本發(fā)明的實施例關于一種處理系統(tǒng)、一種用于處理系統(tǒng)的組件組以及一種裝配處理系統(tǒng)的方法。本發(fā)明的實施例特別關于真空沉積系統(tǒng)，并且更特別地關于卷對卷(roll-to-roll)沉積系統(tǒng)以及用以裝配此類沉積系統(tǒng)的方法。本發(fā)明的實施例特別關于用于處理柔性基板的設備。
背景技術：
：：處理柔性基板(諸如，塑料膜或箔)在封裝產(chǎn)業(yè)、半導體產(chǎn)業(yè)和其他產(chǎn)業(yè)中具有高需求。對于所需的應用，處理可由以下步驟組成：以所需材料(諸如，金屬，特別是鋁、半導體和電介質(zhì)材料)涂覆柔性基板、蝕刻以及在基板上執(zhí)行的處理步驟。執(zhí)行此任務的系統(tǒng)一般包括處理卷筒(drum)(例如，圓柱滾軸(roller))，所述處理卷筒耦接至處理系統(tǒng)，以用于傳送基板，并且在所述處理卷筒上處理的基板的至少部分。卷對卷(roll-to-roll，R2R)涂覆系統(tǒng)由此可提供高產(chǎn)量系統(tǒng)。通常，可利用工藝以沉積可涂覆到柔性基板上的材料的薄層，所述工藝例如，物理氣相沉積(physicalvapordeposition，PVD)工藝、化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，CVD)工藝以及等離子體增強型化學氣相沉積(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，PECVD)工藝。然而，卷對卷沉積系統(tǒng)也在顯示器產(chǎn)業(yè)和光伏(photovoltaic，PV))產(chǎn)業(yè)中面臨強勁的需求增長。例如，使用觸控面板元件、柔性顯示器和柔性PV模塊導致對于特別是以低制造成本在卷對卷涂覆機中沉積合適層的增加的需求。然而，此類裝置通常具有若干層，這些層通常以CVD工藝、特別是PECVD工藝來制造。若干CVD、PECVD和/或PVD源在一個或多個工藝腔室中的布置需要卓越且高效的工藝。常見后續(xù)在不同的R2R涂覆機中執(zhí)行對復雜的薄膜層結構的沉積，每一個R2R涂覆機針對特殊沉積技術的需求來設計。然而，這個概念導致制造裝備的高持有成本(costsofownership，CoO)。由經(jīng)涂覆的基板制成的產(chǎn)品的示例是OLED(有機發(fā)光二極管)顯示器，相比液晶顯示器(liquidcrystaldisplays，LCD)，鑒于OLED顯示器的更快的響應時間、更大的視角、更大的對比度、更輕的重量、較低的功率以及對柔性基板的順應性(amenability)，OLED顯示器最近在顯示器應用中受到高度關注。除了在OLED中使用的有機材料之外，也為小分子柔性有機發(fā)光二極管(flexibleorganiclightemittingdiode，F(xiàn)OLED)和高分子發(fā)光二極管(polymerlightemittingdiode，PLED)開發(fā)了許多聚合物材料。這些有機和聚合物材料中的許多材料是柔性的以用于在一系列基板上制造復雜的多層器件，使得這些有機和聚合物材料對于各種透明多色顯示器應用(諸如，薄平板顯示器(flatpaneldisplays，F(xiàn)PD)、電激發(fā)有機激光(electricallypumpedorganiclaser)以及有機光放大器(organicopticalamplifier)是理想的。多年來，例如顯示器件中的數(shù)層已經(jīng)演進成每一層都提供不同功能的多層。將多個層沉積到基板上可能需要多個處理腔室。因此，本領域中對于用于在柔性工具平臺中處理基板的高效方法和設備具有需求。鑒于上述內(nèi)容，本發(fā)明的目標在于，提供克服本領域中的問題中的至少一些問題的真空處理系統(tǒng)以及用于裝配真空處理系統(tǒng)的方法。技術實現(xiàn)要素：鑒于上述內(nèi)容，提供根據(jù)獨立權利要求的真空處理系統(tǒng)、用于真空處理系統(tǒng)的組件以及用于裝配真空沉積系統(tǒng)的方法。從從屬權利要求、說明書和所附附圖顯而易見本發(fā)明的進一步的方面、優(yōu)點和特征。根據(jù)一個實施例，提供一種用于柔性基板的真空處理系統(tǒng)。所述真空處理系統(tǒng)包括：第一腔室，適用于容納供應輥和收卷輥中的一者，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板；以及第二腔室，適用于容納供應輥和收卷輥中的一者，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板。所述處理系統(tǒng)進一步包括：維護區(qū)，在所述第一腔室與所述第二腔室之間；以及第一工藝腔室，用于在柔性基板上沉積材料，其中所述第二腔室設在所述維護區(qū)與所述第一工藝腔室之間。根據(jù)本文中所述的實施例，維護區(qū)允許至所述第一腔室和所述第二腔室中的至少一者的維護或?qū)λ龅谝磺皇液退龅诙皇抑械闹辽僖徽叩木S護接取。根據(jù)另一實施例，提供一種用于裝配真空處理系統(tǒng)的方法。所述方法包括以下步驟：提供根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)，所述處理系統(tǒng)具有第一腔室、一第二腔室、第一工藝腔室以及維護區(qū)，所述維護區(qū)是在第一腔室與第二腔室之間；以及將第二工藝腔室裝配至所述處理系統(tǒng)，其中所述處理系統(tǒng)的第一腔室設在所述第二工藝腔室與所述維護區(qū)之間。實施例也涉及用于執(zhí)行所公開的方法的設備，并且包括用于執(zhí)行每一個所述的方法步驟的設備部件。這些方法步驟可通過硬件部件、以合適的軟件編程的計算機、或這兩者的任何結合的方式或以任何其他方式來執(zhí)行。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例也涉及操作所述設備的方法。所述方法包括用于執(zhí)行設備的每一個功能的方法步驟。附圖說明因此，為了可詳細地理解本發(fā)明的上述特征，可通過參照實施例進行對上文簡要概述的本發(fā)明的更具體的描述。附圖關于本發(fā)明的實施例，并且在下文中描述：圖1示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性側視圖；圖2示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性剖面圖；圖3示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的俯視圖；圖4示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性側視圖；圖5示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性剖面圖；圖6示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性側視圖；圖7示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空沉積系統(tǒng)的示意性側視圖；以及圖8示出根據(jù)本文中所述的實施例的用于裝配真空沉積系統(tǒng)的方法的流程圖。具體實施方式現(xiàn)在將詳細地參照本發(fā)明的各種實施例，在附圖中闡釋實施例的一個或多個示例。在下文對附圖的描述中，相同的參考編號是意指相同的部件。一般來說，僅描述相對于個別實施例的區(qū)別。通過解釋的方式提供每一個示例，并且每一個示例不旨在限制本發(fā)明。此外，闡釋或描述為一個實施例的部分的特征可用于其他實施例或可與其他實施例結合，以便取得更進一步的實施例。說明書旨在包括此類修改和變型。圖1示出根據(jù)本文中所述的實施例的真空處理系統(tǒng)100。根據(jù)一些實施例，本文中所述的處理系統(tǒng)可適用于柔性基板，特別是用于引導或處理柔性基板。處理系統(tǒng)100可包括用于容納供應輥(roll)121的退卷(unwinding)腔室120(或退卷模塊)。根據(jù)本文中所述的一些實施例，在退卷腔室中引導由供應輥121供應的基板，并且將所述基板引導至工藝腔室140。工藝腔室140可鄰近退卷腔室120而布置。如圖1的實施例中所示，可設計成涂覆卷筒的工藝輥142布置在工藝腔室140中，用于在工藝期間，在工藝腔室中引導基板。在基板已經(jīng)經(jīng)過工藝輥142之后，基板離開工藝腔室140。在圖1中所示的實施例中，將基板從工藝腔室140引導至通路150(如下文中詳細地所解釋，其也可設計成管道(tunnel))。根據(jù)一些實施例，通路150將工藝腔室140與繞卷(winding)腔室110(或繞卷模塊)連接。在繞卷腔室110中，在收卷輥111上繞卷經(jīng)處理的基板。在繞卷腔室110與退卷腔室120之間提供維護區(qū)130。本文中所指的維護區(qū)應理解為允許對處理系統(tǒng)的一個或多個腔室進行維護的區(qū)域。在一些實施例中，維護區(qū)可允許監(jiān)測、控制、維護、清潔或替換存在于處理系統(tǒng)的一個或多個腔室中的部件。此外，術語“維護區(qū)”可理解為允許由操作者執(zhí)行維護的區(qū)域。根據(jù)本文中所述數(shù)個實施例，維護區(qū)允許對或至腔室的維護接取(access)。舉例來說，維護區(qū)可允許接取退卷腔室或繞卷腔室。維護接取可包括視覺維護、對用于控制信號或接收信號的電子單元的訪問、或?qū)嶓w入口。根據(jù)實施例，維護區(qū)是提供大氣條件。根據(jù)本文中所述的實施例，描述了用于柔性基板的真空處理系統(tǒng)，在所討論的附圖中示出真空處理系統(tǒng)的示例。根據(jù)本文中所述一些實施例，真空處理系統(tǒng)可以是真空沉積系統(tǒng)。處理系統(tǒng)包括第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室中的每一個都容納供應輥和收卷輥中的一個，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于在處理之后儲存柔性基板。在一些實施例中，第一腔室包括收卷輥，并且可表示為繞卷腔室(諸如，圖1中的繞卷腔室110)。根據(jù)一些實施例中，第二腔室可包括供應輥，并且可表示為退卷腔室(諸如，圖1中的退卷腔室120)。真空處理系統(tǒng)進一步包括第一腔室與第二腔室之間的維護區(qū)。在圖1中，維護區(qū)130布置在退卷腔室120與繞卷腔室110之間。根據(jù)本文中所述的實施例，處理系統(tǒng)包括用于處理柔性基板的第一工藝腔室。如在圖1的示例中可見，在維護區(qū)130與第一工藝腔室140之間提供第二腔室。將維護區(qū)布置在第一腔室與第二腔室之間允許例如在真空處理系統(tǒng)的操作之前、之后或期間對第一腔室和/或第二腔室或至第一腔室和/或第二腔室的接取。如上文所提及，退卷腔室可包括用于基板的供應輥。供應輥應理解為將經(jīng)處理的基板儲存于其上的輥。如本文中所述的處理系統(tǒng)的繞卷腔室可包括收卷輥。如本文中所述的收卷輥可理解為適用于接收經(jīng)處理的基板(例如，在沉積工藝之后，接收基板)的輥。然而，雖然本文中所述的實施例將第一腔室稱為繞卷腔室或再繞卷腔室，而將第二腔室稱為退卷腔室，然而應理解的是，如本文中所稱的第一腔室可用作具有供應卷軸(spool)的退卷腔室，而第二腔室可用作具有收卷卷軸的再繞卷腔室。本文中所述的工藝腔室應當理解為工藝在其中進行的腔室。舉例來說，在工藝腔室中，沉積工藝可進行，以便在基板上沉積材料。然而，如下文中將詳細地所解釋，工藝腔室也可適用于替代的或附加的工藝。根據(jù)一些實施例，工藝腔室可容納工藝部件。在一些實施例中，處理腔室可包括用于在基板上沉積材料、用于加熱、冷卻、預處理、清潔基板等的部件。在一些實施例中，工藝腔室可包括：用于在基板上沉積材料的沉積源；加熱裝置(例如，加熱燈，例如，紅外燈)；在工藝輥中的冷卻通道；清潔裝置；預處理裝置諸如，例如通過等離子體預處理為將在稍后階段執(zhí)行的工藝準備好基板的裝置；蝕刻裝置，等等。根據(jù)一些實施例，可提供預處理等離子體源(例如，RF等離子體源)，以便利用等離子體來處理基板。例如，利用等離子體的預處理可對基板表面進行表面調(diào)整，以增強沉積在基板表面上的膜的膜黏附，或能以另一方式改善基板形態(tài)(morphology)，從而改善對基板的處理。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的更進一步的實施例，處理系統(tǒng)100可包括預熱單元，以便在處理之前加熱柔性基板。舉例來說，可提供用于在處理基板之前加熱基板的輻射加熱器、電子束加熱器(e-beamheater)或任何其他元件。在將在工藝腔室中將執(zhí)行沉積工藝的情況下，工藝腔室中的(多個)工藝部件可包括一個或多個沉積源。根據(jù)一些實施例，沉積源可以是用于CVD工藝、PVD工藝、PECVD工藝、微波等離子體工藝、或類似工藝的沉積源。因此，工藝腔室可適用于CVD工藝、PVD工藝、PECVD工藝、微波等離子體工藝、濺射蒸鍍或類似工藝。舉例來說，工藝腔室可包括對于執(zhí)行上文提及的工藝有用的進一步的部件，諸如，功率供應器、氣體供應器、真空泵、等離子體生成系統(tǒng)，等等。此外，腔室可設計成使得例如通過選擇適合用于腔室壁和附加的腔室部件(例如，分隔壁、覆蓋件和支撐元件)的材料，通過選擇適合用于等離子體工藝的腔室形狀(諸如，避免或減少污染的形狀)等方式而適用于等離子體工藝。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的一些實施例，工藝腔室可包括等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)源。能以2MHz到90MHz的頻率(例如，40.68MHz的頻率)操作等離子體增強型沉積源，并且集成式阻抗傳感器(integratedimpedancesensor)可提供對相應的工藝參數(shù)(例如，氣體分隔單元的狹縫的寬度和/或沉積源的電極距基板的距離)的實時的線上(in-line)工藝監(jiān)測和控制。在一些實施例中，沉積源可適用于在柔性基板上沉積薄膜。舉例來說，等離子體沉積源可適用于且可用于在柔性基板上沉積薄膜，以便例如形成柔性TFT(薄膜晶體管)、觸控屏幕裝置部件或柔性PV模塊。根據(jù)一些實施例，第一工藝腔室和/或第二工藝腔室可適用于允許以上下顛倒的方向或水平方向?qū)⒉牧铣练e在基板上?？蓪⑸舷骂嵉沟某练e源提供給用作沉積系統(tǒng)的處理系統(tǒng)，使得避免基板上的粒子生成。特別是對于處理或涂覆卷筒應用，上下顛倒的沉積源可理解為布置在涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸的高度處或布置在涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸的下方的沉積源。在圖2中，以參考編號143示出旋轉(zhuǎn)軸。根據(jù)一些實施例，工藝腔室140的外部形狀可適用于沉積源的上下顛倒的布置。舉例來說，工藝腔室140的外部形狀可具有分段的形狀，例如，將在處理期間可能布置在工藝腔室中每一個沉積的位置考慮在內(nèi)的分段的形狀。在一些實施例中，如圖2中可見，腔室的外部形狀可具有彎曲或類似多邊形的形狀。根據(jù)一些實施例，工藝腔室可包括用于在工藝腔室中支撐或固持工藝部件的一個或多個支撐裝置。在一些實施例中，支撐裝置可適用于在預定的公差內(nèi)將工藝部件固持在固定的位置中達預定的時間間隔。在一個示例中，處理腔室可包括用于支撐或固持上述工藝部件的支撐裝置，上述工藝部件諸如，用于在基板上沉積材料的沉積源、加熱裝置(諸如，加熱燈，例如，紅外燈)、清潔裝置和預處理裝置(諸如，為將在稍后階段執(zhí)行的工藝準備好基板的裝置)。在一些實施例中，支撐裝置可包括夾鉗裝置(clampingdevice)、夾持裝置(grippingdevice)、工作臺(table)、固定件(fixture)、載體、緊固件、貼接裝置、接合裝備(adapterequipment)，等等。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的更進一步的實施例，沉積系統(tǒng)的工藝腔室可具有隔室或開孔，其中工藝部件(諸如沉積源或具有沉積源的沉積站可定位在相應的開孔或?qū)母羰抑校沟貌煌N類的沉積源在工藝腔室中被分開。處理腔室可進一步包括配置成用于在處理期間支撐基板的工藝輥(如在圖1中可見，經(jīng)過工藝輥142)。工藝輥可在處理期間支撐基板和/或引導基板通過存在于工藝腔室中的工藝部件。在一個示例中，工藝輥可以是涂覆卷筒。涂覆卷筒可適用于引導柔性基板經(jīng)過一個或多個工藝部件(諸如，沉積源)。根據(jù)一些實施例，涂覆卷筒可配置成被加熱和/或冷卻至約-20℃到400℃的溫度。舉例來說，處理卷筒可包括加熱和/或冷卻通道。圖2和圖3示出根據(jù)本文中所述的一些實施例的處理系統(tǒng)100的更詳細的視圖。圖2示出處理系統(tǒng)100的示意性剖面圖，而圖3示出處理系統(tǒng)100的示意性俯視圖。如參照圖1所述，沉積系統(tǒng)包括第一腔室110、第二腔室120、維護區(qū)130和工藝腔室140。在圖2中，可以看到基板160可從退卷腔室(或第二腔室)120中的供應輥165引導至工藝腔室140中的工藝輥142，并進一步通過通路150且引導至繞卷(或第一)腔室110中的收卷輥115。如前文所述，基板可以是柔性基板。在此，值得注意的是，如本文中所述的實施例中所使用的柔性基板或輻材(web)典型地可表征為其是可彎曲的。術語“輻材(web)”可與術語“帶(strip)”或術語“柔性基板”同義地使用。例如，如本文中的實施例中所述，輻材可以是箔或另一柔性基板(諸如，金屬箔、輻材或玻璃基板)。一般來說，根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的不同實施例，處理系統(tǒng)中的單個部件(諸如，輥)和沉積源(例如，等離子體沉積源)可適用于柔性基板(諸如，輻材或箔)或玻璃基板。例如，輥可具有用于對柔性基板進行引導、退卷或繞卷的相應的表面和幾何形狀。雖然圖2僅示出引導輥166、收卷輥115、退卷輥165和工藝輥142，但是應理解的是，工藝系統(tǒng)100可更包括用于不同功能的進一步的輥、滾軸或滾軸裝置。如本文中所述的輥、滾軸或滾軸裝置可理解為提供表面的裝置，當基板存在于處理系統(tǒng)期間，基板(或基板的部分)可與此表面接觸。如本文中所指的輥的至少部分可包括用于接觸待處理或已處理的基板的圓柱狀形狀。在一些實施例中，滾軸裝置可具有基本上的圓柱形狀?；旧系膱A柱形狀可繞著直的縱軸而形成，或者可繞著彎曲的縱軸而形成。根據(jù)一些實施例，如本文中所述的滾軸裝置可適用于與柔性基板接觸。本文中所指的滾軸裝置可以是：引導滾軸，適用于在基板經(jīng)處理時(諸如，在沉積工藝期間)引導基板或在基板存在于處理系統(tǒng)中時引導基板；展延滾軸(spreaderroller)，適用于為待涂覆的基板提供所定義的張力；偏轉(zhuǎn)滾軸(deflectingroller)，適用于根據(jù)所定義的行進路徑來偏轉(zhuǎn)基板；處理滾軸，用于在處理期間支撐基板，處理滾軸諸如，涂覆滾軸或涂覆卷筒；調(diào)整滾軸；繞卷輥；退卷輥，等等。如本文中所述的滾軸裝置可包括金屬。在一個實施例中，滾軸裝置的待與基板接觸的表面可適用于待涂覆的相應基板。在一些實施例中，在本文中所述的處理系統(tǒng)的腔室或管道之間引導柔性基板160的引導輥166也可配置成用于張力測量。根據(jù)本文中所述的實施的典型實現(xiàn)方式，在處理系統(tǒng)中提供至少一個張力測量滾軸。此外，在工藝輥142的兩側上的兩個張力測量滾軸可允許在工藝輥的繞卷側和退卷側上進行張力測量。通常，張力測量滾軸配置成用于測量柔性基板的張力?？筛玫乜刂苹鍌魉?，可控制在涂覆卷筒上的基板的壓力，和/或可減少或避免對基板的損壞。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的更進一步的實施例，與柔性基板基板接觸的系統(tǒng)中的用于繞卷和退卷柔性基板的滾軸、用于引導基板的滾軸、處理或涂覆卷筒以及其他輥或元件定位在和/或布置在沉積腔室中，使得僅柔性基板的背側(即，在處理系統(tǒng)中未經(jīng)處理(或?qū)⒉惶幚?的側)被接觸。因此，當退卷、處理、再繞卷、張緊(tensioning)或引導基板時，沒有基于滾軸的基板前表面接觸。這減少了在經(jīng)處理的基板表面上以及在待處理的基板表面上的污染。此外，減小了特別是在經(jīng)處理的表面上的基板損壞的風險。根據(jù)一些實施例，繞涂覆卷筒的基板的接觸角(wrappingangle)通常小于180°，更通常小于170°，甚至更通常小于150°。可在不接觸經(jīng)處理的基板表面(例如，具有沉積在其上的層的基板的表面)的情況下引導基板通過工藝腔室。根據(jù)典型的實現(xiàn)方式，存在于工藝系統(tǒng)中的全部輥的接觸角的總和可在180°與450°之間，例如，在180°與360°之間。在一些實施例中，例如，如果提供第二處理輥，則存在于沉積系統(tǒng)中的全部輥(除了供應輥和收卷輥)的接觸角的總和可等于或小于540°。在一些實施例中，存在于沉積系統(tǒng)中的全部輥(除了供應輥和收卷輥)的接觸角的總和可小于360°。根據(jù)一些實施例，如上文所解釋，沉積系統(tǒng)的滾軸經(jīng)布置以提供基板引導系統(tǒng)，所述基板引導系統(tǒng)僅在基板的背側(即，非處理側)接觸基板。通常，特別是當期望低的總接觸角(諸如，小于360°的接觸角)時，引導滾軸的數(shù)量為2個或更多以及10個或更少。如在圖1的示例中可見，工藝腔室可包括傾斜凸緣145。在一些實施例中，工藝腔室被劃分成至少兩個部分，所述至少兩個部分由傾斜凸緣145連接，并且在被組裝時形成工藝腔室。通過傾斜凸緣145而連接至工藝腔室140的第二部分147的工藝腔室140的第一部分146可(至少部分地)容納工藝部件，諸如，圖2中可見的沉積源。根據(jù)一些實施例，工藝腔室140的第一部分146可適配為使得工藝部件(諸如，沉積源或工具)可在外部附接至第一部分。根據(jù)本文中所述的實施例的工藝腔室可提供可連接至通路150的第二部分，例如，通過與通路150連通，或通過甚至成為通路的部分(如圖6中示出的實例)而可連接至通路150。根據(jù)一些實施例，工藝腔室140的第一部分146和第二部分147可以是通過凸緣為可連接的，所述凸緣是相對于豎直線傾斜。工藝腔室140的傾斜凸緣可允許將工藝部件(諸如，沉積源141)布置在待處理的柔性基板160下方。因此，在沉積工藝在工藝腔室中執(zhí)行的情況下，沉積可從基板下方而不是從基板上方進行。在一些實施例中，如在圖2中通過沉積源141示例性地可見，可從水平方向?qū)鍒?zhí)行沉積。根據(jù)一些實施例，在涂覆卷筒的下半部分處提供沉積源。沒有向下沉積(即，源取向在滾輪142的水平中心線或工藝卷筒的旋轉(zhuǎn)中心上方用于根據(jù)本文中所述的實施例的沉積系統(tǒng)。換言之，在涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸143的高度處或低于涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸143的高度處提供沉積源的整個布置。在一些實施例中，在工藝卷筒的水平旋轉(zhuǎn)軸的高度處或在低于工藝卷筒的水平旋轉(zhuǎn)軸的高度處布置工藝腔室中的沉積源?？赡芪廴净搴凸に嚨乃傻牧Ｗ邮且蛑亓Χ栽诔练e站中?？杀苊庠诨迳虾?或在所沉積層內(nèi)生成不期望的粒子。特別是對于處理卷筒或涂覆卷筒應用，上下顛倒的沉積源可理解為布置在涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸的高度處或低于在涂覆卷筒的旋轉(zhuǎn)軸的高度處的沉積源。此外，相比具有直分隔件的工藝腔室，多個工藝部件可以利用傾斜凸緣而布置在工藝腔室140內(nèi)。根據(jù)本文中所述的一些實施例，工藝腔室的傾斜凸緣可在工藝腔室中提供分隔壁，以便在工藝腔室中分隔工藝區(qū)域。舉例來說，附圖中所示的傾斜凸緣可指示工藝腔室內(nèi)的真空密閉的分隔壁(vacuumtightseparationwall)。在一個示例中，工藝腔室內(nèi)的真空密閉分隔壁可提供用于使基板通過的閘(sluice)等。通過在工藝腔室內(nèi)提供分隔壁，可減少污染的風險，當將工藝腔室的沉積在其中進行的區(qū)域與工藝腔室中僅在其中引導基板或后處理在其中進行的區(qū)域分隔時尤其如此。根據(jù)實施例，處理系統(tǒng)100的一些腔室或全部腔室可適用于真空工藝。舉例來說，處理系統(tǒng)可包括在處理系統(tǒng)的至少部分(諸如，繞卷腔室、工藝腔室和退卷腔室)中生成或維持真空的部件和裝備。根據(jù)一些實施例，真空處理系統(tǒng)可包括用于至少在沉積系統(tǒng)的多個部分中生成或維持真空的真空泵、排氣導管、真空密封件等。在一些實施例中，(多個)工藝腔室、繞卷腔室和退卷腔室中的每一者都可包括用于獨立于其他腔室而在單各腔室中生成并維持真空的真空生成和真空維持裝置。例如，每一個腔室都具有用于對相應的區(qū)域排氣的其各自對應的真空泵或泵送站。更進一步附加地或替代地，管道或通路適用于生成和/或維持在此管道或通路中的真空。然而，根據(jù)一些實施例，通路或管道可理解為工藝腔室的部分。例如，管道可能不通過閘而與工藝腔室分隔。因此，可例如將存在于工藝腔室中的一者或兩者中的相同的真空提供給管道。在一個示例中，管道可提供由與工藝腔室的中的一個或兩個相同的真空生成裝置來生成并維持的真空條件。在一個示例中，可例如通過打開通往維護區(qū)的門或窗來，出于維護目的而對退卷腔室和/或再繞卷腔室通風。根據(jù)一些實施例，適用于在真空條件下操作的處理系統(tǒng)的腔室形成真空密閉的密封體(enclosure)，即，可排氣至具有約0.2到10mbar的壓力的真空，或甚至排氣至約1*10-4到1*10-2mbar的壓力的真空。特別針對在10-3mbar范圍中的PVD工藝以及在mbar范圍中的CVD工藝考慮不同的壓力范圍，所述PVD工藝與CVD工藝在不同的壓力范疇中執(zhí)行。此外，(多個)腔室可排氣至具有1*10-6mbar或更低壓力的背景真空。背景壓力意味壓力在沒有任何氣體的任何進入的情況下通過排空腔室而達到的壓力。相比之下，根據(jù)本文中所述的實施例，在第一腔室110與第二腔室120之間提供的維護區(qū)處于大氣(即，環(huán)境空氣)條件下，使得操作者可使用維護接取。在一些實施例中，管道或通路可適用于在真空狀態(tài)和/或任選的受控的惰性氣氛下操作?；蛘?，管道或通路可在大氣壓或環(huán)境條件下操作。在一些實施例中，當引導基板通過處理系統(tǒng)的腔室時，引導柔性基板通過將腔室分隔的壁中(例如，第二腔室120與工藝腔室140之間的壁中)的狹縫或開孔。在一個示例中，狹縫可適用于將基板從一個真空腔室引導至另一真空腔室。在其他實施例中，狹縫或開孔可包括密封元件，以便至少基本上分隔由狹縫連結的兩個腔室的壓力條件。舉例來說，如果由狹縫或開孔連結的腔室提供不同的壓力條件，則在壁中的狹縫或開孔設計成使得基本上在腔室中維持相應的壓力。根據(jù)本文中所述的實施例，在分隔壁122處提供用于將第二腔室或退卷腔室與工藝腔室分隔的至少一個氣閘或負載鎖定閥。一個或多個氣閘可配置成使得柔性基板可通過這一個或多個氣閘，并且可打開或關閉氣閘以提供真空密封。根據(jù)典型的實施例，氣閘包括用于引導基板(例如，用于重新引導基板移動10°或更大的角度)的滾軸。此外，提供可充氣密封件，所述可充氣密封件可抵壓氣閘的滾軸。通過對密封件充氣而關閉氣閘，并且第二腔室120和工藝腔室140以真空密閉方式彼此分隔。因此，例如當工藝腔室可維持在技術真空下時，可使第二腔室通風。根據(jù)進一步的替代實現(xiàn)方式，也可提供氣閘或負載鎖定閥而不具有滾軸。可充氣密封件可使基板抵壓平坦的密封表面。此外，也可利用選擇性地開啟并關閉氣閘的其他裝置，其中當插入基板時可執(zhí)行開啟和關閉，即，具有敞開的基板路徑和真空密封。用于在插入基板時關閉真空密封件的氣閘允許特別容易地替換基板，因為來自新輥的基板可附接至來自先前輥的基板。雖然相對于將柔性基板從第二腔室引導至工藝腔室來描述了縫隙、開孔或氣閥，但是本文中所述的縫隙、開孔或氣閥可也用于沉積系統(tǒng)的其他部分之間，諸如，在工藝腔室與通路之間，在通路與繞卷(或第一)腔室之間，和/或在工藝腔室與第一腔室之間。根據(jù)一些實施例，真空處理系統(tǒng)100包括通路150。在一些實施例中，通路布置在退卷腔室120和/或再繞卷腔室110上方。在其他實施例中，通路可形成為位于退卷腔室120和/或再繞卷腔室110下方的管道。通道(或管道)可用于例如當在工藝腔室中處理了基板之后來引導柔性基板。根據(jù)一些實施例，可將柔性基板從工藝腔室引導通過通路而引導至第一腔室或繞卷腔室。根據(jù)一些實施例，通路或管道可適用于例如通過提供相應的密封件、泵、閘等而在真空條件下引導基板。在一些實施例中，在沉積系統(tǒng)操作期間，通路可處于大氣壓條件下。在大氣壓條件下操作通路可省去成本且不費力。根據(jù)一些實施例，可在通路中提供閘，諸如，在基板從工藝腔室進入通路的位置處提供一個閘，并且在基板離開通路而去往繞卷腔室的位置處提供一個閘。在一些實施例中，提供而用于將基板從沉積系統(tǒng)的一個腔室引導至另一腔室的通路或管道可提供若干適配可能性。舉例來說，通道或管道可配備有用于在管道中提供測量裝置的適配裝置(adaptiondevice)。在一些示例中，通路或管道可適于包括：用于基板的溫度傳感器、壓力傳感器、張力傳感器；視覺控制裝置(visualcontroldevice)；基板控制裝置，等等。在一些實施例中，通路(或管道)、第一腔室和第二腔室包圍維護區(qū)。在一個示例中，可在頂側蓋中、在頂側蓋旁提供通路，或通路可作為頂側蓋來提供，所述頂側蓋在維護區(qū)上方延伸。在另一示例中，如上文所述，可在底側蓋中、在底側蓋旁提供通路，或通路可作為底側蓋來提供，所述底側蓋在維護區(qū)下方延伸。如上文所述，在圖3中可見如圖2中所見的沉積系統(tǒng)100的俯視圖。于圖3的示例中，操作者170正在通過維護區(qū)130來改變第一腔室110的收卷輥115，所述第一腔室110也表示成繞卷腔室。在不同的位置中以虛線示出收卷卷軸115。根據(jù)一些實施例，控制信號可通知操作者170關于改變在第一腔室110中的收卷輥的必要性。如在圖3中可見，維護區(qū)130是提供對替換收卷輥115的良好的可接取性。一般來說，雖然僅描述改變收卷繞卷軸的工藝，但是維護區(qū)是也提供在涂覆工藝之間的基板送入和送出的良好的可接取性。因此，也能以圖3中示出的方式來替換供應輥165。維護區(qū)可理解為允許由操作者執(zhí)行維護的區(qū)域。根據(jù)本文中所述的實施例，維護區(qū)允許對腔室或至腔室的維護接取。舉例來說，維護區(qū)可允許接取退卷腔室或繞卷腔室。在一些實施例中，維護區(qū)可允許控制、清潔或替換存在于處理系統(tǒng)的一個或多個腔室中的部件，維護區(qū)準許對所述一個或多個腔室的接取。在一些實施例中，維護區(qū)可提供對控制元件的訪問，所述控制元件諸如，用于影響處理系統(tǒng)的腔室中的工藝的開關、按鈕、控制表盤(controldial)、監(jiān)視器、致動器、調(diào)制器等。在一個示例中，維護區(qū)可具有用于終止繞卷或退卷工藝的開關。在其他或進一步的實施例中，維護區(qū)可具有用于控制在第一和/或第二腔室中的環(huán)境條件(諸如，溫度、壓力、濕度等)的控制元件。根據(jù)實施例，維護區(qū)提供大氣壓條件。在一些實施例中，在操作期間(例如，當將工藝腔室排氣至10mbar或更低的壓力時)，維護區(qū)允許至第一腔室和第二腔室中的至少一者或?qū)Φ谝磺皇液偷诙皇抑械闹辽僖徽叩木S護接取。舉例來說，在操作期間，能以供應(serving)或啟動控制元件的形式、或以視覺控制的形式等來提供維護接取。然而，應理解的是，在處理系統(tǒng)的操作(即，處理動作)期間，不能執(zhí)行通過移除、替換或提供供應輥或收卷輥的形式對供應輥或收卷輥進行的維護(即，為了其要使繞卷/退卷腔室中的一個或多個通風和/或打開的維護任務)。然而，當可通風和/或打開以進行維護接取的一個或多個工藝腔室被排氣至例如10mbar或更低的壓力時，允許用于通過移除、替換或提供供應輥或收卷輥形式進行的維護和/或用于清潔鄰近維護區(qū)的真空腔室中的一個或多個的內(nèi)部的維護接取的維護區(qū)仍處于大氣壓力。根據(jù)一些實施例，當輻材或箔保持在一個或多個工藝腔室中時，可執(zhí)行以移除、替換或提供供應輥或收卷輥形式進行的對供應輥和收卷輥的維護(即，為了其要使繞卷/退卷腔室中的一個或多個通風和/或打開的維護任務)。根據(jù)一些實施例，停止處理系統(tǒng)的處理動作，并且使輻材或箔傳送滾軸不動。接著，可通過工藝腔室與繞卷/退卷腔室之間的真空密閉閥或氣閥夾入輻材或箔，諸如，通過工藝腔室與繞卷/退卷腔室之間的可充氣密封件來夾入輻材。在一些實施例中，當在夾在工藝腔室與繞卷/退卷腔室之間之后，在繞卷/退卷腔室中切割輻材。移除和/或替換供應輥和/或收卷輥。在退卷腔室中，可將由供應輥提供的新添加的輔材固定至輻材的切割段。在這種情況下，當一個或多個工藝腔室保持在真空下時，使繞卷腔室中的一個或多個通風和/或打開，并且當在處理系統(tǒng)的其他部分中保持真空時，在繞卷/退卷腔室中執(zhí)行維護。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)130可適用于第一腔室、第二腔室和/或甚至第一和/或第二腔室上方的管道的典型維護步驟。舉例來說，維護區(qū)130的尺寸可適配操作者170的尺寸。此外，可選擇維護區(qū)130的尺寸使得操作者可從第一和第二腔室移除供應輥和/或收卷輥。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)可具有大于1m的長度131(如圖3中可見)。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)可具有以下長度131：通常在約1m與約3m之間，更通常在約1.5m與約2.5m之間，甚至更通常，在約1.5m與約2m之間。此外，維護區(qū)可具有大于1.7m的高度132(如圖2中可見)。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)可具有以下高度132：通常在約1.7m與約3m之間，更通常在約2m與約3m之間，甚至更通常在約2m與約2.5m之間。此外，維護區(qū)130可具有依賴于基板寬度的深度133(如圖3中可見)。在一些實施例中，維護區(qū)130的深度133可大于0.7m。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)的深度133可以是：通常在約1.0m與約4.0m之間，更通常在約2m與約3.5m之間，甚至更通常在約2m與約3m之間。如在維護區(qū)130中由收卷輥115-1以虛線所指示，維護區(qū)允許操作者170搬運從第一腔室110移除的收卷輥。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)130的尺寸可以是出于維護目的對腔室的容易的接取與對沉積系統(tǒng)的空間可用性之間的權衡。在一些實施例中，如本文中所述的沉積系統(tǒng)中的引導滾軸系統(tǒng)(特別是引導滾軸的數(shù)量)適配于維護區(qū)的尺寸。在一些實施例中，提供且配置維護區(qū)，使得第一腔室和/或第二腔室可分別從第一腔室的徑向方向以及從第二腔室的徑向方向接取。維護區(qū)允許分別從供應輥和收卷輥的徑向方向接取第一腔室和/或第二腔室。在一實施例中，腔室的徑向方向可對應于供應輥或收卷輥中的一者的徑向方向。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)允許分別從用于供應輥和收卷輥的繞卷軸的徑向方向接取第一腔室和/或第二腔室。特別地，維護區(qū)可允許從相應的第一徑向側和相應的第二徑向側接取第一腔室(見例如圖1中的110)(例如，具有供應輥的真空腔室)以及接取第二腔室(見例如圖1中的120)(例如，具有收卷輥的真空腔室)。例如，可朝向收卷卷軸徑向地移除供應輥，且反之亦然。根據(jù)本文中所述的實施例，維護區(qū)允許維護接取。維護接取可包括視覺維護(諸如，視覺控制)、對用于控制信號或接收信號的電子單元的訪問或?qū)嶓w入口。在一個示例中，可由門、窗或開孔提供維護接取，所述門、窗或開孔可由例如蓋來關閉。根據(jù)一些實施例，可通過腔室壁(諸如，繞卷或退卷腔室的壁中的窗提供維護接取。在一些實施例中，維護區(qū)可通過腔室壁中的窗來提供維護接取，如圖2中示出為由兩條水平線指示的檢查窗134?？稍诶绠斣谑站磔伾侠@卷基板或當從供應輥退卷基板時允許觀察到基板的高度處布置在第一腔室的壁中示例性地示出的檢查窗。根據(jù)一些實施例，檢查窗可具有用于觀察柔性基板的整個寬度的尺寸，諸如，通常在約1m與約3m之間的寬度，更通常在約1.2m與約2.5m之間的寬度，甚至更通常在約1.4m與約2.4m之間的寬度。根據(jù)更進一步的實施例，檢查窗可具有用于看見整個觀察繞卷和/或退卷工藝(例如，通過允許看見整個供應輥和/或整個收卷輥)的尺寸。在一些實施例中，維護區(qū)的檢查窗可由若干檢查端口組成，所述檢查端口一起使操作者能夠?qū)η皇抑械墓に嚲哂杏∠?。根?jù)一些實施例，維護區(qū)可例如以腔室壁中的門的形式來提供對第一和/或第二腔室的接取。一個或多個門可適用于到達第一和/或第二腔室中的部件，例如，適用于到達供應輥或收卷輥。在一些實施例中，門可包括腔室的檢查窗。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的一些實施例，門可允許操作者進入第一和/或第二腔室。在圖3中，示出用于供應卷軸和收卷繞卷軸的裝載和卸除系統(tǒng)的示意圖。根據(jù)一些實施例，可為如本文中所述的沉積系統(tǒng)提供集成式裝載和卸載系統(tǒng)。在一些實施例中，基板搬運系統(tǒng)可包括用于收卷輥115和/或供應輥的工作臺180和移進/移出裝置。在圖3中示出的示例中，示出移出收卷卷軸115。舉例來說，可由操作者將移進/移出裝置插入到第一腔室110中，以便夾持待替換或移除的收卷輥。夾持收卷卷軸的移出裝置可從第一腔室110收回，并且可從第一腔室110移除收卷輥115。在一個示例中，移出裝置可包括夾持裝置，所述夾持裝置用于在收卷輥的兩端處夾持此收卷輥，從而從輥支撐件移除此收卷輥，所述輥支撐件可例如是旋轉(zhuǎn)軸。根據(jù)一些實施例，移進/移出裝置可適用于使得可以在不接觸繞卷在收卷輥上的基板的情況下從第一腔室移除收卷輥。如圖3中可見，當從第一腔室110移除收卷輥115時，收卷輥被裝載在維護區(qū)130中的位置115-1中的基板搬運系統(tǒng)的工作臺180上。工作臺180可以是升舉臺，并且特別是中央升舉臺。操作者170可在維護區(qū)130內(nèi)移動，以便移動工作臺180并使收卷輥115-1在此工作臺上。接著，可從維護區(qū)130移除工作臺180，以便將收卷輥帶出維護區(qū)130而帶到位置115-2中。操作者170可因此以容易且不復雜的方式移動收卷輥。根據(jù)一些實施例，基板搬運系統(tǒng)可包括工作臺的替代物。舉例來說，夾持工具可用于將收卷輥移出維護區(qū)。在進一步的實施例中，可由允許操作者搬運收卷輥的軸、支撐件等來運載收卷輥。根據(jù)一些實施例，可在使用在維護區(qū)130下方延伸的管道而不使用在維護區(qū)130上方延伸的通路150的情況下來使用升舉臺的替代物。在一些實施例中，升舉臺可形成用于往返于沉積系統(tǒng)而裝載并卸除基板的中央升舉臺。此臺可包括用于將收卷輥或供應輥與基板保持在一起的基板支撐件。根據(jù)一些實施例，升舉臺至少在上方位置與下方位置之間是可移動的?？稍谏e臺的下方位置處將布置在基板支撐件中或布置在基板支撐件上的收卷輥上的基板移出維護區(qū)。當將基板和升舉臺移出維護區(qū)(如收卷輥的位置115-2所示)時，可進一步由升降機(crane)(諸如，室內(nèi)升降機(indoorcrane)或高架升降機(overheadcrane))將收卷輥和基板輸送至運輸載具，或者可例如借助于升降機(諸如，作為處理系統(tǒng)的部分的龍門升降機(gantrycrane))將收卷輥和基板抬升至運輸載具。通過使用本文中所述的基板搬運系統(tǒng)，沒有可移動的退卷器與再繞卷器(諸如，在處理期間存在于第一和第二腔室中的退卷和再繞卷裝置)用于根據(jù)本文中所述的實施例的沉積系統(tǒng)中?？蓪⒂糜谝苿雍蛫A持輥的工具從維護區(qū)引入到第一和第二腔室中。根據(jù)進一步的實施例，例如在處理系統(tǒng)使用用于在處理系統(tǒng)內(nèi)輸送基板的管道的情況下，基板搬運系統(tǒng)可包括集成式門式升降機(portalcrane)，用于抬升將從腔室移除的輥。然而，根據(jù)本文中所述的實施例，通過使用按照在維護區(qū)上方具有通路的設計的處理系統(tǒng)，沒有高架升降機用于從沉積系統(tǒng)移除基板，這為沉積系統(tǒng)的用戶節(jié)省了成本和空間。因此，根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)也可用于比本領域中已知的系統(tǒng)更小(或更低)的工廠建筑中。此外，通過不使用高架升降機，沉積系統(tǒng)對于環(huán)境沒有高要求。應理解的是，當將新的供應輥或收卷輥遞送至腔室時，也能以逆序來執(zhí)行如上文所述的從腔室移除輥的工藝。根據(jù)一些實施例，如本文中所述的處理系統(tǒng)可允許以容易且不復雜的方式(如圖3中可見)來替換處理系統(tǒng)中的部件。在圖3的右側，可以看見具有處理輥142的工藝腔室140。圖3的操作者175具有對工藝部件141(諸如，對沉積源)的接取。根據(jù)一些實施例，一個或多個工藝部件141可聚集在一起，使得這一個或多個工藝部件141可作為一個單元或一個組(例如，入上文中參照傾斜凸緣所解釋，以工藝腔室的第一部分形成的組)來接取。根據(jù)其他實施例，可逐個接取單個的工藝腔室。例如在工藝部件磨損或消耗的情況下，或如果工藝應當改變，則替換工藝部件141。舉例來說，根據(jù)本文中所述的實施例的工藝系統(tǒng)可提供改變基板寬度的選項。對工藝部件的容易的接取和容易的替換對于高效地使用用于不同工藝類型或不同基板的工藝系統(tǒng)可以是非常有用的。如圖2和圖3中可見，第一工藝腔室可配備繞工藝卷筒而布置的多個工藝部件(諸如，如上文所述的工藝部件)。在圖2中描繪的實施例包括一個處理部件(諸如，沉積源141)以及以虛線指示的兩個進一步的沉積源。然而，可理解的是，根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的更進一步的實施例，可提供兩個或更多個處理部件(例如，沉積源)。例如，可提供四個、五個、六個、或甚至更多個(諸如，8個、10個或12個)處理部件(例如，沉積源)?？稍谙鄳奶幚韰^(qū)域中提供沉積源，并且在相應的區(qū)域中處理由工藝滾軸142支撐的基板。此外，不同種類的沉積技術可用于根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)中。舉例來說，工藝可包括化學氣相沉積(CVD)工藝、物理氣相沉積(PVD)工藝、微波等離子體工藝，等等。根據(jù)一些實施例，處理系統(tǒng)100可包括隔層(interleaf)模塊。舉例來說，退卷腔室120可配備隔層模塊167，用于繞卷隔層，提供所述隔層以用于保護供應輥165上的基板。隔層模塊可包括用于將隔層引導至隔層收卷輥的一些引導輥。在附加或替代的實施例中，再繞卷腔室110可包括隔層模塊117。隔層模塊117可提供隔層，所述隔層是與經(jīng)處理的基板一起繞卷在收卷輥115上，用于保護在收卷輥上的經(jīng)處理的基板。此外，隔層模塊117可配備用于將隔層引導至收卷輥115的引導輥。在一些實施例中，可在第一腔室和/或第二腔室中提供照明裝置。特別地，照明裝置可布置在第一和/或第二腔室中，使得可從一側(諸如，經(jīng)處理的側或未處理的側(或者待處理的側或?qū)⒉惶幚淼膫?)照射待處理的基板或經(jīng)處理的基板。舉例來說，照明裝置可有利于對基板的檢測和視覺控制，這可以(如上所述)通過維護區(qū)來執(zhí)行，特別是通過在腔室壁中的窗(諸如，窗134)來執(zhí)行。在一些實施例中，照明裝置是燈。圖4示出沉積系統(tǒng)100的實施例。沉積系統(tǒng)包括第一腔室110、第二腔室120和維護區(qū)130，所述第一腔室110可也表示成再繞卷腔室，所述第二腔室120可也表示成退卷腔室，并且所述維護區(qū)布置在第一腔室與第二腔室之間。根據(jù)一些實施例，第一腔室110、第二腔室120和維護區(qū)130可以是如上文中參照圖1至圖3所描述的那些。此外，沉積系統(tǒng)100可包括上文中參照圖1至圖3所描述的進一步的特征，諸如，上文中參照圖3所描述的基板搬運系統(tǒng)。如圖4中可見，沉積系統(tǒng)包括第一工藝腔室140和第二工藝腔室240。第一工藝腔室140可布置成相鄰于第二或退卷腔室，而第二工藝腔室240布置成相鄰于第一腔室110或退卷腔室。特別地，第二處理腔室240可定位成使得第一腔室110設在維護區(qū)130與第二工藝腔室240之間。雖然在圖4中以及下文中的圖5，將第一腔室描述為繞卷腔室，而將第二腔室描述為退卷腔室，但是根據(jù)本文中所述的實施例的沉積系統(tǒng)不限于此布置。在替代實施例中，第一腔室可以是退卷腔室，而第二腔室可以是繞卷腔室。根據(jù)一些實施例，第一工藝腔室140和/或第二工藝腔室240可配備工藝部件，諸如，用于在柔性基板上沉積材料的沉積工藝的沉積源。在一些實施例中，例如通過提供用于(多個)沉積源的一個或多個支撐裝置、沉積源自身等，圖4中的工藝腔室中的至少一個可配備成參照圖1至圖3描述的工藝腔室。沉積系統(tǒng)也可包括如上所述的真空系統(tǒng)，即，允許沉積系統(tǒng)100的每一個腔室或單個腔室被排氣且允許維持壓力的真空系統(tǒng)。第一工藝腔室140的傾斜凸緣145和第二工藝腔室240的傾斜凸緣245允許在這兩個處理腔室中進行上下顛倒的沉積，即，從所裝配的工藝腔室的水平中心線的高度處或低于所述水平中心線的高度來處理基板的沉積。這減少粒子污染的風險，并且使沉積工藝更安全且更高效。根據(jù)一些實施例，工藝腔室中的僅一個可配備傾斜凸緣。傾斜凸緣145將第一工藝腔室140分隔成兩個部分(第一部分146和第二部分147)。傾斜凸緣245將第二工藝腔室240分隔成兩個部分(第一部分246和第二部分247)。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的一些實施例，可從工藝腔室的第二部分147和247移除第一工藝腔室140的第一部分146和/或第二工藝腔室240的第一部分246，例如為了具有對布置在(多個)工藝腔室中的工藝部件(例如，沉積源)的容易的接取。在一些實施例中，可去除(多個)工藝腔室的(多個)第一部分一來替換工藝部件。根據(jù)一些實施例，第一和/或第二工藝腔室的傾斜凸緣可用于在相應的工藝腔室中提供分隔壁，諸如，將工藝腔室中的處理區(qū)域與工藝腔室中的引導區(qū)域或預處理或后處理區(qū)域分隔開的分隔壁。如圖4中可見，根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)提供以模塊化方式組裝處理系統(tǒng)的可能性。處理系統(tǒng)可適用于待執(zhí)行工藝的特殊要求。舉例來說，第二處理腔室240可附加地裝配至如上文中參照圖1至圖3所述的處理系統(tǒng)100?？衫缤ㄟ^增加第二工藝腔室，或通過改變處理系統(tǒng)的(多個)工藝腔室中的工藝部件，更多不同的工藝可組合在處理系統(tǒng)內(nèi)，這可通過如上文所述在不同的工藝部件之間提供分隔壁來促進。根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)允許布置處理系統(tǒng)的高度靈活性。此外，如上文所述的替換第一部分可用于提供處理系統(tǒng)的高度模塊化。根據(jù)一些實施例，多于一個的沉積系統(tǒng)可布置在模塊化架構中以處理一個基板。舉例來說，在基板已經(jīng)通過圖5中的第二工藝輥242之后，可由通路或管道將基板引導至具有進一步的工藝腔室的進一步的沉積系統(tǒng)。圖5示出根據(jù)本文中所述的實施例的沉積系統(tǒng)200的剖面圖。在一個實施例中，圖5中示出的沉積系統(tǒng)是圖4中示出的沉積系統(tǒng)的更詳細的剖面視圖。在圖5中示出的實施例中，在退卷或第二腔室120中退卷待處理的基板160。在所示實施例中，經(jīng)由引導輥166，基板160被引導至沉積系統(tǒng)100的第一工藝腔室140。為了在第一工藝腔室140中處理基板160，可由處理輥或卷筒142引導基板。處理卷筒142可以是可旋轉(zhuǎn)的。第一工藝腔室140可包括工藝部件，當由處理卷筒142引導基板時，基板被引導經(jīng)過所述工藝部件。舉例來說，工藝部件可以是如上所述的工藝部件，諸如，沉積源141。在圖5中所示的實施例中，在第一工藝腔室140中僅示出一個沉積源141，而第一工藝腔室140的其他沉積源以虛線示出。如參照圖3中示出的實施例所解釋，可在處理卷筒142的中心軸143的高度處或低于處理卷筒142的中心軸143處布置設在第一工藝腔室140中的沉積源141或多個沉積源。來自源的沉積如此布置，使得從基板下方而非從基板上方作用于基板。通過將沉積源布置在處理卷筒的中心軸的高度或低于處理卷筒的中心軸處，可減小在基板上或在所沉積的層中的粒子污染的風險。第一工藝卷筒140可相對于豎直方向被分割在沿傾斜凸緣(如圖4中示例性地可見)而組裝的兩個或更多個部分中，從而促進沉積源的相應布置。在處理了基板之后，通過通路150來引導基板160，所述通路150可布置在退卷腔室120、維護區(qū)130和繞卷腔室110上方。在一些實施例中，通路150可以是頂蓋的部分，或可以作為維護區(qū)與第一和第二腔室下方的管道來提供。根據(jù)一些實施例，管道可包括一個或多個閘，所述一個或多個閘可能能夠?qū)⒊练e系統(tǒng)100的第一工藝腔室140中的壓力條件與沉積系統(tǒng)100的第二工藝腔室180分隔開。在一些實施例中，多個閘設在工藝系統(tǒng)100中從一個腔室到另一腔室的每一個通行路(passage)處，諸如，設在退卷腔室到第一工藝腔室之間的通行路處，設在第一工藝腔室與通路之間的通行路處，設在通路與第二工藝腔室之間的通行路處，以及設在第二工藝腔室與繞卷腔室之間的通行路處。一個或多個氣閘能以上文詳述的方式配置，并且可在如上文所述的工藝系統(tǒng)中。在一些實施例中，在第一工藝腔室與第二工藝腔室之間沒有提供閘，使得第一工藝腔室和第二工藝腔室共享共同的壓力條件。根據(jù)一些實施例，具有相同真空條件且因此彼此不在大氣壓力方面被分隔的兩個工藝腔室可也表示成一個工藝腔室。在已經(jīng)通過了通路150之后，(例如，通過(多個)引導滾軸166)將基板160引導至第二工藝腔室240。根據(jù)一些實施例，第二工藝腔室240可設計為第一工藝腔室140或上文中參照圖1至圖3所述的工藝腔室。舉例來說，第二工藝腔室可包括工藝卷筒242以及一個或多個工藝部件241(諸如，沉積源)。在一個示例中，可在處理卷筒242的中心線或旋轉(zhuǎn)軸243的高度處或在低于處理卷筒242的中心線或旋轉(zhuǎn)軸243處布置第二腔室240的沉積源241?？捎商幚砭硗?42引導基板通過工藝部件241。在第二工藝腔室240中的工藝部件241是沉積源的情況下，可在基板160上涂覆所沉積材料的一個或多個附加層。根據(jù)一些實施例，第二工藝腔室提供附加或互補的部件，用于在第一工藝腔室中沉積在基板上的層。處理系統(tǒng)形成用于各種工藝和PVD工藝(諸如，蒸鍍或濺射)或CVD工藝(諸如，PECVD工藝)的通用平臺，當移動基板通過所述處理系統(tǒng)時可組合所述工藝。特別地，可組合不同的PECVD工藝且例如用于TFT或柔性TFT制造，更特別地，用于超高阻擋層(ultrahighbarriers)。當在第二工藝腔室240中處理基板160時，在處理期間，可由工藝卷筒242引導基板160。當在第二工藝腔室240中處理了基板160之后，基板可引導至第一或繞卷腔室110，其中在收卷輥110上繞卷經(jīng)處理的基板以儲存經(jīng)處理的基板。如上文中詳述，可通過維護區(qū)130來接取第一腔室110和/或第二腔室120，以便維護第一和/或第二腔室。根據(jù)一些實施例，具有兩個工藝腔室的沉積系統(tǒng)的接觸角可小于540°。如上文所解釋，根據(jù)本文中所述的實施例，在根據(jù)本文中所述的實施例的具有兩個工藝腔室工的沉積系統(tǒng)中的輥(包括引導輥，但不包括供應輥和收卷輥)可布置成使得經(jīng)處理的基板表面不由滾軸觸碰。根據(jù)一些實施例，如本文中所述的沉積系統(tǒng)可具有可模塊化設計。舉例來說，圖1至圖3的沉積系統(tǒng)可適配成使得第二工藝腔室可被連接，例如，鄰接于第一腔室。舉例來說，沉積系統(tǒng)200可提供凸緣或連接底座，從而允許通過將進一步的腔室連接至沉積系統(tǒng)200來擴展沉積系統(tǒng)。在一個實施例中，第一腔室110或再繞卷腔室可包括連接件等，用于將第二工藝腔室裝配至相鄰于第一腔室或繞卷腔室。以這種方式，圖1至圖3中示出的處理系統(tǒng)100可容易地轉(zhuǎn)換成圖4和圖5中示出的沉積系統(tǒng)200?？商峁┻M一步的腔室以擴展沉積系統(tǒng)的操作范圍。另一方面，模塊化系統(tǒng)允許在底座形狀(諸如，處理系統(tǒng)100)的減小的尺寸，這符合用戶的需求和要求，例如，工廠中的空間要求。因此，可將具有選項“單卷筒(singledrum,SD)”(在圖1至圖3中所述的實施例)和“雙卷筒(doubledrum,DD)”(在圖4至圖5中所述的實施例)的模塊化主框架設計提供給如本文中所述的沉積系統(tǒng)，以獲得高度靈活性。模塊化設計也提供在源的數(shù)量上的彈性。舉例來說，可提供多個上下顛倒的沉積源，從而減小污染風險?？扇Q于工藝參數(shù)(諸如，應用類型和層堆疊)來使用或提供沉積源或甚至工藝腔室。當使用根據(jù)本文中所述的處理系統(tǒng)時，也可為現(xiàn)有系統(tǒng)提供從SD設計到DD設計的升級可能性或升級組。舉例來說，可安裝升級組，從而允許如上文所述來布置腔室。舉例來說，組件操作者可通過提供用于將第二工藝腔室裝配至現(xiàn)有系統(tǒng)的相應的連接件和部件來使現(xiàn)有系統(tǒng)適配于DD設計。根據(jù)一些實施例，(特別是如果利用頂側蓋來組裝模塊)第二工藝腔室對于第一工藝腔室的對準是可能的。在一些實施例中，沉積系統(tǒng)的設計可適用于取決于相應的應用而開啟或關閉第二工藝腔室。舉例來說，取決于所需的工藝，已經(jīng)通過第一工藝腔室的基板可被引導至第二工藝腔室，或任選地被引導至繞卷腔室。在一個示例中，控制單元可啟動相應的引導滾軸，用于將基板引向所需的腔室。根據(jù)一些實施例，當將要將基板引導至重繞卷腔室時，可關閉基板的替代路途(諸如，至第二工藝腔室的路途)。因此，本所所述具有用于各種沉積源的靈活性和空間的系統(tǒng)允許若干CVD、PECVD和/或PVD工藝在單個沉積設備(例如，R2R涂覆機)中的模塊化組合，單一沉積設備例如是R2R涂覆機。模塊化概念(其中，可在根據(jù)本文中所述的實施例的沉積系統(tǒng)中使用各種種類的沉積源(包括要求非常好的氣體分隔的那些沉積源))有助于降低沉積復雜的層堆疊的成本，所述復雜的層堆疊必須采用不同的沉積技術或繁瑣的工藝參數(shù)的組合來沉積。根據(jù)一些實施例，處理系統(tǒng)可包括用于控制沉積系統(tǒng)中的參數(shù)的控制單元?？刂茊卧梢允窃O在處理系統(tǒng)的腔室外部的控制器或控制接口。在一些實施例中，控制單元連接至在處理系統(tǒng)的單個腔室中的傳感器，并且也可連接至沉積源、供應輥、收卷輥等?？刂茊卧赡苣軌蛴嬎闾幚硐到y(tǒng)中所需的測量值。舉例來說，當將例如經(jīng)由維護區(qū)來改變供應輥或收卷輥時，控制單元可進行指示。在處理系統(tǒng)中的部件失效的情況下，控制單元可能也可發(fā)出警報。圖6示出真空處理系統(tǒng)300的實施例。真空處理系統(tǒng)300包括第一腔室310和第二腔室320，它們各自都適用于容納供應輥和收卷輥中的一者。在一個實施例中，第一腔室310可包括用于接收并儲存經(jīng)處理基板的收卷輥315。根據(jù)一些實施例，第二腔室320可包括用于遞送并供應待處理的基板的供應輥365。在第一腔室310與第二腔室320之間提供維護區(qū)330。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)可以是上文詳述的維護區(qū)，從而特別提供對第一和/或第二腔室的維護接取。在圖6中所示的實施例中，鄰接于第二腔室320來提供第一工藝腔室340。工藝腔室340可包括如上文所述的工藝裝備，并且可(例如)適用于真空沉積工藝。在圖6的實施例中，第二工藝腔室350示出為鄰接于第一腔室310。如在圖6中所示的實施例中可見，第一工藝腔室340包括傾斜凸緣345，所述傾斜凸緣345可允許由兩個腔室部分346和347來組裝工藝腔室340，例如上文中所詳述。此外，第二工藝腔室350可包括傾斜凸緣355，從而允許由兩個腔室部分形成第二工藝腔室350。(多個)工藝腔室的(多個)第一和第二部分可以是例如參照圖1所述的工藝腔室的第一和第二部分。根據(jù)一些實施例，可例如通過使用如上文所述的一個或多個間隙閘來將待處理的基板從第二腔室320引導至第一工藝腔室340。接著，在第一工藝腔室340中處理基板，并且引導經(jīng)過第一處理卷筒342。舉例來說，當基板通過第一工藝腔室時，可在基板上沉積一個或多個層。根據(jù)一些實施例，并且如上文中詳細地所指，第一工藝腔室也可包括用于預處理或后處理基板的裝備。在一些實施例中，基板可進一步輸送至第二工藝腔室350。根據(jù)本文中所述的一些實施例，第一工藝腔室340和第二工藝腔室350例如通過閘、鎖、負載鎖定閥等彼此分隔，從而允許基板從一個工藝腔室通過而至另一個工藝腔室。在圖6中，可在第一工藝腔室340與第二工藝腔室350之間看到間隙閘360。根據(jù)一些實施例，如本文中所述的真空處理系統(tǒng)的(多個)工藝腔室可形成為使得提供基板從工藝腔室到相鄰腔室的通路，所述相鄰腔室諸如，繞卷腔室或進一步的工藝腔室。在圖6的示例中可見，工藝腔室340和350提供臂狀延伸件348、358，用于特別是在第一和第二腔室可基本上具有矩形形狀時，提供基板在真空處理系統(tǒng)中的通路。根據(jù)本文中所述的一些實施例，因此由(多個)工藝腔室和(多個)工藝腔室的(多個)延伸件提供通路。在其他實施例中，僅一個處理腔室可配備用于通路的延伸件。根據(jù)本文中所述的一些實施例，因此在第一(真空)腔室和第二(真空)腔室上方提供通路。利用圖6的實施例，仍可實現(xiàn)處理系統(tǒng)的模塊化的好處，且同時實現(xiàn)如上文中所述提供容易的維護接取。此外，根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)提供相對于所使用的基板厚度的高度靈活性。圖7示出真空處理系統(tǒng)400的進一步的實施例。真空處理系統(tǒng)400包括第一腔室410和第二腔室420，它們各自適用于容納供應輥和收卷輥中的一者。在一個實施例中，第一腔室410包括用于接收和儲存經(jīng)處理基板的收卷輥415，而第二腔室420包括用于供應基板的供應輥425。在圖7中所示的實施例中，真空處理系統(tǒng)進一步包括第一工藝腔室440和第二工藝腔室450。在第一腔室410與第二腔室420之間提供維護區(qū)430(例如，在上文的實施例中所述的維護區(qū))。待處理的基板可從第二腔室420引導至第一處理腔室440。當已在工藝腔室中執(zhí)行了工藝(其可以例如是沉積工藝)之后，可在真空處理系統(tǒng)中進一步引導基板。舉例來說，基板可引導至繞卷腔室(諸如，繞卷腔室410)或引導至第二工藝腔室450。在圖7中所示的實施例中，在第一工藝腔室440中處理的基板可引導至通路，所述通路由第二腔室420和第一腔室410的兩個臂狀延伸件421和411形成。因此，可將基板從第一工藝腔室440往回引導到第二腔室420，特別引導到第二腔室的部分地形成真空處理系統(tǒng)的通路的部分。通過可如上文的實施例中所述而設計的閘或負載鎖定閥460，基板可進一步輸送至第一腔室410的臂狀延伸件411，所述臂狀延伸件411也部分地形成真空處理系統(tǒng)的通路。因此，在一些實施例中，可從第一和第二腔室的兩個延伸件裝配用于在真空處理系統(tǒng)內(nèi)輸送基板的通路。雖然第一腔室和第二腔室是一起形成用于基板的通路，但是第一腔室和第二腔室被分隔，以便避免彼此污染，特別是避免基板污染。根據(jù)一些實施例，第一和第二腔室中的僅一者可通過提供臂狀延伸件來提供處理系統(tǒng)的通路。根據(jù)一些實施例，第一腔室和第二腔室可描述為具有圖7中所示的實施例中的基本上的L形，特別是在臂狀延伸件411和421處配合在一起的L形。根據(jù)本文中所述的一些實施例，因此由繞卷和退卷腔室(即，第一和第二腔室)提供通路。此外，圖7的實施例提供模塊化真空處理系統(tǒng)，此模塊化真空處理系統(tǒng)提供以下益處：通過維護區(qū)對第一和第二腔室的容易的接??；以及相對于所使用的基板寬度的高度靈活性。能以相同的方式(或至少以類似的方式)設計處理系統(tǒng)400的多個單個的部件(諸如，一個或多個工藝腔室或繞卷和退卷腔室)，并且可取決于所需的工藝來去除多個單個的部件或?qū)⒍鄠€單個的部件添加至真空處理系統(tǒng)，且不必以復雜的方式重新布置整個處理系統(tǒng)。根據(jù)一些實施例，提供具有一個或多個真空腔室的用于柔性基板的真空處理系統(tǒng)。處理系統(tǒng)包括：用于供應輥的供應輥支撐件，所述供應輥用于在一個或多個真空腔室中提供柔性基板；以及用于收卷輥的收卷輥支撐件，所述收卷輥用于在一個或多個真空腔室中儲存柔性基板。此外，真空處理系統(tǒng)包括供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的維護區(qū)。真空處理系統(tǒng)進一步包括第一工藝腔室，用于處理基板，特別是用于在柔性基板上沉積材料。在維護區(qū)與第一工藝腔室之間提供供應輥支撐件和收卷輥支撐件中的一者。維護區(qū)允許對供應輥支撐件和收卷輥支撐件中的至少一者的維護接取。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的一些實施例，真空處理系統(tǒng)經(jīng)配置以提供維護區(qū)，所述維護區(qū)甚至當相鄰的真空腔室為了處理系統(tǒng)的操作被排氣時也處于大氣壓力下。根據(jù)一些實施例，維護區(qū)可以是如上文所述的維護區(qū)。在一些實施例中，在供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的維護區(qū)可理解為在供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的空間中的維護區(qū)。供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的空間是可定義為供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的容積，特別是此容積具有基本上對應于供應輥支撐件和收卷輥支撐件的寬度的深度(諸如，約0.7m與約4m之間的深度)，通常在約1m與約3m或4m之間的長度，以及大于1.7m的高度。根據(jù)一些實施例，在供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的維護區(qū)可理解為：維護區(qū)可沿從供應輥支撐件行進至收卷輥支撐件的虛擬線(諸如，沿處理系統(tǒng)的長度方向行進的線，例如，圖3中可見的長度方向131)來布置。在一些實施例中，可在從供應輥支撐件的幾何中心行進至收卷輥支撐件的幾何中心的線上布置維護區(qū)的中心點。特別地，包括多于一個部分(諸如，用于支撐輥的兩個裝置)的輥支撐件可具有在輥支撐件的不同部分之間的中心點，多于一個部分例如是兩個用于支撐一輥的裝置。根據(jù)一些實施例，真空處理系統(tǒng)的一個或多個真空腔室可特別包括第一腔室和第二腔室，所述第一腔室用于提供供應輥支撐件(或收卷輥支撐件)，所述第二腔室用于提供收卷輥支撐件(或取決于第一腔室的布置，提供供應輥支撐件)。在一些實施例中，這一個或多個真空腔室不但包括用于供應輥和收卷輥的支撐件，也包括供應輥和收卷輥本身。此外，至供應輥支撐件和收卷輥支撐件的維護接取可包括對供應輥和收卷輥的維護接取。應理解的是，根據(jù)本文中所述的實施例的在輥支撐件之間具有維護區(qū)的處理系統(tǒng)可與本文中所述的其他實施例結合，或者可被提供上文中參照其他實施例而描述的特征。例如，在輥支撐件之間具有維護區(qū)的處理系統(tǒng)的腔室可如上文所述適用于在真空條件下操作；工藝腔室可經(jīng)配備而用于不同的工藝，包括用于如上文所述的此類工藝的所需裝備；可在處理系統(tǒng)中提供第二工藝腔室，維護區(qū)可具有上文提及的尺寸，等等。根據(jù)一些實施例，提供用于處理柔性基板的真空處理系統(tǒng)。所述處理系統(tǒng)包括第一腔室，所述第一腔室適用于容納供應輥支撐件和收卷輥支撐件中的一者，所述供應輥支撐件用于支撐供應輥，所述收卷輥支撐件用以支撐收卷輥，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板。在一個實施例中，第一腔室包括布置在輥支撐件處的供應輥或收卷輥。處理系統(tǒng)進一步包括第二腔室，所述第二腔室適用于容納供應輥支撐件和收卷輥支撐件中的一者，所述供應輥支撐件用于支撐供應輥，所述收卷輥支撐件用于支撐收卷輥，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板。在一個實施例中，第二腔室包括布置在相應的輥支撐件處的供應輥或收卷輥。根據(jù)一些實施例，供應輥和收卷輥各自都包括徑向方向和縱向方向。所述處理系統(tǒng)進一步包括維護區(qū)，所述維護區(qū)允許在徑向方向上、朝向彼此地分別從第一和第二腔室從供應輥支撐件移除供應輥，特別是將供應輥移除到維護區(qū)中，并且從收卷輥支撐件移除收卷輥，特別是將收卷輥移除到維護區(qū)中。所述處理系統(tǒng)進一步包括第一工藝腔室，用于例如通過在柔性基板上沉積材料來處理基板。特別地，工藝腔室可布置成相鄰于第一腔室和第二腔室中的一者。此外，根據(jù)一些實施例，第二腔室可設在維護區(qū)與第一工藝腔室之間。在一些實施例中，例如是通過在徑向方向上朝向彼此分別從第一腔室和第二腔室移除供應輥和收卷輥，維護區(qū)可允許至第一腔室和第二腔室中的至少一者的維護接取，或?qū)Φ谝磺皇液偷诙皇抑械闹辽僖徽叩木S護接取。往回參照圖1，箭頭112和113指示徑向方向，在所述徑向方向上，可借助于相應地布置的維護區(qū)130，朝向彼此來移除供應輥121和收卷輥111。如圖1中可見，箭頭112和113指向在供應輥121和收卷輥111的徑向方向上。為了更好地理解，簡要地參照圖3，留意供應輥和收卷輥系具有基本上圓柱狀形狀，其中供應輥165和收卷輥115的縱向方向在處理系統(tǒng)的深度133方向上行進，而徑向方向基本上在處理系統(tǒng)的長度131方向上行進。特別地，供應輥和收卷輥的徑向方向(在所述徑向方向上移動供應輥和收卷輥以便從第一和第二腔室、朝向彼此來移除供應輥和收卷輥)可基本上平行于處理系統(tǒng)所處的地板，或可基本上分別平行于第一和第二腔室的腔室底部。在一些實施例中，通過在供應輥或收卷輥的卷軸的徑向方向上移動供應輥和/或收卷輥，可分別將供應輥和/或收卷輥可從第一腔室和第二腔室移除。根據(jù)一些實施例，可在徑向方向上分別將收卷輥和供應輥從第一腔室和第二腔室朝向彼此移動至維護區(qū)中，特別是可將供應輥和收卷輥兩者移動至處理系統(tǒng)的相同的維護區(qū)中。根據(jù)一些實施例，如本文中所使用的術語“朝向彼此(towardseachother)”可意味著，當分別將供應輥和收卷輥從第一腔室和第二腔室移除時，是在去往彼此的方向上移動供應輥和收卷輥。應理解的是，雖然供應輥和收卷輥描述為朝向彼此移動，但是這不一定意味著同時移除供應輥和收卷輥。相反，可獨立于從第一腔室移除收卷輥而從第二腔室移除供應輥，反之亦然。具體來說，在一些實施例中，供應輥可也描述為從第二腔室朝向第一腔室的壁(諸如，圖1中可見的壁114)是可移除的。根據(jù)一些實施例，收卷輥可從第一腔室朝向第二腔室的壁(諸如，壁122)移除。具體來說，壁114和122可基本上垂直于處理系統(tǒng)的底部或處理系統(tǒng)所處的地板。應理解的是，適用于朝向彼此移除供應輥和收卷輥的上述處理系統(tǒng)的元件可設計成且適配為本文中所述的各種實施例中所述的元件。舉例來說，工藝腔室可以是如上文所詳述的工藝腔室，處理系統(tǒng)可提供第二工藝腔室，腔室可適用于在如上所述的真空條件下操作，維護區(qū)可具有如上所詳述的尺寸，等等。因此，只要彼此不排斥，處理系統(tǒng)的腔室的這些特征可與本文中所述的處理系統(tǒng)的其他特征組合。根據(jù)本文中所述一些實施例，如本文中所述的處理系統(tǒng)可具有基本上豎直地分隔的第一和第二腔室。舉例來說，圖7將第一腔室和第二腔室示出為由閘460基本上豎直地分隔。但是其他實施例也可描述為提供由例如維護區(qū)基本上豎直地分隔的第一腔室和第二腔室。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的更進一步的實施例，各自都適用于容納供應輥和收卷輥中的一者的第一L形腔室410和第二L形腔室420(見圖7)可也可作為一個U形腔室來提供。在U形腔室的相應的部分之間提供維護區(qū)430(利如，如上文的實施例中所述的維護區(qū))。根據(jù)一些實施例，提供用于柔性基板的具有一個或多個真空腔室的真空處理系統(tǒng)。處理系統(tǒng)包括供應輥支撐件和收卷輥支撐件，所述供應輥支撐件用于供應輥，所述供應輥用于在一個或多個真空腔室中提供柔性基板，所述收卷輥支撐件用于收卷輥，所述收卷輥用于在一個或多個真空腔室中儲存柔性基板。此外，真空處理系統(tǒng)包括供應輥支撐件與收卷輥支撐件之間的維護區(qū)。真空處理系統(tǒng)進一步包括用于處理基板、特別是用于在柔性基板上沉積材料的第一工藝腔室。在維護區(qū)與第一工藝腔室之間提供供應輥支撐件和收卷輥支撐件中的一者。維護區(qū)允許至供應輥支撐件與收卷輥支撐件中的至少一者的維護接取。根據(jù)可與本文中所述的其他實施例結合的一些實施例，真空處理系統(tǒng)配置成提供維護區(qū)，所述維護區(qū)甚至在相鄰的真空腔室為了處理系統(tǒng)的操作而排氣時仍處于大氣壓力下。根據(jù)更進一步附加的或替代的實現(xiàn)方式，維護區(qū)可允許從相應的第一徑向側和第二徑向側來接取對應于第一腔室310(例如，具有供應輥的真空腔室)的U形腔室的第一部分，并且接取對應于第二腔室320(例如，具有收卷輥的真空腔室)的U形腔室的第二部分，其中第一徑向側和第二徑向側面對彼此。例如，可徑向地朝向卷繞卷軸移除供應輥，且反之亦然。根據(jù)本文中所述的實施例的處理系統(tǒng)對于各種涂覆寬度是可縮放的。舉例來說，這些腔室可適用于若干基板寬度的尺寸。在一個示例中，處理系統(tǒng)適用于以下基板寬度：通常大于1m，更通常大于1.5m，甚至更通常大于2m。在一個實施例中，如本文中所述的沉積系統(tǒng)可適用于以下基板寬度(所述基板寬度為在圖3和圖5的投影平面中的延伸)：通常在約1m與約3m之間，更通常在約1.2m與約2.5m之間，甚至更通常在約1.4m與約2.4m之間。此外，腔室中的部件(諸如，用于供應輥或收卷輥的連接件)可適用于不同的基板寬度。如上文的描述中可見，由于從維護區(qū)而在退卷與再繞卷之間的良好的可接取性，基板接取獨立于基板寬度。另外，由于繞卷系統(tǒng)(諸如，用于供應輥和收卷輥的連接件)固定地安裝在沉積系統(tǒng)的相應腔室中，可取得高準確性。在具有從維護區(qū)對繞卷和退卷腔室的接取的情況下，不必為了替換基板而移除繞卷系統(tǒng)，也不必在腔室中重新定位繞卷系統(tǒng)。相反，僅從繞卷系統(tǒng)中移除基板，所述繞卷系統(tǒng)在交換工藝期間保持在腔室中。圖8示出用于裝配真空處理系統(tǒng)的方法600的流程圖。所述方法包括以下步驟：在框610中，提供如圖1至圖3中所描述的處理系統(tǒng)。在框620中，所述方法600包括以下步驟：將第二工藝腔室裝配至所述處理系統(tǒng)。如以上描述中可見，第二工藝腔室可裝配為使得第一腔室(或繞卷腔室)布置在維護區(qū)與第二工藝腔室之間。第二工藝腔室可也描述為裝配成相鄰于第一腔室。根據(jù)一些實施例，第二工藝腔室可裝配至處理系統(tǒng)，并且可在第二工藝腔室與第一或繞卷腔室之間提供閘。根據(jù)一些實施例，用于裝配處理系統(tǒng)的方法進一步包括以下步驟：通過通路連接第一工藝腔室和第二工藝腔室。在一些實施例中，由在維護區(qū)上方延伸的頂側蓋或在維護區(qū)下延伸方的底側管道提供此通路。管道或通路可也于第一工藝腔室與繞卷腔室之間、或者在第一工藝腔室與第二處工藝腔室之間延伸。因此，當裝配第二工藝腔室時，可例如通過提供相應的閘、或通過使通路適配成到達第二工藝腔室來適配所述通路。在一些實施例中，處理系統(tǒng)的分離的腔室具有它們自身的真空生成和維持系統(tǒng)。當裝配第二工藝腔室時，第二工藝腔室(諸如，對再繞卷腔室的連接)可以是真空密封的。根據(jù)一些實施例，第二工藝腔室可包括通過傾斜凸緣(相對于豎直方向傾斜)可連接的兩個或更多個部分。因此，第二工藝腔室可劃分為第一部分和第二部分，所述第一部分適用于(至少部分地)容納工藝部件(諸如，沉積源等)，所述第二部分用于連接至通路或管道。傾斜凸緣允許例如是上下顛倒的沉積，即，從所裝配的工藝腔室的水平中心線下方來處理基板。這減小粒子污染的風險，并且使沉積工藝更安全且更高效。根據(jù)本文中所述的一些實施例，提供用于真空處理系統(tǒng)的組件組。在一些實施例中，用于真空處理系統(tǒng)的組件組可以是用于真空沉積系統(tǒng)的組件組。所述組件組包括第一腔室、第二腔室、第一工藝腔室和通路，第所述一腔室適用于容納供應輥和收卷輥中的一者，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板，所述第二腔室適用于容納供應輥和收卷輥中的一者，所述供應輥用于提供柔性基板，所述收卷輥用于儲存柔性基板，所述第一工藝腔室用于在柔性基板上沉積材料，其中所述第一工藝腔室設配成在結構上是可連接至第二腔室的，并且所述通道是適用于將所述第一工藝腔室與所述第一腔室連接，其中所述通路由在在所述第一和第二腔室上方延伸的頂側蓋或在所述第一和第二腔室下方延伸的底側管道提供。通路、第一腔室和第二腔室適用于以組合的狀態(tài)在所述通道、第一腔室和第二腔室之間限定維護區(qū)，所述維護區(qū)允許對第一腔室和第二腔室的接取。此外，第二腔室適配成定位在維護區(qū)與第一工藝腔室之間。在一些實施例中，腔室可適用于通過在相應的位置處提供相應的連接可能性而被組裝在一起。舉例來說，退卷腔室可具有至第一處理腔室的閘，并且分隔這兩個腔室的壁適用于容納此閘。在另一示例中，第一處理腔室可在通路的方向上具有出口，使得基板可從工藝腔室被引導至通路或管道。根據(jù)一些實施例，用于處理系統(tǒng)的組件組可進一步包括：用于從第一腔室和第二腔室中的一者提供和移除基板的裝載/卸載系統(tǒng)；和/或第一腔室、第二腔室和第一工藝腔室適用于真空工藝，并且是分別地可排氣的；和/或第一腔室和第二腔室適用于經(jīng)由維護區(qū)來提供以下至少一者：對第一和/或第二腔室的接取、用于控制第一腔室和/或第二腔室的控制選項、控制元件以及對第一腔室和/或第二腔室的檢查；和/或適用于容納一個或多個沉積源的第一工藝腔室的第一部分，以及用于容納工藝卷筒的第一工藝腔室的第二部分，其中第一部分和第二部分適用于沿相對于豎直方向傾斜的線被連接。在一些實施例中，用于沉積系統(tǒng)的組件組是用于上文中參照圖1至圖5所述的處理系統(tǒng)的組件組。組件組的單個部件可以是如參照圖1至圖5所述的元件，并且可特別提供與上述相同的沉積系統(tǒng)的單個部件的特征。此外，根據(jù)本文中所述的實施例提供如上文所述的處理系統(tǒng)的用途。雖然上述內(nèi)容針對本發(fā)明的實施例，但是可設計本發(fā)明的其他和進一步的實施例而不背離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的范圍由所附權利要求書來確定。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3