技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種納米半導(dǎo)體光折變薄膜材料及其制備方法，納米半導(dǎo)體光折變薄膜材料，包括金屬薄膜和鉛的硫?qū)倩衔锉∧ぃ鼋饘俦∧さ囊幻媾c鉛的硫?qū)倩衔锉∧さ囊幻娼佑|，其中，所述金屬薄膜的金屬的功函數(shù)大于等于所述鉛的硫?qū)倩衔锉∧ぐ雽?dǎo)體的電子親合能，或所述金屬薄膜與所述鉛的硫?qū)倩衔锉∧さ慕佑|界面形成肖特基結(jié)。制備方法，在襯底上生長一層透明的金屬薄膜，然后在所述金屬薄膜上生長一層鉛的硫?qū)倩衔锉∧ぐ雽?dǎo)體材料。本發(fā)明采用金屬薄膜與鉛的硫?qū)倩衔锉∧そ雍希⒃谟媒饘俦∧づc鉛的硫?qū)倩衔锉∧さ慕缑嫘纬尚ぬ鼗Y(jié)，從而在薄膜內(nèi)形成內(nèi)建電場，對光生載流子移動和再分布，不需外加電場，完全達(dá)到光折變材料應(yīng)用目的。

技術(shù)研發(fā)人員：曹文田
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東師范大學(xué)
文檔號碼：201610959284
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.03
技術(shù)公布日：2017.02.22