基板處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，使用基板處理裝置，以對半導(dǎo)體晶片等基板進行各種處理。作為基板處理裝置的一例，列舉有用于進行基板研磨處理的CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)裝置。
[0003]CMP裝置具備用于進行基板研磨處理的研磨單元、用于進行基板的清洗處理及干燥處理的清洗單元、將基板向研磨單元交接并且接收由清洗單元而被清洗處理及干燥處理后的基板的裝載/卸載單元等。此外，CMP裝置具備在研磨單元、清洗單元、及裝載/卸載單元內(nèi)進行基板搬送的搬送單元。CMP裝置一邊由搬送單元搬送基板，一邊依序進行研磨、清洗、及干燥的各種處理。
[0004]但是，若在CMP裝置中將多個基板連續(xù)搬送時，通過優(yōu)先執(zhí)行的基板的處理等待、或與以不同的路徑被搬送的基板共有的處理部的空檔等待等，會產(chǎn)生基板的待機狀態(tài)。例如，若在從研磨處理開始起直到清洗處理結(jié)束為止的期間產(chǎn)生基板的待機狀態(tài)時，由于經(jīng)時變化(腐蝕等)、或外在干擾(粉塵等)，基板狀態(tài)有可能成為不安定。特別是，若在基板的研磨對象物中含有銅(Cu)的情況下，當研磨結(jié)束后直到清洗開始為止的待機時間長時，腐蝕的影響會變大。
[0005]這一點，在現(xiàn)有技術(shù)中提出了通過預(yù)測清洗單元中的清洗開始時刻，來削減從研磨單元至清洗單元的基板等待時間的方案。
[0006]專利文獻1:日本專利第5023146號公報
[0007](發(fā)明所要解決的問題)
[0008]但是，現(xiàn)有技術(shù)并未考慮在清洗單元中的清洗處理及搬送路徑的自由度高的基板處理裝置中，削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的基板的待機狀態(tài)的情形。
[0009]S卩，在現(xiàn)有技術(shù)中，是以如下為前提的:基板處理裝置通過清洗單元的多個清洗部依次清洗由研磨單元進行了研磨處理的基板，之后使其干燥而送回至裝載/卸載單元。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，例如在由于清洗單元具有可并列進行清洗處理的多個清洗部而使清洗單元內(nèi)的基板的搬送路徑會復(fù)雜化的情況下，有可能在清洗單元內(nèi)產(chǎn)生基板的待機狀態(tài)。當在清洗單元內(nèi)暫時產(chǎn)生基板待機狀態(tài)時，在預(yù)定通過該基板所位于的場所的后續(xù)的基板也有可能產(chǎn)生待機狀態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]因此，本發(fā)明的課題在清洗單元中的清洗處理及搬送路徑的自由度高的基板處理裝置中，削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的基板的待機狀態(tài)。
[0011](用于解決問題的手段)
[0012]本發(fā)明的基板處理裝置的一方式是鑒于上述課題而作出的，具備:研磨單元，該研磨單元包含對基板進行研磨處理的至少I個研磨部；清洗單元，該清洗單元包含將由所述研磨單元研磨后的基板進行清洗處理的至少I個清洗部；裝載/卸載單元，該裝載/卸載單元將基板交接給所述研磨單元并且從所述清洗單元接收基板；及搬送單元，該搬送單元包含對所述基板進行搬送處理的至少I個搬送部，所述基板處理裝置的特征在于，所述基板處理裝置具備控制部，該控制部控制將所述基板向所述基板處理裝置投入的投入時序，所述控制部以從所述基板被投入至所述基板處理裝置起直到清洗處理結(jié)束為止都不會產(chǎn)生待機狀態(tài)的方式，制作時刻表，所述時刻表按照投入至所述基板處理裝置的多個基板的每一個基板而將所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻建立了對應(yīng)關(guān)系，所述控制部根據(jù)所述時刻表來控制將所述多個基板向所述基板處理裝置投入的投入時序。
[0013]此外，在基板處理裝置的一方式中，所述控制部根據(jù)在所述研磨部及所述清洗部的至少一方中處理所需時間和在所述搬送部中從所述研磨單元到所述清洗單元的搬送處理所需時間的過去的實際的值，來制作所述時刻表。
[0014]此外，在基板處理裝置的一方式中，當制作針對新投入至所述基板處理裝置的基板的所述時刻表時，所述控制部計算所述新投入的基板到達所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到達時刻，將所述假定到達時刻、與先投入至所述基板處理裝置的基板的所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部中的處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻進行比較，在相同或相競爭的處理部中存在比所述處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻快的假定到達時刻的情況下，所述控制部將所述快的假定到達時刻與所述處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差，相加至到達所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到達時刻，由此來制作實際到達時刻，且根據(jù)所述實際到達時刻來制作所述時刻表。
[0015]此外，在基板處理裝置的一方式中，在存在多個所述快的假定到達時刻的情況下，所述控制部將所述快的假定到達時刻與所述處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差為最大的假定到達時刻與所述處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻之差，相加至到達所述研磨部、所述清洗部、及所述搬送部的假定到達時刻，由此來制作實際到達時刻，且根據(jù)所述實際到達時刻來制作所述時刻表。
[0016]此外，在基板處理裝置的一方式中，在所述相同或相競爭的處理部中不存在比所述處理結(jié)束時刻或處理結(jié)束預(yù)定時刻快的假定到達時刻的情況下，所述控制部根據(jù)所述假定到達時刻來制作所述時刻表。
[0017](發(fā)明的效果)
[0018]根據(jù)本發(fā)明，在清洗單元中的清洗處理及搬送路徑的自由度高的基板處理裝置中，可削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的基板的待機狀態(tài)。
【附圖說明】
[0019]圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置的全體構(gòu)成的俯視圖。
[0020]圖2是表示從晶片被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的晶片搬送路徑的一例的圖。
[0021]圖3是表示從晶片被投入至CMP裝置起直到清洗處理結(jié)束為止的期間的晶片搬送路徑的一例的圖。
[0022]圖4是表示本實施方式的CMP裝置的動作的流程圖。
[0023]圖5是用于說明時刻表的制作過程的概略圖。
[0024]圖6是表不時刻表的一例的圖。
[0025]圖7是表不圖表化的時刻表的一例的圖。
[0026]符號說明
[0027]I 外殼
[0028]IaUb 間隔壁
[0029]2裝載/卸載單元
[0030]3研磨單元
[0031]3A?3D研磨部
[0032]4清洗單元
[0033]5控制部
[0034]11升降器
[0035]12擺動輸送器
[0036]20前裝載部
[0037]22搬送機器人(裝載器、搬送機構(gòu))
[0038]24 ITM(In_line Thickness Monitor，線內(nèi)厚度監(jiān)測器)
[0039]180暫置臺
[0040]190第I清洗室
[0041]191第I搬送室
[0042]192第2清洗室
[0043]193第2搬送室
[0044]194第3清洗室
[0045]210、240 時刻表
[0046]220假定到達時刻表
[0047]230實際到達時刻表
[0048]CL1A、CL1B、CL2A、CL2B、CL3A、CL3B 清洗部
[0049]LTPl 第I搬送位置
[0050]LTP2 第2搬送位置
[0051]LTP3 第3搬送位置