亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

一種有機(jī)電致發(fā)光材料以及有機(jī)光電裝置的制作方法

文檔序號(hào):12638793閱讀:353來(lái)源:國(guó)知局
一種有機(jī)電致發(fā)光材料以及有機(jī)光電裝置的制作方法
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光材料領(lǐng)域,尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光材料以及應(yīng)用該材料的有機(jī)光電裝置。
背景技術(shù)
:近年來(lái),有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)因其自發(fā)光、高效率、廣色域、廣視角等優(yōu)點(diǎn)成為國(guó)內(nèi)外異常熱門(mén)的新一代顯示產(chǎn)品。為滿(mǎn)足OLED的不斷發(fā)展,有機(jī)電致發(fā)光材料扮演著至關(guān)重要的角色。有機(jī)電致發(fā)光材料在受到激發(fā)后,產(chǎn)生單線(xiàn)態(tài)激發(fā)態(tài)(S1)激子和三線(xiàn)態(tài)激發(fā)態(tài)(T1)激子,根據(jù)自旋統(tǒng)計(jì),兩種激子數(shù)量比例為1:3。根據(jù)發(fā)光機(jī)制的不同,現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光材料通常為以下幾種:(1)熒光材料此類(lèi)材料利用單線(xiàn)態(tài)激子通過(guò)輻射躍遷回到基態(tài)S0發(fā)光,材料成本不高,但由于激子數(shù)量限制(25%),量子效率較低。(2)磷光材料此類(lèi)材料不僅可以利用25%的單線(xiàn)態(tài)激子,還能利用75%的三線(xiàn)態(tài)激子,所以理論量子效率可達(dá)100%,用于OLED上發(fā)光效果也明顯優(yōu)于熒光材料,但是,磷光材料基本為Ir、Pt、Os、Re、Ru等重金屬配合物,生產(chǎn)成本較高,且結(jié)構(gòu)較為單一。(3)三線(xiàn)態(tài)-三線(xiàn)態(tài)湮滅(TTA)材料此類(lèi)材料利用兩個(gè)三線(xiàn)態(tài)激子相互作用產(chǎn)生一個(gè)單線(xiàn)態(tài)激子通過(guò)輻射躍遷回到基態(tài)S0發(fā)光,雖然利用了三線(xiàn)態(tài)激子且生產(chǎn)成本不高,但是此類(lèi)材料的理論最大量子產(chǎn)率只能達(dá)到62.5%,實(shí)際應(yīng)用上仍然受到較大限制。(4)熱激活延遲熒光(TADF)材料此類(lèi)材料可利用75%的三線(xiàn)態(tài)激子和25%的單線(xiàn)態(tài)激子,理論最大量子產(chǎn)率可達(dá)100%,而且主要為芳香族有機(jī)物,不需要稀有金屬元素,生產(chǎn)成本低。綜合考量上述各種有機(jī)電致發(fā)光材料,TADF材料同時(shí)具備量子產(chǎn)率高、生產(chǎn)成本低的優(yōu)點(diǎn),其發(fā)光效率可以和磷光材料相媲美,是一種非常具有應(yīng)用前景的新型有機(jī)電致發(fā)光材料。但是,目前這種材料種類(lèi)仍然不多,性能也有待提高,因此,亟待開(kāi)發(fā)更多種類(lèi)、更高性能的TADF材料。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:為開(kāi)發(fā)更多種類(lèi)、更高性能的TADF材料,本發(fā)明的目的是提供一種可用于有機(jī)光電裝置的有機(jī)電致發(fā)光材料以及由其相應(yīng)制得的有機(jī)光電裝置。本發(fā)明提供了一種具有式Ⅰ所示結(jié)構(gòu)的化合物,式Ⅰ中,Ar選自N原子取代或未取代的C6~C30芳基;m、n各自表示1~8的整數(shù);A1選自式II所示結(jié)構(gòu)的基團(tuán),式II中,R1~R8各自獨(dú)立地選自氫、氘、C1~C30烷基、C1~C30含雜原子取代的烷基、C6~C30芳基或C2~C30雜芳基;X選自-O-、-S-、取代或未取代的亞氨基、取代或未取代的亞甲基、取代或未取代的亞甲硅烷基,取代基選自氫、氘、C1~C30烷基、C1~C30含雜原子取代的烷基、C6~C30芳基或C2~C30雜芳基。本發(fā)明提供的化合物中,Ar可選自N原子取代或未取代的苯基、聯(lián)苯基或稠環(huán)芳基。本發(fā)明提供的化合物中,所述m可表示1或2的整數(shù);所述n可表示1~4的整數(shù)。本發(fā)明提供的化合物中,所述式II所示結(jié)構(gòu)的基團(tuán)可選自以下結(jié)構(gòu)中的一種:其中的q表示1或2的整數(shù)。本發(fā)明提供的化合物中,所述X可選自-O-、-S-、-CH2-、-CH(CH3)-、-C(CH3)2-、-Si(CH3)2-、-CH(Ph)-、-C(Ph)2-、-Si(Ph)2-、-NH-或本發(fā)明提供的化合物中,所述C6~C30芳基可選自苯基或萘基。本發(fā)明提供的化合物可選自下列化合物:本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.30eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.25eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.20eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.15eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.10eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.05eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.02eV。本發(fā)明提供的化合物中,最低單線(xiàn)態(tài)與最低三線(xiàn)態(tài)之間的能級(jí)差ΔEst≤0.01eV。本發(fā)明還提供了以上技術(shù)方案任一項(xiàng)所述的化合物在有機(jī)光電裝置中的用途。本發(fā)明提供的有機(jī)光電裝置包括陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的一層或多層有機(jī)薄膜層,其中,所述有機(jī)薄膜層中的至少一層包含以上技術(shù)方案任一項(xiàng)所述的化合物或其組合。本發(fā)明提供的有機(jī)光電裝置中,所述有機(jī)薄膜層中的至少一層為發(fā)光層,并且所述發(fā)光層包含以上技術(shù)方案任一項(xiàng)所述的化合物或其組合。本發(fā)明提供的有機(jī)光電裝置中,以上技術(shù)方案任一項(xiàng)所述的化合物或其組合作為摻雜材料、共同摻雜材料或主體材料存在于所述發(fā)光層中。本發(fā)明提供的有機(jī)光電裝置中,所述有機(jī)薄膜層還包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層或者其組合。本發(fā)明提供的化合物單線(xiàn)態(tài)S1與三線(xiàn)態(tài)T1之間的能極差ΔEst=ES1-ET1≤0.30eV,甚至可小于等于0.02eV,具備TADF材料發(fā)光機(jī)制,可作為一種新型的TADF材料用于有機(jī)光電裝置領(lǐng)域,提高發(fā)光效率。而且,本發(fā)明提供的化合物無(wú)需使用昂貴的金屬配合物,制造成本低,具有更為廣闊的應(yīng)用前景。附圖說(shuō)明圖1為包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光二極管的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;其中,附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:100、基板;110、陽(yáng)極;120、陰極;130、發(fā)光層;140、空穴傳輸層;150、電子傳輸層;160、空穴注入層;170、電子注入層;180、電子阻擋層;190、空穴阻擋層。具體實(shí)施方式定義除非另外規(guī)定,本發(fā)明所使用的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)的含義與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的含義相同。對(duì)于在本發(fā)明中有定義的術(shù)語(yǔ),以所定義的含義為準(zhǔn)?!巴榛笔侵竿耆柡?沒(méi)有雙鍵或叁鍵)的烴基,其可為直鏈的或支鏈的,也可以為環(huán)烷基,還可以為含有環(huán)烷基取代基的直鏈的或支鏈的烷基。烷基可含有1-30個(gè)碳原子、1-20個(gè)碳原子、1-10個(gè)碳原子或1-6個(gè)碳原子?!?至30”的數(shù)值范圍是指該范圍中的所有整數(shù),其包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。優(yōu)選地,烷基包括但不限于甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基和己基等。烷基可為取代的或未取代的?!昂s原子取代的烷基”包括任意位置被雜原子取代的烷基,優(yōu)選通過(guò)雜原子與化合物母核相連,即“-Z-烷基”形式,其中的“Z”可表示O、S等雜原子,更優(yōu)選為“烷氧基”?!昂s原子取代的烷基”可含有1-30個(gè)碳原子、1-20個(gè)碳原子、1-10個(gè)碳原子或1-6個(gè)碳原子?!?至30”的數(shù)值范圍是指該范圍中的所有整數(shù),其包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。優(yōu)選地,烷氧基包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基等。含雜原子取代的烷基可為取代的或未取代的?!胺枷慊笔侵妇哂斜榧八协h(huán)的完全離域的π-電子體系的碳環(huán)(全部為碳),其包括單環(huán)芳香基或多環(huán)芳香基。所述多環(huán)芳香基含有兩個(gè)或多個(gè)諸如苯環(huán)的芳香環(huán)的體系,該兩個(gè)或多個(gè)芳香環(huán)可彼此通過(guò)單鍵連接或彼此通過(guò)共用化學(xué)鍵稠合。芳香基中的碳原子數(shù)可變化。例如,芳基可包含6-30個(gè)碳原子。例如,“6至30”的數(shù)值范圍是指該范圍中的所有整數(shù),其包括6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。芳香基的實(shí)例包括但不限于苯、聯(lián)苯、萘、蒽、菲或芘。芳香基可為取代的或未取代的?!半s芳基”是指包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的單環(huán)或多環(huán)芳香族環(huán)體系,其中的雜原子為除了碳之外的元素,包括但不限于氮、氧和硫。雜芳基環(huán)中的碳原子數(shù)可變化。例如,雜芳基在其環(huán)中可包含1-20個(gè)碳原子,諸如“1至20”的數(shù)值范圍是指該范圍中的所有整數(shù),其包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20。又如,雜芳基在其環(huán)中可包含1-30個(gè)環(huán)骨架原子,例如“1至30”的數(shù)值范圍是指該范圍中的所有整數(shù),其包含1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。此外,術(shù)語(yǔ)“雜芳基”包括稠環(huán)體系,其中兩個(gè)環(huán)(例如至少一個(gè)芳基環(huán)和至少一個(gè)雜芳基環(huán)或至少兩個(gè)雜芳基環(huán))共享至少一個(gè)化學(xué)鍵。雜芳基環(huán)的實(shí)例包括但不限于呋喃、呋咱、噻吩、苯并噻吩、酞嗪、吡咯、惡唑、苯并惡唑、1,2,3-惡二唑、1,2,4-惡二唑、噻唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、苯并噻唑、咪唑、苯并咪唑、吲哚、吲唑、吡唑、苯并吡唑、異惡唑、苯并異惡唑、異噻唑、三唑、苯并三唑、噻二唑、四唑、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、嘌呤、蝶啶、喹啉、異喹啉、喹唑啉、喹喔啉、噌啉和三嗪。雜芳基可為取代的或未取代的。有機(jī)光電裝置本發(fā)明的有機(jī)光電裝置包括有機(jī)電致發(fā)光二極管、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光電傳感器、有機(jī)存儲(chǔ)裝置等。下面舉例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光二極管進(jìn)行說(shuō)明。有機(jī)電致發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、陰極、位于陽(yáng)極和陰極之間的一層或多層有機(jī)薄膜層。所述有機(jī)薄膜層中的至少一層為發(fā)光層,并且所述發(fā)光層包含本發(fā)明的化合物。有機(jī)電致發(fā)光二極管還包括空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子阻擋層(EBL)、空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)或者其組合,并且這些層中的至少有一層包含本發(fā)明所述的有機(jī)化合物。所述化合物作為摻雜材料、共同摻雜材料或、主體材料存在于所述發(fā)光層中。根據(jù)圖1至圖5,有機(jī)電致發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在基板層100之上包含陽(yáng)極層110和陰極層120。在陽(yáng)極層110和陰極層120之間至少包括發(fā)光層130。根據(jù)圖1,有機(jī)電致發(fā)光二極管在陽(yáng)極層110和陰極層120之間只包含發(fā)光層130。電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合后激發(fā)發(fā)光層發(fā)光。根據(jù)圖2,有機(jī)電致發(fā)光二極管在陽(yáng)極層110和陰極層120之間包含空穴傳輸層(HTL)140和發(fā)光層130。空穴傳輸層主要發(fā)揮將空穴傳遞至發(fā)光層的作用。根據(jù)圖3,有機(jī)電致發(fā)光二極管在陽(yáng)極層110和陰極層120之間包含空穴傳輸層(HTL)140、發(fā)光層130和電子傳輸層(ETL)150。電子傳輸層主要發(fā)揮將電子傳遞至發(fā)光層的作用。根據(jù)圖4,有機(jī)電致發(fā)光二極管在陽(yáng)極層110和陰極層120之間包含空穴注入層(HIL)160、空穴傳輸層(HTL)140、發(fā)光層130、電子傳輸層(ETL)150和電子注入層(EIL)170??昭ㄗ⑷雽又饕岣邔⒖昭◤年?yáng)極傳遞到有機(jī)薄膜層的能力,電子注入層主要提高將電子從陰極傳遞到有機(jī)薄膜層的能力,以降低二極管的驅(qū)動(dòng)電壓。根據(jù)圖5,有機(jī)電致發(fā)光二極管在陽(yáng)極層110和陰極層120之間包含空穴注入層(HIL)160、空穴傳輸層(HTL)140、電子阻擋層(EBL)180、發(fā)光層130、空穴阻擋層(HBL)190和電子傳輸層(ETL)150。下面對(duì)各層材料進(jìn)行舉例說(shuō)明,但并不限于所述的材料范圍。陽(yáng)極層110可使用具有大功函數(shù)的電極材料??梢宰鳛殛?yáng)極的材料包括:諸如銅、金、銀、鐵、鉻、鎳、錳、鈀、鉑或其混合物的金屬;諸如銅、金、銀、鐵、鉻、鎳、錳、鈀或鉑等金屬的合金;諸如氧化銦、氧化鋅、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其混合物的金屬氧化物;包括聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)或其混合物的導(dǎo)電性聚合物。優(yōu)選地,在包含本發(fā)明所述有機(jī)化合物的實(shí)施方式中使用氧化銦錫(ITO)作為陽(yáng)極層的材料。陰極層120可使用具有低功函數(shù)的電極材料??梢宰鳛殛帢O的材料包括:諸如鋁、鎂、銀、銦、錫、鈦、鈣、鈉、鉀、鋰、鐿、鉛或其混合物的金屬;包括LiF/Al、Liq(8-羥基喹啉)/Al或其混合物的多層金屬材料。優(yōu)選地,在包含本發(fā)明所述的有機(jī)化合物的實(shí)施方式中使用鎂銀合金或LiF/Al雙層材料作為陰極層的材料??昭ㄗ⑷雽?HIL)160可使用有利于增加陽(yáng)極和有機(jī)層界面的空穴注入且可以與ITO陽(yáng)極表面結(jié)合性能良好的材料??梢宰鳛榭昭ㄗ⑷雽拥牟牧习ǎ喝缣笺~(CuPc)的聚卟啉化合物、如4,4’,4”-三-N-萘基-N-苯胺基-三苯胺(TNATA)的含萘二胺的星狀三苯胺衍生物、如聚(3,4-乙撐二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT:PSS)這類(lèi)HOMO能級(jí)與ITO功函數(shù)匹配的高分子材料、如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲(HATCN)的拉電子性含氮雜環(huán)化合物等??昭▊鬏攲?HTL)140和電子阻擋層(EBL)180可使用具有高玻璃化溫度以及空穴遷移率的材料。可以作為空穴傳輸層和電子阻擋層的材料包括:如二苯基萘基二胺(NPD)的聯(lián)苯二胺衍生物、如2,2’,7,7’-四(二苯胺基)-9,9’-螺二芴(spiro-TAD)的交叉結(jié)構(gòu)二胺聯(lián)苯衍生物、如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)的星狀三苯胺衍生物等??昭ㄗ钃鯇?HBL)190和電子傳輸層(ETL)150可以使用具有低HOMO能級(jí)且電子遷移率高的材料??梢宰鳛榭昭ㄗ钃鯇雍碗娮觽鬏攲拥牟牧习ǎ喝缍?8-羥基-2-甲基喹啉)-二苯酚鋁(BAlq)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq)和8-羥基喹啉鋰的喹啉類(lèi)金屬絡(luò)合物、如4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)的二氮雜菲衍生物、如1,3,5,-三(N-苯基-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)的咪唑衍生物、如2,4,6-三咔唑基-1,3,5-三嗪的三嗪衍生物等。有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作方法如下:在透明或不透明的光滑的基板上形成陽(yáng)極,在陽(yáng)極上形成有機(jī)層,在有機(jī)層上形成陰極。形成有機(jī)層可采用如蒸鍍、濺射、旋涂、浸漬、離子鍍等已知的成膜方法。下文中,本發(fā)明將通過(guò)如下實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)解釋以便更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面及其優(yōu)點(diǎn)。然而,應(yīng)當(dāng)理解,以下的實(shí)施例是非限制性的而且僅用于說(shuō)明本發(fā)明的某些實(shí)施方案。制備例制備例1:化合物1的合成化合物1a的合成:將3-溴-5-氟苯甲氰化合物(3.2g,16mmol)、10氫-吩惡嗪(2.75g,15mmol)、醋酸鈀(0.4g,1.98mmol)、碳酸銫(11.5g,33mmol)和叔丁基磷(0.5g,2.4mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物1a(3.1g,8.5mmol),收率57%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):362.0?;衔?b的合成:將1a(7.24g,20mmol)、聯(lián)硼酸頻那醇酯(6.35g,25mmol)、醋酸鉀(5.5g,40mmol)、四(三苯基膦)鈀(0.5,0.4mmol)溶解在二氧六環(huán)中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干二氧六環(huán),然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物1b(4.1g,10mmol),收率50%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):410.2?;衔?的合成:將1a(7.24g,20mmol)、1b(10.3g,25mmol)、碳酸鈉(4.24g,40mmol)、四(三苯基膦)鈀(0.5,0.4mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物1(7.1,12.5mmol),收率63%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):566.2。化合物2-22的合成化合物2-11的合成方法與化合物1的類(lèi)似,只是把第一步中原料10氫-吩惡嗪分別替換為2a-11a(可參照現(xiàn)有技術(shù)合成)?;衔?2-22的合成方法與化合物1的類(lèi)似,只是把第一步中原料3-溴-5-氟苯甲氰替換為2-溴-4-氟苯甲氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換第一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。制備例2:化合物23的制備化合物23a的合成:將2,5-二溴硝基苯化合物(4.5g,16mmol)溶解在N’N-二甲基甲酰胺中,加入銅粉(0.2g,3mmol),回流攪拌反應(yīng)3小時(shí),降溫后,加入錫粉(0.2g,1.7mmol),冰鹽浴條件下滴加10ml鹽酸,攪拌6小時(shí),真空干燥蒸干溶劑,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物23a(4.65g,13mmol),收率81%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):358。化合物23b的合成:將23a(7.2g,20mmol)溶解于65mmol鹽酸溶液中,一定速率加入亞硝酸鈉(1.7g,25mmol),冰鹽浴條件下攪拌10h后,加入氰化銅(2.2g,25mmol),繼續(xù)攪拌5小時(shí),反應(yīng)液用水、用飽和食鹽水洗3遍、乙酸乙酯萃取,過(guò)濾,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物23b(6.05g,16mmol),收率80%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):377.9?;衔?3的合成:將23b(6.05g,16mmol)、10氫-吩惡嗪(3.3g,18mmol)、碘化銅(0.4g,2.1mmol)、磷酸鉀(6.5g,33mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物23(5.82g,10mmol),收率63%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):582.2?;衔?4-33的合成與化合物23的類(lèi)似,只是把最后一步中原料10氫-吩惡嗪替換為2a-11a。化合物34-44的合成方法與化合物23的類(lèi)似,只是把第一步中原料2,5-二溴硝基苯替換為2,5-二溴-1,3-二硝基苯,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。制備例3:化合物45的制備化合物45b的合成:將4-溴苯甲氰(3.62g,20mmol)、化合物45a(5.5g,25mmol)、碳酸鉀(6.1g,44mmol)、四(三苯基膦)鈀(0.25,0.2mmol)溶解在四氫呋喃中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干四氫呋喃,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物45b(2.1g,9.7mmol),收率49%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):210.0。化合物45c的合成:將45b(3.15g,15mmol)溶解于50mmol氫溴酸溶液中,一定速率加入亞硝酸鈉(1.4g,20mmol),冰鹽浴條件下攪拌10h后,加入溴化銅(2.8g,20mmol),繼續(xù)攪拌5小時(shí),反應(yīng)液用水、用飽和食鹽水洗3遍,乙酸乙酯萃取,過(guò)濾,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物45c(2.57g,10mmol),收率67%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):257.0?;衔?5的合成:將45c(3.86g,15mmol)、10氫-吩惡嗪(2.75g,15mmol)、醋酸鈀(0.4g,1.98mmol)、碳酸鉀(4.14g,30mmol)和叔丁基磷(0.5g,2.4mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物45(3.76g,10mmol),收率67%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):376.2?;衔?6-55的合成與化合物45的類(lèi)似,只是把最后一步中原料10氫-吩惡嗪替換為2a-11a?;衔?6-66的合成方法與化合物45的類(lèi)似,只是把第一步中原料4-溴苯甲氰替換為3-溴-1,5-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)?;衔?7-77的合成方法與化合物45的類(lèi)似,只是把第一步中原料4-溴苯甲氰替換為2-溴-1,5-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。化合物78-88的合成方法與化合物45的類(lèi)似,只是把第一步中原料4-溴苯甲氰替換為2-溴-1,4-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。制備例4:化合物89的合成路線(xiàn):化合物89b的合成:將1-溴-3,4-苯二氰(4.12g,20mmol)、化合物89a(5.5g,25mmol)、碳酸鉀(6.1g,44mmol)、四(三苯基膦)鈀(0.25,0.2mmol)溶解在四氫呋喃中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干四氫呋喃,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物89b(2.82g,12mmol),收率60%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):235.3。化合物89c的合成:將89b(3.53g,15mmol)溶解于50mmol氫溴酸溶液中,一定速率加入亞硝酸鈉(1.4g,20mmol),冰鹽浴條件下攪拌10h后,加入溴化銅(2.8g,20mmol),繼續(xù)攪拌5小時(shí),反應(yīng)液用水、用飽和食鹽水洗3遍,乙酸乙酯萃取,過(guò)濾,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物89c(3.22g,10.8mmol),收率72%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):298.0。化合物89的合成:將89c(4.47g,15mmol)、10氫-吩惡嗪(2.75g,15mmol)、醋酸鈀(0.4g,1.98mmol)、碳酸鉀(4.14g,30mmol)和叔丁基磷(0.5g,2.4mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物89(4.5g,11.2mmol),收率75%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):401.2?;衔?0-99的合成與化合物89的類(lèi)似,只是把最后一步中原料10氫-吩惡嗪替換為2a-11a。制備例5:化合物100的合成路線(xiàn):化合物100的合成:將4-溴苯甲氰(3.62g,20mmol)、10氫-吩惡嗪(2.75g,15mmol)、醋酸鈀(0.4g,1.98mmol)、碳酸鉀(4.14g,30mmol)和叔丁基磷(0.5g,2.4mmol)溶解在甲苯中,回流并攪拌5小時(shí),真空干燥蒸干甲苯,然后將固體溶解在乙酸乙酯中,攪拌、過(guò)濾,用飽和食鹽水洗3遍,在真空旋蒸儀下將溶劑蒸干,通過(guò)硅膠色譜柱提純,獲得固體化合物100(4.5g,11.4mmol),收率76%。通過(guò)液相質(zhì)譜聯(lián)用分析得到ESI-MS(m/z):300.1?;衔?01-110的合成與化合物100的類(lèi)似,只是把中原料10氫-吩惡嗪替換為2a-11a?;衔?11-121的合成方法與化合物100的類(lèi)似,只是把中原料4-溴苯甲氰替換為3-溴-1,5-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。化合物122-132的合成方法與化合物100的類(lèi)似,只是把中原料4-溴苯甲氰替換為2-溴-1,5-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)?;衔?33-143的合成方法與化合物100的類(lèi)似,只是把第一步中原料4-溴苯甲氰替換為2-溴-1,4-苯二氰,并根據(jù)結(jié)構(gòu)替換最后一步中原料(10氫-吩惡嗪、2a-11a)。測(cè)試?yán)郎y(cè)試?yán)?化合物的模擬計(jì)算有機(jī)材料的單線(xiàn)態(tài)和三線(xiàn)態(tài)的能級(jí)差可以通過(guò)Guassian09軟件(GuassianInc.)完成。能級(jí)差ΔEst具體的模擬方法參照J(rèn).Chem.TheoryComput.,2013,DOI:10.1021/ct400415r,分子結(jié)構(gòu)優(yōu)化和激發(fā)均可用TD-DFT方法“B3LYP”和基組“6-31g(d)”完成。模擬計(jì)算結(jié)果如表1所示。表1編號(hào)化合物S1(eV)T1(eV)ΔEst(eV)112.592.550.042362.472.440.033242.802.790.014562.712.680.035602.952.94760.00246572.712.590.1271112.432.380.0581192.712.660.05根據(jù)表1結(jié)果所示,化合物的單線(xiàn)態(tài)和三線(xiàn)態(tài)能級(jí)差ΔEst均較小,可以實(shí)現(xiàn)高效的逆向系間竄越,具有TADF性能。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備將具有膜厚為100nm的ITO薄膜的陽(yáng)極基板用蒸餾水、丙酮、異丙醇超聲清洗并放入烘箱干燥,通過(guò)UV處理表面30分鐘,然后移至真空蒸鍍腔中。在真空度為2×10-6Pa下開(kāi)始蒸鍍各層薄膜,蒸鍍60nm厚的二苯基萘基二胺(NPD),然后蒸鍍10nm厚的4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)形成空穴傳輸層(HTL)。在空穴傳輸層上,用6wt%的Ir(ppy)3作為綠色磷光摻雜材料,94wt%的化合物1作為主體材料,同時(shí)蒸鍍?cè)摼G色磷光摻雜材料和主體材料,形成30nm厚的發(fā)光層。然后在發(fā)光層上蒸鍍厚的二(8-羥基-2-甲基喹啉)-二苯酚鋁(BAlq)形成5nm厚的空穴阻擋層(HBL)。在空穴阻擋層上蒸鍍4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)以形成20nm的電子傳輸層(ETL)。在電子傳輸層上依次蒸鍍1nm厚的LiF和100nm厚的Al作為電子注入層(EIL)和陰極。從而制成有機(jī)光電裝置。有機(jī)光電裝置具有ITO(100nm)/NPD(60nm)/TCTA(10nm)/Ir(ppy)3:化合物1(6wt%:94wt%,30nm)/BAlq(5nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的結(jié)構(gòu)。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物24代替化合物1作為主體材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物56代替化合物1作為主體材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物60代替化合物1作為主體材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物57代替化合物1作為主體材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物119代替化合物1作為主體材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。對(duì)比例1有機(jī)光電裝置的制備除了使用以6wt%的Ir(ppy)3作為綠色磷光摻雜材料,94wt%的CBP作為主體材料的30nm厚的共蒸鍍層為發(fā)光層以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用以1wt%TBRb為摻雜材料、25wt%的化合物36為共同摻雜材料并且以74wt%的CBP為主體材料的30nm厚的共蒸鍍層為發(fā)光層以外,其他部分根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。有機(jī)光電裝置具有ITO(100nm)/NPD(60nm)/TCTA(10nm)/TBRb:化合物36:CBP(1wt%:25wt%:74wt%,30nm)/BAlq(5nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的結(jié)構(gòu)。測(cè)試?yán)?有機(jī)光電裝置的制備除了使用化合物111代替化合物36作為摻雜材料以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。對(duì)比例2有機(jī)光電裝置的制備除了使用以1wt%TBRb為摻雜材料,以99wt%CBP為主體材料的30nm厚的共蒸鍍層為發(fā)光層以外,根據(jù)與測(cè)試?yán)?相同的方法制作有機(jī)光電裝置。有機(jī)光電裝置的性能評(píng)價(jià)用Keithley2365A數(shù)字納伏表測(cè)試根據(jù)測(cè)試?yán)约皩?duì)比例中制造的有機(jī)光電裝置在不同電壓下的電流,然后用電流除以發(fā)光面積得到有機(jī)光電裝置的在不同電壓下的電流密度。用KonicaminoltaCS-2000分光輻射亮度計(jì)測(cè)試根據(jù)測(cè)試?yán)约皩?duì)比例制作的有機(jī)光電裝置在不同電壓下的亮度和輻射能流密度。根據(jù)有機(jī)光電裝置在不同電壓下的電流密度和亮度,得到在相同電流密度下(0.1mA/cm2)的電流效率(Cd/A)和外量子效率EQE。其中測(cè)試?yán)?-7以及對(duì)比例1的結(jié)果在表2中示出,測(cè)試?yán)?-9以及對(duì)比例2的結(jié)果在表3中示出。表2實(shí)驗(yàn)化合物作為主體材料電壓(V)電流效率(Cd/A)EQE(%)顏色測(cè)試?yán)?4.642.317.0綠色測(cè)試?yán)?4.543.317.3綠色測(cè)試?yán)?4.844.817.5綠色測(cè)試?yán)?4.842.917.2綠色測(cè)試?yán)?4.744.617.5綠色測(cè)試?yán)?4.643.817.3綠色對(duì)比例15.140.315.6綠色表3實(shí)驗(yàn)化合物作為共同摻雜材料電壓(V)電流效率(Cd/A)EQE(%)顏色測(cè)試?yán)?7.035.57.6黃色測(cè)試?yán)?8.137.58.1黃色對(duì)比例29.37.92.5黃色表2的測(cè)試結(jié)果表明,在相同的電流密度(0.1mA/cm2)下,測(cè)試化合物的驅(qū)動(dòng)電壓均低于5V,電流效率均高于40Cd/A,且EQE均高于15。由此可見(jiàn),測(cè)試化合物均具有較低的驅(qū)動(dòng)電壓以及較高的電流效率和外量子效率。這表明本申請(qǐng)的化合物具有作為主體材料的作用。表3的測(cè)試結(jié)果表明,所測(cè)試的化合物具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓以及更高的電流效率和外量子效率。這表明本申請(qǐng)的化合物具有作為共同摻雜材料或摻雜材料的作用。綜上所述,包含本申請(qǐng)的化合物的有機(jī)光電裝置均具有優(yōu)良的發(fā)光性能。雖然為了說(shuō)明本發(fā)明,已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不脫離權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明構(gòu)思和范圍的情況下,可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改、添加和替換。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
網(wǎng)友詢(xún)問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1