本實用新型屬于基板玻璃加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射靶罩。

背景技術(shù)：

圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖，請參圖1，磁控濺射是通過在靶11陰極表面引入磁場和電場，利用磁場和電場對帶電粒子的約束來提高等離子密度來增加濺射率。電子在電場的作用下，在飛向固定于鍍膜小車13上的基片15的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生Ar⁺和新的電子：新電子飛向基片15，Ar+在電場作用下加速飛向陰極靶11，并以高能量轟擊靶11表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射過程中，一部分帶電粒子與器壁發(fā)生碰撞，發(fā)生復(fù)合，這部分與器壁發(fā)生復(fù)合的粒子，對磁控室腔體的污染嚴重?，F(xiàn)有技術(shù)通過設(shè)置一個靶罩12，來屏蔽掉這部分濺射粒子。

在濺射過程中，還有一部分電子和負離子飛向陽極17并沉積于基片15表面，這部分電子和負離子會對靶材在基片15表面沉積成膜的效果產(chǎn)生一定影響，其中能量較低的電子和負離子會使靶材沉積成膜的效果變差。圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的靶罩12的結(jié)構(gòu)示意圖，請參圖2，靶罩12包括罩面12a和多個側(cè)面12b，罩面12a上設(shè)置有濺射窗口12c，濺射窗口12c是Ar⁺、電子、負離子以及濺射出的靶材運動的通道。能量較低的電子可以直接從濺射窗口12c飛出沉積在基片15表面，從而使靶材在基片15表面沉積成膜的效果變差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實用新型提供一種磁控濺射靶罩，可有效提升靶材在基片表面沉積成膜的效果。

為達到上述目的，本實用新型采用如下的技術(shù)方案：

一種磁控濺射靶罩，包括罩面和側(cè)邊，側(cè)邊設(shè)置于罩面外邊緣，側(cè)邊與罩面的交界線圍合成一個封閉的圖形，罩面上設(shè)置有濺射窗口，還包括至少一金屬絲，金屬絲兩端固定于側(cè)邊，金屬絲在罩面上的投影部分位于濺射窗口。

進一步地，金屬絲為鉬絲。

進一步地，金屬絲的數(shù)量為3。

進一步地，其中一根金屬絲垂直于另兩根金屬絲，且穿過另外兩根金屬絲的中點。

進一步地，3根金屬絲一體成型。

進一步地，金屬絲的直徑為4-6mm。

進一步地，金屬絲與罩面的距離等于側(cè)邊在垂直于靶罩方向上的長度的三分之一。

進一步地，金屬絲焊接固定于側(cè)邊。

本實用新型實施例提供的磁控濺射靶，通過設(shè)置金屬絲，可以捕捉能量較低的電子和負離子，避免其沉積于基片表面，提高了靶材在基片表面沉積成膜的質(zhì)量。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明，附圖中：

圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的靶罩的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為說明本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩，以下結(jié)合說明書附圖及文字說明進行詳細闡述。

圖3為本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖，請參圖3和圖4，本實用新型實施例提供的磁控濺射靶罩30包括罩面30a、側(cè)邊30b和至少一金屬絲50。

罩面30a呈平板狀，至少包括一第一表面31a，優(yōu)選地，罩面30a的外邊緣形成為矩形。第一表面31a的中央?yún)^(qū)域形成有濺射窗口30c，優(yōu)選地，濺射窗口30c的邊緣形成為特定的形狀。

側(cè)邊30b設(shè)置于罩面30a的外邊緣處，側(cè)邊30b與罩面30a垂直設(shè)置，優(yōu)選地，側(cè)邊30b與罩面30a一體成型。本實施例中，側(cè)邊30b的數(shù)量為四個，四個側(cè)邊30b分別設(shè)置于罩面30a四個邊緣處，四個側(cè)邊30b首尾相連圍合成一個封閉的“口”字形。

金屬絲50的兩端分別固定在側(cè)邊30b上，金屬絲50在第一表面31a上的投影部分位于濺射窗口30c，優(yōu)選地，每一金屬絲50焊接固定在相對設(shè)置的兩個側(cè)邊30b上。優(yōu)選地，金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一。

金屬絲50的數(shù)量優(yōu)選為三根，其中一根金屬絲50穿過另外兩根金屬絲50的中點并垂直于另外兩根金屬絲50，優(yōu)選地，三根金屬絲50一體成型。

金屬絲50的直徑優(yōu)選為四至六毫米。金屬絲50在罩面30a上的投影位于濺射窗口30c內(nèi)。

罩面30a與側(cè)邊30b的制作材質(zhì)為紫銅，金屬絲50的制作材質(zhì)優(yōu)選為鉬。

靶材通過磁控濺射在基片表面沉積成膜的過程中，電子在電場的作用下，與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生Ar⁺，Ar+在電場作用下加速飛向陰極靶，穿過濺射窗口30c后以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。

在濺射過程中，側(cè)邊30b以及靶面上濺射窗口30c以外區(qū)域阻擋了濺射出的靶材的運動，濺射出的靶材只能通過濺射窗口30c運動到基片表面。濺射窗口30c的外邊緣呈特定的形狀，該特定形狀根據(jù)靶材在基片表面的沉積規(guī)律而設(shè)計，濺射出的靶材通過濺射窗口30c后，在基片表面均勻沉積成膜。

在濺射過程中，還有一部分電子和負離子從靶陰極濺射出，飛向陽極并沉積于基片表面。該部分電子和負離子中，能量較低的電子和負離子被金屬絲50捕捉，從而無法濺射出濺射窗口30c。

可以理解，本實用新型實施例提供的磁控濺射靶，設(shè)置有金屬絲50，可以捕捉能量較低的電子和負離子，避免其沉積于基片表面，提高了靶材在基片表面沉積成膜的質(zhì)量。

進一步地，該金屬絲50的制作材質(zhì)為鉬。通過大量實驗證明，以鉬作為該金屬絲50的制作材質(zhì)，捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一。通過大量實驗證明，金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長度的三分之一，金屬絲50捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50的數(shù)量為三根，其中一根金屬絲50穿過另外兩根金屬絲50的中點并垂直于另外兩根金屬絲50，三根金屬絲50一體成型。通過大量實驗證明，該種設(shè)計，金屬絲50捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

進一步地，金屬絲50的直徑為四至六毫米。通過大量實驗證明，金屬絲50的直徑為四至六毫米，捕捉低能量的電子和負離子的效果最佳。

以上為本實用新型提供的磁控濺射靶罩，并不能理解為對本實用新型權(quán)利保護范圍的限制，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)知曉，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可做多種改進或替換，所有的改進或替換都應(yīng)在本實用新型的權(quán)利保護范圍內(nèi)，即本實用新型的權(quán)利保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準。

在不沖突的情況下，本文中上述實施例及實施例中的特征可以相互結(jié)合。