本發(fā)明涉及一種蒸鍍裝置，用來實(shí)現(xiàn)薄膜在襯底上的蒸鍍，可廣泛應(yīng)用于oled、半導(dǎo)體和led等領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
蒸鍍是一種常見的薄膜材料淀積方法。在蒸鍍過程中，被蒸鍍材料在坩堝中被加熱至融化狀態(tài)，在處于真空狀態(tài)下的蒸鍍室內(nèi)，被蒸鍍材料通過蒸發(fā)被輸運(yùn)到襯底表面，在襯底上沉積而形成薄膜。由于蒸鍍材料為液態(tài)，為了防止蒸鍍材料流出，坩堝通常僅在上部開口，而襯底則被支撐著以待鍍面朝下被放置于坩堝的上方。
在oled的蒸鍍?cè)O(shè)備里，為了在蒸鍍時(shí)在襯底上僅獲得特定區(qū)域的鍍膜，而其他區(qū)域則被遮蔽，需要在襯底的下方放置精細(xì)金屬掩膜。該掩膜通過縷空的結(jié)構(gòu)，使得蒸鍍材料僅在襯底的部分區(qū)域沉積。但是將精細(xì)金屬掩膜固定在襯底的下方非常近的距離是非常的困難的。為了防止固定裝置對(duì)沉積區(qū)域的干擾，可以用于固定金屬掩膜的裝置也受到了諸多限制。在重力的作用下，精細(xì)金屬掩膜會(huì)出現(xiàn)下垂等現(xiàn)象，嚴(yán)重的降低了蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細(xì)度。
現(xiàn)有的一種真空蒸鍍裝置(cn103726020a)，針對(duì)上述問題進(jìn)行了改進(jìn)。通過將蒸發(fā)源放于襯底的上方，避免了精細(xì)金屬掩膜下垂的問題。但是為了防止蒸發(fā)材料在重力的作用下溢出，該專利需要使用雙重蒸發(fā)加熱單元，這增加了系統(tǒng)的復(fù)雜程度和成本。同時(shí)由于該雙層蒸發(fā)加熱單元與蒸發(fā)室之間是相互連接的，蒸發(fā)源的壓力與蒸發(fā)室的壓力相同，蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率主要由蒸發(fā)源溫度決定，無法獨(dú)立調(diào)節(jié)蒸發(fā)源的壓力，這對(duì)于蒸發(fā)源溫度受限的場合是不利的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明提供一種蒸鍍裝置，能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出，使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細(xì)度大大提高，可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低成本。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：包括蒸鍍室和安裝在蒸鍍室內(nèi)的蒸鍍?cè)?，襯底放置在蒸鍍?cè)聪路?，所述蒸鍍?cè)从稍牧先萜?、加熱器和多孔部件?gòu)成，原材料容器內(nèi)盛裝蒸鍍材料，加熱器安裝在原材料容器的中部，在容器下部的部分區(qū)域安裝有多孔部件。
相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的一種蒸鍍裝置，其蒸發(fā)源被設(shè)置于襯底的下方，其中盛放蒸發(fā)材料的容器向下的部分還具有多孔部件，多孔部件能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出，同時(shí)蒸發(fā)材料的蒸汽可以通過多孔材料的空洞蒸發(fā)到蒸鍍腔，最終到達(dá)待蒸鍍襯底，使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細(xì)度大大提高，還簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低了成本。同時(shí)，多孔部件可以在蒸發(fā)室與蒸發(fā)液體之間建立一定的壓力差，蒸發(fā)速度可以通過調(diào)節(jié)壓力差或者蒸發(fā)源的溫度來調(diào)節(jié)。由于襯底也位于蒸發(fā)源的下方，一樣能避免精細(xì)金屬掩膜下垂等問題。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，1、原材料容器，2、加熱器，3、蒸鍍材料，4、多孔部件，5、精細(xì)金屬掩膜，6、襯底。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
圖1示出了本發(fā)明一個(gè)較佳的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中的一種蒸鍍裝置，包括蒸鍍室和安裝在蒸鍍室內(nèi)的蒸鍍?cè)?，襯底6如玻璃基板)放置在蒸鍍?cè)聪路剑谝r底6上可以放置精細(xì)金屬掩膜5，通常二者的距離小于1mm，所述蒸鍍?cè)从稍牧先萜?、加熱器2和多孔部件4構(gòu)成，原材料容器1內(nèi)盛裝蒸鍍材料3，加熱器2安裝在原材料容器1的中部，在容器下部的部分區(qū)域安裝有多孔部件4，一般來說，多孔部件4的孔隙大小為0.5-500um。
加熱器2通過給原材料加熱，將原材料源源不斷的通過多孔部件4蒸發(fā)到反應(yīng)腔中并沉積到襯底6上。
本實(shí)施例中，原材料容器1需要能夠在原材料熔點(diǎn)以上工作。其可以使用陶瓷，如氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化硅等，也可以使用熔點(diǎn)較高的金屬，如鎢、鉬、高溫合金、不銹鋼等。多孔部件4的材料一樣也為陶瓷或金屬，并且多孔部件4可以使用和容器相同的材料，也可以使用不同的材料。
本發(fā)明由于在盛放蒸發(fā)材料的容器向下的部分設(shè)有多孔部件4，多孔部件4既能夠防止蒸發(fā)材料液體在重力作用下流出，同時(shí)蒸發(fā)材料的蒸汽還可以通過多孔材料的空洞蒸發(fā)到蒸鍍腔，最終到達(dá)待蒸鍍襯底6，使蒸鍍圖形的質(zhì)量和精細(xì)度大大提高。多孔部件4還可以在蒸發(fā)室與蒸發(fā)液體之間建立一定的壓力差，蒸發(fā)速度可以通過調(diào)節(jié)壓力差或者蒸發(fā)源的溫度來調(diào)節(jié)。又由于襯底6位于蒸發(fā)源的下方，也避免了精細(xì)金屬掩膜5下垂等問題。整體來看，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低了成本。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)，對(duì)以上實(shí)施例所做出任何簡單修改和同等變化，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。