專利名稱：層疊體及含鋰氧化鎂粉末的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可作為交流型等離子體顯示面板用的前面板有利地使用的層疊體，以及散布于該層疊體表面的含鋰氧化鎂粉末。
背景技術(shù)：
交流型等離子體顯示面板(以下，稱作AC型PDP)—般包含作為圖像顯示面的前面板以及夾持填充有放電氣體的放電空間而對向配置的背面板。前面板包含前面透明基板、 形成于前面透明基板上的一對放電電極、被覆放電電極的電介質(zhì)層、以及形成于電介質(zhì)層的表面的電介質(zhì)保護層。背面板包含背面透明基板、形成于背面透明基板上的尋址電極、被覆背面透明基板和尋址電極且分隔放電空間的隔板、以及配置于隔板表面的由紅、綠、藍的熒光體形成的熒光體層。電介質(zhì)保護層要求具有保護電介質(zhì)層免受來自在放電空間內(nèi)生成的等離子體所導(dǎo)致的離子沖擊的功能、和在AC型PDP的放電起始時通過高的二次電子發(fā)射效率來降低放電起始電壓的功能。作為以高維而平衡性良好地具有上述兩種功能的材料，氧化鎂受到廣泛利用。專利文獻1中記載了為進一步降低AC型PDP的放電起始電壓而使電介質(zhì)保護層中含有堿金屬或者在電介質(zhì)保護層上層疊包含堿金屬的層。該專利文獻1中，作為使電介質(zhì)保護層中含有堿金屬的方法，記載了在蒸鍍源中添加堿金屬或者在照射堿金屬離子的同時通過蒸鍍形成保護層的方法、使用含有堿金屬的醇鹽的糊料形成保護層的方法。專利文獻2中記載了對包含氧化鎂源粉末和氟化鋰粉末、且相對于氧化鎂源粉末中的鎂100摩爾而以0. 05^30摩爾的量含有氟化鋰的粉末混合物進行燒成所獲得的氧化鎂燒成物粉末。根據(jù)該專利文獻2，通過上述方法獲得的氧化鎂燒成物粉末在被通過Xe氣體放電所產(chǎn)生的紫外光激發(fā)時，發(fā)出在波長230l60nm范圍具有峰的紫外光。因而，通過在AC 型PDP的電介質(zhì)保護層的放電空間一側(cè)的表面形成包含該氧化鎂燒成物粉末的紫外光發(fā)射層，可以增加由于^？氣體的放電而發(fā)射到放電空間內(nèi)的紫外光的光量，結(jié)果可增加由AC 型PDP發(fā)射的可見光的量。但該專利文獻2中并未記載降低AC型PDP的放電起始電壓的方法?，F(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1 日本特開2000-67759號公報專利文獻2 日本特開2009-62267號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
如專利文獻1記載所示，在使電介質(zhì)保護層中含有鋰等堿金屬或者在電介質(zhì)保護層上層疊包含鋰等堿金屬的層的情形中，在AC型PDP的放電時，當(dāng)電介質(zhì)保護層或者層疊于其上的包含堿金屬的層的表面由于等離子體所造成的離子沖擊而被削減時，有放電起始電壓的變動增大的危險。為了減小電介質(zhì)保護層因該等離子體所造成的離子沖擊而被削減時的放電起始電壓的變動，認(rèn)為有效的是使具有降低放電起始電壓的效果的放電起始電壓降低材料散布于電介質(zhì)保護層的表面、并降低放電起始電壓降低材料因等離子體所造成的離子沖擊而被削減的概率。另外，當(dāng)在電介質(zhì)保護層中添加堿金屬、將AC型PDP的放電起始電壓抑制減低時， 為了減小各制品之間的放電起始電壓的不均一，有必要將保護層中的堿金屬含量調(diào)整為同一水平。但是，在上述專利文獻1所記載的在蒸鍍源中添加堿金屬或者在照射堿金屬離子的同時通過蒸鍍形成保護層的方法中，蒸鍍的處理條件的稍微變動導(dǎo)致進入到保護層中的堿金屬的量容易改變，因而很難重現(xiàn)性良好地將保護層中的堿金屬含量調(diào)整至恒定的水平。進而，為了使放電起始電壓長期以低電壓穩(wěn)定，要求電介質(zhì)保護層相對于等離子體所造成的離子沖擊的強度高。但是，通過上述專利文獻1所記載的使用含有堿金屬的醇鹽的糊料形成保護層的方法而獲得的保護層相較于通過蒸鍍法而獲得的保護層，一般來說相對于等離子體所造成的離子沖擊的強度更弱。因此，本發(fā)明的目的在于開發(fā)可通過散布于電介質(zhì)保護層上而使AC型PDP的放電起始電壓降低的新型材料，提供可有利地用作前面板以用于生產(chǎn)各制品間的放電起始電壓的不均小、放電起始電壓長期以低電壓穩(wěn)定的AC型PDP的層疊體。用于解決技術(shù)問題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)一種含鋰氧化鎂粉末，其是相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰、且不含相對于氧化鎂Ig而含有IOPg以上氟的氧化鎂結(jié)晶的含鋰氧化鎂粉末，該含鋰氧化鎂粉末在被電子射線激發(fā)時，完全或者幾乎不會發(fā)出20(T300nm波長范圍的紫外光， 在被電子射線激發(fā)時發(fā)出的光中，處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度為處于 70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下；以及通過使該含鋰氧化鎂粉末散布于AC型PDP的前面板的電介質(zhì)保護層表面，可以使AC型PDP的放電起始電壓降低，從而完成了本發(fā)明。因此，本發(fā)明為一種層疊體，其為含有透明基板、形成于該透明基板上的一對放電電極、被覆該放電電極的電介質(zhì)層、層疊于該電介質(zhì)層上的電介質(zhì)保護層的層疊體，其特征在于，該電介質(zhì)保護層的表面上散布有相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰的含鋰氧化鎂粉末，但該含鋰氧化鎂粉末不含相對于氧化鎂Ig而含有IOPg以上氟的氧化鎂結(jié)
曰
曰曰ο本發(fā)明還為一種層疊體，其為含有透明基板、形成于該透明基板上的一對放電電極、被覆該放電電極的電介質(zhì)層、層疊于該電介質(zhì)層上的電介質(zhì)保護層的層疊體，其特征在于，該電介質(zhì)保護層的表面上散布有相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰的含鋰氧化鎂粉末，但該含鋰氧化鎂粉末在被電子射線激發(fā)時發(fā)出的光中，處于20(T300nm波長范圍的最大發(fā)光峰強度為處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下。上述本發(fā)明的層疊體的優(yōu)選方式如下所述。(1)為交流型等離子體顯示面板用的前面板。(2)含鋰氧化鎂粉末的鋰的含量相對于氧化鎂Ig為7、00μβ的范圍。本發(fā)明還為一種含鋰氧化鎂粉末，其為相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰，但不含相對于氧化鎂Ig而含有IOPg以上氟的氧化鎂結(jié)晶的含鋰氧化鎂粉末。本發(fā)明還為一種含鋰氧化鎂粉末，其為相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰，且在被電子射線激發(fā)時發(fā)出的光中，處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度為處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下。發(fā)明效果
本發(fā)明的前面板中，由于使含鋰氧化鎂粉末散布于電介質(zhì)保護層的表面，因而含鋰氧化鎂粉末在AC型PDP的放電時由于等離子體所造成的離子沖擊而被削減的概率減少。另外，相比較于形成為致密的膜，使含鋰氧化鎂粉末散布時，與AC型PDP的放電空間相接觸的含鋰氧化鎂粉末的面積更大，因而易于由含鋰氧化鎂粉末產(chǎn)生二次電子。因而，使用本發(fā)明的前面板的AC型PDP的放電起始電壓長期以低電壓穩(wěn)定。另外，通過使本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末散布于形成于AC型PDP前面板的電介質(zhì)保護層的表面，可以長期穩(wěn)定地降低AC型PDP的放電起始電壓。


[圖1]為具備本發(fā)明所述前面板的AC型PDP的一例截面圖。
具體實施例方式本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍、優(yōu)選7、00μβ
的范圍含有鋰。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末中，通過氧化鎂結(jié)晶內(nèi)所含的鋰，會在氧化鎂的禁帶中形成雜質(zhì)能級。認(rèn)為通過形成該雜質(zhì)能級，氧化鎂的二次電子發(fā)射效率會提高。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末中，通過形成鋰的雜質(zhì)能級，在被電子射線激發(fā)時有強烈呈現(xiàn)處于70(T800nm 波長范圍的光的傾向。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末在含有大量含有氟的氧化鎂結(jié)晶時，有二次電子發(fā)射效率降低的傾向。因而，本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末中，有必要不含相對于氧化鎂Ig而含有 10μδ以上氟的氧化鎂結(jié)晶。含鋰氧化鎂粉末中，若氧化鎂結(jié)晶內(nèi)大量地含有氟時，在用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時有強烈呈現(xiàn)處于20(T300nm波長范圍的光的傾向。因而，氧化鎂結(jié)晶內(nèi)的氟量可通過用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度進行確認(rèn)。即，含鋰氧化鎂粉末不含相對于氧化鎂Ig而含有 10μδ以上氟的氧化鎂結(jié)晶可通過用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的光中，處于 20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度為處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下來進行確認(rèn)。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末優(yōu)選在被電子射線激發(fā)時基本上檢測不到處于20(T300nm波長范圍的發(fā)光峰。這里，基本上檢測不到發(fā)光峰是指檢測不到 S/N比的3倍以上的發(fā)光峰。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末優(yōu)選BET比表面積為2 10m2/g的范圍。本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末例如可通過以下方法制造將氧化鎂粉末和鋰化合物的粉末混合，使得相對于氧化鎂Ig鋰的量為7 10000μβ的范圍，對所得粉末混合物進行燒成。氧化鎂粉末優(yōu)選為通過氣相法制造的氧化鎂粉末。氣相法是指通過使金屬鎂的蒸汽與氧反應(yīng)，將金屬鎂氧化來制造氧化鎂粉末的方法。作為鋰化合物粉末的例子，可以舉出氫氧化鋰粉末、碳酸鋰粉末、硝酸鋰粉末及草酸鋰粉末。氧化鎂粉末與鋰化合物粉末的粉末混合物的燒成溫度一般為45(T120(TC的范圍、 優(yōu)選為70(Tl20(rC的范圍。燒成時間一般為1(Γ600分鐘的范圍。接著，一邊參照附圖一邊說明本發(fā)明的AC型PDP用的前面板。圖1為具備本發(fā)明的AC型PDP的前面板的AC型PDP的截面圖。圖1中，AC型PDP 包含前面板10和夾持填充有放電氣體的放電空間20而對向配置的背面板30。前面板10包含透明基板11、形成于透明基板上的一對放電電極14a、14b (分別包含透明電極12a、12b和匯流電極13a、1北)、被覆放電電極14a、14b的電介質(zhì)層15、形成于電介質(zhì)層上的電介質(zhì)保護層16、散布于電介質(zhì)保護層16表面的含鋰氧化鎂粉末17。作為透明基板11的例子可舉出玻璃基板。作為透明電極12a、12b的材料的例子， 可舉出IT0、ai0和Sn02。作為匯流電極13a、13b的材料的例子，可舉出Ag、Al、Cr/Cu/Cr的層疊金屬材料。電介質(zhì)層15 —般由低熔點玻璃組合物形成。作為低熔點玻璃組合物的例子，可舉出以氧化鋅、三氧化二硼和二氧化硅的混合物(ZnO-B2O3-SiO2)為主成分的玻璃組合物；以氧化鉛、三氧化二硼和二氧化硅的混合物(PbO- IO3-SiO2)為主成分的玻璃組合物；以氧化鉛、三氧化二硼、二氧化硅和氧化鋁的混合物(PbO- B2O3-SiO2-Al2O3)為主成分的玻璃組合物；以氧化鉛、氧化鋅、三氧化二硼和二氧化硅的混合物(PbO-ZnO- B2O3-SiO2)為主成分的低熔點玻璃組合物。電介質(zhì)層15的厚度優(yōu)選為l(T50Mffl的范圍。電介質(zhì)保護層16優(yōu)選由氧化鎂形成。包含氧化鎂的電介質(zhì)保護層優(yōu)選通過電子束蒸鍍法成形。電介質(zhì)保護層16的厚度優(yōu)選為0. ΟΓδΟΜ 的范圍、特別優(yōu)選為0.廣IOMffl 的范圍。含鋰氧化鎂粉末17可以以一次粒子的形態(tài)散布于電介質(zhì)保護層16的表面，還可作為凝集粒子(二次粒子)散布。作為凝集粒子存在時，凝集粒子的平均大小優(yōu)選為 0. 5 10Mffl的范圍。散布于電介質(zhì)保護層16表面的含鋰氧化鎂粉末的量優(yōu)選為使含鋰氧化鎂粉末占電介質(zhì)保護層表面的占有面積相對于整個電介質(zhì)保護層的面積達到廣30%范圍的量，更優(yōu)選為達到5 15%范圍的量。含鋰氧化鎂粉末的占有面積可由利用掃描型電子顯微鏡獲得的電介質(zhì)保護層的放大照片測定。作為使含鋰氧化鎂粉末17散布于電介質(zhì)保護層16表面的方法，可以使用將含鋰氧化鎂粉末的分散液涂布在電介質(zhì)保護層上后進行干燥的方法。作為分散液的溶劑的例子，可舉出乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇等醇類，丙酮、甲乙酮、甲基丙基酮等酮類。在放電空間20中填充有放電氣體。作為放電氣體，一般使用Xe與Ne的混合氣體。背面板30包含透明基板31、形成于透明基板31上的尋址電極32、被覆尋址電極 32的電介質(zhì)層33、分隔放電空間20的隔板34、形成于電介質(zhì)層33和隔板34的表面的熒光體層35。作為透明基板31的例子可舉出玻璃基板。作為尋址電極32的材料的例子，可舉出Ag、Al、Cr/Cu/Cr的層疊金屬材料。電介質(zhì)層33和隔板34 —般由低熔點玻璃組合物構(gòu)成。低熔點玻璃組合物的例子與上述相同。熒光體層35 —般由紅色發(fā)光熒光體、綠色發(fā)光熒光體及藍色發(fā)光熒光體之中的任一種熒光體形成。實施例[實施例1]
(1)含鋰氧化鎂粉末的制造
以相對于氧化鎂lg、鋰的量為500μβ的比例對由氣相合成法制造的氧化鎂粉末 (2000Α、宇部7 r ·； T i (株)制)和氫氧化鋰粉末進行混合，獲得粉末混合物。將所得粉末混合物投入到氧化鋁制坩堝中，蓋上蓋子放入電爐內(nèi)，以240°C /小時的升溫速度上升至 700°C，接著在該溫度下燒成180分鐘。之后，以240°C /小時的降溫速度使?fàn)t內(nèi)溫度冷卻至室溫，獲得含鋰氧化鎂粉末。(2) AC型PDP用前面板的制造
在硼硅酸玻璃(縱橫的長度50mm、厚度0. 55mm)上形成10組相互間以0. Imm間隔平行地配置的一對放電電極。接著，在該放電電極的表面上涂布低熔點玻璃組合物形成電介質(zhì)層(厚度ΙΟμπι)。在電介質(zhì)層上利用電子束蒸鍍法形成氧化鎂制電介質(zhì)保護層(厚度 IMnOo接著，利用噴槍噴霧在異丙醇中分散有上述(1)所制造的含鋰氧化鎂粉末的含鋰氧化鎂粉末分散液，之后放入箱形電爐中，在500°C的溫度下燒成30分鐘，制造前面板。使用掃描型電子顯微鏡測定散布于所得前面板的電介質(zhì)保護層表面的含鋰氧化鎂粉末的面積占有率，為10%。(3) AC型PDP用前面板的放電起始電壓的測定
將上述(2)制造的AC型PDP用前面板的放電面板連接于電源，設(shè)置在密閉容器內(nèi)，將該密閉容器內(nèi)的壓力減壓至IkPa以下后，封入以5體積％的氙氣和95%體積的氖氣的比例含有氙氣和氖氣的混合氣體直至達到60kPa的壓力。重復(fù)該操作3次后，在前面板的放電電極間施加電壓，緩慢提高電壓，讀取在所有10組的放電電極間可見發(fā)光時的電壓，以該電壓作為放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積，表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。予以說明，鋰含量、 氟含量及被電子射線激發(fā)時的最大發(fā)光峰強度的測定方法如下所述。[鋰含量]
用酸將含鋰氧化鎂粉末溶解，利用ICP發(fā)光分析法測定所得溶液中的鋰量，換算成相對于氧化鎂Ig的量。[氟含量]
用酸將含鋰氧化鎂粉末溶解，利用鑭-茜素氨羧絡(luò)合劑吸光光度法測定所得溶液中的氟量，換算成相對于氧化鎂Ig的量。氟的檢測下限值以相對于氧化鎂Ig的量計為10μβ。[被電子射線激發(fā)時的最大發(fā)光峰強度]
對含鋰氧化鎂粉末照射電子射線，測定處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度和處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度。[實施例2]
除了使氫氧化鋰粉末的量為使相對于氧化鎂lg、鋰的量為IOOPg的量，使粉末混合物的燒成溫度為900°C之外，與實施例1同樣地制造含鋰氧化鎂粉末。并且除了使用該含鋰氧化鎂粉末之外，與實施例1同樣地制造AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積，表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，并且表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。[實施例3]
除了使氫氧化鋰粉末的量為使相對于氧化鎂lg、鋰的量為IOPg的量之外，與實施例1 同樣地制造含鋰氧化鎂粉末。并且除了使用該含鋰氧化鎂粉末之外，與實施例1同樣地制造AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積，表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，并且表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。[實施例4]
除了代替氫氧化鋰粉末使用碳酸鋰粉末，使碳酸鋰粉末的量為相對于氧化鎂lg、鋰的量達到5000μβ的量，使粉末混合物的燒成溫度為500°C之外，與實施例1同樣地制造含鋰氧化鎂粉末。并且除了使用該含鋰氧化鎂粉末之外，與實施例1同樣地制造AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積， 表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于 70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，并且表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。[實施例5]
除了代替氫氧化鋰粉末使用碳酸鋰粉末，使碳酸鋰粉末的量為相對于氧化鎂lg、鋰的量達到IOOOOPg的量，使粉末混合物的燒成溫度為500°C之外，與實施例1同樣地制造含鋰氧化鎂粉末。并且除了使用該含鋰氧化鎂粉末之外，與實施例1同樣地制造AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積， 表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于 70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，并且表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。[比較例1]
除了使氫氧化鋰粉末的量為相對于氧化鎂lg、鋰的量達到的量之外，與實施例1同樣地制造含鋰氧化鎂粉末。并且除了使用該含鋰氧化鎂粉末之外，與實施例1同樣地制造 AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及 BET比表面積，表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，并且表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。[比較例2]
除了代替含鋰氧化鎂粉末使用作為含鋰氧化鎂粉末的氧化鎂源使用的氧化鎂粉末 (2000A、宇部r ·； τ 1 (株)制)之外，與實施例1同樣地制造AC型PDP用前面板，測定其放電起始電壓。表1顯示含鋰氧化鎂粉末的鋰含量、氟含量及BET比表面積，表2顯示用電子射線激發(fā)含鋰氧化鎂粉末時所發(fā)出的處于20(T300nm波長范圍的光和處于70(T800nm 波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度，表3顯示AC型PDP用前面板的放電起始電壓。
表 1
表2
2IMI ~ :WI0關(guān)波 ι； iu；丨 N I' AiJ7(H) ‘、HWlnm波 IQ范1| KIiiI
注)70(T800nm波長范圍下的最大發(fā)光峰強度是使比較例2為100時的相對值。
表 3
由上述表廣3的結(jié)果可知，電介質(zhì)保護層上散布有本發(fā)明的含鋰氧化鎂粉末的AC型PDP用前面板(實施例廣5)與電介質(zhì)保護層上散布有不含鋰的氧化鎂粉末的AC型PDP用前面板(比較例2 )進行比較，放電起始電壓降低。
符號說明 10前面板 11透明基板 12a、12b透明電極 13a、13b匯流電極 14a、14b放電電極 15電介質(zhì)層 16電介質(zhì)保護層 17含鋰氧化鎂粉末 20放電空間 30背面板 31透明基板 32尋址電極 33電介質(zhì)層 34隔板 35熒光體層
權(quán)利要求
1.一種層疊體，其為含有透明基板、形成于該透明基板上的一對放電電極、被覆該放電電極的電介質(zhì)層、層疊于該電介質(zhì)層上的電介質(zhì)保護層的層疊體，其特征在于，該電介質(zhì)保護層的表面散布有相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰的含鋰氧化鎂粉末，其中該含鋰氧化鎂粉末不含相對于氧化鎂Ig而含有IOPg以上氟的氧化鎂結(jié)晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其為交流型等離子體顯示面板用的前面板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，含鋰氧化鎂粉末的鋰的含量相對于氧化鎂Ig 為7、00μβ的范圍。
4.一種含鋰氧化鎂粉末，其相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰，其中不含相對于氧化鎂Ig而含有IOPg以上氟的氧化鎂結(jié)晶。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的含鋰氧化鎂粉末，其中，鋰的含量相對于氧化鎂Ig為 7^800μδ的范圍。
6.一種層疊體，其為含有透明基板、形成于該透明基板上的一對放電電極、被覆該放電電極的電介質(zhì)層、層疊于該電介質(zhì)層上的電介質(zhì)保護層的層疊體，其特征在于，該電介質(zhì)保護層的表面散布有相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰的含鋰氧化鎂粉末，其中該含鋰氧化鎂粉末在被電子射線激發(fā)時發(fā)出的光中，處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度為處于70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊體，其為交流型等離子體顯示面板用的前面板。
8.—種含鋰氧化鎂粉末，其相對于氧化鎂Ig而以7 10000μβ的范圍含有鋰，在被電子射線激發(fā)時發(fā)出的光中，處于20(T300nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度為處于 70(T800nm波長范圍的光的最大發(fā)光峰強度的1/100以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及可作為交流型等離子體顯示面板用的前面板有利地使用的層疊體，以及散布于該層疊體表面的含鋰氧化鎂粉末。課題在于降低交流型等離子體顯示面板的前面板的放電起始電壓。本發(fā)明提供一種層疊體，其在電介質(zhì)保護層(16)的表面上散布有相對于氧化鎂1g而以7~10000μg的范圍含有鋰的含鋰氧化鎂粉末(17)，其中該含鋰氧化鎂粉末不含相對于氧化鎂1g含10μg以上氟的氧化鎂結(jié)晶。
文檔編號C01F5/02GK102568982SQ20111036487
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者加藤裕三, 天谷仁, 植木隆史 申請人:宇部材料工業(yè)株式會社