專利名稱：一種改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種制備對(duì)水具有良好阻隔性的柔性襯底材料或封裝及其相關(guān)方法的。這種材料及制備技術(shù)適用于柔性電子器件的襯底或封裝。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，微納電子器件如有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、有機(jī)/高分子電致發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)光伏電池、有機(jī)激光器、有機(jī)光導(dǎo)纖維、有機(jī)化學(xué)與生物傳感器、有機(jī)納米信息存儲(chǔ)器等相繼出現(xiàn)，并日益扮演著十分重要的角色。以顯示技術(shù)為例，自從1987年美國(guó)柯達(dá)公司首先發(fā)表了用有機(jī)材料制作發(fā)光二極管、1990年英國(guó)劍橋大學(xué)報(bào)道了低電壓下高分子電致發(fā)光的現(xiàn)象以來，OLED技術(shù)發(fā)展十分迅速。與液晶顯示相比，這種全新的顯示技術(shù)具有更薄更輕、主動(dòng)發(fā)光(即不需要背光源)、廣視角、高清晰、響應(yīng)快速、能耗低、低溫和抗震性能優(yōu)異、潛在的低制造成本以及柔性和環(huán)保設(shè)計(jì)等信息顯示和器件制造所要求的幾乎所有優(yōu)異特征，被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。
該類器件的制備一般是以覆有ITO膜的玻璃作為襯底，其中ITO膜作為電致發(fā)光器件的陽(yáng)極，然后將有機(jī)/聚合物材料用旋涂或真空熱蒸發(fā)等方法按照各種結(jié)構(gòu)制作在ITO玻璃表面，再在其上蒸發(fā)一層低功函數(shù)金屬如Mg、Mg:Ag、Ca、Li、Al等作為器件負(fù)電極，光從覆有ITO膜的玻璃襯底側(cè)輸出。玻璃基材最大的優(yōu)勢(shì)是可見光透過率高，對(duì)氧和水的阻隔能力強(qiáng)。但通常的玻璃基底很脆、不可彎曲，不能用來制備柔性器件。要實(shí)現(xiàn)大面積柔性顯示，必須要用柔韌性好、且具有良好透光性材料代替玻璃作為襯底。如M.D.J.Auch等用超薄玻璃作為基材，試圖制成具有一定形變能力的顯示器件(M.D.J.Auch，O.K.Soo，G.Ewald et al.，Thin Solid Films，2002，(417)47-50)。但在柔性顯示方面，人們嘗試更多的是各種塑料，這是因?yàn)樗芰媳∧ぞ哂泻芎玫娜犴g性、可變形、可卷曲，并且具有適當(dāng)硬度和剛性，可以實(shí)現(xiàn)柔性器件的輥筒(Roll to Roll)印刷或噴墨打印。如A.J.Heeger等人1992年第一次發(fā)明了用塑料做為襯底制備顯示器(Gustufsson G，Cao Y，Treacy GM，et al，Nature，1992，357(6378)477-479；Cao Y，Treacy GM，Smith p，et al.，Appl.Phys.Lett.，1992，60(22)2711-2713)，他們采用聚苯胺(PANI)或聚苯胺的混合物作為導(dǎo)電材料，通過溶液旋涂的方法在柔性透明襯底材料聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)上形成導(dǎo)電膜，并以此作為發(fā)光器件的電極制備高分子柔性顯示器件。1997年，Princeton大學(xué)的Forrest等人(Gu G，Burrows PE，Venkatesh S，F(xiàn)orrest SR and Thompson ME，Optics Lett.，1997，22172-174；Gu G，Shen Z，Burrows PE，F(xiàn)orrest SR，Adv.Mat.，1997，9725-729)發(fā)明了用PET基于小分子磷光材料為發(fā)光層的柔性；Muguruma H等(Muguruma H，Matsumura K，Hott S，Materials Letters，2003，572688-2692)還用聚酰亞胺(PI)作為基材，在其上通過磁控濺射的方法沉積一層ITO薄膜作為陽(yáng)極，以制備柔性器件；除最常用的PET、PI之外，Moosheimer U等人(Bichler Ch，Kerbstadt T，LangowskiH-C，Moosheimer U，Surface and Coatings Technology 1999，112373-378)還嘗試用聚碳酸酯(PC)、雙向拉伸聚丙烯(BOPP)、透明聚氯乙烯(PVC)等作為基底材料。
塑料盡管具有很好的韌性和透明性，但其具有一個(gè)致命的弱點(diǎn)，就是其對(duì)水和氧氣的阻隔性能差。而OLED器件對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感氧氣是三線態(tài)淬滅劑，使發(fā)光量子效率顯著下降；氧氣對(duì)空穴傳輸層(一般為芳香胺類化合物)及發(fā)光層的氧化(生成羰基化合物)，使發(fā)光效率和器件壽命大大降低。水汽的影響更顯而易見，其對(duì)電極材料、傳輸材料及發(fā)光材料的水解作用，將大大降低器件的壽命。特別是在OLED器件中，有機(jī)層厚度一般小于2000A，其發(fā)光極易被氧和水所猝滅；加之其陰極一般均采用非?；顫姷腃a、Mg等金屬，也極易被氧化和和水解。因而，作為襯底或封裝材料，要求對(duì)水和氧氣的阻隔性非常高。
目前通常采用的改進(jìn)方法是在塑料基底上沉積金屬、陶瓷、類金剛石和疏水性聚合物，以提高其對(duì)氧、水的阻隔性。US2003062519提出了一種方法，在PET等柔性聚合物基底上沉積Al2O3，使得器件穩(wěn)定性得以提高；通用電器公司的專利US6465953中，用化學(xué)氣相沉積(PECVD)法在PET、PC、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和硅樹脂等基底上制備SiO2和Si3N4的無機(jī)涂層，以達(dá)到阻隔水和氧氣的目的；IBM的專利US5,952,778發(fā)明了一種在塑料基底上同時(shí)沉積無機(jī)物層和有機(jī)物層的方法，以提高對(duì)水和氧氣的阻隔性共三層，第一層為蒸鍍、磁控濺射等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法沉積的鈍化金屬如金、銀、鋁等薄膜，第二層沉積的是SiO、SiO2、Si3N4、GeO、ZrO等無機(jī)物薄膜，第三層為層壓法制得的憎水聚合物層，如聚硅氧烷、聚四氟乙烯(PTFE)、支化聚烯烴(如PE，PP)。Motorola的專利US5,693,956中，用PVC，PI，聚烯烴，聚丙烯酸酯，含氟聚合物，聚砜等高分子作基底，采用同時(shí)沉積一層無機(jī)物、一層有機(jī)物的方法以提高其阻隔性?？傊?，這種在塑料基底上沉積無機(jī)有機(jī)多層膜的方法，日益受到人們的關(guān)注，其中無機(jī)物膜如類金屬、類金剛石(DLC)、Al2O3、陶磁等通常通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)和磁控濺射技術(shù)制備；而有機(jī)膜通常用等離子體聚合、層壓熱合、表面接枝等方法制備。
目前在憎水聚合物有機(jī)層制備方面，主要有二類一是通過用四氟化碳、四氟乙烯等的等離子體在基底上聚合形成；二是用光、等離子體等產(chǎn)生自由基引發(fā)丙烯酸或丙烯酸酯等可聚合單體在基底表面接枝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是獲得一種改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法。
本發(fā)明提出一種在塑料基片上制備對(duì)水具有良好阻隔性的高分子層的方法。具體地，在塑料基片表面上通過接枝聚合的方法，用含氟化合物、特別是含氟丙烯酸或含氟丙烯酸酯產(chǎn)生一層憎水的含氟丙烯酸或丙烯酸酯聚合物膜層，從而提高對(duì)水的阻隔性。這種材料和改性方法可以用作制備柔性有機(jī)電致發(fā)光器件的基底或封裝，實(shí)現(xiàn)提高器件穩(wěn)定性和使用壽命的目的。
作為基底的材料，可以是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、含硅聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、透明聚氯乙烯(PVC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)聚乙烯醇(PVA)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVAL)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(Nylon)、醋酸纖維素(PT)等透明材料，或以它們?yōu)榛A(chǔ)的改性材料，或它們之間及它們與其它材料的混合物等。
作為基底的材料，最好是透明性好、并具有較高剛性和強(qiáng)度、較高熱變形溫度的PET、PEN、PI、PC、PMMA、含硅聚合物、PAN、Nylon、PT、PVA等材料，或以它們?yōu)榛A(chǔ)的改性材料，或它們之間及它們與其它材料的混合物等。
作為基底的材料，最好對(duì)氧氣具有良好或較好阻隔能力的PAN、PVA、EVA、EVALPET、PEN、PI、含硅聚合物等材料，或以其為基礎(chǔ)材料的改性材料。
含氟化合物單體可以是含氟的化合物，特別是具有可發(fā)生聚合反應(yīng)基團(tuán)的含氟丙烯酸、含氟丙烯酸酯等。
含氟化合物單體如含氟丙烯酸、含氟丙烯酸酯等。最好是全氟丙烯酸、丙烯酸全氟酯等。如七氟丙烯酸癸酯、七氟丙烯酸丁酯、丙烯酸二十氟代十二烷基酯等。
在含氟聚合物膜層上繼續(xù)形成一層或多層無機(jī)或有機(jī)層，可進(jìn)一步提高對(duì)水、氧的阻隔性。
無機(jī)層是金屬，或陶瓷，或類金剛石，有機(jī)層是聚合物層。沉積方法是無機(jī)物層用磁控濺射或PECVD等方法；有機(jī)高分子層可用包括類似本發(fā)明的方法沉積，可進(jìn)一步提高聚合物產(chǎn)品對(duì)水、氧的阻隔性。
沉積膜層可以在1-4層范圍，膜層總厚度是5-500nm范圍。
本發(fā)明的高分子基底可以是薄膜或片材狀。
所制備得到的含氟聚合物，可以是含氟單體的均聚物，也可以是含氟單體共聚物，如六氟丙烯酸與烯丙基五氟苯的共聚物。
含氟聚合物也可以是含氟單體和不含氟單體的共聚物，例如含氟丙烯酸與苯乙烯的共聚物。
含氟聚合物層的制備方法，可以通過單體在塑料基底表面聚合制得。聚合方法可以是熱聚合、光聚合、等離子體聚合、電離輻射聚合等。為了盡可能減少體系中雜質(zhì)，最好用電離輻射聚合、等離子體聚合等方式制備。
等離子體聚合，可以將含氟單體或其溶液涂于經(jīng)等離子體處理過的高分子基底上聚合而成，或者將含氟單體或其溶液用載氣帶入等離子體處理體系聚合而成。
上述載氣可以是氧氣、氨氣、氮?dú)狻錃饣驓鍤獾取?br> 本發(fā)明在含氟聚合物膜層制成后，可繼續(xù)沉積ITO導(dǎo)電薄膜、傳輸材料、發(fā)光材料及電極等制得電致發(fā)光器件。
用本發(fā)明的方法可獲得有機(jī)電致發(fā)光器件的柔性襯底式封裝。
用本發(fā)明的方法可獲得微納電子器件的柔性襯底或封裝。
通過這種方法，可以在高分子基底上形成一層5-500nm的含氟高分子膜，方法簡(jiǎn)單易控。該氟化物高分子膜的形成，可大大提高基底材料對(duì)水的阻隔性能。并且該含氟高分子薄膜的形成不會(huì)對(duì)基底的透明性產(chǎn)生明顯影響。該方法及相關(guān)材料特別適用于制備有機(jī)高分子平板顯示器件柔性基底或用作有機(jī)高分子平板顯示器件的封裝。同樣適合于其它微納電子器件的柔性襯底或封裝。
具體實(shí)施例方式
以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明實(shí)施例1將PET薄膜用甲苯、丙酮、乙醇和去離子水清洗以及使用超聲波進(jìn)行清潔處理后，將其在等離子體增強(qiáng)化學(xué)沉積系統(tǒng)(PECVID)中用O2等離子體處理5min后取出，然后將丙烯酸二十氟代十二烷基酯的丙酮溶液平鋪到經(jīng)過處理的一面形成一個(gè)薄層，其上用經(jīng)清潔處理的玻璃板壓上，反應(yīng)24小時(shí)，即在PET基底上形成一層致密的丙烯酸二十氟代十二烷基酯聚合物膜，膜厚約300nm。該膜的形成，使得經(jīng)改性處理的PET膜表面對(duì)水的浸潤(rùn)角大于130度。水蒸氣透率與未經(jīng)改性的PET相比，降低約50％。在這種改性后PET基底未經(jīng)等離子體處理的一面，用磁控濺射的方法沉積一層ITO導(dǎo)電薄膜(膜厚約150nm)后，再依次沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電極制作電致發(fā)光器件，與相同條件下用未經(jīng)處理的PET作為基底在相同條件、相同工藝下制得的器件相比，器件發(fā)光效率下降一半所需時(shí)間延長(zhǎng)約15％。
實(shí)施例2PET表面聚合改性方法如實(shí)施例1。在改性后PET基底未經(jīng)等離子體處理的一面，用磁控濺射的方法先沉積一層類金剛石薄膜(約120nm)。這時(shí)這種經(jīng)沉積類金剛石膜的改性PET膜的水蒸氣透率與未經(jīng)改性的PET相比，降低約90％。然后在類金剛石層上再沉積一層ITO導(dǎo)電薄膜(膜厚約150nm)，并依次再沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電極制作電致發(fā)光器件，與相同條件下用未經(jīng)處理的PET作為基底在相同條件、相同工藝下制得的器件相比，器件發(fā)光效率下降一半所需時(shí)間延長(zhǎng)約30％。
實(shí)施例3PET表面聚合改性方法及類金剛石的方法如實(shí)施例2，在類金剛石層上面再沉積一層氮化硅，然后再蒸鍍ITO，并按實(shí)施例2中方法，制成柔性器件；實(shí)施例4PET表面用含氟丙烯酸聚合改性的方法同實(shí)施例1，然后按與實(shí)施例1類似的方法，在未形成含氟丙烯酸層的另一面，也通過等離子體引發(fā)聚合形成類似的含氟丙烯酸層，即制得兩面均有含氟丙烯酸層的改性PET膜。在其中的一面上，再一次用與實(shí)施例1相似的方法，用乙烯醇單體形成一層聚乙烯醇層(約250nm)；然后按實(shí)施例1中的方法制成柔性電致發(fā)光器件。這種器件與與相同條件下用未經(jīng)處理的PET作為基底在相同條件、相同工藝下制得的器件相比，器件發(fā)光效率下降一半所需時(shí)間延長(zhǎng)約30％。
實(shí)施例5PET表面用含氟丙烯酸聚合改性的方法以及用乙烯醇單體形成一層聚乙烯醇層的方法均同實(shí)施例4；然后在聚乙烯醇層上面，按實(shí)施例2中相同的方法沉積一層類金剛石。這時(shí)這種一面具有含氟丙烯酸層，另一面依次為含氟丙烯酸層、聚乙烯醇層、類金剛石層的多層透明膜，與未經(jīng)改性的PET相比，水蒸氣透過率降低約90％，氧氣透過率降低約70％。用其作為基底，沉積上ITO薄膜，并按實(shí)施例2的方法制成制成柔性電致發(fā)光器件。這種器件與與相同條件下用未經(jīng)處理的PET作為基底在相同條件、相同工藝下制得的器件相比，器件發(fā)光效率下降一半所需時(shí)間延長(zhǎng)約50％。
實(shí)施例6PET表面改性及器件制作過程同實(shí)施例5，但在蒸鍍金屬陰極后，用實(shí)施例4中一面為含氟丙烯酸聚合物層、另一面依次為含氟丙烯酸層和聚乙烯醇層的多層結(jié)構(gòu)膜覆蓋其上，有聚乙烯醇層的一面朝電極，用層壓熱合的方法制成封裝層。這時(shí)所制備的器件，與這種器件與與相同條件下用未經(jīng)處理的PET作為基底在相同條件、相同工藝下制得的器件相比，器件發(fā)光效率下降一半所需時(shí)間延長(zhǎng)約80％。
實(shí)施例7其它如實(shí)施例1-6，表面接枝聚合所用單體為六氟丙烯酸甲酯。
實(shí)施例8其它如實(shí)施例1-6，表面接枝聚合所用單體為全氟丙烯酸和烯丙基五氟苯的混合物。
實(shí)施例9其它如實(shí)施例1-6，表面接枝聚合所用單體為八氟代苯乙烯與七氟丙烯酸的混合物。
實(shí)施例10其它如實(shí)施例1-6，表面接枝聚合所用單體是烯丙基五氟苯與七氟丙烯酸丁酯的混合物。
實(shí)施例11其它如實(shí)施例1-6，表面接枝聚合所用單體是1H，1H，2H，2H-七氟丙烯酸癸酯。
實(shí)施例12將PET薄膜用甲苯、丙酮、乙醇和去離子水清洗以及使用超聲波進(jìn)行清潔處理后，將其置于等離子體增強(qiáng)化學(xué)沉積系統(tǒng)(PECVID)中，將一定比例的單體丙烯酸二十氟代十二烷基酯用N2作為載氣，通入等離子體處理腔中聚合，即在PET基底上形成一層致密的全氟酯聚合物膜。該膜的形成，使得PET膜對(duì)水蒸氣透過率大大降低。這種改性后PET基底可繼續(xù)用磁控濺射的方法沉積一層ITO導(dǎo)電薄膜，并還可沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電極等制作電致發(fā)光器件。
實(shí)施例13
其它如實(shí)施例12，等離子表體處理過程中所用載氣為氧。
實(shí)施例14其它如實(shí)施例12，等離子表體處理過程中所用載氣為氨。
實(shí)施例15其它如實(shí)施例12，等離子表體處理過程中所用載氣為氮?dú)狻?br> 實(shí)施例16其它如實(shí)施例12，等離子表體處理過程中所用載氣為氬等稀有氣體。
實(shí)施例17將PET薄膜用甲苯、丙酮、乙醇和去離子水清洗以及使用超聲波進(jìn)行清潔處理后，將烯丙基五氟苯與丙烯酸二十氟代十二烷基酯的混合物或其溶液與二苯甲酮等光引發(fā)劑混合均勻，倒于基底上形成一薄層，光照引發(fā)使之聚合，在PET表面形成聚烯丙基五氟苯薄膜。該膜的形成，使PET對(duì)水蒸氣透率大大降低。這種改性后PET基底可繼續(xù)用磁控濺射的方法沉積一層ITO導(dǎo)電薄膜，并還可沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電極等制作電致發(fā)光器件。
實(shí)施例18其它如實(shí)施例17，引發(fā)劑可以是AIBN、BPO等，通過加熱引發(fā)聚合在PET形成聚烯丙基五氟苯薄膜。
實(shí)施例19其它如實(shí)施例17，將PET薄膜進(jìn)行清潔處理后，將烯丙基五氟苯或其溶液倒于其上形成一薄層，通過電離輻射引發(fā)使之聚合，在PET表面形成聚烯丙基五氟苯薄膜。
實(shí)施例20其它如實(shí)施例12，PET等基底材料在PECVD或普通的等離子體處理裝置處理完后，取出，將其在2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，9，9，10，10，11，11-丙烯酸氟代十二烷基酯的丙酮溶液中浸泡取出，含氟丙烯酸可在基底表面形成聚合層，以提高對(duì)水的阻隔性。
實(shí)施例21其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚酰亞胺(PI)。
實(shí)施例22
其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯(PEN)實(shí)施例23其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚碳酸酯(PC)。
實(shí)施例24其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
實(shí)施例25其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚偏二氟乙烯(PVDF)。
實(shí)施例26其它如實(shí)施例1-20，所用基底材料是聚乙烯醇(PVA)。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是用含氟丙烯酸或含氟丙烯酸酯聚合產(chǎn)生一層憎水的含氟聚合物膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是在含氟聚合物膜層上繼續(xù)形成有機(jī)或無機(jī)物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是在含氟聚合物膜層上沉積無機(jī)層是金屬，或陶瓷，或類金剛石，有機(jī)物層是沉積聚合物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是沉積的金屬，或陶瓷，或類金剛石，或聚合物層是一層至四層，膜層總厚度是5-00nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是基底是高分子薄膜或片材。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是含氟聚合物膜層是均聚物或共聚物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是含氟聚合物膜層是含氟單體與不含氟單體的共聚物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是通過熱聚合或光聚合，或等離子體聚合，或電離輻射聚合形成聚合物膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是等離子體聚合是將含氟單體或其溶液涂于經(jīng)等離子體處理過的高分子基底上聚合而成，或者將含氟單體或其溶液用載氣帶入等離子體處理體系聚合而成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9中所述的改進(jìn)高分子基底水阻隔性的方法，其特征是載氣是氧，或氨，或氮，或氫，或氬。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2中所述的方法獲得的材料在制作電致發(fā)光器件基底上的應(yīng)用。
12.根據(jù)權(quán)利要求1、2中所述的方法獲得的材料在有機(jī)電致發(fā)光器件封裝上的應(yīng)用。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2中所述的方法獲得的材料在微納電子器件上的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高分子基底的表面改性方法。用含氟丙烯酸或含氟丙烯酸酯單體在高分子基底上通過等離子體聚合、光聚合、熱聚合等方法，在高分子基底上形成一層5－500nm的含氟高分子膜。該氟化物高分子膜的形成，可大大提高基底材料對(duì)水的阻隔性能。當(dāng)基底材料是透明體時(shí)，超薄氟化物高分子層的形成不會(huì)對(duì)基底透明性產(chǎn)生影響。該方法及相關(guān)材料特別適用于諸如有機(jī)高分子柔性平板顯示器件等微納電子器件的基底材料或封裝。
文檔編號(hào)B05D7/04GK1539896SQ200310108249
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2003年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月30日
發(fā)明者黃維, 馮嘉春, 黃 維 申請(qǐng)人:復(fù)旦大學(xué)