專利名稱：磁控共濺射鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及磁控共濺射鍍膜機(jī)，屬于磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的磁控射鍍膜機(jī)，由于結(jié)構(gòu)性不足，大都只一條生產(chǎn)線上只具有單獨(dú)的濺射靶對應(yīng)進(jìn)行濺射鍍膜生，不能實(shí) 現(xiàn)多靶切換，不支持連續(xù)濺射鍍膜生產(chǎn)的作業(yè)過程。同時(shí)由于射頻清洗作業(yè)和濺射鍍膜作業(yè)使用多個(gè)射頻電源，但實(shí)際中射頻電源的使用效率較低，進(jìn)一步增加了設(shè)備的實(shí)用和維護(hù)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種磁控共濺射鍍膜機(jī)，能夠?qū)崿F(xiàn)持連續(xù)濺射鍍膜生產(chǎn)的作業(yè)過程，同時(shí)能減低設(shè)備的實(shí)用和維護(hù)成本。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的磁控共濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)架、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護(hù)措施的自動控制系統(tǒng)，它還包括安裝在機(jī)架上的雙室高真空裝置和送樣片裝置，雙室高真空裝置由左側(cè)的送樣室、右側(cè)的磁控濺射室以及連接送樣室和磁控濺射室的真空鎖組成，送樣片裝置包括安裝在機(jī)架上的送取片機(jī)構(gòu)、由驅(qū)動氣缸帶動的機(jī)械手、磁控濺射室中的樣片頂升機(jī)構(gòu)和可旋轉(zhuǎn)樣片臺，可旋轉(zhuǎn)樣片臺位于樣片頂升機(jī)構(gòu)上且與機(jī)械手相連，磁控濺射室的頂部安裝有磁控濺射靶，磁控濺射室的內(nèi)部還設(shè)置有有樣片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)以及加熱機(jī)構(gòu)，送樣室為上開蓋結(jié)構(gòu)，送樣室的上蓋上設(shè)置有射頻等離子清洗裝置，磁控濺射靶與射頻等離子清洗裝置通過電源切換器與電源裝置連接。所述的機(jī)架上還安裝了自偏壓裝置和報(bào)警裝置。所述的真空鎖由旋轉(zhuǎn)氣缸控制。所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。所述的磁控濺射靶的數(shù)量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室的頂部。所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。所述的自動控制系統(tǒng)中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。所述的磁控濺射室上還設(shè)置有帶擋板的觀察窗。本實(shí)用新型的有益效果在于(I)送樣室上面的射頻清洗可以與濺射室共用一個(gè)射頻電源，同時(shí)通過電源切換器可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)電源多用，節(jié)約了制造成本；(2)通過真空鎖可以實(shí)現(xiàn)濺射室始終保持真空狀態(tài)，從而提高了生產(chǎn)效率，減低了濺射鍍膜的工藝時(shí)間；
(3)整個(gè)生產(chǎn)過程采用全自動控制方式，實(shí)現(xiàn)了真空系統(tǒng)自動化以及工藝過程自動化，提高了生產(chǎn)效率；(4)由射頻電源以及直流電源可以控制磁控濺射靶進(jìn)行單獨(dú)濺射以及共濺射。
圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的俯視示意圖。其中，I-機(jī)架，2-雙室高真空裝置，3-送樣室，4-磁控濺射室，5-真空鎖，6_磁控濺射靶，7-樣片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，8-加熱機(jī)構(gòu)，9-上蓋，10-樣片頂升機(jī)構(gòu)，11-送取片機(jī)構(gòu)，12-機(jī)械手，13-射頻等離子清洗裝置，14-可旋轉(zhuǎn)樣片臺，15-報(bào)警裝置，16-自偏壓裝置，17-觀察窗。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖進(jìn)一步描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但要求保護(hù)的范圍并不局限于所述。 如圖I、圖2，磁控共濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)架I、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護(hù)措施的自動控制系統(tǒng)，它還包括安裝在機(jī)架I上的雙室高真空裝置2和送樣片裝置，雙室高真空裝置2由左側(cè)的送樣室3、右側(cè)的磁控濺射室4以及連接送樣室3和磁控濺射室4的真空鎖5組成，送樣片裝置包括安裝在機(jī)架I上的送取片機(jī)構(gòu)11、由驅(qū)動氣缸帶動的機(jī)械手12、磁控濺射室4中的樣片頂升機(jī)構(gòu)10和可旋轉(zhuǎn)樣片臺14，可旋轉(zhuǎn)樣片臺14位于樣片頂升機(jī)構(gòu)10上且與機(jī)械手12相連，磁控濺射室4的頂部安裝有磁控濺射靶6，磁控濺射室4的內(nèi)部還設(shè)置有有樣片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)7以及加熱機(jī)構(gòu)8，送樣室3為上開蓋結(jié)構(gòu)，送樣室3的上蓋9上設(shè)置有射頻等離子清洗裝置13，磁控濺射靶6與射頻等離子清洗裝置13通過電源切換器與電源裝置連接，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多靶切換。所述的機(jī)架I上還安裝了自偏壓裝置16和報(bào)警裝置15，進(jìn)而提高沉積速率和預(yù)警功能。所述的真空鎖5由旋轉(zhuǎn)氣缸控制。所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。所述的磁控濺射靶6的數(shù)量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室4的頂部。所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。所述的自動控制系統(tǒng)中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。所述的磁控濺射室4上還設(shè)置有帶擋板的觀察窗17，可以保證觀察窗17的長時(shí)間清潔。供氣裝置通過質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣，射頻等離子清洗裝置13通過機(jī)械手12配合樣片頂升機(jī)構(gòu)10通過自動控制程序?qū)悠伤蜆邮?經(jīng)過真空鎖5進(jìn)入磁控濺射室4，抽氣系統(tǒng)將磁控濺射室4抽到高真空狀態(tài)，通過插板閥控制濺射室的氣壓，送樣室3上面的射頻等離子清洗裝置13可以與磁控濺射室4共用一個(gè)射頻電源，節(jié)約成本，同時(shí)通過電源切換器可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)電源多用，進(jìn)一步節(jié)約制造成本，通過樣片頂升機(jī)構(gòu)10可以實(shí)現(xiàn)多樣片自動連續(xù)運(yùn)動，從而提高生產(chǎn)效率，減低濺射鍍膜的工藝時(shí)間。設(shè)備采用全自動控制方式，從用戶將樣片送入送樣室開始后的樣片傳送、薄膜生長、直至將樣品取回進(jìn)樣送樣室的完整工藝過程。由射頻電源以及直流電源可以控制磁控濺射靶6進(jìn)行單獨(dú)濺射以及共濺射，在保證濺射靶的有效濺射區(qū)域的條件下，使主濺射靶的濺射區(qū)域最大化，實(shí)現(xiàn)了靶材的合理利用，通過調(diào)節(jié)磁控濺射靶6與樣片之間的距離以及角度來保證 樣片的均勻性。
權(quán)利要求1.磁控共濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)架(I)、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護(hù)措施的自動控制系統(tǒng)，其特征在于它還包括安裝在機(jī)架(I)上的雙室高真空裝置(2)和送樣片裝置，雙室高真空裝置(2)由左側(cè)的送樣室(3)、右側(cè)的磁控濺射室(4)以及連接送樣室(3)和磁控濺射室(4)的真空鎖(5)組成，送樣片裝置包括安裝在機(jī)架⑴上的送取片機(jī)構(gòu)(11)、由驅(qū)動氣缸帶動的機(jī)械手(12)、磁控濺射室(4)中的樣片頂升機(jī)構(gòu)(10)和可旋轉(zhuǎn)樣片臺(14)，可旋轉(zhuǎn)樣片臺(14)位于樣片頂升機(jī)構(gòu)(10)上且與機(jī)械手(12)相連，磁控濺射室(4)的頂部安裝有磁控濺射靶￠)，磁控濺射室(4)的內(nèi)部還設(shè)置有有樣片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(7)以及加熱機(jī)構(gòu)(8)，送樣室(3)為上開蓋結(jié)構(gòu)，送樣室(3)的上蓋(9)上設(shè)置有射頻等離子清洗裝置(13)，磁控濺射靶(6)與射頻等離子清洗裝置(13)通過電源切換器與電源裝置連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的機(jī)架(I)上還安裝了自偏壓裝置(16)和報(bào)警裝置(15)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的真空鎖(5)由旋轉(zhuǎn)氣缸控制。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的磁控濺射靶(6)的數(shù)量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室(4)的頂部。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的自動控制系統(tǒng)中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁控共濺射鍍膜機(jī)，其特征在于所述的磁控濺射室(4)上還設(shè)置有帶擋板的觀察窗(17)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了磁控共濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)架、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護(hù)措施的自動控制系統(tǒng)，它還包括安裝、雙室高真空裝置和送樣片裝置，雙室高真空裝置由送樣室、磁控濺射室以及真空鎖組成，送樣片裝置包括送取片機(jī)構(gòu)、機(jī)械手、樣片頂升機(jī)構(gòu)等。本實(shí)用新型的有益效果是可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)電源多用，節(jié)約了制造成本；通過真空鎖可以實(shí)現(xiàn)濺射室始終保持真空狀態(tài)，從而提高了生產(chǎn)效率，減低了濺射鍍膜的工藝時(shí)間；整個(gè)生產(chǎn)過程采用全自動控制方式，實(shí)現(xiàn)了真空系統(tǒng)自動化以及工藝過程自動化，提高了生產(chǎn)效率；由射頻電源以及直流電源可以控制磁控濺射靶進(jìn)行單獨(dú)濺射以及共濺射。
文檔編號C23C14/56GK202688424SQ20122032683
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月9日
發(fā)明者梁進(jìn)智, 陳畑畑 申請人:北京奧依特科技有限責(zé)任公司