液中存在 的沉淀的二氧化硅磨料的含量約為1.0-10.0重量％。
4. 如權(quán)利要求l所述的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所述漿液中檸檬 酸的加入量約為0.1-1.0重量％。
5. 如權(quán)利要求l所述的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所述漿液中草酸 的加入量約為0.1-1.0重量％。
6. —種用來拋光鋁的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其包含 粒徑約為10-50納米的沉淀的二氧化硅磨料； 包含檸檬酸和草酸以提供約1.8-2.1的pH值的螯合緩沖劑體系； 水；以及它們的反應(yīng)產(chǎn)物。
7. 如權(quán)利要求6所述的用來拋光鋁的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，該漿液還包含干 擾劑，所述干擾劑包括原硅酸四乙酯，-即TEOS。
8. 如權(quán)利要求7所述的用來拋光鋁的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所 述漿液中TEOS的量約為0.1-1.0重量X。
9. 如權(quán)利要求6所述的用來拋光鋁的化學(xué)機(jī)械拋光漿液，其特征在于，所 述磨料包含粒徑約為35納米的沉淀的二氧化硅。
10. —種拋光基材的方法，該方法包括將漿液分散在包含鋁結(jié)構(gòu)的基材上，所述槳液包含沉淀的二氧化硅磨料，其粒徑小于或等于100納米；包含檸檬酸和草酸的螯合緩沖劑體系，該體系使 得漿液的pH值約為1.5-4.0;以及通過化學(xué)機(jī)械拋光，用所述漿液對包含鋁結(jié)構(gòu)的基材進(jìn)行拋光。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述包含鋁結(jié)構(gòu)的基材包括 寬度小于或等于l微米的鋁結(jié)構(gòu)。
12. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)機(jī)械拋光、用所述 漿液對包括鋁結(jié)構(gòu)的基材進(jìn)行的拋光操作包括從介電層上除去鋁層，其中，所述鋁層的厚度約為1500-2000 A。
13. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述包含鋁結(jié)構(gòu)的基材包含 生產(chǎn)線末端工藝中的鋁金屬鑲嵌觸點(diǎn)。
14. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述包含鋁結(jié)構(gòu)的基材包括 生產(chǎn)線前端工藝中的與晶體管門電路相連的鋁觸點(diǎn)。
15. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)機(jī)械拋光對包含鋁 結(jié)構(gòu)的基材進(jìn)行的拋光包括以約0.1-2.0psi的壓力將拋光墊應(yīng)用于基材。
16. 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，通過化學(xué)機(jī)械拋光、用所述 漿液對包括鋁結(jié)構(gòu)的基材進(jìn)行的拋光操作包括用軟拋光墊對基材進(jìn)行拋光。
全文摘要
本文描述了用于對基材進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的漿液的實(shí)施方式，所述基材包含寬度小于1微米的鋁或鋁合金特征。所述漿液包含粒徑小于或等于100納米的沉淀二氧化硅磨料，以及螯合緩沖劑體系，該體系包含檸檬酸和草酸，用來使得所述漿液的pH值約為1.5-4.0。
文檔編號C09G1/02GK101208399SQ200680023153
公開日2008年6月25日 申請日期2006年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者A·D·費(fèi)勒, A·E·米勒 申請人:英特爾公司