一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃及其制造方法，包括依次在玻璃基板上沉積底層電介質(zhì)層、第一紅外反射功能層、第一阻擋層、中間電介質(zhì)層、第二紅外反射功能層、第二阻擋層和頂層電介質(zhì)層，所述第一紅外反射功能層和第二紅外反射功能層均由Ag形成。本發(fā)明的技術(shù)方案易于制造且具有極高的、不低于80％的透過率和極低的、小于0.025的輻射率，尤其適用于寒冷地區(qū)使用。
【專利說明】一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于玻璃制造領(lǐng)域，涉及一種鍍膜玻璃，具體涉及一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃。
【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜玻璃^1888)也稱反射玻璃。鍍膜玻璃是在玻璃表面涂鍍一層或多層金屬、合金或金屬化合物薄膜，以改變玻璃的光學性能，滿足某種特定要求。鍍膜玻璃按產(chǎn)品的不同特性，可分為以下幾類:熱反射玻璃、低輻射玻璃、導電膜玻璃等。
[0003]高透型匕戒玻璃具有較高的可見光透射率、較高的太陽能透過率和遠紅外線發(fā)射率，所以采光性極佳、透過玻璃的太陽熱輻射多、隔熱性能優(yōu)良，適用于北方寒冷地區(qū)和部分地域的高通透性建筑，突出自然采光效果。
[0004]專利⑶20231915仙公開了一種雙銀鍍膜夾層玻璃，包括多層結(jié)構(gòu)，所述的多層結(jié)構(gòu)包括自內(nèi)向外連接的玻璃基片(丨)、聚乙烯醇縮丁醛的薄膜層(2^雙銀鍍膜的玻璃層
(3)。該專利的優(yōu)點是通過外層為雙銀鍍膜的玻璃層、中間層的聚乙烯醇縮丁醛的薄膜層以及內(nèi)層的玻璃基片，其中外層的雙銀鍍膜的玻璃層結(jié)合中間層的聚乙烯醇縮丁醛的薄膜層，阻擋了多達30%的太陽輻射，阻熱效果好，在降低空調(diào)費用的同時，也大大減少了能耗的損失；以及高節(jié)能防紫外線，避免了室內(nèi)設(shè)施褪色；此外，雙銀鍍膜的外層結(jié)構(gòu)具有中性的外觀，無論在透視顏色或室內(nèi)反射顏色都為自然的中性色。但該專利的透過性能和低輻射性能較低且制造復雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃及其制造方法。
[0006]為達到上述目的，具體技術(shù)方案如下:
[0007]一方面，提供了一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，包括依次沉積在玻璃基板上的底層電介質(zhì)層、第一紅外反射功能層、第一阻擋層、中間電介質(zhì)層、第二紅外反射功能層、第二阻擋層和頂層電介質(zhì)層，所述第一紅外反射功能層和第二紅外反射功能層均由^形成。
[0008]優(yōu)選的，所述底層電介質(zhì)層包括底層第一電介質(zhì)層和底層第二電介質(zhì)層。
[0009]優(yōu)選的，所述底層第一電介質(zhì)層為層，所述底層第二電介質(zhì)層為211八1(?層。
[0010]優(yōu)選的，所述底層第一電介質(zhì)層的厚度為10?4011111，所述底層第二電介質(zhì)層的厚度為0?2011111。
[0011]優(yōu)選的，所述中間電介質(zhì)層包括中間第一電介質(zhì)層和中間第二電介質(zhì)層。
[0012]優(yōu)選的，所述中間第一電介質(zhì)層為211311(?層，所述底層第二電介質(zhì)層為211八1(?層。
[0013]優(yōu)選的，所述中間第一電介質(zhì)層的厚度為60?8011111，所述中間第二電介質(zhì)層的厚度為0?2011111。
[0014]優(yōu)選的，所述頂層電介質(zhì)層為SiNx層，厚度為10?40nm。
[0015]優(yōu)選的，所述第一阻擋層和第二阻擋層為T1x層，厚度為5?15nm。
[0016]優(yōu)選的，所述第一紅外反射功能層的厚度為O?15nm，所述第二紅外反射功能層的厚度為5?20nmo
[0017]另一方面，提供了一種如權(quán)利高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃的制造方法，包括以下步驟:
[0018]步驟I，提供玻璃基板，采用中頻電源，在氬氧氣氛下沉積底層電介質(zhì)層；
[0019]步驟2，采用Ag靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第一紅外反射功能層；
[0020]步驟3，采用T1x靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第一阻擋層；
[0021]步驟4，采用中頻電源，在氬氧氣氛下沉積中間電介質(zhì)層；
[0022]步驟5，采用Ag靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第二紅外反射功能層；
[0023]步驟6，采用T1x靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第二阻擋層；
[0024]步驟7，采用中頻電源，在氬氮氣氛下沉積頂層電介質(zhì)層。
[0025]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的技術(shù)方案易于制造且具有極高的、不低于80%的透過率和極低的、小于0.025的輻射率，尤其適用于寒冷地區(qū)使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1是本發(fā)明實施例的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0029]以下將對本發(fā)明的實施例做具體闡釋。
[0030]本發(fā)明的實施例的一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，優(yōu)選其膜層結(jié)構(gòu)依次為:玻璃基板1、底層第一電介質(zhì)層2、底層第二電介質(zhì)層3、第一紅外反射功能層4、第一阻擋層5、中間第一電介質(zhì)層6、中間第二電介質(zhì)層7、第二紅外反射功能層8、第二阻擋層9、頂層電介質(zhì)層10。
[0031]其中，優(yōu)選底層第一電介質(zhì)層2為T1x層，厚度優(yōu)選為10-40nm。底層第二電介質(zhì)層3為ZnAlOx層，厚度為0-20nm ；
[0032]優(yōu)選第一紅外反射功能層4為Ag層，厚度為0-15nm ；
[0033]第一阻擋層5為T1x層，厚度為5-15nm ；
[0034]中間第一電介質(zhì)層6為ZnSnOx層，厚度為60_80nm。中間第二電介質(zhì)層7為ZnAlOx層，厚度為0_20nm ；
[0035]第二紅外反射功能層8為Ag層，厚度為5-20nm ；
[0036]第二阻擋層9為T1x層，厚度為5-15nm ；
[0037]頂層電介質(zhì)層10為31版層，厚度為10-4011111。
[0038]本發(fā)明的實施例的一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃的制造方法，優(yōu)選包括:
[0039]步驟1，提供玻璃基板1，采用陶瓷靶材，中頻電源，在氬氧氣氛下沉積底層第一電介質(zhì)層2。采用2—1合金靶材，中頻電源，在氬氧氣氛下沉積底層第二電介質(zhì)層3 ；
[0040]步驟2，采用金屬^靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第一紅外反射功能層4。采用丁101陶瓷靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第一阻擋層5 ；
[0041〕 步驟3，采用211?合金靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積中間第一電介質(zhì)層6。采用2—1合金靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積中間第二電介質(zhì)層7 ；
[0042]步驟4，采用金屬^靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第二紅外反射功能層8。采用丁101陶瓷靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第二阻擋層9 ；
[0043]步驟5，采用51八1靶材、中頻電源，在氬氮氣氛下沉積頂層電介質(zhì)層10。
[0044]本發(fā)明實施例的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃及其制造方法簡便易行且具有極高的、不低于80%的透過率和極低的、小于0.025的輻射率，尤其適用于寒冷地區(qū)使用。
[0045]實施例1
[0046]優(yōu)選底層第一電介質(zhì)層2為采用陶瓷靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為2311111。底層第二電介質(zhì)層3為211八101，采用211八1合金革[1材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為9111
[0047]第一紅外反射功能層4為八8，采用金屬勒材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積，厚度為 9111110
[0048]第一阻擋層5為110^采用陶瓷靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為
7111110
[0049]中間第一電介質(zhì)層6為采用211&1合金革巴材，中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為6511111。中間第二電介質(zhì)層7為211八1?^，采用211八1合金革[1材，中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為15111
[0050]第二紅外反射功能層8為八8，采用金屬勒材，直流電源，在氬氣氣氛下沉積，厚度為 1111111。
[0051]第二阻擋層9為110^采用陶瓷靶材，中頻電源，在氬氧氣氛下沉積，厚度為
10鹽0
[0052]頂層電介質(zhì)層10為31版，采用51八1革[1材，中頻電源，在氬氮氣氛下沉積，厚度為20^0通過上述方法形成的雙銀鍍膜玻璃的可見光透過率為82%，可見光反射率為5%，太陽能透過率為43 %，輻射率為0.02。
[0053]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，包括依次沉積在玻璃基板上的底層電介質(zhì)層、第一紅外反射功能層、第一阻擋層、中間電介質(zhì)層、第二紅外反射功能層、第二阻擋層和頂層電介質(zhì)層，所述第一紅外反射功能層和第二紅外反射功能層均由Ag形成。
2.如權(quán)利要求1所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述底層電介質(zhì)層包括底層第一電介質(zhì)層和底層第二電介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求2所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述底層第一電介質(zhì)層為T1x層，所述底層第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層。
4.如權(quán)利要求2所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述底層第一電介質(zhì)層的厚度為10?40nm，所述底層第二電介質(zhì)層的厚度為O?20nm。
5.如權(quán)利要求1所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述中間電介質(zhì)層包括中間第一電介質(zhì)層和中間第二電介質(zhì)層。
6.如權(quán)利要求5所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述中間第一電介質(zhì)層為ZnSnOx層，所述底層第二電介質(zhì)層為ZnAlOx層。
7.如權(quán)利要求6所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述中間第一電介質(zhì)層的厚度為60?80nm，所述中間第二電介質(zhì)層的厚度為O?20nm。
8.如權(quán)利要求1所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述頂層電介質(zhì)層為SiNx層，厚度為10?40nmo
9.如權(quán)利要求1中所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋層為T1x層，厚度5?15nm。
10.如權(quán)利要求1中所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一紅外反射功能層的厚度為O?15nm，所述第二紅外反射功能層的厚度為5?20nm。
11.一種如權(quán)利要求1至10任一項中所述的高透過低輻射的雙銀鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟I，提供玻璃基板，采用中頻電源，在氬氧氣氛下沉積底層電介質(zhì)層； 步驟2，采用Ag靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第一紅外反射功能層； 步驟3，采用T1x靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第一阻擋層； 步驟4，采用中頻電源，在氬氧氣氛下沉積中間電介質(zhì)層； 步驟5，采用Ag靶材、直流電源，在氬氣氣氛下沉積第二紅外反射功能層； 步驟6，采用T1x靶材、中頻電源，在氬氧氣氛下沉積第二阻擋層； 步驟7，采用中頻電源，在氬氮氣氛下沉積頂層電介質(zhì)層。
【文檔編號】B32B17/06GK104494237SQ201410719739
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月1日
【發(fā)明者】郭爽, 穆鍵 申請人:上海北玻鍍膜技術(shù)工業(yè)有限公司, 上海北玻玻璃技術(shù)工業(yè)有限公司, 洛陽北方玻璃技術(shù)股份有限公司