本發(fā)明涉及半導體材料技術領域，具體而言，涉及一種碲化鎘的制備方法。

背景技術：

碲化鎘是由鎘與碲合成的一種半導體化合物，為棕黑色晶體粉末，不溶于水和酸，能被硝酸分解，其密度為6.20，熔點為1041℃,禁帶寬度為1.46eV,是理想的光電轉換材料。

目前，碲化鎘的合成方法有多種多樣，較早的碲化鎘的合成方法是將熱棒插入磅和鎘的混合粉末中，加熱到500℃,而生成。該方法采用熱棒加熱的方式，溫度不夠均勻，反應不夠充分。公開號為CN1380246A的中國發(fā)明專利公開了一種磅化鎘粉末的制備方法，該方法采用鎘粉和碲粉在真空條件的坩堝內合成，合成的溫度是在鎘的熔點下進行反應的，合成后經過研磨退火處理，其不足之處是合成率難以保證。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種碲化鎘的制備方法，以解決現(xiàn)有技術的不足。

為實現(xiàn)本發(fā)明目的，采用的技術方案為：

一種碲化鎘的制備方法，其特征在于順次包括以下步驟：

1）首先碲粉和鎘粉按1:1.2~1.25的比重進行混合；

2）將混合后的原料進行研磨、攪拌使碲粉和鎘粉混合均勻；

3）將均勻混合后的原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行合成；所述合成是先通入氮氣趕走合成爐內的空氣，然后緩慢加熱合成爐至150～175℃，保溫5～6小時；快速升溫至410～480℃,而后停止通入氮氣，開始通入氫氣；快速升溫至950～1000℃,保溫1～1.5小時；溫度降至30℃后停止通入氫氣，出爐；

4）將生成的碲化鎘材料再次進行研磨，混合；

5）經研磨后的碲化鎘材料置于加熱爐中進行退火處理，溫度控制在450~500℃之間，退火時間為1~1.5小時。

進一步地，所述加熱爐的內壁涂覆石墨層。

進一步地，所述碲粉和鎘粉按1:1.22~1.24的比重進行混合，經研磨后的碲化鎘材料置于加熱爐中進行退火處理，溫度控制在460~490℃之間，退火時間為1~2小時。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明先將碲粉末和鎘粉末進行均勻混合處理，使兩種原料充分混合均勻，有利于后續(xù)反應的進行，同時還能夠克服鎘粉末易被氧化的缺陷，使兩種原料能夠在較低的溫度下進行初步合成，同時提高了合成產品的純度及原料的利用率。

具體實施方式

下面通過具體的實施例子對本發(fā)明做進一步的詳細描述。

實施例1：

一種碲化鎘的制備方法，其特征在于順次包括以下步驟：

1）首先碲粉和鎘粉按1:1.2~1.25的比重進行混合；

2）將混合后的原料進行研磨、攪拌使碲粉和鎘粉混合均勻；

3）將均勻混合后的原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行合成；所述合成是先通入氮氣趕走合成爐內的空氣，然后緩慢加熱合成爐至150～175℃，保溫5～6小時；快速升溫至410～480℃,而后停止通入氮氣，開始通入氫氣；快速升溫至950～1000℃,保溫1～1.5小時；溫度降至30℃后停止通入氫氣，出爐；

4）將生成的碲化鎘材料再次進行研磨，混合；

5）經研磨后的碲化鎘材料置于加熱爐中進行退火處理，溫度控制在450~500℃之間，退火時間為1~1.5小時。

進一步地，所述加熱爐的內壁涂覆石墨層。

實施例2：

一種碲化鎘的制備方法，其特征在于順次包括以下步驟：

1）首先碲粉和鎘粉按1:1.22~1.24的比重進行混合；

2）將混合后的原料進行研磨、攪拌使碲粉和鎘粉混合均勻；

3）將均勻混合后的原料裝入石墨舟中，然后將石墨舟置于合成爐中進行合成；所述合成是先通入氮氣趕走合成爐內的空氣，然后緩慢加熱合成爐至150～175℃，保溫5～6小時；快速升溫至410～480℃,而后停止通入氮氣，開始通入氫氣；快速升溫至950～1000℃,保溫1～1.5小時；溫度降至30℃后停止通入氫氣，出爐；

4）將生成的碲化鎘材料再次進行研磨，混合；

5）經研磨后的碲化鎘材料置于加熱爐中進行退火處理，溫度控制在460~490℃之間，退火時間為1~2小時。

本發(fā)明先將碲粉末和鎘粉末進行均勻混合處理，使兩種原料充分混合均勻，有利于后續(xù)反應的進行，同時還能夠克服鎘粉末易被氧化的缺陷，使兩種原料能夠在較低的溫度下進行初步合成，同時提高了合成產品的純度及原料的利用率。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。