半導(dǎo)體晶片通常由其上形成多個晶體管的基板(例如硅晶片)構(gòu)成。晶體管以化學(xué)及物理方式連接至基板中且經(jīng)由使用熟知的多級共面互連件互連以形成功能電路。典型的多級互連件包括由(例如)以下中的一者或多者組成的堆迭薄膜：鈦(Ti)、硝酸鈦(TiN)、銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、鉭(Ta)或其任意組合。用于形成功能多級共面互連件的傳統(tǒng)技術(shù)涉及經(jīng)由化學(xué)機械拋光(CMP)平坦化互連件的表面。CMP涉及同時化學(xué)及機械拋光上覆第一層以暴露非平面第二層的表面，其上形成有第一層(例如參見美國專利4,671,851；4,910,155；4,944,836；6,592,776；7,524,347；及8,518,135)。CMP制程通常涉及含有在酸性或堿性溶液中的磨料粒子(例如二氧化硅或氧化鋁)的拋光組合物(亦稱作拋光漿液)。在典型CMP制程中，將晶片正面朝下安裝于CMP工具中的載體上。使用一定力推動載體及晶片向下移向拋光墊。載體及晶片在CMP工具的拋光臺上的旋轉(zhuǎn)拋光墊上方旋轉(zhuǎn)。隨后在拋光制程期間將拋光組合物引入旋轉(zhuǎn)晶片與旋轉(zhuǎn)拋光墊之間。盡管常規(guī)CMP制程適于拋光，但其往往在晶片表面上留下不期望的污染物。具體而言，經(jīng)拋光晶片的非金屬基板(例如，二氧化硅)通常經(jīng)拋光組合物的殘留部分(例如二氧化硅或氧化鋁磨料粒子)以及經(jīng)拋光組合物及所拋光材料的金屬離子污染。所述污染物會對半導(dǎo)體晶片的性能具有不良效應(yīng)。因此，在將拋光組合物施加至半導(dǎo)體表面后，通常在完成CMP后，自晶片表面利用清潔水溶液洗滌拋光組合物(例如，參見美國專利4,051,057；5,334,332；5,837,662；5,981,454；6,395,693；及6,541,434及美國專利公開2009/0130849)。典型的CMP后清潔組合物在清潔半導(dǎo)體晶片中尚無法完全令人滿意。舉例而言，獲得實現(xiàn)所拋光材料的低腐蝕及良好清潔的清潔溶液已成為挑戰(zhàn)。因此，業(yè)內(nèi)仍需要有效地清潔源自拋光組合物、拋光墊及半導(dǎo)體表面的所拋光材料的污染物、同時亦最小化腐蝕的組合物和/或方法。本發(fā)明試圖提供該半導(dǎo)體清潔組合物。自本文提供的本發(fā)明的說明將闡明本發(fā)明的這些及其他優(yōu)點。技術(shù)實現(xiàn)要素：在一個方面，本發(fā)明提供用于在化學(xué)機械拋光后自半導(dǎo)體晶片清潔污染物的組合物。所述組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)一種或多種選自以下的大體積保護配體：馬來酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、次氨基乙酸(NTA)、羥基乙烷二磷酸(HEDA)、乙二胺四亞甲基磷酸、氨基三(亞甲基磷酸)(ATMP)、羥乙基亞氨基二乙酸(HIDA)、二亞乙基三胺五乙酸(DPTA)、半胱氨酸(Cys)、抗壞血酸(Asc)、氫氧化膽堿及氫氧化季銨，(b)一種或多種有機胺，(c)一種或多種有機抑制劑，及(d)水。有機胺以基于組合物的總重量約0.001wt.％至約5wt.％的量存在，大體積保護配體對有機胺的重量比為約1:1或更高，且組合物具有約9至約13的pH。在另一方面，本發(fā)明提供用于在化學(xué)機械拋光后自半導(dǎo)體晶片清潔污染物的組合物。組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)一種或多種選自以下的大體積保護配體：馬來酸、EDTA、NTA、HEDA、乙二胺四亞甲基磷酸、ATMP、HIDA、DPTA、Cys、Asc、氫氧化膽堿及氫氧化季銨，(b)一種或多種有機胺，(c)一種或多種包含螯合還原劑及氧清除劑的雙重有機抑制劑，及(d)水。所述組合物具有約9至約13的pH。在另一方面，本發(fā)明提供清潔方法。該方法包含以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(a)提供具有由半導(dǎo)體晶片的化學(xué)機械拋光產(chǎn)生的污染物的半導(dǎo)體晶片，及(b)使半導(dǎo)體晶片表面與如本文所述的組合物接觸，用于在化學(xué)機械拋光后自半導(dǎo)體晶片清潔污染物以自半導(dǎo)體晶片表面移除至少一些污染物。在另一方面，本發(fā)明提供清潔方法。該方法包含以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(a)提供具有由半導(dǎo)體晶片的化學(xué)機械拋光產(chǎn)生的污染物的半導(dǎo)體晶片，及(b)使半導(dǎo)體晶片表面與如本文所述的組合物接觸，用于在化學(xué)機械拋光后自半導(dǎo)體晶片清潔污染物以自半導(dǎo)體晶片表面移除至少一些污染物。在另一方面，本發(fā)明提供拋光及清潔半導(dǎo)體晶片表面的方法。該方法包含(a)提供拋光墊、化學(xué)機械拋光組合物及半導(dǎo)體晶片；(b)使半導(dǎo)體晶片與拋光墊及拋光組合物接觸；(c)使拋光墊相對于半導(dǎo)體晶片表面移動，其間具有拋光組合物，以研磨半導(dǎo)體晶片表面并藉此拋光晶片表面，使得晶片的拋光表面含有來自化學(xué)機械拋光組合物的污染物；及(d)使含有污染物的半導(dǎo)體晶片的拋光表面與如本文所述清潔組合物接觸，以自半導(dǎo)體晶片的拋光表面移除至少一些污染物?！靖綀D說明】圖1為據(jù)信圖解說明與常規(guī)清潔系統(tǒng)相比的根據(jù)本發(fā)明實施方式的機制的示意圖，而不希望受限于任何特定理論。圖2為繪制在如實施例1中所述的化學(xué)機械拋光后使用五種清潔組合物以清潔基板時清潔程度(y-軸)對腐蝕分級(x-軸)的圖?！揪唧w實施方式】本發(fā)明的實施方式提供用于在化學(xué)機械拋光后自基板(例如半導(dǎo)體晶片)清潔污染物的組合物。具體而言，本發(fā)明的清潔組合物可用于移除由現(xiàn)有技術(shù)中已知的化學(xué)機械拋光(CMP)系統(tǒng)產(chǎn)生的一些或全部污染物。舉例而言，拋光組合物及制程的殘留部分可產(chǎn)生碎片，其可呈有機化合物形式，例如苯并三唑(BTA)、二氧化硅或其他磨料粒子、表面活性劑、金屬離子、拋光墊碎片、CMP副產(chǎn)物(例如，具有有機配體的金屬加成物離子)或諸如此類。藉由使用本文公開的清潔組合物減少這些殘留部分及其他污染物的量或?qū)⑵湟瞥?。組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)一種或多種大體積保護配體，(b)一種或多種有機胺，(c)一種或多種有機抑制劑，及(d)水。大體積保護配體選自馬來酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、次氨基乙酸(NTA)、羥基乙烷二磷酸(HEDA)、乙二胺四亞甲基磷酸、氨基三(亞甲基磷酸)(ATMP)、羥乙基亞氨基二乙酸(HIDA)、二亞乙基三胺五乙酸(DPTA)、半胱氨酸(Cys)、抗壞血酸(Asc)、氫氧化膽堿及氫氧化季銨。不希望受限于任何特定理論，保護配體由于其相對體積(通常特征在于由這些配體誘導(dǎo)的空間效應(yīng))而通常是巨大的，由于其可自發(fā)地解離出金屬離子或被其他不穩(wěn)定配體(例如水分子)置換而通常是不穩(wěn)定的，且可通過與金屬表面上的最具活性位點反應(yīng)而加以保護。有機胺可用作蝕刻劑以剝離在CMP制程期間形成的CMP副產(chǎn)物及金屬氧化物。有機抑制劑用于控制CMP后清潔制程期間的金屬氧化。在優(yōu)選實施方式中，大體積保護配體對有機胺的重量比為約1:1或更高。在一些實施方式中，有機胺的量為約0.01wt.％至約5wt.％。在一些實施方式中，組合物的pH通常為約9至約13。有利地，本發(fā)明的清潔組合物有效清潔基板(例如半導(dǎo)體晶片)，同時亦避免、減輕或消除粗糙和/或腐蝕。關(guān)于腐蝕性，其可由較快氧化及隨后蝕刻劑攻擊最具反應(yīng)性金屬位點(例如晶粒邊界)的趨勢(此導(dǎo)致金屬導(dǎo)體的表面上的高粗糙度)引起。適于清潔的基板本發(fā)明的清潔組合物對于用于制作集成電路及其他微器件的多種半導(dǎo)體晶片具有適用性。通常，半導(dǎo)體晶片包括絕緣體及導(dǎo)電劑。本發(fā)明的清潔組合物可用于清潔含有多種所述絕緣體及導(dǎo)電劑的基板。舉例而言，在一些實施方式中，銅可為適宜的導(dǎo)電劑且氧化硅(例如，碳摻雜的)可用作絕緣體?？砂ㄆ渌麑右园ǖ?、氮化鉭或反應(yīng)性金屬(例如鈷金屬)，以增強銅與(例如)相對于二氧化硅或其他材料具有相對較低介電常數(shù)的材料之間的界面。應(yīng)了解，可藉由任何適宜方法(例如化學(xué)氣相沉積(CVD))施加所述層。在CMP后，使用本發(fā)明的清潔組合物藉由移除原本會干擾并妨礙導(dǎo)電率的污染物而期望地增強導(dǎo)電率。半導(dǎo)體晶片可具有常規(guī)節(jié)點構(gòu)形，在一些實施方式中，例如，技術(shù)節(jié)點為65nm或更小、45nm或更小、32nm或更小等。然而，在一些實施方式中，本發(fā)明飛清潔組合物尤其適于先進(jìn)節(jié)點應(yīng)用(例如，技術(shù)節(jié)點為28nm或更小、22nm或更小、18nm或更小、16nm或更小、14nm或更小等)。應(yīng)了解，隨著節(jié)點技術(shù)變得更先進(jìn)，在CMP后不存在粗糙和/或腐蝕變得更重要，此乃因隨著晶片上的特征的相對大小變小，粗糙度及腐蝕的效應(yīng)對導(dǎo)電率的負(fù)性影響增大。由于在與常規(guī)清潔組合物相比本發(fā)明的清潔組合物代表技術(shù)上的顯著進(jìn)步，因此粗糙和/或腐蝕程度降低且可獲得具有更佳性能性質(zhì)的更先進(jìn)的節(jié)點拋光。舉例而言，使用本發(fā)明的清潔組合物可容許根據(jù)本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體晶片獲得增強的導(dǎo)電率。應(yīng)了解，粗糙度為表面上的最高點與最低點之間的距離，通常以埃測量。在一些實施方式中，使用本發(fā)明的清潔組合物可產(chǎn)生約或更小、例如約或更小、約或更小等的粗糙度。然而，如所述，本發(fā)明的清潔組合物并不限于與先進(jìn)節(jié)點晶片一起使用且若需要可用于拋光其他工件。藉由比較，現(xiàn)有的節(jié)點晶片可能夠耐受更高粗糙度值(例如，)且根據(jù)一些實施方式可達(dá)成該粗糙度。本發(fā)明的清潔組合物可用于清潔包含多種材料的工件，例如半導(dǎo)體晶片，該多種材料的特征在于具有相對于二氧化硅的任意適宜的介電常數(shù)。在一些實施方式中，工件的至少一部分可包括相對于二氧化硅可展現(xiàn)相對較低介電常數(shù)(例如約3.5或更小(例如，約3或更小、約2.5或更小、約2或更小、約1.5或更小或約1或更小)的低介電常數(shù))的材料。例如，這些材料可包括，如本領(lǐng)域已知的有機聚合物膜或納米-多孔低-k介電膜(例如，各種BLACKDIAMONDTM產(chǎn)品，自AppliedMaterials公司,SantaClara,CA購得)?？商娲?，或此外，工件的至少一部分可包括可具有約1或更大(例如，約1.5或更大、約2或更大、約2.5或更大、約3或更大、或約3.5或更大)的介電常數(shù)的材料，例如納米-多孔膜或有機聚合物膜。因此，工件可含有具有以上述終點中的任兩者為界限的介電常數(shù)的材料。舉例而言，工件可含有具有介于約1與約3.5之間(例如，介于約2與約3之間、介于約2與約3.5之間、介于約2.5與約3之間、介于約2.5與約3.5之間)的介電常數(shù)的材料。清潔組合物的pH本發(fā)明的清潔組合物的pH通常為至少約9(例如，約9至約13)。在優(yōu)選實施方式中，清潔組合物的pH為至少約10，例如約10至約13。盡管不希望受限于任何特定理論，但據(jù)信期望這些高pH(例如)有利于有機化合物(例如BTA)及金屬-有機化合物加成物(例如Cu-BTA加成物)溶解。高pH亦可有益地有利于金屬氧化，例如在銅的情形下以形成銅I及銅II的氧化物。亦據(jù)信高pH在晶片表面(包括導(dǎo)電劑及絕緣體)及磨料粒子上賦予負(fù)電荷，從而引起其彼此排斥。負(fù)表面電荷增加晶片表面的親水性，藉此防止絕緣體表面上的含有有機物(例如，BTA)的副產(chǎn)物再沉淀。在一些實施方式中，最初期望抑制氧化銅I的薄層以保護導(dǎo)電晶片免于在CMP后制程之后進(jìn)一步更深氧化(例如，樹枝狀晶體形成、點蝕等)。CMP后制程期間于高pH下的氧化銅I的進(jìn)一步氧化產(chǎn)生氧化銅II，將其蝕刻掉以更好地清潔。大體積保護配體對有機胺的比率令人驚奇且意外地，已發(fā)現(xiàn)，在一些實施方式中，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)對有機胺(其可用作較小尺寸化的蝕刻劑)的重量比促進(jìn)半導(dǎo)體晶片的CMP處理表面的最終粗糙和/或腐蝕的程度降低。盡管不希望受限于任何特定理論，據(jù)信大體積保護配體與半導(dǎo)體晶片上的高度反應(yīng)性位點(例如具有高表面或低晶格能的那些)較有機胺更快反應(yīng)，這是因為保護配體的較高的平衡濃度。應(yīng)了解，平衡濃度是指在反應(yīng)處于化學(xué)平衡時產(chǎn)物或反應(yīng)物的濃度。在一些實施方式中，保護配體的較高濃度是有用的，因為它迫使更多配體與金屬表面反應(yīng)。在一些實施方式中，清潔組合物包含相對于有機胺濃度較高的大體積保護配體以提供更均勻的金屬(例如，銅)移除。保護配體的大小及其濃度以及其與金屬(例如，銅)離子的絡(luò)合物的不穩(wěn)定性可提供金屬(例如，銅)移除速率及蝕刻制程的均勻度。據(jù)信使用較小劑量的有機胺可用于容許有機胺(其可用作蝕刻劑)在金屬表面上的保護配體的大體積分子之間穿過。在一些實施方式中，期望地，大體積保護配體的不穩(wěn)定特性可以使得配體在系統(tǒng)中再循環(huán)及另外是自系統(tǒng)移除(例如，藉由沖洗)方面是有利的。較低量的有機胺亦為有利的，因為已發(fā)現(xiàn)其為清潔組合物中的最具腐蝕性成分中之一。因此，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)及有機胺以相對于彼此的期望比率提供，以獲得高清潔效率亦及低金屬(例如，銅)粗糙度和/或腐蝕。在一些實施方式中，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)對有機胺的重量比為至少約1:1。舉例而言，在一些實施方式中，本發(fā)明提供相對高濃度的大體積保護配體及相對低濃度的有機胺。在本發(fā)明的一些實施方式中，本發(fā)明的清潔組合物并不包括與更大體積保護配體相比更高量的有機胺。因此，在優(yōu)選實施方式中，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)對有機胺的重量比為約1:1至約20:1，例如，約1:1至約15:1、約1:1至約10:1、約1:1至約9:1、約1:1至約8:1、約1:1至約7:1、約1:1至約6:1、約1:1至約5:1、約1:1至約4:1、約1:1至約3.5:1、約1:1至約3:1、約1:1至約2.5:1、約1:1至約2.25:1、約1:1至約2:1、約1:1至約1.75:1、約1:1至約1.5:1、約1:1至約1.25:1、至少約2:1、約2:1至約20:1、約2:1至約15:1、約2:1至約10:1、約2:1至約9:1、約2:1至約8:1、約2:1至約7:1、約2:1至約6:1、約2:1至約5:1、約2:1至約4:1、約2:1至約3.5:1、約2:1至約3:1、約2:1至約2.5:1或約2:1至約2.25:1。大體積保護配體在優(yōu)選實施方式中，可使用任一適宜大體積保護配體，只要其能夠容易與金屬離子(例如銅離子)形成絡(luò)合物即可。適宜實例可包括(例如)馬來酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、NTA、HEDA、乙二胺四亞甲基磷酸、ATMP、HIDA、DPTA、半胱氨酸(Cys)、Asc、碳酰肼(CHZ)、氫氧化膽堿和/或氫氧化季銨。在一些實施方式中，任一種或多種適宜氫氧化季銨可單獨或與其他大體積保護配體組合使用。舉例而言，一些實施方式的氫氧化季銨期望地生成低最終金屬表面粗糙度和/或有效地移除污染物，所述污染物包括拋光組合物的殘留部分(例如二氧化硅或氧化鋁磨料粒子或諸如此類)、拋光組合物及所拋光材料的金屬離子、拋光墊碎片、CMP副產(chǎn)物、表面活性劑及其他殘余物(例如有機殘余物，例如BTA)。在一些實施方式中，氫氧化季銨具有下式I：式I其中R1、R2、R3及R4各自獨立地為烷基，其可經(jīng)取代或未經(jīng)取代。如貫穿本文所用術(shù)語“烷基”意指含有(例如)1至約20個碳原子、1至約10個碳原子、1至約6個碳原子、1至約4個碳原子或1至約2個碳原子的直鏈或具支鏈烷基取代基。所述取代基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、己基及諸如此類。應(yīng)了解，如貫穿本文所用術(shù)語“烷基”可未經(jīng)取代或可包括在一些實施方式中可經(jīng)(例如)鹵基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基、烷氧基、芳基氧基或羥基取代的取代基。在本發(fā)明的一些實施方式中，氫氧化季銨包含氫氧化銨、四烷基氫氧化銨、羥基烷基氫氧化銨、三羥基烷基氫氧化銨或其任意組合。在其他實施方式中，氫氧化季銨包含四乙基氫氧化銨(TEAM)、四丁基氫氧化銨(TBAH)、鯨蠟基三甲基氫氧化銨、氫氧化膽堿、三羥乙基甲基氫氧化銨(THEMAH)或其任意組合。在一些實施方式中，THEMAH是合意的，因為它是容易獲得的原材料且已發(fā)現(xiàn)具有螯合性質(zhì)。大體積保護配體的來源可呈陽離子形式，例如大體積配體陽離子，例如季銨陽離子(例如THEMA+)，在一些實施方式中，其中陽離子用于與導(dǎo)電劑的最具反應(yīng)性位點相互作用。陽離子通常留在溶液中。因此，在一些實施方式中，亦可存在反離子(例如氫氧根(-OH))，其可用于升高pH及親水表面修飾。此外，陽離子可包括諸如-OH基團等官能基，其可相互作用以與(例如)基板上形成的金屬氧化物配位。大體積保護配體(例如氫氧化季銨)可以任一適宜量存在。舉例而言，大體積保護配體可以有效生成低的最終金屬表面粗糙度和/或有效移除污染物(例如磨料粒子、金屬離子及如本文中論述的其他殘余物)的量存在。在一些實施方式中，大體積保護配體可以約0.01wt.％至約15wt.％、例如約0.2wt.％至約12wt.％、例如約1wt.％至約10wt.％、約2wt.％至約7wt.％或約3wt.％至約5wt.％的量存在。應(yīng)了解，在優(yōu)選實施方式中，大體積保護配體(及針對該物質(zhì)的有機胺)的精確量經(jīng)調(diào)節(jié)以與如本文所述氫氧化季銨對有機胺的期望的重量比一致。應(yīng)了解，本發(fā)明的清潔組合物中的一種或多種成分(例如，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)、有機胺和/或有機抑制劑)的實際量通?？梢勒掌谕♂尰驖饪s程度而變。就此而言，在一些實施方式中，清潔組合物可以濃縮物的形式包裝，其中可稍后添加水以稀釋組合物，例如在使用時(例如，由終端使用者)，或組合物可以已包括水的稀釋形式包裝。舉例而言，在一些實施方式中，每一成分和/或組合物整體的濃縮形式可有利于易于運輸、分發(fā)及銷售。然而，在其他實施方式中，每一成分和/或組合物整體可呈稀釋形式以(例如)簡化最終使用。因此，針對上文所提及的成分如貫穿本文所述的重量范圍可指稀釋或濃縮范圍。因此，每一成分(例如大體積保護配體，例如氫氧化季銨)可以適于最終使用的稀釋形式或以濃縮且隨后稀釋(例如，2倍、5倍、10倍、25倍、40倍、50倍、60倍、70倍、100倍、125倍、150倍、175倍、200倍等至稀釋形式)的形式存在。在利用等體積的水(例如，分別1等體積的水、4等體積的水、9等體積的水、24等體積的水、39等體積的水、49等體積的水、59等體積水、69等體積的水、99等體積的水、124等體積的水、149等體積的水、174等體積的水或199等體積的水)稀釋濃縮物時，每一成分將以在針對每一組分下文所述的稀釋范圍內(nèi)的量存于清潔組合物中。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的，濃縮物可含有適當(dāng)分率的水存于最終清潔組合物中，以確保增加生成低最終金屬表面粗糙度、腐蝕和/或有效移除污染物(例如磨料粒子、金屬離子及如本文中論述的其他殘余物)的一種或多種化合物至少部分或完全溶解于濃縮物中。在一些實施方式中，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)以濃縮形式以如下量存在：占清潔組合物的重量的至少約3wt.％，例如至少約3.5wt.％、至少約4wt.％、至少約4.5wt.％、至少約5wt.％、至少約5.5wt.％、至少約6wt.％、至少約6.5wt.％、至少約7wt.％、至少約8wt.％、至少約9wt.％、至少約10wt.％、至少約12wt.％、至少約15wt.％、至少約17wt.％或至少約20wt.％(例如，以200×濃縮溶液)。上文所提及的終點中的每一個皆可具有上限，例如，若數(shù)值上適當(dāng)，至多約3.5wt.％、至多約4wt.％、至多約4.5wt.％、至多約5wt.％、至多約5.5wt.％、至多約6wt.％、至多約6.5wt.％、至多約7wt.％、至多約7.5wt.％、至多約8wt.％、至多約8.5wt.％、至多約9wt.％、至多約9.5wt.％、至多約10wt.％、至多約11wt.％、至多約12wt.％、至多約13wt.％、至多約14wt.％、至多約15wt.％或至多約20wt.％。在其他實施方式中，大體積保護配體(例如氫氧化季銨)以稀釋形式以如下量存在：約0.01wt.％至約0.2wt.％，例如約0.01wt.％至約0.15wt.％、約0.01wt.％至約0.12wt.％、約0.01wt.％至約0.1wt.％、約0.01wt.％至約0.05wt.％、約0.02wt.％至約0.2wt.％、約0.02wt.％至約0.15wt.％、約0.02wt.％至約0.12wt.％、約0.02wt.％至約0.1wt.％、約0.02wt.％至約0.05wt.％、約0.03wt.％至約0.2wt.％、約0.03wt.％至約0.15wt.％、約0.03wt.％至約0.12wt.％、約0.03wt.％至約0.1wt.％、約0.03wt.％至約0.05wt.％、約0.04wt.％至約0.2wt.％、約0.05wt.％至約0.15wt.％、約0.05wt.％至約0.12wt.％、約0.05wt.％至約0.1wt.％或約0.04wt.％至約0.05wt.％。有機胺可使用任何適宜的有機胺。在一些實施方式中，有機胺由下式II涵蓋：其中R1為未經(jīng)取代或經(jīng)取代的烷基，且R2及R3各自獨立地為H或R-OH，其中R為未經(jīng)取代或經(jīng)取代的烷基。在一些實施方式中，有機胺包含烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、鏈烷醇胺或其任意組合。舉例而言，有機胺包含甲胺、乙胺、丙胺、異丙胺、丁胺、二甲胺、二乙胺、二異丙胺、乙基甲胺、丁基甲胺、丙基乙胺三甲胺、三乙胺、乙基二甲胺、三丁胺、單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、3-氨基-1-丙醇、2-二甲基氨基乙醇、三(羥基甲基)氨基甲烷(Tris)或其任意組合。有機胺可以任一適宜量存在。在一些實施方式中，有機胺可以約0.005wt.％至約6wt.％、例如約0.04wt.％至約5wt.％、例如約0.08wt.％至約4wt.％、約0.1wt.％至約3.5wt.％或約0.12wt.％至約3wt.％的量存在。如上所述，在優(yōu)選實施方式中，有機胺的精確量經(jīng)調(diào)節(jié)以與如本文所述氫氧化季銨對有機胺的期望重量比一致。在一些實施方式中，有機胺以濃縮物形式以如下量存在：約0.25wt.％至約6wt.％，例如約0.25wt.％至約5wt.％、約0.25wt.％至約4wt.％、約0.25wt.％至約3.5wt.％、約0.25wt.％至約3wt.％、約0.25wt.％至約2.5wt.％、約0.25wt.％至約2wt.％、約0.5wt.％至約6wt.％、約0.5wt.％至約5wt.％、約0.5wt.％至約4wt.％、約0.5wt.％至約3.5wt.％、約0.5wt.％至約3wt.％、約0.5wt.％至約2.5wt.％、約0.5wt.％至約2wt.％、約1wt.％至約6wt.％、約1wt.％至約5wt.％、約1wt.％至約4wt.％、約1wt.％至約3.5wt.％、約1wt.％至約3wt.％、約1wt.％至約2.5wt.％、約1wt.％至約2wt.％、約2wt.％至約6wt.％、約2wt.％至約5wt.％、約2wt.％至約4wt.％、約2wt.％至約3.5wt.％、約2wt.％至約3wt.％或約2wt.％至約2.5wt.％。在一些實施方式中，有機胺以稀釋形式以如下量存在：約0.005wt.％至約0.12wt.％，例如約0.005wt.％至約0.1wt.％、約0.005wt.％至約0.08wt.％、約0.005wt.％至約0.06wt.％、約0.005wt.％至約0.04wt.％、約0.01wt.％至約0.12wt.％，例如約0.01wt.％至約0.1wt.％、約0.01wt.％至約0.08wt.％、約0.01wt.％至約0.06wt.％、約0.01wt.％至約0.04wt.％、約0.02wt.％至約0.12wt.％，例如約0.02wt.％至約0.1wt.％、約0.02wt.％至約0.08wt.％、約0.02wt.％至約0.06wt.％、約0.02wt.％至約0.04wt.％、約0.03wt.％至約0.12wt.％，例如約0.03wt.％至約0.1wt.％、約0.03wt.％至約0.08wt.％、約0.03wt.％至約0.06wt.％或約0.03wt.％至約0.04wt.％。在一些實施方式中，鏈烷醇胺是優(yōu)選的，其中最低濃度的單鏈烷醇胺及二鏈烷醇胺更優(yōu)選，且低于或等于13.0mmol/L的濃度特別優(yōu)選以產(chǎn)生低腐蝕。有機抑制劑可使用任何適宜的有機抑制劑。舉例而言，一些實施方式的有機抑制劑期望地改良抗腐蝕性和/或自過渡金屬表面清除活性氧。在一些實施方式中，有機抑制劑單獨使用或與分別由下式III-V涵蓋的抗壞血酸(Asc)、碳酰肼(CHZ)或二乙基羥胺(DEHA)組合使用：替代地或此外，在一些實施方式中，有機抑制劑包含兒茶酚、氫醌(HQn)、氫醌單甲醚(MEHQ)、二甲基乙二肟(DMGO)、甲基乙基酮肟(MEKO)、亞硫酸銨或其任意組合。在一些實施方式中，使用雙重抑制劑。在一些實施方式中，雙重抑制劑可為有利的，其中一種組分用作金屬(例如銅)的螯合還原劑且另一組分用作氧清除劑。在一些實施方式中，該組合是合意的，因為其為濃縮溶液提供較高清潔性能及較長儲放壽命。在一些實施方式中，螯合還原劑包含CHZ、Asc、DMGO、二羥基苯甲酸(DHBA)、沒食子酸、多酚、單寧酸或其任意組合。舉例而言，在一些實施方式中，CHZ與DEHA的組合為合意的，因為其避免或減少在長期儲存期間形成副產(chǎn)物。在一些實施方式中，可使用包括螯合還原抑制劑與非螯合活性氧清除劑的組合的任一適宜的雙重抑制劑以改良對(例如)銅布線及鈷襯墊或諸如此類的抗腐蝕性及移除磨料顆粒及其他殘余物的能力。舉例而言，雙重抑制劑可包括(但不限于)CHZ/DEHA、Asc/DEHA、DMGO/DEHA、CHZ/MEKO、Asc/MEKO、DMGO/DEHA、CHZ/HQn、Asc/HQn、DMGO/HQn、CHZ/亞硫酸銨、Asc/亞硫酸銨、DMGO/亞硫酸銨等。在優(yōu)選實施方式中，雙重抑制劑包含CHZ及DEHA。有機抑制劑可以任一適宜量存在，不管其為單一抑制劑或呈雙重抑制劑形式。在一些實施方式中，有機抑制劑可以約0.002wt.％至約10wt.％、例如約0.005至約5wt.％、例如約0.2wt.％至約4wt.％、約1wt.％至約3.5wt.％或約2wt.％至約3wt.％的量存在。舉例而言，在一些實施方式中，有機抑制劑在呈稀釋形式時的量為約0.002wt.％至約0.2wt.％。另外，在一些實施方式中，有機抑制劑在呈濃縮形式時的量為約0.1wt.％至約10wt.％。為闡釋，在具有包含CHZ及DEHA的雙重抑制劑的一些實施方式中，CHZ以稀釋形式以如下量存在：約0.002wt.％至約0.12wt.％，例如約0.002wt.％至約0.1wt.％、約0.002wt.％至約0.08wt.％、約0.002wt.％至約0.06wt.％、約0.002wt.％至約0.04wt.％、約0.002wt.％至約0.03wt.％、約0.005wt.％至約0.12wt.％、約0.005wt.％至約0.1wt.％、約0.005wt.％至約0.08wt.％、約0.005wt.％至約0.06wt.％、約0.005wt.％至約0.04wt.％、約0.005wt.％至約0.03wt.％、約0.01wt.％至約0.12wt.％、約0.01wt.％至約0.1wt.％、約0.01wt.％至約0.08wt.％、約0.01wt.％至約0.06wt.％、約0.01wt.％至約0.04wt.％或約0.01wt.％至約0.03wt.％。在具有包含CHZ及DEHA的雙重抑制劑的一些實施方式中，DEHA以稀釋形式以如下量存在：約0.002wt.％至約0.06wt.％，例如約0.002wt.％至約0.04wt.％、約0.002wt.％至約0.03wt.％、約0.002wt.％至約0.02wt.％、約0.002wt.％至約0.01wt.％或約0.002wt.％至約0.005wt.％?？梢匀玑槍HZ與DEHA的組合闡釋的相同量包括不管單獨或呈雙重形式的適宜有機抑制劑的其他實例。水本發(fā)明的清潔組合物含有水，其可以任一適宜量存在。舉例而言，水可以如下量存于清潔組合物中如用于清潔基板：約99.5wt.％至約99.981wt.％，例如約99.55wt.％至約99.981wt.％、約99.6wt.％至約99.981wt.％、約99.65wt.％至約99.981wt.％、約99.7wt.％至約99.981wt.％、約99.75wt.％至約99.981wt.％、約99.8wt.％至約99.981wt.％、約99.85wt.％至約99.981wt.％、約99.9wt.％至約99.981wt.％、約99.95wt.％至約99.981wt.％、約99.98wt.％至約99.981wt.％、約99.5wt.％至約99.98wt.％、約99.55wt.％至約99.98wt.％、約99.6wt.％至約99.98wt.％、約99.65wt.％至約99.98wt.％、約99.7wt.％至約99.98wt.％、約99.75wt.％至約99.98wt.％、約99.8wt.％至約99.98wt.％、約99.85wt.％至約99.98wt.％、約99.9wt.％至約99.98wt.％、約99.95wt.％至約99.98wt.％、約99.5wt.％至約99.95wt.％、約99.55wt.％至約99.95wt.％、約99.6wt.％至約99.95wt.％、約99.65wt.％至約99.95wt.％、約99.7wt.％至約99.95wt.％、約99.75wt.％至約99.95wt.％、約99.8wt.％至約99.95wt.％、約99.85wt.％至約99.95wt.％、約99.9wt.％至約99.95wt.％、約99.5wt.％至約99.9wt.％、約99.55wt.％至約99.9wt.％、約99.6wt.％至約99.9wt.％、約99.65wt.％至約99.9wt.％、約99.7wt.％至約99.9wt.％、約99.75wt.％至約99.9wt.％、約99.8wt.％至約99.9wt.％、約99.85wt.％至約99.9wt.％、約99.5wt.％至約99.85wt.％、約99.55wt.％至約99.85wt.％、約99.6wt.％至約99.85wt.％、約99.65wt.％至約99.85wt.％、約99.7wt.％至約99.85wt.％、約99.75wt.％至約99.85wt.％、約99.8wt.％至約99.85wt.％、約99.5wt.％至約99.8wt.％、約99.55wt.％至約99.8wt.％、約99.6wt.％至約99.8wt.％、約99.65wt.％至約99.8wt.％、約99.7wt.％至約99.8wt.％、約99.75wt.％至約99.8wt.％、約99.5wt.％至約99.75wt.％、約99.55wt.％至約99.75wt.％、約99.6wt.％至約99.75wt.％、約99.65wt.％至約99.75wt.％、約99.7wt.％至約99.75wt.％、約99.5wt.％至約99.7wt.％、約99.55wt.％至約99.7wt.％、約99.6wt.％至約99.7wt.％、約99.65wt.％至約99.7wt.％、約99.5wt.％至約99.65wt.％、約99.55wt.％至約99.65wt.％、約99.6wt.％至約99.65wt.％、約99.5wt.％至約99.6wt.％、約99.55wt.％至約99.6wt.％或約99.5wt.％至約99.55wt.％，所有皆為基于清潔組合物的總重量。在清潔組合物的濃縮形式中，在本發(fā)明的清潔組合物的一些實施方式中，可包括一些量的水，例如該量為約45wt.％至約99wt.％，例如約50wt.％至約95wt.％、約60wt.％至約90wt.％、約70wt.％至約85wt.％或約75wt.％至約80wt.％。其他組分若需要，本發(fā)明的清潔組合物可包括潤濕劑，例如表面活性劑，例如非離子型表面活性劑、陰離子型表面活性劑、基于胺基酸的表面活性劑等。在一些實施方式中，潤濕劑可為1,4-丁二醇、丙二醇或異丙醇。潤濕劑的具體實例包括TRITONTMBG-10(購自DowChemical公司，Lisle,IL)、Sinopol1110(購自Sino-JapanChemical有限公司，Taiwan,ROC)、Sinonate1100HP(購自Sino-JapanChemical有限公司)、PERLASTANTMC(購自Schill+SeilacherGmbH,Germany)和/或SerdolaminePPG72(購自MSC,Jiangsu,ROC)?？砂ㄋ鰸櫇駝┮愿牧冀^緣體表面上的潤濕性以及有利于有機殘余物溶解。在一些實施方式中，清潔組合物優(yōu)選實質(zhì)上不含清潔組合物中先前已知的一些成分，例如抗壞血酸和/或半胱氨酸，其可難以藉由清潔移除和/或在儲存期間在(例如)高度堿性溶液中不穩(wěn)定。在一些實施方式中，清潔組合物任選實質(zhì)上不含其他成分，例如檸檬酸及草酸。如本文所用，“實質(zhì)上不含”所述其他成分意指基于組合物的重量，組合物含有0wt.％，或沒有這種其他液壓(水力，hydraulic)材料或無效量或非實質(zhì)量的所述其他成分。無效量的實例為低于使用所述成分達(dá)到預(yù)期目的的閾值量的量，如本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的。根據(jù)成分，基于組合物的重量，非實質(zhì)量可為(例如)約1wt.％或更小、約0.5wt.％或更小、約0.1wt.％或更小或約0.05wt.％或更小，如本領(lǐng)域技術(shù)人員了解的。機制現(xiàn)參照圖1。盡管不希望受限于任何特定理論，據(jù)信沿水平圖示的示意圖1-3可圖解說明本發(fā)明的實施方式的機制。出于比較目的，圖1亦提供沿垂直圖示的示意圖1及4以圖解說明據(jù)信與常規(guī)系統(tǒng)相關(guān)的機制。由示意圖1繪示的起點將銅圖解說明為半導(dǎo)體晶片上的基材金屬。金屬的晶粒邊界(x)、(y)及(z)示意性示于圖1中。關(guān)于晶粒邊界，應(yīng)了解，金屬具有多晶結(jié)構(gòu)，其中每一晶體呈晶粒形式。據(jù)信晶體之間的較突出晶粒邊界導(dǎo)致較高程度的粗糙度，這是不合意的，因為負(fù)面影響導(dǎo)電率。亦可觀察到，在CMP制程期間藉由過氧化物氧化形成金屬氧化物(在此情形下為氧化銅)。參照據(jù)信繪示本發(fā)明的實施方式的機制的水平圖示，將本發(fā)明的清潔組合物施加至晶片，使得大體積保護配體接觸表面并據(jù)信主要與基板上的最具反應(yīng)性位點以熱動力學(xué)方式反應(yīng)。就此而言，據(jù)信由于與晶粒邊界相關(guān)的粗糙度，晶粒邊界(其中結(jié)晶度較低)可產(chǎn)生高表面能。在優(yōu)選實施方式中，大體積保護配體具有合意的反應(yīng)動力學(xué)，其容許該大體積保護配體以等效于或快于蝕刻劑的速率的速率反應(yīng)。然而，在一些實施方式中，大體積保護配體可以較蝕刻劑慢的速率反應(yīng)，但在所述實施方式中，為補償，可包括較高摩爾濃度的大體積保護配體且多于蝕刻劑。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，如示意圖2中所見，據(jù)信期望大體積保護配體含有將吸引晶粒邊界的高表面能的官能基(繪示為“F.G.”)。期望的官能基由親核性、金屬(例如銅)離子親和力、螯合能力、不穩(wěn)定性及大小(體積)表征。期望親核性可由(例如)Swain-Scott方程、Ritchie方程或Mayr-Patz方程表征；金屬離子親和力可由(例如)硬及軟(路易士(Lewis))酸及堿(HSAB)理論表征；螯合能力可由(例如)與所關(guān)注配體的金屬絡(luò)合物的解離反應(yīng)的平衡常數(shù)表征；且不穩(wěn)定性可由(例如)如何容易地斷開金屬-配體鍵表征。其實例可包括-OH、-OR、RNH-、R2N-、H2NCH2CH2O-、C＝O、羧酸基團、膦酸基團、嗎啉衍生物和/或哌嗪衍生物。此配體具有保護性，因為其與導(dǎo)電劑表面上的金屬離子(例如銅)相互作用，同時在最具反應(yīng)性位點(例如晶粒邊界，其特征在于低結(jié)晶度和/或升高的表面能)處用新M-配體(例如，Cu-配體)鍵置換M-O(例如，Cu-O)鍵。保護配體用于防止蝕刻劑對最具反應(yīng)性位點(例如，晶粒邊界、劃痕等)的優(yōu)先攻擊，使得有機胺隨后可提供改良的均勻蝕刻，例如實質(zhì)上均勻的蝕刻。示意圖3圖解說明進(jìn)行清潔后的金屬表面。如示意圖3中所見，在導(dǎo)電劑的最具反應(yīng)性位點由大體積保護配體保護后，將作為小的螯合蝕刻劑(繪示為“A”)的有機胺(例如，MEA)(其優(yōu)選以相對于保護配體相等或較低的濃度包括)拉至基板以實質(zhì)上均勻地蝕刻表面。術(shù)語“[O]堿性溶液”是指Cu(0)及銅I可在高pH堿性溶液中由分子氧進(jìn)一步氧化。據(jù)信，與半導(dǎo)體晶片的整個表面相比，反應(yīng)位點的數(shù)目通常構(gòu)成極小區(qū)域。作為小的螯合蝕刻劑的有機胺能夠接觸反應(yīng)位點之間的導(dǎo)電劑表面或開始使不穩(wěn)定配體移位，據(jù)信此形成有機胺的障壁。據(jù)信可藉助以下方式底切氧化銅層：與蝕刻劑的相互作用及胺分子與銅離子的加成物和/或胺及保護配體分子與銅離子的混合配體加成物的溶解，由于均勻表面蝕刻作用，有機胺不優(yōu)先攻擊最具反應(yīng)性位點(例如晶粒邊界及缺陷(例如劃痕))。通常，如示意圖3中所見，本發(fā)明的優(yōu)選實施方式生成相對較低粗糙度(或更小)。藉由比較，產(chǎn)生示意圖4的垂直圖示圖解說明據(jù)信與常規(guī)系統(tǒng)相關(guān)的機制。應(yīng)了解，術(shù)語各向異性蝕刻是指由于對最具反應(yīng)性位點的優(yōu)先攻擊的導(dǎo)電劑表面的非均勻蝕刻，其導(dǎo)致遠(yuǎn)高得多的表面粗糙度及差的清潔性能。一般而言，據(jù)信產(chǎn)生于示意圖4的機制生成更高粗糙度(例如，)，其可損害晶片性能，尤其在先進(jìn)節(jié)點應(yīng)用中。清潔方法本發(fā)明亦提供清潔方法。清潔方法包含以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(a)提供具有由半導(dǎo)體晶片的化學(xué)機械拋光產(chǎn)生的污染物的半導(dǎo)體晶片，及(b)使半導(dǎo)體晶片表面與清潔組合物接觸，以自半導(dǎo)體晶片表面移除至少一些污染物。如本文所述，污染物可包括(例如)磨料粒子、有機殘余物、金屬離子、墊碎片及CMP副產(chǎn)物或其任意組合。在各個實施方式中，晶片可包括低-k介電材料和/或金屬導(dǎo)體。本發(fā)明進(jìn)一步提供拋光及清潔半導(dǎo)體晶片表面的方法。該方法包含以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(a)提供拋光墊、化學(xué)機械拋光組合物及半導(dǎo)體晶片；(b)使半導(dǎo)體晶片與拋光墊及拋光組合物接觸；(c)使拋光墊相對于半導(dǎo)體晶片表面移動，其間具有拋光組合物，以研磨半導(dǎo)體晶片表面并藉此拋光晶片表面，使得晶片的拋光表面含有化學(xué)機械拋光組合物的污染物；及(d)使含有污染物的半導(dǎo)體晶片的拋光表面與如本文所述清潔組合物接觸，以自半導(dǎo)體晶片的拋光表面移除至少一些污染物。通常，化學(xué)機械拋光組合物將用于利用拋光墊拋光半導(dǎo)體晶片，使得拋光及清潔半導(dǎo)體晶片的本發(fā)明方法進(jìn)一步包含在拋光墊與半導(dǎo)體晶片之間提供化學(xué)機械拋光組合物、使半導(dǎo)體晶片與拋光墊接觸(其間具有拋光組合物)及使拋光墊相對于半導(dǎo)體晶片移動(其間具有拋光組合物)以研磨半導(dǎo)體晶片并藉此拋光半導(dǎo)體晶片。本發(fā)明并不限于拋光組合物，其可為如現(xiàn)有技術(shù)已知的任何適宜的拋光組合物。另外，本發(fā)明并不限于拋光期間所用的CMP裝置及拋光墊，其可為任何適宜的CMP裝置及拋光墊，其中的許多為現(xiàn)有技術(shù)已知。通常，化學(xué)機械拋光裝置包含(a)旋轉(zhuǎn)的平臺；(b)布置于平臺上的拋光墊；及(c)把持(容納)欲藉由接觸旋轉(zhuǎn)拋光墊而拋光的半導(dǎo)體晶片的載體。在一些實施方式中，該裝置進(jìn)一步包含(d)用于在拋光墊與半導(dǎo)體晶片之間遞送化學(xué)機械拋光組合物的構(gòu)件。舉例而言，在一些實施方式中，用于遞送化學(xué)機械拋光組合物的構(gòu)件可包括(例如)泵及流量計量系統(tǒng)。以下實施例進(jìn)一步闡釋本發(fā)明，但當(dāng)然不應(yīng)理解為以任何方式限制本發(fā)明的范疇。實施例1此實施例闡釋根據(jù)本發(fā)明實施方式制備的清潔組合物在含銅的晶片基板上進(jìn)行化學(xué)機械拋光(“CMP”)后的使用。具體而言，使用以C8902自CabotMicroelectronics(Aurora,IL)購得的拋光組合物使含銅的無圖案晶片(blanketwafer)(即，無任何圖案)經(jīng)受平臺-2(“P2”)銅拋光，如現(xiàn)有技術(shù)中所了解的。在用商業(yè)上鑒別為I-PDA33A-3(Kinik公司，SanJose,CA)的產(chǎn)品調(diào)節(jié)后，使用商業(yè)上鑒別為D100/(20WX80P)/WIN(5558)且購自CabotMicroelectronics的拋光墊。隨后使用以B7002-1自CabotMicroelectronics購得且具有以下配方的拋光組合物使每一無圖案銅晶片經(jīng)受平臺-3(“P3”)障壁拋光(barrierpolishing)：1.0wt.％過氧化氫(H2O2)及250ppm苯并三唑(BTA)。在用商業(yè)上鑒別為A82(3M,St.Paul,MN)的產(chǎn)品調(diào)節(jié)后，使用商業(yè)上鑒別為H7000且購自FujiboGroup(Tokyo,Japan)的拋光墊。在MIRRATMCMP裝置(AppliedMaterials公司，SantaClara,CA)上利用標(biāo)準(zhǔn)拋光參數(shù)實施拋光。利用如表1中所述的不同量的三(2-羥乙基)甲基氫氧化銨(“THEMAH”)、單乙醇胺(“MEA”)及碳酰肼(“CHZ”)以及去離子水制備五種清潔組合物(命名為組合物1A-1E)。表1組合物THEMAH(wt.％)MEA(wt.％)CHZ(wt.％)1A3.561.51B241.51C541.51D221.51E521.5使用組合物1A-1E中的每一個以清潔所拋光晶片基板。藉助購自AppliedMaterials公司的ONTRAKTMDSS200Integra工具實施清潔。在清潔后，評估晶片基板，且結(jié)果示于表2及圖2中。具體而言，基于光學(xué)激光顯微術(shù)的觀察使用SurfscanSP1DLS晶片檢查系統(tǒng)及KLARITYTM缺陷分析模組(二者皆購自KLATencor,Milpitas,CA)測定與每一組合物相關(guān)的銅及BLACKDIAMONDTM(“BD-I”)(購自AppliedMaterials公司)上的缺陷的數(shù)目。測量缺陷，其中銅的臨界值(閾值)為0.25μm且BD-I的為0.225μm。圖2基于由表2中的“總?cè)毕荨睓诒硎镜你~及BD-I缺陷的組合總量反映清潔程度。腐蝕測量是主觀的，基于實驗室過量蝕刻測試(20min)，利用使用1-10的級別的SEM視覺分級，其中1等于最佳(DI水)且10等于最差。粗糙度闡述為算術(shù)平均值(Ra)。表2本發(fā)明實施方式提供關(guān)于銅和/或BD-I缺陷的數(shù)目、粗糙度和/或腐蝕分級的益處。優(yōu)選地，本發(fā)明實施方式在上述類別中的至少二者中提供良好的結(jié)果。在清潔組合物含有比呈氫氧化季銨(在此實施例中為THEMAH)形式的保護配體的量低的量的有機胺(在此實施例中為MEA)時，觀察到最佳結(jié)果；然而，在一些實施方式中，相等量的二者可適宜。如表2及圖2中可見，組合物1A具有不期望高的腐蝕分級、高總?cè)毕菁案叽植诙戎担M合物1B盡管具有低粗糙度值但不期望地生成高缺陷及高腐蝕分級二者。與組合物1B相比，組合物1C盡管具有相對高腐蝕分級但期望地實現(xiàn)低缺陷及低粗糙度值。盡管組合物1D產(chǎn)生高缺陷計數(shù)，但其期望地生成杰出的腐蝕分級及低粗糙度值。組合物1E生成高清潔效率(低銅及BD-I缺陷)以及低粗糙度及低腐蝕。實施例2此實施例闡釋在含銅的晶片基板上進(jìn)行化學(xué)機械拋光(“CMP”)后與兩種常規(guī)市售清潔組合物相比使用根據(jù)本發(fā)明實施方式制備的清潔組合物的益處。具體而言，使含有銅及呈BD-I形式的低介電有機膜的無圖案晶片經(jīng)受平臺-2(“P2”)及平臺-3(“P3”)拋光，如實施例1中所述。在MIRRATMCMP裝置上利用標(biāo)準(zhǔn)拋光參數(shù)實施拋光。下表3闡釋所測試清潔組合物的結(jié)果。基于光學(xué)激光顯微術(shù)的觀察使用SurfscanSP1DLS晶片檢查系統(tǒng)及KLARITYTM缺陷分析模組記錄與每一組合物相關(guān)的銅缺陷及低介電有機膜缺陷(BD-I)的數(shù)目。測量缺陷，其中銅的臨界值為0.25μm且BD-I的為0.225μm。腐蝕測量是主觀的，基于實驗室過量蝕刻測試(20min)，利用使用1-10的級別的SEM視覺分級，其中1等于最佳且10等于最差。將表3中的缺陷的數(shù)目的數(shù)據(jù)正規(guī)化至針對組合物2A觀察的缺陷的數(shù)目，設(shè)定為100。表3本發(fā)明的清潔組合物，組合物1E，根據(jù)實施例1制備。比較組合物2A及2B分別以PLANARCLEANTM及ESC-784TM自ATMI(Danbury,CT)購得。如表3中所見，本發(fā)明實施方式提供關(guān)于銅和/或低-k缺陷的數(shù)目、粗糙度和/或腐蝕分級的益處。優(yōu)選地，本發(fā)明實施方式在上述類別中的至少二者中提供良好結(jié)果。組合物2A盡管展現(xiàn)低粗糙度值及低腐蝕分級但不期望地生成高銅及低-k缺陷。盡管組合物2B生成低總?cè)毕?，但其不期望地展現(xiàn)高粗糙度值及高腐蝕分級。顯示包含高濃度的呈THEMAH形式的大體積保護配體及低濃度的有機胺以及小的螯合蝕刻劑(在此情況下為MEA)的本發(fā)明的清潔組合物提供關(guān)于所有上述類別的益處。特別地，組合物1E生成低銅及低-k缺陷以及低粗糙度及低腐蝕。實施例3此實施例闡釋在含銅的晶片基板上實施CMP后使用根據(jù)本發(fā)明實施方式制備的具有雙重抑制劑的清潔組合物的益處。具體而言，使含銅的無圖案晶片經(jīng)受平臺-2(“P2”)及平臺-3(“P3”)拋光，如實施例1中所述。在REFLEXIONLKTMCMP裝置(AppliedMaterials公司)上利用標(biāo)準(zhǔn)拋光參數(shù)實施拋光。下表4闡釋根據(jù)本發(fā)明實施方式制備的清潔組合物，其包括調(diào)配物中的一定量的三(2-羥乙基)甲基氫氧化銨(“THEMAH”)、單乙醇胺(“MEA”)、二乙基羥胺(“DEHA”)及碳酰肼(“CHZ”)。將每一組合物在線稀釋50倍。組合物1E根據(jù)實施例1制備。表4組合物THEMAH(wt.％)MEA(wt.％)DEHA(wt.％)CHZ(wt.％)1E5201.53A52003B523.003C521.51.53D520.51.5下表5闡釋所測試清潔組合物的結(jié)果。藉由光學(xué)激光顯微術(shù)使用SurfscanSP1DLS晶片檢查系統(tǒng)及KLARITYTM缺陷分析模組測量缺陷，其中銅的臨界值為0.25μm且BD-I的為0.225μm?！皹?biāo)準(zhǔn)偏差”代表存在的偏離平均值的變化的量；“粒子”欄是指在清潔制程期間未移除的磨料粒子的數(shù)目；且“殘余物”欄是指在清潔制程期間未移除的有機材料(包括化學(xué)品及墊碎片)的量。表5如表5中所見，包含“雙重抑制劑”(CHZ及DEHA)的組合物3D展現(xiàn)相對于分別不包含抑制劑、僅包含CHZ及僅包含DEHA的組合物1E-3B顯著改良的銅缺陷控制。具體而言，不包含抑制劑的組合物3A展現(xiàn)相當(dāng)高的銅缺陷。此外，組合物3D顯示CMP后清潔后剩余的磨料粒子的數(shù)目及有機材料的量皆顯著降低。下表6闡釋雙重抑制劑濃度CHZ/DEHA對銅布線及鈷襯墊的抗腐蝕性的正性效應(yīng)。藉由利用具有汞標(biāo)準(zhǔn)電極的SP300(來自Bio-LogicScienceInstruments,Claix,France)實施的電化學(xué)分析測量銅布線及鈷襯墊的腐蝕電位(Ecorr)及腐蝕電流密度(Icorr)。表6如表6中所見，結(jié)果闡釋雙重抑制劑對兩種金屬(鈷襯墊及銅線)的化學(xué)腐蝕速率的正性效應(yīng)，使得Icorr與腐蝕速率成正比。因此，有利地，Icorr愈小，則腐蝕愈慢。本文所引用的所有參考文獻(xiàn)(包括出版物、專利申請案及專利)皆以引用方式并入本文中，其并入程度如同將每一參考文獻(xiàn)個別且特別指示以引用方式并入本文中并且其全文列示于本文中一般。除非本文另外指明或上下文明顯矛盾，否則在闡述本發(fā)明的上下文(尤其在下文申請專利范圍的上下文)中所用的術(shù)語“一(a及an)”及“該”及“至少一種”及類似指示物均應(yīng)解釋為涵蓋單數(shù)與復(fù)數(shù)二者。除非本文另外指明或上下文明顯矛盾，否則緊接著一或多個物項的列表使用的術(shù)語“至少一個”(例如，“A及B中的至少一個”)應(yīng)解釋為意指選自所列示物項的一個物項(A或B)或兩個或更多個所列示物項的任何組合(A及B)。除非另外指明，否則術(shù)語“包含”、“具有”、“包括”及“含有”應(yīng)理解為開放性術(shù)語(即，意指“包括但不限于”)。除非本文另外指明，否則本文所列舉的數(shù)值范圍僅意欲作為個別提及此范圍內(nèi)的每一單獨值的速記方法，并且每一單獨值如同在本文中個別列舉一般并入本說明書中。除非本文另有說明或上下文另外明顯矛盾，否則本文所述的所有方法可以任何適宜順序?qū)嵤３橇硗饴暶?，否則，本文所提供任何及所有實例或示例性語言(例如，“諸如”)僅意欲用于更好地闡釋本發(fā)明且并非對本發(fā)明范疇加以限制。本說明書中的任何語言均不應(yīng)解釋為指示任何未主張要素對于本發(fā)明實踐是必不可少的。本文闡述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括本發(fā)明者已知用于實施本發(fā)明的最佳模式。本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀上述說明后可明了這些優(yōu)選實施方式的變化形式。發(fā)明者期望本領(lǐng)域技術(shù)人員適當(dāng)采用這些變化形式，且發(fā)明者期望本發(fā)明可以不同于本文具體闡述的方式實踐。因此，本發(fā)明包括適用法律所允許的本文隨附權(quán)利要求書中所述主題的所有修改形式及等效形式。此外，除非本文另有說明或上下文另外明顯矛盾，否則在其所有可能的變化形式中，上述元素的任何組合均涵蓋于本發(fā)明中。當(dāng)前第1頁1 2 3