專利名稱：稠環(huán)化合物、制備該稠環(huán)化合物的方法和有機發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由通式I表示的稠環(huán)化合物、制備該稠環(huán)化合物的方法和包括該稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。
自發(fā)光裝置有機發(fā)光二極管(OLED)具有如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓等優(yōu)點。OLED能提供彩色圖像。
常規(guī)OLED具有包括基板以及依次堆疊在基板上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極的結(jié)構(gòu)。在此情況下，HTL、EML和ETL是由有機化合物形成的有機層。
具有上述結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管的工作原理如下。
在陽極和陰極之間施加電壓時，由陽極注入的空穴通過HTL向EML遷移，且由陰極注入的電子通過ETL向EML遷移?？昭ê碗娮釉贓ML中再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時，發(fā)出光。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有新結(jié)構(gòu)的稠環(huán)化合物和制備該稠環(huán)化合物的方法。
本發(fā)明還提供一種包括所述稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種由以下通式I表示的稠環(huán)化合物
通式I
權(quán)利要求
1.一種稠環(huán)化合物，所述稠環(huán)化合物由以下通式I表示 通式I
2.如權(quán)利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中X1為S或O。
3.如權(quán)利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述環(huán)A為取代或未取代的苯環(huán)或取代或未取代的萘環(huán)。
4.如權(quán)利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物由以下通式1A、1B、1C或ID 中的一個表不
5.如權(quán)利要求4所述的稠環(huán)化合物，其中R1至R8和Rltl至R16各自獨立地為氫、重氫、 鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代或未取代的C1-Cltl烷基、取代或未取代的C1-Cltl烷氧基、-N (R24) (R25)和以下通式 2A至2P中的一種，其中R24和R25各自獨立地為選自苯基、萘基、蒽基，以及被重氫、氰基、鹵素原子、CH2F, CHF2和CF3中至少一種取代的苯基、萘基和蒽基中的一種
6.如權(quán)利要求5所述的稠環(huán)化合物，其中Z1至Z3和Z11至Z14各自獨立地為氫，重氫， 鹵素原子，羥基，氰基，硝基，氨基，脒基，肼基，腙基，羧基或其鹽，磺酸基或其鹽，磷酸基或其鹽，甲基，乙基，丙基，丁基，戍基，甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戍氧基，被重氧、齒素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽和磷酸基或其鹽中至少一種取代的甲基、乙基、丙基、丁基、戍基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戍氧基， 苯基，萘基，芴基，菲基，蒽基，芘基，蘭基，被重氫、素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、 肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧基中至少一種取代的苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基和·藏基，咔唑基，咪唑基，咪唑啉基，咪唑并吡啶基，咪唑并嘧啶基，吡啶基，嘧啶基，三嗪基， 喹啉基，苯并咪唑基，苯基-苯并咪唑基，被重氫、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、 肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧基中至少一種取代的咔唑基、咪唑基、咪唑啉基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、苯并咪唑基和苯基-苯并咪唑基， 以及-N(Q1) (Q2)中的一種，其中QjPQ2各自獨立地為苯基，萘基，芴基，菲基，蒽基，芘基，菌基，以及被重氫!、齒素原子、輕基、氰1基、硝基、氣基、脈基、餅基、蹤基、竣基或其鹽、橫酸基或其鹽、憐酸基或其鹽、甲基、乙基、丙基、丁基、戍基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戍氧基中至少一種取代的苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基和蘭基中的一種。
7.如權(quán)利要求4所述的稠環(huán)化合物，其中R1至R8和Rltl至R16各自獨立地為氫、重氫、 鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-Cltl烷基、C1-Cltl烷氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的二苯并苯硫基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的三嗪基中的一種。
8.如權(quán)利要求4所述的稠環(huán)化合物，其中R1至R8和Rltl至R16各自獨立地為氫、重氫、 鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C1-Cltl烷基、C1-Cltl烷氧基和以下通式3-1至3-40中的一種
9.如權(quán)利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物由以下通式IA-1至1D-3中的一種表不通式IA-1 通式IB-1
10.如權(quán)利要求9所述的稠環(huán)化合物，其中R1至R6和Rltl各自獨立地為氫、重氫、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、 取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、 取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯硫基、取代或未取代的苯并苯硫基、取代或未取代的二苯并苯硫基、取代或未取代的二苯并呋喃基、或取代或未取代的三嗪基中的一種。
11.如權(quán)利要求9所述的稠環(huán)化合物，其中R1至R6和Rltl各自獨立地為氫、重氫、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、 C1-C10烷基、C1-Cltl烷氧基和以下通式3-1至3-40中的一種
12.如權(quán)利要求1所述的稠環(huán)化合物，其中所述稠環(huán)化合物為以下化合物I至76中的一種
13.一種制備由以下通式I表示的稠環(huán)化合物的方法，所述方法根據(jù)以下反應(yīng)示意式I 進行且包括將以下中間體C-(I)和H^^R6反應(yīng)以獲得中間體c ；將所述中間體c和中間體d’或d”反應(yīng)以獲得中間體e ;和環(huán)化所述中間體e以獲得所述通式I的稠環(huán)化合物反應(yīng)示意式I
14.如權(quán)利要求13所述的制備由通式I表示的稠環(huán)化合物的方法，其中所述稠環(huán)化合物由以下通式IA-1至1D-3中的一個表示通式IA-1 通式IB-1
15.一種有機發(fā)光裝置，所述有機發(fā)光裝置包括第一電極；面對所述第一電極的第二電極；和插入在所述第一電極和所述第二電極之間的第一層，其中所述第一層包括至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的稠環(huán)化合物。
16.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光裝置,其中所述第一層包括空穴注入層、空穴傳輸層、具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一層。
17.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一層包括發(fā)光層且所述發(fā)光層包括所述稠環(huán)化合物。
18.如權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光層進一步包括磷光摻雜劑，且所述發(fā)光層內(nèi)的所述稠環(huán)化合物用作磷光主體。
19.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光裝置,其中所述第一層包括發(fā)光層和電子傳輸層, 其中所述發(fā)光層和所述電子傳輸層中的每一層包括所述稠環(huán)化合物，其中所述發(fā)光層內(nèi)的所述稠環(huán)化合物與所述電子傳輸層內(nèi)的所述稠環(huán)化合物不同。
20.如權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光層進一步包括磷光摻雜劑，且所述發(fā)光層內(nèi)的所述稠環(huán)化合物用作磷光主體。
全文摘要
一種由以下通式1表示的稠環(huán)化合物、制備該稠環(huán)化合物的方法和包括該稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。通式1其中R1至R8、R10、環(huán)A和X1如說明書中的限定。
文檔編號C07D405/04GK103058987SQ201210215239
公開日2013年4月24日 申請日期2012年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者李善英, 郭允鉉, 樸范雨, 趙世珍 申請人:三星顯示有限公司