專利名稱：一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池制備領(lǐng)域，具體涉及一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。
背景技術(shù)：
薄膜型太陽能電池的發(fā)展，以其低損耗、高收益的特性成為未來電池的主要發(fā)展方向。傳統(tǒng)的太陽能電池是在平板基底上制備太陽能電池，這種平板狀的太陽能電池，不僅體積大，搬運(yùn)不方便，而且由于制備條件苛刻，使得設(shè)備投入大，投資風(fēng)險高。為此發(fā)展出管式太陽能電池，不僅解決了平板基底太陽能電池存在的上述問題，并且，這種管狀的結(jié)構(gòu)使得即使太陽在一天中照射角度變化，電池也能保持均勻的吸收熱量，保證發(fā)電量穩(wěn)定。管式太陽能電池從成品率、光吸收利用率及單元電池重量等方面提高了薄膜型太陽能電池的性價比。硫化鎘、硫化鋅、硫化銦、硫鋅鎘薄膜等半導(dǎo)體薄膜作為窗口材料在非硅系太陽能電池中是必需的薄膜，采用濕化學(xué)方法將這類薄膜制備在基底上，會獲得最好的效果。但目前采用濕化學(xué)方法在管式基底上獲得良好的半導(dǎo)體薄膜目前尚有一定難度。目前濕化學(xué)方法的制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備主要包括液體恒溫裝置和反應(yīng)槽，其中，液體恒溫裝置中盛放恒溫液體，反應(yīng)槽密封，內(nèi)部盛放溶液及基底，放置到液體恒溫裝置內(nèi)。這樣，反應(yīng)槽采用壁外加熱方式，通過反應(yīng)槽的外壁的熱傳導(dǎo)使得溶液獲得升溫促成液相反應(yīng)的完成，但這種方式會在反應(yīng)槽的內(nèi)壁以及附近預(yù)先達(dá)到反應(yīng)溫度，形成晶核，結(jié)果就是控制條件良好，會在內(nèi)壁上優(yōu)先獲得高質(zhì)量薄膜，但造成溶質(zhì)的浪費(fèi)，若控制條件不好就會在溶液中形成晶核，最終導(dǎo)致溶液晶核爆發(fā)式生長，在基底上無法生長薄膜，并且附著溶液中的大顆粒，致密性、附著力均較差，薄膜厚度、質(zhì)量無法控制。專利200610031151.9給出在平板基底上制備硫化鎘薄膜，克服以上問題。該專利同樣采用了傳統(tǒng)的將反應(yīng)槽內(nèi)置于恒溫槽的內(nèi)部，反應(yīng)槽采用外部加熱方式，該設(shè)備與傳統(tǒng)的生產(chǎn)設(shè)備不同之處在 于，采用該設(shè)備時將平板基底貼著反應(yīng)槽的內(nèi)壁放置，當(dāng)壁外的恒溫槽內(nèi)的液體加熱后，熱量通過平板基底傳導(dǎo)給反應(yīng)槽里邊的反應(yīng)溶液，使平板基底的溫度高于溶液的溫度，反應(yīng)優(yōu)先在基底上進(jìn)行。但采用該設(shè)備只能在平板基底上制備薄膜，在管式基底上沉積薄膜幾乎是無法實現(xiàn)在表面先形成晶核這個最根本的目的。另外，采用上述設(shè)備，由于從薄膜生長開始到薄膜生長結(jié)束，時間較長，溶液濃度發(fā)生變化，導(dǎo)致薄膜在生長初期與生長末期質(zhì)量不一致，可控性較差。專利01224833.9采用溢流結(jié)構(gòu)解決了這個問題。該專利采用先將原物料及純水在混合槽中混合均勻，再通過管道送入反應(yīng)槽中，通過反應(yīng)槽上的溢流結(jié)構(gòu)，使溶液不斷的得以更新。這樣，一方面可以避免交叉感染，另一方面則可以保證反應(yīng)槽內(nèi)的溶液長時間的濃度穩(wěn)定。這種方法的缺點(diǎn)在于，溶液先被加熱，溶液內(nèi)部成核與基底成核同步，在溶液內(nèi)部成核后，會引發(fā)溶液里的雪崩式生長，從而溶液顆粒多，沉積薄膜質(zhì)量無法保證
發(fā)明內(nèi)容
針對以上現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提出了一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備，采用管內(nèi)加熱方式，再通過管式基底加熱反應(yīng)溶液，可節(jié)約加熱耗能，同時可以使反應(yīng)先在管式基底的外表面優(yōu)先進(jìn)行，節(jié)約溶液且能實現(xiàn)批量生產(chǎn)。本發(fā)明的目的在于提供一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備，用于在管式太陽能電池的管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜，半導(dǎo)體薄膜包括硫化鎘、硫化鋅、硫化銦及硫鋅鎘薄膜等。本發(fā)明的在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備包括:液相循環(huán)加熱系統(tǒng)和反應(yīng)槽；其中，液相循環(huán)加熱系統(tǒng)包括高溫加熱箱、輸出管及回流管；反應(yīng)槽內(nèi)盛放反應(yīng)溶液，相對的兩壁面的相應(yīng)位置設(shè)置有通孔，管式基底通過基底接口從通孔密封插入反應(yīng)槽，并通過基底接口分別與輸出管和回流管連接；高溫加熱箱內(nèi)盛放加熱液體,加熱液體通過輸出管流入管式基底的內(nèi)壁，再通過回流管流回到高溫加熱箱。本發(fā)明采用液相循環(huán)加熱系統(tǒng)，加熱液體流入管式基底的內(nèi)壁，從內(nèi)部對管式基底加熱，再通過管式基底加熱反應(yīng)溶液，在反應(yīng)溶液水浴沉積過程中，由于內(nèi)部加熱，使管式基底的管壁的溫度較反應(yīng)溶液的其他部分優(yōu)先到達(dá)反應(yīng)溫度，形成薄膜，在遠(yuǎn)離管壁的地方，反應(yīng)溶液可以以常溫狀態(tài)存在，而不影響半導(dǎo)體薄膜生長的進(jìn)行。因此，節(jié)約加熱耗能，同時能夠使反應(yīng)先在管式基底的外壁優(yōu)先進(jìn)行，從而節(jié)約溶液，實現(xiàn)批量生產(chǎn)。反應(yīng)槽的相對的兩壁面的相應(yīng)位置設(shè)置有通孔，通孔的尺寸與管式基底的外壁的尺寸相匹配，從而管式基底從通孔插入反應(yīng)槽內(nèi)，通過基底接口與反應(yīng)槽密封，并且基底接口將管式基底分別與液相循 環(huán)加熱系統(tǒng)的輸出管和回流管密封連接。反應(yīng)溶液密封在反應(yīng)槽中，在反應(yīng)槽內(nèi)無蒸汽氣壓存在，因此可以減少反應(yīng)溶液中可揮發(fā)溶質(zhì)的濃度波動，提高半導(dǎo)體薄膜生長條件的穩(wěn)定性。進(jìn)一步，反應(yīng)槽的相對的兩壁面的相應(yīng)位置設(shè)置有多對通孔，從而多個管式基底分別通過基底接口從通孔插入反應(yīng)槽中。連接管將各個相鄰的管式基底依次首尾串聯(lián)連接，連接管與管式基底之間通過基底接口密封連接。從而，高溫加熱箱的加熱液體從輸出管流入第一個管式基底，通過連接相鄰的管式基底的連接管以S形依次流經(jīng)每個管式基底，從最后一個管式基底流出，通過回流管流回高溫加熱箱，如此反復(fù)循環(huán)，保證反應(yīng)過程中，加熱溫度持續(xù)穩(wěn)定，并節(jié)約能源。進(jìn)一步，在輸出管上設(shè)置有液泵和閥門。由于采用獨(dú)立恒溫的高溫加熱箱提供高溫的加熱液體熱源，輸入至管式基底的內(nèi)壁，使得半導(dǎo)體薄膜沉積的溫度穩(wěn)定，實現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜沉積的高重復(fù)性。進(jìn)一步，本發(fā)明還包括反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)。溢流循環(huán)系統(tǒng)包括:N個原液容器、配液槽和溢出槽；其中，N個原液容器分別通過各自的管道連接至配液槽；配液槽通過管道連接至反應(yīng)槽；反應(yīng)槽通過管道從頂壁連接至溢出槽；溢出槽通過管道從頂壁連接至配液槽，N為自然數(shù)。從而，形成溶液循環(huán)的溢流結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)溶液的實時更新，減少由于反應(yīng)過程導(dǎo)致濃度降低對后期反應(yīng)過程的影響；采用溢出液調(diào)節(jié)濃度后循環(huán)利用方式，降低廢液排放量，減少溶液注入量。N種原液分別通過各自的原液管流入配液槽，但由于在常溫狀態(tài)下溶液自發(fā)反應(yīng)，降低了溶液的穩(wěn)定性，及導(dǎo)致濃度變化。為解決這個問題，本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置有儲液槽，儲液槽處于冷藏環(huán)境，配液槽通過管道連接至儲液槽，儲液槽經(jīng)過管道連接至反應(yīng)槽。儲液槽通過管道從反應(yīng)槽的底部連接至反應(yīng)槽，從而反應(yīng)溶液從下面注入反應(yīng)槽，避免了注入過程中反應(yīng)溶液產(chǎn)生氣泡。配液槽與儲液槽分離，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與突發(fā)事故導(dǎo)致濃度變化的可控性。配液槽、儲液槽和溢出槽的頂部設(shè)置有各自的液位計。各個管道上分別設(shè)置有各自的液泵和閥門。進(jìn)一步，溢流循環(huán)系統(tǒng)還包括廢液處理槽，溢出槽通過管道從底部連接至廢液處理槽。溢出槽中設(shè)置有分離機(jī)構(gòu)，排放掉沉淀或者濃度高的溶液到廢液處理槽中；保留低濃度溶液，當(dāng)溢出槽液面到達(dá)液位計位置后，開啟溢出槽與配液槽之間的管道上的液泵和閥門,將溢出槽頂部的液體循環(huán)回收到配液槽。廢液處理槽與溢出槽分離,提高廢液循環(huán)利用的可控性。進(jìn)一步，本發(fā)明還包括檢測控制中心，通過控制線分別連接至N個原液容器與配液槽相連接的管道上的各個閥門及配液槽與儲液槽相連接的管道上的閥門。檢測控制中心由工控機(jī)、參比電極、濃度測試儀器等一系列檢測設(shè)備組成。由于在生產(chǎn)過程中配液槽的溶液來源較為復(fù)雜，不僅包括N個原液容器中的液體，還包括溢出槽回收的溶液，合理的調(diào)控反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)，才能保證反應(yīng)槽內(nèi)溶液的濃度穩(wěn)定，提高原料利用率。檢測控制中心的主要功能是提取配液槽的反應(yīng)溶液的濃度信號，控制閥門的開啟與關(guān)閉，不僅控制著反應(yīng)槽中半導(dǎo)體薄膜沉積的時間，同時也可以維持反應(yīng)槽內(nèi)反應(yīng)溶液的濃度穩(wěn)定，保證在管式基底上沉積的半導(dǎo)體薄膜的質(zhì)量。本發(fā)明可應(yīng)用于采用濕化學(xué)方法在管式基底的外壁沉積半導(dǎo)體薄膜，其中濕化學(xué)方法包括:水浴沉積、電解沉積及噴涂沉積等采用溶液為基礎(chǔ)的沉積方法。半導(dǎo)體薄膜包括:以II B、IIIB的金屬M(fèi)，VIA非金屬元素X以及(OH)-離子構(gòu)成的MX化合物薄膜與M(OH)化合物薄膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):1)本發(fā)明設(shè)備用于在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜，采用單槽多管方式，加熱液體流入管式基底的內(nèi)壁，從內(nèi)部對管式基底加熱，再通過管式基底加熱反應(yīng)溶液，在反應(yīng)溶液水浴沉積過程中，由于內(nèi)部加熱，使管式基底的管壁的溫度較反應(yīng)溶液的其他部分優(yōu)先到達(dá)反應(yīng)溫度，形成薄膜，在遠(yuǎn)離管壁的地方，反應(yīng)溶液可以以常溫狀態(tài)存在，而不影響半導(dǎo)體薄膜生長的進(jìn)行，節(jié)約加熱耗能，同時能夠使反應(yīng)先在管式基底的外壁優(yōu)先進(jìn)行，從而節(jié)約溶液，實現(xiàn)批量生產(chǎn)；2)本發(fā)明采用獨(dú)立恒溫的高溫加熱箱提供高溫的加熱液體作為熱源，輸入至管式基底的內(nèi)壁，使得半導(dǎo)體薄膜沉積的溫度穩(wěn)定，實現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜沉積的高重復(fù)性；3)本發(fā)明進(jìn)一步采用反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)與液相循環(huán)加熱系統(tǒng)相結(jié)合，將溢流結(jié)構(gòu)與管式基底的內(nèi)部加熱有效的結(jié)合；采用反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)實現(xiàn)溶液的實時更新，減少由于反應(yīng)過程導(dǎo)致濃度降低對后期反應(yīng)過程的影響，采用將溢出液調(diào)節(jié)濃度后循環(huán)利用方式，降低廢液排放量，減少溶液注入量；4)本發(fā)明反應(yīng)溶液密封在反應(yīng)槽中，在反應(yīng)槽內(nèi)無蒸汽氣壓存在，因此可以減少反應(yīng)溶液中可揮發(fā)溶質(zhì)的濃度波動，提高半導(dǎo)體薄膜生長條件的穩(wěn)定性；5)本發(fā)明采用配液槽與儲液槽分離，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與突發(fā)事故導(dǎo)致濃度變化的可控性，采用廢液處理槽與溢出槽分離，提高廢液循環(huán)利用的可控性；6)本發(fā)明特別適用在各種管式基底上沉積半導(dǎo)體薄膜的工業(yè)化批量生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明的在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖，通過實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。如圖1所示，本發(fā)明的在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備包括:液相循環(huán)加熱系統(tǒng)、反應(yīng)槽2、反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)及檢測控制中心8 ;其中，液相循環(huán)加熱系統(tǒng)包括高溫加熱箱11、輸出管12及回流管13 ;反應(yīng)槽2內(nèi)盛放反應(yīng)溶液，頂壁和底壁的相應(yīng)位置設(shè)置有多對通孔，多個管式基底O分別通過基底接口 21從通孔插入反應(yīng)槽2，并通過基底接口 21分別與輸出管12和回流管13連接；高溫加熱箱11內(nèi)盛放加熱液體，加熱液體通過輸出管12流入管式基底O的內(nèi)壁，通過連接相鄰的管式基底的連接管22以S形依次流經(jīng)每個管式基底0，從最后一個管式基底O流出，再通過回流管13流回到高溫加熱箱11。溢流循環(huán)系統(tǒng)包括:N個原液容器31 3N、配液槽4、儲液槽5、溢出槽6和廢液處理槽7 ;其中，N個原液容器31 3N分別通過各自的管道連接至配液槽4 ;配液槽4通過管道連接至儲液槽5 ;儲液槽5通過管道從底部連接至反應(yīng)槽2 ;反應(yīng)槽2通過管道從頂壁連接至溢出槽6 ;溢出槽6通過管道從頂壁連接至配液槽4，溢出槽6通過底部的管道連接至廢液處理槽7，N為自然數(shù)。配液槽4、儲液槽5和溢出槽6的頂部分別設(shè)置有各自的液位計44、54和64。N個原液容器31 3N與配液槽4相連接的各個管道上、配液槽4與儲液槽5相連接的管道上、儲液槽5與反應(yīng)槽2相連接的管道上、溢出槽6與配液槽4相連接的管道上以及輸出管12上，分別設(shè)置有各自的閥門和液泵V31 V3N和P31 P3N、V4和P4、V5和P5、V6和P6以及 V12 和 P12。檢測控制中心8通過控制線分別連接至各個閥門V31 V3N及V4。在配液槽4與檢測控制中心8的連接處設(shè)置有三通閥門41。下面以在管式基底上制備硫化鎘薄膜為例，具體說明本生產(chǎn)設(shè)備的工作，本實施例的控制過程包括以下步驟:(各步驟的工藝要求為本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)):I)首先將原料單溶質(zhì)溶液從N個原液容器31 3N流至配液槽中混合，并達(dá)到過飽和濃度，攪拌均勻后，檢測控制中心8抽樣檢測混合液濃度，根據(jù)檢測結(jié)果，通過控制閥門V31 V3N調(diào)節(jié)各溶液的配比，直到配液槽4的濃度達(dá)到反應(yīng)濃度；2)開啟閥門V4，將配液槽4內(nèi)的溶液轉(zhuǎn)移到儲液槽5內(nèi)備用，并控制儲液槽5的濃度穩(wěn)定，溫度較低，成為反應(yīng)槽2的反應(yīng)溶液源；3)當(dāng)儲液槽5的液面達(dá)到液位計54的位置后，開啟閥門V5與水泵P5將混合均勻的反應(yīng)溶液打入反應(yīng)槽2中；4)在反應(yīng)槽2內(nèi) 的反應(yīng)溶液滿，并在溢流口有溢出溶液時，開啟閥門V12，即開啟液相循環(huán)加熱系統(tǒng)，管式基底O得到加熱，管式基底O的外壁達(dá)到鍍膜溫度，開始生長硫化
鎘薄膜；5)在溢出槽6中，通過分離機(jī)構(gòu)，排放掉沉淀或者濃度高的溶液到廢液處理槽7中，保留低濃度溶液，當(dāng)溢出槽6的液面到達(dá)液位計64的位置后，開啟液泵P6與閥門V6，將溢出槽6頂部的溶液循環(huán)回收到配液槽4中，并重復(fù)步驟I)的工作。最后需要注意的是，公布實施方式的目的在于幫助進(jìn)一步理解本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明及所附的權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)，各種替換和修改都是可能的。因此，本發(fā)明不應(yīng)局限于實施例所公開的內(nèi)容，本發(fā)明要求保護(hù)的范圍以權(quán)利要求書界定的范圍為 準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備，用于在管式太陽能電池的管式基底(O)上制備半導(dǎo)體薄膜，其特征在于，所述生產(chǎn)設(shè)備包括:液相循環(huán)加熱系統(tǒng)和反應(yīng)槽(2)；其中，所述液相循環(huán)加熱系統(tǒng)包括高溫加熱箱(11)、輸出管(12)及回流管(13);所述反應(yīng)槽(2)內(nèi)盛放反應(yīng)溶液，相對的兩壁面的相應(yīng)位置設(shè)置有通孔，管式基底(O)通過基底接口(21)從通孔密封插入反應(yīng)槽(2)，并通過所述基底接口(21)分別與輸出管(12)和回流管(13)連接；所述高溫加熱箱(11)內(nèi)盛放加熱液體，加熱液體通過輸出管(12)流入管式基底(O)的內(nèi)壁，再通過回流管(13)流回到高溫加熱箱(11)。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)槽(2)的相對的兩壁面的相應(yīng)位置設(shè)置有多對通孔，從而多個管式基底(O)分別通過基底接口(21)從通孔插入反應(yīng)槽(2)中，連接管(22)將各個相鄰的管式基底(O)依次首尾串聯(lián)連接，所述連接管(22)與管式基底(O )之間通過所述基底接口( 21)密封連接。
3.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步，所述生產(chǎn)設(shè)備還包括反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)，所述溢流循環(huán)系統(tǒng)包括:N個原液容器(31 3N)、配液槽(4)和溢出槽(6);其中，所述N個原液容器(31 3N)分別通過各自的管道連接至配液槽(4);所述配液槽(4)通過管道連接至反應(yīng)槽(2);所述反應(yīng)槽(2)通過管道從頂壁連接至溢出槽(6);所述溢出槽(6)通過管道從頂壁連接至配液槽(4)，N為自然數(shù)。
4.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步所述溢流循環(huán)系統(tǒng)設(shè)置有儲液槽(5)，儲液槽(5)處于冷藏環(huán)境，所述配液槽(4)通過管道連接至儲液槽(5)，所述儲液槽(5 )經(jīng)過管道連接至反應(yīng)槽(2 )。
5.如權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述配液槽(4)、儲液槽(5)和溢出槽(6)的頂部設(shè)置有各自的液位計(44)、(54)和(64)。
6.如權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述N個原液容器(31 3N)31 3N與配液槽(4)相連接的各個管道上、配液槽(4)與儲液槽(5)相連接的管道上、儲液槽(5)與反應(yīng)槽(2)相連接的管道上以及溢出槽(6)與配液槽(4)相連接的管道上，分別設(shè)置有各自的閥門和液泵(V31 V3N)和(P31 P3N)、(V4)和(P4)、(V5)和(P5)以及(V6)和(P6)。
7.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括檢測控制中心(8)，通過控制線分別連接至所述N個原液容器(31 3N)與配液槽(4)相連接的管道上的各個閥門(V31 V3N)及所述配液槽(4)與儲液槽(5)相連接的管道上的閥門(V4)。
8.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述溢流循環(huán)系統(tǒng)還包括廢液處理槽(7),所述溢出槽(6)通過管道從底部連接至廢液處理槽(7)。
9.如權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述儲液槽(5)通過管道從反應(yīng)槽(2)的底部連接至反應(yīng)槽(2)。
10.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，在所述液相循環(huán)加熱系統(tǒng)的輸出管(12)上設(shè)置有液泵(P12)和閥門(V12)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在管式基底上制備半導(dǎo)體薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。本發(fā)明采用單槽多管方式，加熱液體流入管式基底的內(nèi)壁，從內(nèi)部對管式基底加熱，再通過管式基底加熱反應(yīng)溶液，反應(yīng)溶液可以以常溫狀態(tài)存在，而不影響半導(dǎo)體薄膜生長的進(jìn)行，能夠使反應(yīng)先在管式基底的外壁優(yōu)先進(jìn)行，從而節(jié)約溶液；采用獨(dú)立恒溫的高溫加熱箱提供高溫的加熱液體作為熱源，使得半導(dǎo)體薄膜沉積的溫度穩(wěn)定，實現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜沉積的高重復(fù)性；進(jìn)一步采用將溢流結(jié)構(gòu)與管式基底的內(nèi)部加熱有效的結(jié)合；采用反應(yīng)溶液溢流循環(huán)系統(tǒng)實現(xiàn)溶液的實時更新，減少濃度降低對后期反應(yīng)過程的影響，降低廢液排放量，減少溶液注入量。本發(fā)明適用在各種管式基底上沉積半導(dǎo)體薄膜的工業(yè)化批量生產(chǎn)。
文檔編號C23C18/00GK103103503SQ20131002770
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月24日
發(fā)明者焦飛, 江濤, 趙夔, 陸真冀 申請人:北京大學(xué)