一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架，其中，該真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室以及設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)的支架，支架包括多個(gè)第一支架接頭，第一支架接頭與第一數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)。通過(guò)與數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)配套的設(shè)計(jì)，從而能夠?qū)?shù)據(jù)線實(shí)行批量真空鍍膜，提高數(shù)據(jù)線真空納米鍍膜的效率以及鍍膜效果，而且在鍍膜過(guò)程中還能保護(hù)數(shù)據(jù)線的接頭部分。
【專利說(shuō)明】一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架。

【背景技術(shù)】
[0002]將高分子材料裂解成納米分子后在真空環(huán)境內(nèi)均勻無(wú)間隙附著在產(chǎn)品表面形成納米保護(hù)膜，稱之為真空氣相沉積納米鍍膜。這種工藝的納米鍍膜與傳統(tǒng)鍍膜或者噴油、噴漆具有以下特性:1、防水防潮無(wú)細(xì)孔，密封性好；2、鍍膜耐酸堿、絕緣等級(jí)高、防靜電產(chǎn)生；
3、鍍膜表面平順，防污臟物粘附，摩擦力小，易擦洗；4、外觀色澤，可根據(jù)需求調(diào)整，從高透明到其它顏色。5、鍍膜厚度是從0.1微米到50微米以上皆可；6、鍍膜附著力好，無(wú)內(nèi)內(nèi)應(yīng)力，氣泡孔，鍍膜適應(yīng)環(huán)境溫度土200°C，不脫落不起皺。
[0003]納米鍍膜時(shí)，原料在材料室內(nèi)經(jīng)過(guò)150°C的汽化形成氣態(tài)后進(jìn)入到高溫650°C左右的裂解爐，分解成納米級(jí)分子。進(jìn)入到常溫的鍍膜室，在真空狀態(tài)下以氣相沉積防水形成薄膜，均勻覆蓋產(chǎn)品表面針孔及間隙。它與金屬噴鍍及噴油漆不同之處在于，只要產(chǎn)品表面與空氣接觸都能都能被真空氣相沉積納米鍍膜，均勻覆蓋，形成無(wú)針孔、致密均勻、高透明的薄膜。
[0004]由于納米鍍膜時(shí)，需鍍膜的產(chǎn)品表面都要與空氣接觸，因此，如何對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)以適應(yīng)不同產(chǎn)品鍍膜是一個(gè)有待解決的技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型提供一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架，能夠?qū)?shù)據(jù)線實(shí)行批量真空納米鍍膜，提高數(shù)據(jù)線真空納米鍍膜的效率以及鍍膜效果。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的一種技術(shù)方案是:提供一種真空鍍膜設(shè)備，用于對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行真空鍍膜，所述數(shù)據(jù)線一端設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線接頭，所述真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)的支架，所述支架包括多個(gè)第一支架接頭，所述第一支架接頭能夠與所述第一數(shù)據(jù)線接頭適配且彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)。
[0007]其中，所述支架進(jìn)一步包括支架柱以及多個(gè)第一支撐桿，所述多個(gè)第一支撐桿設(shè)置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第一支架接頭間隔設(shè)置于所述第一支撐桿上。
[0008]其中，所述第一支撐桿上間隔設(shè)置有多個(gè)第一卡槽，所述第一支架接頭固定于所述第—槽內(nèi)。
[0009]其中，所述數(shù)據(jù)線的另一端設(shè)置有第二數(shù)據(jù)線接頭，所述支架進(jìn)一步包括多個(gè)第二支架接頭以及多個(gè)第二支撐桿，所述多個(gè)第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向相對(duì)于所述第一支撐桿間隔設(shè)置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第二支架接頭間隔設(shè)置于所述第二支撐桿上，所述第二支架接頭與所述第二數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間。
[0010]其中，所述第二支撐桿上間隔設(shè)置有多個(gè)第二卡槽，所述第二支架接頭固定于所述第二卡槽內(nèi)。
[0011]其中，所述第一支架接頭和所述第二支架接頭對(duì)稱設(shè)置，以使得設(shè)置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間的所述數(shù)據(jù)線平行于所述支架柱的軸向方向。
[0012]其中，所述第一支撐桿和所述第二支撐桿中的至少一者沿所述支架柱的軸向方向的位置可調(diào)，進(jìn)而使得所述第一支撐桿與所述第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向的間距可調(diào)。
[0013]其中，所述支架進(jìn)一步包括第一主支撐環(huán)和第二主支撐環(huán)，所述第一主支撐環(huán)和所述第二主支撐環(huán)分別與所述支架柱嵌套設(shè)置且沿所述支架柱的軸向方向間隔固定于所述支架柱上，所述第一支撐桿包括多個(gè)第一主支撐桿，所述多個(gè)第一主支撐桿設(shè)置于所述第一主支撐環(huán)上且向所述第一主支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸，所述第二支撐桿包括多個(gè)第二主支撐桿，所述多個(gè)第二主支撐桿設(shè)置于所述第二主支撐環(huán)上且向所述第二主支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
[0014]其中，所述支架進(jìn)一步包括第一輔支撐環(huán)、第二輔支撐環(huán)、多個(gè)第一輔支撐桿和多個(gè)第二輔支撐桿，所述第一輔支撐環(huán)設(shè)置于所述第一主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第一主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)第一輔支撐桿設(shè)置于所述第一輔支撐環(huán)上且向所述第一輔支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸，所述第二輔支撐環(huán)設(shè)置于所述第二主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第二主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)第二輔支撐桿設(shè)置于所述第二輔支撐環(huán)上且向所述第二輔支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
[0015]其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室側(cè)壁的入口以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)與所述入口正對(duì)著的降溫分流擋板，所述入口用于引入高分子材料裂解氣體，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于所述氣相沉積室內(nèi)。
[0016]其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括排氣柱，所述排氣柱呈中空狀且在所述排氣柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔，所述支架柱呈中空狀且所述支架柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二通氣孔，所述排氣柱從所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套設(shè)置于所述排氣柱外側(cè)且能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述第一通氣孔和所述第二通氣孔均勻擴(kuò)散并沉積于所述數(shù)據(jù)線上。
[0017]其中，所述第一通氣孔為長(zhǎng)度方向沿所述排氣柱的軸向方向設(shè)置的條形孔。
[0018]其中，沿所述排氣柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述第一通氣孔沿所述排氣柱的軸向方向彼此錯(cuò)開(kāi)。
[0019]其中，所述第二通氣孔為圓形孔，且設(shè)置于沿所述支架柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述第一主支撐桿之間以及沿所述支架柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述第二主支撐桿之間。
[0020]其中，所述支架進(jìn)一步包括密封設(shè)置于所述支架柱的另一端的頂蓋。
[0021]其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)并與所述排氣柱連接的冷卻塔，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)所述第二通氣孔和所述第一通氣孔進(jìn)入所述排氣柱，進(jìn)一步通過(guò)所述排氣柱導(dǎo)入到所述冷卻塔中。
[0022]其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，所述磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體與所述第二旋轉(zhuǎn)磁體磁性耦合，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)所述第一旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)所述第二旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)所述支架柱能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0023]其中，所述排氣柱貫穿所述氣相沉積室設(shè)置，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體和所述第二旋轉(zhuǎn)磁體分別轉(zhuǎn)動(dòng)承座于所述排氣柱上且能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0024]其中，所述排氣柱貫穿設(shè)置于所述氣相沉積室的底壁上且沿豎直方向延伸，所述支架柱沿所述豎直方向嵌套至所述排氣柱外側(cè)且承座于所述第二旋轉(zhuǎn)磁體上。
[0025]其中，所述氣相沉積室的頂部上設(shè)置有開(kāi)口，所述支架可通過(guò)所述開(kāi)口放置于所述氣相沉積室中或者從所述氣相沉積室中取出。
[0026]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種用于真空鍍膜設(shè)備的數(shù)據(jù)線支架，所述數(shù)據(jù)線支架包括多個(gè)支架接頭，所述支架接頭與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)。
[0027]本實(shí)用新型的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，提供一種真空鍍膜設(shè)備及數(shù)據(jù)線支架，通過(guò)與數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)配套的設(shè)計(jì)，從而能夠?qū)?shù)據(jù)線實(shí)行批量真空鍍膜，提高數(shù)據(jù)線真空納米鍍膜的效率以及鍍膜效果，而且在鍍膜過(guò)程中還能保護(hù)數(shù)據(jù)線接頭部分。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的排氣柱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的支架柱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)線的真空鍍膜方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0034]請(qǐng)參閱圖1，圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備用于對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行真空鍍膜，其中數(shù)據(jù)線一端設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線接頭，真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室I以及設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)的支架2，支架2包括多個(gè)第一支架接頭21，第一支架接頭21能夠與第一數(shù)據(jù)線接頭適配且彼此接插固定，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線設(shè)置于氣相沉積室2內(nèi)。
[0035]在本發(fā)明實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，本發(fā)明進(jìn)一步提出支架結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式，其中，支架2還進(jìn)一步包括支架柱22以及多個(gè)第一支撐桿23，多個(gè)第一支撐桿23設(shè)置于支架柱22上且沿支架柱的徑向方向呈放射狀延伸，第一支架接頭21間隔設(shè)置于第一支撐桿23上。該實(shí)施方式僅為支架結(jié)構(gòu)的一種較好的實(shí)施方式示例，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)本實(shí)施例所作的任何修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
[0036]第一支撐桿23上間隔設(shè)置有多個(gè)第一卡槽24，第一支架接頭21固定于第一卡槽24內(nèi)。
[0037]其中，數(shù)據(jù)線的另一端還設(shè)置有第二數(shù)據(jù)線接頭，支架2進(jìn)一步包括多個(gè)第二支架接頭25以及多個(gè)第二支撐桿26，多個(gè)第二支撐桿26沿支架柱22的軸向方向相對(duì)于第一支撐桿23間隔設(shè)置于支架柱22上且沿支架柱22的徑向方向呈放射狀延伸，第二支架接頭25間隔設(shè)置于第二支撐桿26上，第二支架接頭25與第二數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線設(shè)置于第一支撐桿23和第二支撐桿26之間。
[0038]第二支撐桿26上間隔設(shè)置有多個(gè)第二卡槽27，第二支架接頭25固定于第二卡槽27內(nèi)。
[0039]第一支架接頭21和第二支架接頭25對(duì)稱設(shè)置，以使得設(shè)置于第一支撐桿23和第二支撐桿26之間的數(shù)據(jù)線平行于支架柱22的軸向方向。
[0040]優(yōu)選地，第一支撐桿23和第二支撐桿26中的至少一者沿支架柱22的軸向方向的位置可調(diào)，進(jìn)而使得第一支撐桿23與第二支撐桿26沿支架柱22的軸向方向的間距可調(diào)。
[0041]其中，支架2進(jìn)一步包括第一主支撐環(huán)28和第二主支撐環(huán)29，第一主支撐環(huán)28和第二主支撐環(huán)29分別與支架柱22嵌套設(shè)置且沿支架柱的軸向方向間隔固定于支架柱22上，第一支撐桿23包括多個(gè)第一主支撐桿231，多個(gè)第一主支撐桿231設(shè)置于第一主支撐環(huán)28上且向第一主支撐環(huán)28的外側(cè)呈放射狀延伸，第二支撐桿26包括多個(gè)第二主支撐桿261，多個(gè)第二主支撐桿261設(shè)置于第二主支撐環(huán)29上且向第二主支撐環(huán)29的外側(cè)呈放射狀延伸。
[0042]其中，支架2進(jìn)一步包括第一輔支撐環(huán)30、第二輔支撐環(huán)31、多個(gè)第一輔支撐桿232和多個(gè)第二輔支撐桿261，第一輔支撐環(huán)30設(shè)置于第一主支撐桿231上且沿支架柱22的徑向方向與第一主支撐環(huán)28間隔嵌套設(shè)置，多個(gè)第一輔支撐桿232設(shè)置于第一輔支撐環(huán)30上且向第一輔支撐環(huán)30的外側(cè)呈放射狀延伸，第二輔支撐環(huán)31設(shè)置于第二主支撐桿261上且沿支架柱22的徑向方向與第二主支撐環(huán)29間隔嵌套設(shè)置，多個(gè)第二輔支撐桿261設(shè)置于第二輔支撐環(huán)31上且向第二輔支撐環(huán)31的外側(cè)呈放射狀延伸。
[0043]通過(guò)支架2上的第一主支撐環(huán)28以及第二主支撐環(huán)29，第一輔支撐環(huán)30、第二輔支撐環(huán)31，能夠設(shè)置盡可能多的支撐桿，從而設(shè)置盡可能多的支架接頭。
[0044]其中，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于氣相沉積室I側(cè)壁的入口 37以及設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)與入口 37正對(duì)著的降溫分流擋板38，經(jīng)裂解的高分子材料氣體經(jīng)入口 37引入，并經(jīng)降溫分流擋板38冷卻后擴(kuò)散于氣相沉積室I內(nèi)。降溫分流擋板38能夠避免高溫高分子材料氣體直接碰到待鍍膜的產(chǎn)品上,并且裂解后的高分子材料納米氣體遇到降溫分流擋板38后冷卻至室溫并向四周擴(kuò)散。
[0045]其中，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括排氣柱32，排氣柱32呈中空狀且在排氣柱32的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔(圖未示出)，支架柱22呈中空狀且支架柱22的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二通氣孔221，排氣柱32從支架柱22的一端插入支架柱22，支架柱22嵌套設(shè)置于排氣柱32外側(cè)且能夠繞排氣柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，高分子材料裂解氣體經(jīng)第一通氣孔和第二通氣孔221均勻擴(kuò)散并沉積于數(shù)據(jù)線上。
[0046]請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖2，圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的排氣柱的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，排氣柱32側(cè)壁上的多個(gè)第一通氣孔321為長(zhǎng)度方向沿排氣柱的軸向方向設(shè)置的條形孔。更進(jìn)一步地，沿排氣柱32的軸向方向相鄰設(shè)置的第一通氣孔321沿排氣柱32的軸向方向彼此錯(cuò)開(kāi)。以便設(shè)置盡可能多的第一通氣孔321。
[0047]請(qǐng)參閱圖1并結(jié)合參閱圖3，圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的支架柱的結(jié)構(gòu)示意圖，支架柱22側(cè)壁上設(shè)置的多個(gè)第二通氣孔221為圓形孔，且設(shè)置于沿支架柱22的軸向方向相鄰設(shè)置的第一主支撐桿231之間以及沿支架柱22的軸向方向相鄰設(shè)置的第二主支撐桿261之間。以使得氣相沉積室I內(nèi)經(jīng)真空沉積后的殘余氣體能夠均勻地經(jīng)第一通氣孔321以及第二通氣孔221從排氣柱32中抽出。
[0048]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，優(yōu)選地，支架2進(jìn)一步包括密封設(shè)置于支架柱22的另一端的頂蓋33，通過(guò)頂蓋33可以方便提取支架2。
[0049]其中，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還進(jìn)一步包括設(shè)置于氣相沉積室I外側(cè)并與排氣柱32連接的冷卻塔39，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)第二通氣孔221和第一通氣孔321進(jìn)入排氣柱32，進(jìn)一步通過(guò)排氣柱32導(dǎo)入到冷卻塔39中。以避免殘余氣體向外擴(kuò)散，同時(shí)冷卻塔39內(nèi)還裝設(shè)有傳感器，通過(guò)傳感器可以檢測(cè)殘余氣體中高分子材料裂解氣體的含量，并根據(jù)殘余氣體中高分子材料裂解氣體的含量調(diào)節(jié)入口 37，以減少或增加引入氣相沉積室I的高分子裂解氣體的量。
[0050]其中，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè)置于氣相沉積室I外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體34以及設(shè)置于氣相沉積室I內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體，第一旋轉(zhuǎn)磁體34與第二旋轉(zhuǎn)磁體35相互磁性耦合，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(未示出)帶動(dòng)第一旋轉(zhuǎn)磁體34轉(zhuǎn)動(dòng)，第一旋轉(zhuǎn)磁體34帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體35進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)支架柱22能夠繞排氣柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0051]優(yōu)選地，排氣柱32貫穿氣相沉積室I設(shè)置，第一旋轉(zhuǎn)磁體34和第二旋轉(zhuǎn)磁體分別轉(zhuǎn)動(dòng)承座于排氣柱32上且能夠繞排氣柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0052]更優(yōu)選地，排氣柱32貫穿設(shè)置于氣相沉積室的底壁上且沿豎直方向延伸，支架柱22沿豎直方向嵌套至排氣柱32外側(cè)且承座于第二旋轉(zhuǎn)磁體35上。
[0053]其中，更進(jìn)一步地，氣相沉積室I的頂部上設(shè)置有開(kāi)口 36，支架2可以通過(guò)開(kāi)口 36放置于氣相沉積室2中或者從氣相沉積室2中取出。
[0054]請(qǐng)參閱圖4，圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種真空鍍膜設(shè)備，如圖所示，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備包括原料存儲(chǔ)罐3、裂解爐4、氣相沉積室I以及設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)的支架2、降溫分流擋板38、真空泵5、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)6、以及冷卻塔39。
[0055]其中，原料存儲(chǔ)罐3用于存儲(chǔ)用于原料，即用于真空鍍膜的高分子材料，比如Parylene N(聚對(duì)二甲苯)、Parylene C(聚一氯對(duì)二甲苯)和Parylene D (聚二氯對(duì)二甲苯)的至少一種材料的裂解氣體，其中最優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯裂解氣體。并利用其內(nèi)一級(jí)加熱爐(圖未示出)將原料加熱到150度后形成氣態(tài)高分子材料，導(dǎo)入到裂解爐中。
[0056]裂解爐4與原料存儲(chǔ)罐3連接，接收經(jīng)一級(jí)加熱成氣態(tài)的高分子材料，并進(jìn)行二級(jí)加熱到650度后裂解成高分子材料納米氣體，通過(guò)氣相沉積室I側(cè)壁的入口 37將高分子材料納米氣體導(dǎo)入到氣相沉積室I中。
[0057]高分子材料納米氣體從入口 37進(jìn)入后，經(jīng)過(guò)降溫分流擋板降溫38，以避免650度的氣體直接碰到待鍍膜的產(chǎn)品上，裂解后的高分子材料納米氣體遇到降溫分流擋板38后向四周擴(kuò)散。
[0058]真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括排氣柱32、旋轉(zhuǎn)組件7、氣相沉積室I以及設(shè)置于氣相沉積室I內(nèi)的支架2，這些構(gòu)成部分的具體組成以及功能請(qǐng)參閱上述實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)施例不標(biāo)注說(shuō)明。
[0059]本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還包括冷卻塔39，冷卻塔39設(shè)置于氣相沉積室I外側(cè)并與排氣柱32連接，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)支架的支架柱上的第二通氣孔和排氣柱32的第一通氣孔進(jìn)入排氣柱，進(jìn)一步通過(guò)排氣柱32導(dǎo)入到冷卻塔39中。經(jīng)過(guò)冷卻塔39把殘余氣體中的高分子材料氣體迅速凝固，防止其對(duì)外擴(kuò)散。
[0060]本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括真空泵5，真空泵5與上述冷卻塔39連接，以通過(guò)排氣柱32對(duì)氣相沉積室進(jìn)行抽真空，使氣相沉積室I形成真空負(fù)壓，便于高效地實(shí)現(xiàn)氣相沉積。
[0061]更進(jìn)一步地，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)6，通過(guò)同步帶與第一旋轉(zhuǎn)磁體連接，用于驅(qū)動(dòng)第一旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體，進(jìn)而帶動(dòng)氣相沉積室內(nèi)的支架柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0062]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的高分子材料可以是Parylene N(聚對(duì)二甲苯)、Parylene C(聚一氯對(duì)二甲苯)和Parylene D(聚二氯對(duì)二甲苯)的至少一種材料，其中最優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯。
[0063]本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供一種用于真空鍍膜設(shè)備的數(shù)據(jù)線支架，其中，數(shù)據(jù)線支架包括多個(gè)支架接頭，支架接頭與數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線設(shè)置于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)。其中，數(shù)據(jù)線支架的具體構(gòu)成以及結(jié)構(gòu)請(qǐng)參閱上述實(shí)施例中提供的真空鍍膜設(shè)備的支架的相關(guān)描述，在此不再贅述。
[0064]更進(jìn)一步地，在以上提供的真空鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種數(shù)據(jù)線的真空鍍膜方法，該真空鍍膜方法通過(guò)使用上述的真空鍍膜設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行真空鍍膜。請(qǐng)參閱圖5，圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)線的真空鍍膜方法的流程圖，本實(shí)施例數(shù)據(jù)線真空鍍膜的方法包括:
[0065]SlOl:將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線接頭與支架的支架接頭彼此接插固定；
[0066]具體地，將數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線接頭與支架的第一支架接頭接插固定，數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線接頭與支架的第二支架接頭接插固定，并調(diào)整支架的第一支撐桿和第二支撐桿的至少一者沿支架柱的軸向方向的位置，使得設(shè)置于第一支撐桿和第二支撐桿之間的數(shù)據(jù)線平行于支架柱的軸向方向。
[0067]S102:將支架放置于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)，以使數(shù)據(jù)線設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)；
[0068]打開(kāi)真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室上的開(kāi)口，將設(shè)置好數(shù)據(jù)線的支架放置于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)，以使得數(shù)據(jù)線設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)。
[0069]S103:將高分子材料裂解氣體引入氣相沉積室并沉積于數(shù)據(jù)線上，并將殘余氣體從排氣柱抽出。
[0070]從氣相沉積室側(cè)壁入口將高分子材料裂解氣體引入氣相沉積室，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(圖中未示出)驅(qū)動(dòng)真空鍍膜設(shè)備的第一旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)支架柱能夠繞排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。高分子材料裂解氣體經(jīng)降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于氣相沉積室內(nèi)，旋轉(zhuǎn)支架轉(zhuǎn)動(dòng)后在氣相沉積室內(nèi)均勻分布并沉積于數(shù)據(jù)線上。進(jìn)一步通過(guò)排氣柱的第一通氣孔和支架的支架柱上的第二通氣孔均勻抽出殘余氣體，并把殘余氣體從中心殘余氣體排出管排出。經(jīng)過(guò)冷卻塔降溫后實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)殘余氣體中高分子裂解氣體的含量，及時(shí)調(diào)整650度裂解爐的管道開(kāi)口大小，使之實(shí)現(xiàn)高分子沉積效率最大化。真空泵不斷從氣相沉積室抽取真空(抽取氣相沉積后的殘余氣體)使之讓650度裂解爐的裂解納米有機(jī)高分子不斷向氣相沉淀爐擴(kuò)散。
[0071]其中，本實(shí)用新型實(shí)施例中的高分子材料裂解氣體可以Parylene N(聚對(duì)二甲苯)、Parylene C (聚一氯對(duì)二甲苯)和Parylene D (聚二氯對(duì)二甲苯)的至少一種材料的裂解氣體，其中最優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯裂解氣體。
[0072]以上本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空鍍膜設(shè)備、數(shù)據(jù)線支架以及鍍膜方法，通過(guò)與數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)配套的設(shè)計(jì)，從而能夠?qū)?shù)據(jù)線實(shí)行批量真空鍍膜，提高數(shù)據(jù)線真空納米鍍膜的效率以及鍍膜效果，而且在鍍膜過(guò)程中還能保護(hù)數(shù)據(jù)線的接頭部分。
[0073]以上所述僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種真空鍍膜設(shè)備，用于對(duì)數(shù)據(jù)線進(jìn)行真空鍍膜，所述數(shù)據(jù)線一端設(shè)置有第一數(shù)據(jù)線接頭，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)的支架，所述支架包括多個(gè)第一支架接頭，所述第一支架接頭能夠與所述第一數(shù)據(jù)線接頭適配且彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括支架柱以及多個(gè)第一支撐桿，所述多個(gè)第一支撐桿設(shè)置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第一支架接頭間隔設(shè)置于所述第一支撐桿上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一支撐桿上間隔設(shè)置有多個(gè)第一卡槽，所述第一支架接頭固定于所述第一卡槽內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線的另一端設(shè)置有第二數(shù)據(jù)線接頭，所述支架進(jìn)一步包括多個(gè)第二支架接頭以及多個(gè)第二支撐桿，所述多個(gè)第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向相對(duì)于所述第一支撐桿間隔設(shè)置于所述支架柱上且沿所述支架柱的徑向方向放射狀延伸，所述第二支架接頭間隔設(shè)置于所述第二支撐桿上，所述第二支架接頭與所述第二數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第二支撐桿上間隔設(shè)置有多個(gè)第二卡槽，所述第二支架接頭固定于所述第二卡槽內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一支架接頭和所述第二支架接頭對(duì)稱設(shè)置，以使得設(shè)置于所述第一支撐桿和所述第二支撐桿之間的所述數(shù)據(jù)線平行于所述支架柱的軸向方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一支撐桿和所述第二支撐桿中的至少一者沿所述支架柱的軸向方向的位置可調(diào)，進(jìn)而使得所述第一支撐桿與所述第二支撐桿沿所述支架柱的軸向方向的間距可調(diào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括第一主支撐環(huán)和第二主支撐環(huán)，所述第一主支撐環(huán)和所述第二主支撐環(huán)分別與所述支架柱嵌套設(shè)置且沿所述支架柱的軸向方向間隔固定于所述支架柱上，所述第一支撐桿包括多個(gè)第一主支撐桿，所述多個(gè)第一主支撐桿設(shè)置于所述第一主支撐環(huán)上且向所述第一主支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸，所述第二支撐桿包括多個(gè)第二主支撐桿，所述多個(gè)第二主支撐桿設(shè)置于所述第二主支撐環(huán)上且向所述第二主支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括第一輔支撐環(huán)、第二輔支撐環(huán)、多個(gè)第一輔支撐桿和多個(gè)第二輔支撐桿，所述第一輔支撐環(huán)設(shè)置于所述第一主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第一主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)第一輔支撐桿設(shè)置于所述第一輔支撐環(huán)上且向所述第一輔支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸，所述第二輔支撐環(huán)設(shè)置于所述第二主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述第二主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)第二輔支撐桿設(shè)置于所述第二輔支撐環(huán)上且向所述第二輔支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室側(cè)壁的入口以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)與所述入口正對(duì)著的降溫分流擋板，所述入口用于引入高分子材料裂解氣體，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于所述氣相沉積室內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括排氣柱，所述排氣柱呈中空狀且在所述排氣柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔，所述支架柱呈中空狀且所述支架柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二通氣孔，所述排氣柱從所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套設(shè)置于所述排氣柱外側(cè)且能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述第一通氣孔和所述第二通氣孔均勻擴(kuò)散并沉積于所述數(shù)據(jù)線上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一通氣孔為長(zhǎng)度方向沿所述排氣柱的軸向方向設(shè)置的條形孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，沿所述排氣柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述第一通氣孔沿所述排氣柱的軸向方向彼此錯(cuò)開(kāi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括密封設(shè)置于所述支架柱的另一端的頂蓋。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)并與所述排氣柱連接的冷卻塔，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)所述第二通氣孔和所述第一通氣孔進(jìn)入所述排氣柱，進(jìn)一步通過(guò)所述排氣柱導(dǎo)入到所述冷卻塔中。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，所述磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體與所述第二旋轉(zhuǎn)磁體磁性耦合，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)所述第一旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)所述第二旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)所述支架柱能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述排氣柱貫穿所述氣相沉積室設(shè)置，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體和所述第二旋轉(zhuǎn)磁體分別轉(zhuǎn)動(dòng)承座于所述排氣柱上且能夠繞所述排氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述排氣柱貫穿設(shè)置于所述氣相沉積室的底壁上且沿豎直方向延伸，所述支架柱沿所述豎直方向嵌套至所述排氣柱外側(cè)且承座于所述第二旋轉(zhuǎn)磁體上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述氣相沉積室的頂部上設(shè)置有開(kāi)口，所述支架可通過(guò)所述開(kāi)口放置于所述氣相沉積室中或者從所述氣相沉積室中取出。
20.一種用于真空鍍膜設(shè)備的數(shù)據(jù)線支架，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線支架包括多個(gè)支架接頭，所述支架接頭與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線接頭適配且能夠彼此接插固定，進(jìn)而將所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)。
【文檔編號(hào)】C23C14/50GK204224699SQ201420313016
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】文潔, 何自堅(jiān) 申請(qǐng)人:深圳市大富精工有限公司