可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利說(shuō)明】
[0001 ]
技術(shù)領(lǐng)域： 本發(fā)明涉及一種可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃及其生產(chǎn)工藝。
[0002]
【背景技術(shù)】： 低輻射(Low-E)玻璃是一種鍍膜玻璃。通過(guò)在浮法玻璃基片表面鍍上具有低輻射特性 的功能膜，來(lái)降低玻璃表面的輻射率從而提高玻璃的節(jié)能性能。低輻射鍍膜玻璃在夏季可 以阻隔物體受太陽(yáng)照射后發(fā)出的二次輻射熱，同樣冬季可以減少室內(nèi)的熱量向外流失，從 而發(fā)揮隔熱保溫節(jié)能降耗的目的。低輻射玻璃以其優(yōu)異的節(jié)能環(huán)保性能而被譽(yù)為21世紀(jì)最 理想的建筑玻璃材料。隨著對(duì)建筑物裝飾性要求的不斷提高，低輻射玻璃在建筑行業(yè)中的 使用量也不斷增大。目前市面上常見(jiàn)的低輻射玻璃主要為單銀和雙銀，其中單銀的應(yīng)用占 主導(dǎo)地位。相對(duì)于單銀產(chǎn)品，雙銀低輻射玻璃具有更好的光熱選擇比、更低的輻射率，更優(yōu) 異的節(jié)能效果和舒適性。隨著社會(huì)能耗的不斷增加，相關(guān)節(jié)能政策的不斷出臺(tái)，在節(jié)能監(jiān)控 越來(lái)越嚴(yán)，節(jié)能要求越來(lái)越高的今天，單銀Low-E中空玻璃已不能很好地滿足需要，國(guó)內(nèi)建 筑節(jié)能玻璃已形成向雙銀Low-E玻璃發(fā)展的趨勢(shì)。在我國(guó)東北嚴(yán)寒地區(qū)，普通的雙銀由于其 很低的遮陽(yáng)系數(shù)，阻止了大部分太陽(yáng)光進(jìn)入室內(nèi)，所以其冬季節(jié)能效果并不理想。所以研發(fā) 一款適合東北嚴(yán)寒地區(qū)的高透的，遮陽(yáng)系數(shù)高的，輻射率低的雙銀低輻射鍍膜玻璃勢(shì)在必 行。
[0003]

【發(fā)明內(nèi)容】
： 本發(fā)明的目的是提供一種可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃及其生產(chǎn)工藝。
[0004] 上述的目的通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)： 一種可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，其組成包括:玻璃基片，所述的玻璃基片 采用磁控濺射鍍膜工藝沉積，由內(nèi)到外依次設(shè)有第一基層電介質(zhì)組合層、第二基層電介質(zhì) 組合層、第一銀層、第一阻擋層、隔層電介質(zhì)組合層、第二銀層、第二阻擋層、第一上層電介 質(zhì)組合層、第二上層電介質(zhì)組合層、保護(hù)層。
[0005] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的玻璃基片為普通白玻璃或 低鐵超白玻璃，厚度為4~12mm。
[0006] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第一基層電介質(zhì)組合層、 第二基層電介質(zhì)組合層、隔層電介質(zhì)組合層、第一上層電介質(zhì)組合層、第二上層電介質(zhì)組合 層是由金屬氧化物或非金屬氧化物或金屬氮化物或非金屬氮化物構(gòu)成，所述的第一基層電 介質(zhì)組合層的厚度為15~25nm，所述的第二基層電介質(zhì)組合層的厚度為10~25nm，所述的隔 層電介質(zhì)組合層的厚度為50~90nm，所述的第一上層電介質(zhì)組合層的厚度為5~15nm，所述的 第二上層電介質(zhì)組合層的厚度為20~35nm。
[0007] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第一銀層的厚度為7~ 15nm，所述的第二銀層的厚度為7~15nm〇
[0008] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第一阻擋層，第二層阻擋 層為金屬或金屬氧化物或金屬氮化物，所述的第一阻擋層的厚度為〇. 5~1.5nm，所述的第二 阻擋層的厚度為0 · 5~1 · 5nm〇
[0009]所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的保護(hù)層為金屬氧化物或非 金屬氧化物或幾種氧化物的混合物，所述的保護(hù)層的厚度為1.5~3nm。
[0010] -種所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝，該方法包括如下 步驟： (1) 將4mm~12mm玻璃基片清洗干凈，并將離線磁控濺射設(shè)備的本底真空度設(shè)置在10-6mbar，線速度設(shè)置為4.0m/min; (2) 將玻璃基片傳送入鍍膜腔室中，雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第一基層電介 質(zhì)組合層，設(shè)置功率為90~150kW，雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第二基層電介質(zhì)組合 層，設(shè)置功率為30~70kW; (3) 平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第一銀層，設(shè)置功率為5~ 10kW，平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第一阻擋層，設(shè)置功率為8~ 24kff； (4) 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積隔層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為200~280kW; (5) 平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第二銀層，設(shè)置功率為5~ 10kW，平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第二阻擋層，設(shè)置功率為8~ 24kff； (6) 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第一上層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為20~30kW， 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第二上層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為120~200kW; (7 )雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積保護(hù)層，設(shè)置功率為20~40kW。
[0011] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝，所述的步驟(2)至(7) 之間是持續(xù)進(jìn)行的。
[0012] 所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝，所述的雙旋轉(zhuǎn)陰極、 中頻反應(yīng)磁控派射是在氬氮或氬氧環(huán)境中進(jìn)行的，氬氧比為200sccm:lOOOsccm，氬氮比為 400sccm:800sccm，通入工作氣體后，工作氣壓為3.0X10-3~5.5X10-3mbar。
[0013]所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝，所述的平面陰極或旋 轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射在氬氣或氬氮或氬氧環(huán)境中進(jìn)行的，通入工作氣體后， 工作氣壓為2 · 0X10-3~3 · 5X10-3mbar。
[0014]本發(fā)明的有益效果： 1、本發(fā)明通過(guò)對(duì)阻擋層的特殊設(shè)計(jì)以及膜層生長(zhǎng)控制，使其對(duì)Ag層有更好的保護(hù)作 用，解決了Ag層在后期熱處理的過(guò)程中容易被破壞的問(wèn)題。
[0015]、本發(fā)明通過(guò)金屬或非金屬氧化物或氮化物膜層合理的設(shè)計(jì)，使整個(gè)膜層透過(guò)率 達(dá)到78%以上，遮陽(yáng)系數(shù)達(dá)到0.48以上。
[0016]、本發(fā)明通過(guò)對(duì)紅外反射層銀層的合理設(shè)計(jì)，使整個(gè)膜層在達(dá)到很高透過(guò)率、很高 遮陽(yáng)系數(shù)的同時(shí)具有比傳統(tǒng)雙銀更低的輻射率0.06)。
[0017]、本發(fā)明通過(guò)對(duì)保護(hù)層的設(shè)計(jì)及膜層生長(zhǎng)控制，使膜層耐腐蝕，耐磨性，耐劃傷性 能大大提高，便于后續(xù)深加工處理。
[0018]、本發(fā)明提供的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃外觀呈中性色，光學(xué)性能 穩(wěn)定，合中空時(shí)，鍍膜玻璃可放二面，也可放三面。
[0019]【附圖說(shuō)明】： 附圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 附圖2是本發(fā)明的300~2500nm透過(guò)率光譜圖。
[0021]附圖3是本發(fā)明實(shí)施例12的300~800nm透過(guò)率光譜圖。
[0022]附圖4是本發(fā)明實(shí)施例12的300~800nm玻面反射率光譜圖。
[0023]【具體實(shí)施方式】： 實(shí)施例1: 一種可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，其組成包括:玻璃基片，所述的玻璃基片 采用磁控濺射鍍膜工藝沉積，由內(nèi)到外依次設(shè)有第一基層電介質(zhì)組合層、第二基層電介質(zhì) 組合層、第一銀層、第一阻擋層、隔層電介質(zhì)組合層、第二銀層、第二阻擋層、第一上層電介 質(zhì)組合層、第二上層電介質(zhì)組合層、保護(hù)層。
[0024]實(shí)施例2: 根據(jù)實(shí)施例1所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的玻璃基片為普通 白玻璃或低鐵超白玻璃，厚度為4~12mm。
[0025] 實(shí)施例3: 根據(jù)實(shí)施例1或2所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第一基層電介 質(zhì)組合層、第二基層電介質(zhì)組合層、隔層電介質(zhì)組合層、第一上層電介質(zhì)組合層、第二上層 電介質(zhì)組合層是由金屬氧化物或非金屬氧化物或金屬氮化物或非金屬氮化物構(gòu)成，比如 2沾11(^、2110^20、51102、1102、5丨02、8丨02^1203、21^1204、恥205、5丨3財(cái)?shù)?，所述的第一基?電介質(zhì)組合層的厚度為15~25nm，所述的第二基層電介質(zhì)組合層的厚度為10~25nm，所述的 隔層電介質(zhì)組合層的厚度為50~90nm，所述的第一上層電介質(zhì)組合層的厚度為5~15nm，所述 的第二上層電介質(zhì)組合層的厚度為20~35nm。
[0026] 實(shí)施例4: 根據(jù)實(shí)施例1或2或3或4所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第一銀 層的厚度為7~15nm，所述的第二銀層的厚度為7~15nm〇
[0027] 實(shí)施例5: 根據(jù)實(shí)施例1或2或3或4或5所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的第 一阻擋層，第二層阻擋層為金屬或金屬氧化物或金屬氮化物，比如Ti、Ti0x、NiCr、NiCr0x、 NiCrNx、NbNx、Nb205等，所述的第一阻擋層的厚度為0.5~1.5nm，所述的第二阻擋層的厚度 為0·5~1·5nm〇
[0028] 實(shí)施例6: 根據(jù)實(shí)施例1或2或3或4或5所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃，所述的保 護(hù)層為金屬氧化物或非金屬氧化物或幾種氧化物的混合物，比如，Ti02、A1203、Si02、Zr02、 ZrSiOxNy等，所述的保護(hù)層的厚度為1.5~3nm。
[0029]實(shí)施例7: 一種實(shí)施例1-6之一所述的可后續(xù)加工的高透雙銀低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)工藝，該方 法包括如下步驟： (1) 將4mm~12mm玻璃基片清洗干凈，并將離線磁控濺射設(shè)備的本底真空度設(shè)置在10-6mbar，線速度設(shè)置為4.0m/min; (2) 將玻璃基片傳送入鍍膜腔室中，雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第一基層電介 質(zhì)組合層，設(shè)置功率為90~150kW，雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第二基層電介質(zhì)組合 層，設(shè)置功率為30~70kW; (3) 平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第一銀層，設(shè)置功率為5~ 10kW，平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第一阻擋層，設(shè)置功率為8~ 24kff； (4) 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積隔層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為200~280kW; (5) 平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第二銀層，設(shè)置功率為5~ 10kW，平面陰極或旋轉(zhuǎn)陰極、直流或直流加脈沖磁控濺射沉積第二阻擋層，設(shè)置功率為8~ 24kff； (6) 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第一上層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為20~30kW， 雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積第二上層電介質(zhì)組合層，設(shè)置功率為120~200kW; (7 )雙旋轉(zhuǎn)陰極、中頻反應(yīng)磁控濺射沉積保護(hù)層，設(shè)置功率為20~40kW。