專利名稱：膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置及其鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及膜產(chǎn)品領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置及其鍍膜方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜的特點(diǎn)是在太陽(yáng)能光譜范圍(0. 3 2. 5微米)內(nèi)具有較高的吸收率，在紅外區(qū)域(2 10微米)有很低的發(fā)射率，它能把低能量密度的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成高能量密度的熱能，以將太陽(yáng)能富集起來(lái)，提高太陽(yáng)能光熱轉(zhuǎn)換效率，是太陽(yáng)能熱利用研究工作中受到重視的一項(xiàng)內(nèi)容。我國(guó)在近二三十年的研究中，主要的成果限于低溫利用，應(yīng)用領(lǐng)域包括有生活洗浴、游泳池加熱、海水淡化、采暖、干燥、養(yǎng)殖等方面。但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，中高溫利用有更好地前景和應(yīng)用。以太陽(yáng)能高溫發(fā)電為例，太陽(yáng)能熱發(fā)電主要系把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為熱量，產(chǎn)生的熱使工質(zhì)沸騰，產(chǎn)生的蒸汽推動(dòng)渦輪機(jī)發(fā)電，這樣就可以減少常規(guī)能源發(fā)電，減少對(duì)環(huán)境的污染，有利于節(jié)能減排。根據(jù)吸收太陽(yáng)光的原理和薄膜結(jié)構(gòu)不同，選擇性吸收薄膜的基本類型有半導(dǎo)體薄膜、光干涉薄膜、多層漸變薄膜、金屬陶瓷薄膜和多孔薄膜等。這些薄膜具有的吸收太陽(yáng)能的特性，不僅跟薄膜的物質(zhì)成分配比有關(guān)系，還跟薄膜的厚薄有很大的關(guān)系。然而，配合利用現(xiàn)有的鍍膜裝置和鍍膜方法做出的薄膜結(jié)構(gòu)上每一區(qū)域上的成分和厚度基本相同，一次噴鍍得到的薄膜結(jié)構(gòu)其可選擇性非常地單一，因此，利用現(xiàn)有之鍍膜裝置和鍍膜方法來(lái)選擇出具有最優(yōu)光學(xué)性能的薄膜結(jié)構(gòu)是一件工作量大而且復(fù)雜的事情，并且還會(huì)延長(zhǎng)研發(fā)周期、增加研發(fā)成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置及其鍍膜方法，其能有效解決利用現(xiàn)有之鍍膜裝置和鍍膜方法難以選擇出最優(yōu)光學(xué)性能之薄膜的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下之技術(shù)方案
一種膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，包括有真空鍍膜室以及安裝于該真空鍍膜室中的工件架、濺射靶和掩模板；該濺射靶設(shè)置于工件架外，濺射靶用于朝向工件架噴鍍物質(zhì)；該掩模板上設(shè)置有?？?，掩模板可活動(dòng)地設(shè)置于工件架和濺射靶之間用于控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍。作為一種優(yōu)選方案，所述濺射靶至少為兩個(gè)，它們用于朝向工件架噴鍍不同的物質(zhì)；該掩模板為兩個(gè)，它們分別是第一掩模板和第二掩模板，該第一掩模板可橫向活動(dòng)地設(shè)置，第一掩模板上設(shè)置有第一?？?；該第二掩模板可縱向移動(dòng)地設(shè)置，第二掩模板上設(shè)置有第二?？住Ｗ鳛橐环N優(yōu)選方案，所述第一掩模板的移動(dòng)頻率大于第二掩模板的移動(dòng)頻率，當(dāng)?shù)谝谎谀０咫p向來(lái)回移動(dòng)的次數(shù)為20 200時(shí)，該第二掩模板單向移動(dòng)一次。
作為一種優(yōu)選方案，所述第一掩模板和第二掩模板均平行于工件架移動(dòng)，該第一掩模板和第二掩模板分別由第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)移動(dòng)。作為一種優(yōu)選方案，針對(duì)每一濺射靶，于該掩模板和濺射靶之間設(shè)置有用于根據(jù)情況阻擋濺射靶向工件架噴鍍物質(zhì)的活動(dòng)擋板。作為一種優(yōu)選方案，所述活動(dòng)擋板通過(guò)一驅(qū)動(dòng)缸體可活動(dòng)地伸出或縮回，該驅(qū)動(dòng)缸體固定于真空鍍膜室上，驅(qū)動(dòng)缸體可活動(dòng)地伸出有連接桿，該活動(dòng)擋板安裝于該連接桿的尾端。一種如權(quán)利要求1所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置的鍍膜方法，包括的步驟有
(1)將基板置于工件架上；
(2)利用濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)，利用掩模板控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍，并控制物質(zhì)的噴鍍量以及控制掩模板的移動(dòng)速度和方向，使得在基板上噴鍍至少一厚度逐漸增厚或逐漸減薄的物質(zhì)層。作為一種優(yōu)選方案，在步驟(2)中采用兩個(gè)濺射靶進(jìn)行噴鍍，其中一個(gè)濺射靶用于噴鍍A物質(zhì)，另一個(gè)濺射靶噴鍍B物質(zhì)，在噴鍍過(guò)程中，利用兩濺射靶向工件架噴鍍A物質(zhì)和B物質(zhì)，以使在基板形成有由復(fù)數(shù)第一物質(zhì)層和第二物質(zhì)層疊合一起的薄膜結(jié)構(gòu)；且在采用兩濺射靶進(jìn)行噴鍍的過(guò)程中配合采用兩個(gè)掩模板，控制兩掩模板的移動(dòng)速度，以使得該薄膜結(jié)構(gòu)的厚度從一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚。作為一種優(yōu)選方案，利用活動(dòng)擋板可活動(dòng)地伸出而阻擋濺射靶向基板噴鍍物質(zhì)， 根據(jù)需要向工件架噴鍍A物質(zhì)或B物質(zhì)。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知
一、通過(guò)將掩模板可活動(dòng)地設(shè)于工件架和濺射靶之間，利用掩模板控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍，該濺射靶噴出的物質(zhì)量可控，掩模板移動(dòng)的方向和速度亦可控，以使得噴鍍出來(lái)的薄膜結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域的成分配比和厚度均可控可知，只需一次噴鍍就可以得到無(wú)數(shù)個(gè)成分配比和厚度不一樣的區(qū)域，從而可快速輕易地選出具有最優(yōu)光學(xué)性能的薄膜結(jié)構(gòu)，并獲取該薄膜結(jié)構(gòu)的成分配比和厚度，大大減少選膜的工作量，降低選膜難度，從而縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。二、通過(guò)設(shè)置有第一掩模板和第二掩模板，利用該第一掩模板控制單個(gè)物質(zhì)層的厚度，利用第二掩模板控制復(fù)數(shù)個(gè)物質(zhì)層疊合一起形成薄膜結(jié)構(gòu)的厚度，以使薄膜結(jié)構(gòu)上可選擇的區(qū)域更密集更多，更加方便人們快速選出光學(xué)性能較佳的薄膜結(jié)構(gòu)，并且還可以建立完善的數(shù)據(jù)庫(kù)，以便后續(xù)選擇調(diào)取需要。三、通過(guò)針對(duì)每一濺射靶，于濺射靶和掩模板之間設(shè)置有活動(dòng)擋板，利用該活動(dòng)擋板可活動(dòng)地伸出而阻擋濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)，從而可根據(jù)需要向工件架噴鍍不同的物質(zhì)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操控方便。為更清楚地闡述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。


圖1是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例的正面示意圖；圖2是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖3是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中圖2的局部放大示意圖； 圖4是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中圖2的第一狀態(tài)示意圖； 圖5是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中圖2的第二狀態(tài)示意圖； 圖6是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中圖2的第三狀態(tài)示意圖； 圖7是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中單個(gè)物質(zhì)層的截面圖； 圖8是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中多個(gè)物質(zhì)層疊合一起的截面圖； 圖9是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中多個(gè)物質(zhì)層疊合一起的立體視圖； 圖10是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中另一種多個(gè)物質(zhì)層疊合一起的截面圖； 圖11是本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例中第三種多個(gè)物質(zhì)層疊合一起的截面圖； 圖12是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例的正面示意圖； 圖13是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖； 圖14是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例中圖13的局部放大示意圖； 圖15是本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例中多個(gè)物質(zhì)層疊合一起的立體視圖。附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明 10、真空鍍膜室 30、濺射靶 41、?？?51、傳動(dòng)鏈條 60、活動(dòng)擋板 71、連接桿 102、第一物質(zhì)層
81、第一掩模板
82、第二掩模板 91、第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖11所示，其顯示出了本發(fā)明之第一較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，包括有真
空鍍膜室10以及安裝于該真空鍍膜室10中的工件架20、濺射靶30和掩模板40。其中，該工件架20用于置放需要進(jìn)行鍍膜的基板，該濺射靶30設(shè)置于工件架20 外，濺射靶30用于朝向工件架20噴鍍物質(zhì)，如圖1所示，本實(shí)施例的鍍膜裝置為立式鍍膜裝置，該濺射靶30位于工件架20的下方，該濺射靶30和工件架20的相對(duì)位置不予局限， 只需使該濺射靶30能夠朝向工件架20噴鍍物質(zhì)即可，本實(shí)施例中具有兩個(gè)濺射靶30，該兩濺射靶30用于朝向工件架20噴鍍不同的物質(zhì)，當(dāng)然亦可單獨(dú)使用一個(gè)濺射靶30對(duì)工件架20進(jìn)行噴鍍作業(yè)，當(dāng)噴鍍物質(zhì)多于兩種時(shí)，亦可根據(jù)情況增加濺射靶30的數(shù)量，本實(shí)施例以使用兩個(gè)濺射靶30分別噴鍍兩種不同的物質(zhì)為例說(shuō)明，濺射靶30的數(shù)量不予局限。該掩模板40可活動(dòng)地設(shè)置于工件架20和濺射靶30之間，掩模板40用于控制濺射靶30朝向工件架20噴鍍物質(zhì)的范圍。本實(shí)施例中的掩模板40位于濺射靶30的上方， 該掩模板40上設(shè)置有?？?1，該?？?1為長(zhǎng)方形，當(dāng)然亦可根據(jù)產(chǎn)品的需要設(shè)計(jì)成其他各種形狀，該掩模板40由驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)50帶動(dòng)而平行于工件架20移動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)50包括有
20、工件架 40、掩模板 50、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) 52、轉(zhuǎn)軸 70、驅(qū)動(dòng)缸體 101、基板 103、第二物質(zhì)層 811、第一?？?821、第二模孔 92、第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。傳動(dòng)鏈條51和轉(zhuǎn)軸52，該掩模板40固定于傳動(dòng)鏈條51上隨傳動(dòng)鏈條51同步橫向來(lái)回移動(dòng)，該轉(zhuǎn)軸52直接帶動(dòng)傳動(dòng)鏈條51轉(zhuǎn)動(dòng)。以及，針對(duì)前述每一濺射靶30，于掩模板40和濺射靶30之間設(shè)置有活動(dòng)擋板60， 該活動(dòng)擋板60用于根據(jù)情況阻擋濺射靶30朝向工件架20噴鍍物質(zhì)，每一活動(dòng)擋板60對(duì)應(yīng)通過(guò)一驅(qū)動(dòng)缸體70可活動(dòng)地伸出或縮回，該驅(qū)動(dòng)缸體70固定于真空鍍膜室10上，該驅(qū)動(dòng)缸體70為氣壓式驅(qū)動(dòng)缸體，亦可為液壓式驅(qū)動(dòng)缸體，驅(qū)動(dòng)缸體70可活動(dòng)地伸出有連接桿 71，該活動(dòng)擋板60安裝于連接桿71的尾端。當(dāng)活動(dòng)擋板60伸出時(shí)，該活動(dòng)擋板60擋住對(duì)應(yīng)的濺射靶30，使得對(duì)應(yīng)的濺射靶30不可朝向工件架20噴鍍物質(zhì)，當(dāng)活動(dòng)擋板60縮回時(shí)， 對(duì)應(yīng)的濺射靶30可朝向工件架30噴鍍物質(zhì)。詳述本實(shí)施例的鍍膜方法如下 首先，將基板101置于工件架20上。接著，利用濺射靶30朝向工件架20上的基板101噴鍍物質(zhì)，利用掩模板40控制濺射靶30朝向工件架20噴鍍物質(zhì)的范圍，并控制物質(zhì)的噴射量以及控制掩模板40的移動(dòng)速度和方向，以此使得在基板101上形成一薄膜結(jié)構(gòu)，具體的步驟為
(1)如圖3所示，原始位置時(shí)，該掩模板40位于基板101的上方而遮擋住基板101。接著，啟動(dòng)兩濺射靶30，其中一濺射靶30用于朝向工件架20噴鍍A物質(zhì)，另一濺射靶30用于朝向工件架20噴鍍B物質(zhì)，該A物質(zhì)為金屬，該B物質(zhì)為氧化物，并且，用于朝向工件架20 噴鍍B物質(zhì)的濺射靶30被活動(dòng)擋板60阻擋，只能使用其中的一濺射靶30朝向工件架20 噴鍍A物質(zhì)，同時(shí)，該掩模板40在驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)50的帶動(dòng)下相對(duì)基板101橫向正向平移，使得基板101露出掩模板40，如圖4所示，由濺射靶30噴出的A物質(zhì)經(jīng)過(guò)掩模板40的?？?1 噴鍍于基板101的表面上。接著，如圖5所示，該掩模板40繼續(xù)沿相同的方向相對(duì)基板101 橫向移動(dòng)，直至基板101被掩模板40遮擋，該濺射靶30在掩模板40移動(dòng)的過(guò)程中不停止朝向工件架20噴鍍A物質(zhì)，當(dāng)基板101被掩模板40遮擋后，通過(guò)活動(dòng)擋板60阻擋濺射靶 30向工件架20噴鍍A物質(zhì)，至此在該基板101的表面上形成一第一物質(zhì)層102，該第一物質(zhì)層102的厚度從一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚(如圖7所示)。(2)如圖6所示，利用濺射靶30朝向工件架20噴鍍B物質(zhì)，同時(shí)使掩模板40相對(duì)基板101反向移動(dòng)，以使得該基板101再次露出掩模板40的?？?1，由濺射靶30噴出的B 物質(zhì)經(jīng)過(guò)?？?1噴鍍于基板101上，該掩模板40繼續(xù)相對(duì)基板101反向移動(dòng)，直至掩模板 40回到原始位置上而遮擋住基板101，至此于該基板101上形成一第二物質(zhì)層103，該第二物質(zhì)層103的厚度從一側(cè)向另一側(cè)逐漸減薄(如圖8所示)，且該第二物質(zhì)層103疊于第一物質(zhì)層102上。(3)然后，利用濺射靶30繼續(xù)朝向工件架20噴鍍B物質(zhì)，同時(shí)使掩模板40相對(duì)基板101正向移動(dòng)直至基板被掩模板40遮擋，停止噴鍍B物質(zhì)。接著，改用濺射靶30朝向工件架20噴鍍A物質(zhì)，同時(shí)使掩模板40相對(duì)基板101反向移動(dòng)，直至掩模板40再次回到原始位置而將基板101遮擋，至此，于基板101上噴鍍有四層物質(zhì)層(如圖8所示)。重復(fù)以上步驟(1)至步驟(3)，使濺射靶30朝向工件架20噴鍍A物質(zhì)和B物質(zhì)， 控制A物質(zhì)和B物質(zhì)的噴出量，并配合來(lái)回移動(dòng)掩模板40，使得基板101上形成一薄膜結(jié)構(gòu)，如圖8和圖9所示，該薄膜結(jié)構(gòu)呈一方形體，薄膜結(jié)構(gòu)由復(fù)數(shù)個(gè)第一物質(zhì)層102和第二物質(zhì)層103疊合一起形成，其中該薄膜結(jié)構(gòu)的一側(cè)為百分百配比的A物質(zhì)，薄膜結(jié)構(gòu)的另一側(cè)為百分百配比的B物質(zhì)。當(dāng)然該薄膜結(jié)構(gòu)亦可只有一個(gè)物質(zhì)層，物質(zhì)層的數(shù)量不以限制。需要特別說(shuō)明的是若在前述步驟(2)中，采用兩個(gè)濺射靶30分別同時(shí)朝向基板 101噴鍍A物質(zhì)和B物質(zhì)時(shí)，形成的第二物質(zhì)層103中含有A物質(zhì)和B物質(zhì)(如圖10所示)。 若在前述步驟(1)采用一個(gè)濺射靶30向基板101噴鍍B物質(zhì)時(shí)，該第一物質(zhì)層102只含有 B物質(zhì)，同時(shí)在步驟(2)中采用兩個(gè)濺射靶30分別同時(shí)朝向基板101噴鍍A物質(zhì)和B物質(zhì)時(shí)，形成的第二物質(zhì)層103中含有A物質(zhì)和B物質(zhì)(如圖11所示)。因此第一物質(zhì)層102和第二物質(zhì)層103所含的物質(zhì)成分不以為限，其可為單一的純凈物，亦可為兩種或兩種以上的混合物，并且通過(guò)控制掩模板40和濺射靶30，該第一物質(zhì)層102和第二物質(zhì)層103疊合方式亦可多種多樣。本發(fā)明應(yīng)用于各種膜產(chǎn)品的選膜研發(fā)中，如太陽(yáng)能選擇性吸收膜，尤其是適合于由兩種或兩種成分組成的膜產(chǎn)品的選膜研發(fā)中，這些膜產(chǎn)品可以為單獨(dú)的薄膜結(jié)構(gòu)，也可以為以噴鍍或粘結(jié)附著于某載體上的膜結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D12至圖15所示，其顯示出了本發(fā)明之第二較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)與前述第一較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)基本相同，所不同的是
本實(shí)施例中具有兩個(gè)掩模板，它們分別是第一掩模板81和第二掩模板82，該第一掩模板81通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)91可橫向活動(dòng)地設(shè)置，第一掩模板81上設(shè)置有第一?？?11。該第二掩模板82位于第一掩模板81的下方，第二掩模板82通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)92可縱向移動(dòng)地設(shè)置，第二掩模板82上設(shè)置有第二?？?21，并且該第二掩模板82的移動(dòng)頻率小于第一掩模板81的移動(dòng)頻率，當(dāng)?shù)谝谎谀０?1雙向來(lái)回移動(dòng)的次數(shù)為20 200時(shí)，該第二掩模板82單向移動(dòng)一次，該第一掩模板81用于控制單個(gè)物質(zhì)層的厚度由一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚或減薄，該第二掩模板82用于控制復(fù)數(shù)個(gè)物質(zhì)層疊合一起的厚度從一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚或減薄。本實(shí)施例的鍍膜方法與前述第一實(shí)施例的鍍膜方法相同，所不同的是在該第一掩模板81橫向來(lái)回移動(dòng)的過(guò)程中，使第二掩模板82同時(shí)移動(dòng)，并且該第二掩模板82單向移動(dòng)一次時(shí)，該第一掩模板81雙向來(lái)回20 200次。如圖14所示，在第一掩模板81和第二掩模板82移動(dòng)的過(guò)程中，由該濺射靶30噴出的物質(zhì)依次通過(guò)第二?？?21和第一?？?811噴鍍于基板101上。當(dāng)?shù)诙谀０?2單向移動(dòng)一次時(shí)，于基板101上形成一薄膜結(jié)構(gòu)， 該薄膜結(jié)構(gòu)由復(fù)數(shù)個(gè)第一物質(zhì)層102和復(fù)數(shù)個(gè)第二物質(zhì)層103疊合一起，該每一第一物質(zhì)層102和每一物質(zhì)層103的厚度均是從一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚或減薄，并且該薄膜結(jié)構(gòu)的厚度從其一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚。當(dāng)然，若第二掩模板82亦雙向來(lái)回移動(dòng)，該薄膜結(jié)構(gòu)亦可呈方形體。本發(fā)明的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于首先，通過(guò)將掩模板可活動(dòng)地設(shè)于工件架和濺射靶之間， 利用掩模板控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍，該濺射靶噴出的物質(zhì)量可控，掩模板移動(dòng)的方向和速度亦可控，以使得噴鍍出來(lái)的薄膜結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域的成分配比和厚度均可控可知，只需一次噴鍍就可以得到無(wú)數(shù)個(gè)成分配比和厚度不一樣的區(qū)域，從而可快速輕易地選出具有最優(yōu)光學(xué)性能的薄膜結(jié)構(gòu)，并獲取該薄膜結(jié)構(gòu)的成分配比和厚度，大大減少選膜的工作量，降低選膜難度，從而縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。其次，通過(guò)設(shè)置有第一掩模板和第二掩模板，利用該第一掩模板控制單個(gè)物質(zhì)層的厚度，利用第二掩模板控制復(fù)數(shù)個(gè)物質(zhì)層疊合一起形成薄膜結(jié)構(gòu)的厚度，以使薄膜結(jié)構(gòu)上可選擇的區(qū)域更密集更多，更加方便人們快速選出光學(xué)性能較佳的薄膜結(jié)構(gòu)，并且還可以建立完善的數(shù)據(jù)庫(kù)，以便后續(xù)選擇調(diào)取需要。再者，通過(guò)針對(duì)每一濺射靶，于濺射靶和掩模板之間設(shè)置有活動(dòng)擋板，利用該活動(dòng)擋板可活動(dòng)地伸出而阻擋濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)，從而可根據(jù)需要向工件架噴鍍不同的物質(zhì)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操控方便。 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明的技術(shù)范圍作任何限制， 故凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于包括有真空鍍膜室以及安裝于該真空鍍膜室中的工件架、濺射靶和掩模板；該濺射靶設(shè)置于工件架外，濺射靶用于朝向工件架噴鍍物質(zhì)；該掩模板上設(shè)置有?？?，掩模板可活動(dòng)地設(shè)置于工件架和濺射靶之間用于控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于所述濺射靶至少為兩個(gè)，它們用于朝向工件架噴鍍不同的物質(zhì)；該掩模板為兩個(gè)，它們分別是第一掩模板和第二掩模板，該第一掩模板可橫向活動(dòng)地設(shè)置，第一掩模板上設(shè)置有第一?？?；該第二掩模板可縱向移動(dòng)地設(shè)置，第二掩模板上設(shè)置有第二?？住?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于所述第一掩模板的移動(dòng)頻率大于第二掩模板的移動(dòng)頻率，當(dāng)?shù)谝谎谀０咫p向來(lái)回移動(dòng)的次數(shù)為20 200 時(shí)，該第二掩模板單向移動(dòng)一次。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于所述第一掩模板和第二掩模板均平行于工件架移動(dòng)，該第一掩模板和第二掩模板分別由第一驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和第二驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于針對(duì)每一濺射靶，于該掩模板和濺射靶之間設(shè)置有用于根據(jù)情況阻擋濺射靶向工件架噴鍍物質(zhì)的活動(dòng)擋板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置，其特征在于所述活動(dòng)擋板通過(guò)一驅(qū)動(dòng)缸體可活動(dòng)地伸出或縮回，該驅(qū)動(dòng)缸體固定于真空鍍膜室上，驅(qū)動(dòng)缸體可活動(dòng)地伸出有連接桿，該活動(dòng)擋板安裝于該連接桿的尾端。
7.—種如權(quán)利要求1所述的膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置的鍍膜方法，其特征在于包括的步驟有(1)將基板置于工件架上；(2)利用濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)，利用掩模板控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍，并控制物質(zhì)的噴鍍量以及控制掩模板的移動(dòng)速度和方向，使得在基板上噴鍍至少一厚度逐漸增厚或逐漸減薄的物質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍍膜方法，其特征在于在步驟(2)中采用兩個(gè)濺射靶進(jìn)行噴鍍，其中一個(gè)濺射靶用于噴鍍A物質(zhì)，另一個(gè)濺射靶噴鍍B物質(zhì)，在噴鍍過(guò)程中，利用兩濺射靶向工件架噴鍍A物質(zhì)和B物質(zhì)，以使在基板形成有由復(fù)數(shù)第一物質(zhì)層和第二物質(zhì)層疊合一起的薄膜結(jié)構(gòu)；且在采用兩濺射靶進(jìn)行噴鍍的過(guò)程中配合采用兩個(gè)掩模板，控制兩掩模板的移動(dòng)速度，以使得該薄膜結(jié)構(gòu)的厚度從一側(cè)向另一側(cè)逐漸增厚。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜方法，其特征在于利用活動(dòng)擋板可活動(dòng)地伸出而阻擋濺射靶向基板噴鍍物質(zhì)，根據(jù)需要向工件架噴鍍A物質(zhì)或B物質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種膜產(chǎn)品研發(fā)用輔助鍍膜裝置及其鍍膜方法，包括有真空鍍膜室以及安裝于該真空鍍膜室中的工件架、濺射靶和掩模板；該濺射靶設(shè)于工件架外；該掩模板上設(shè)置有?？?，掩模板可活動(dòng)地設(shè)于工件架和濺射靶之間；藉此，通過(guò)利用掩模板控制濺射靶朝向工件架噴鍍物質(zhì)的范圍，該濺射靶噴出的物質(zhì)量可控，掩模板移動(dòng)的方向和速度亦可控，以使得噴鍍出來(lái)的薄膜結(jié)構(gòu)的每個(gè)區(qū)域的成分配比和厚度均可控可知，只需一次噴鍍就可以得到無(wú)數(shù)個(gè)成分配比和厚度不一樣的區(qū)域，從而可快速輕易地選出具有最優(yōu)光學(xué)性能的薄膜結(jié)構(gòu)，并獲取該薄膜結(jié)構(gòu)的成分配比和厚度，大大減少選膜的工作量，降低選膜難度，從而縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。
文檔編號(hào)C23C14/04GK102191469SQ20111010316
公開(kāi)日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者周福云, 沈劍山, 譚卓鵬, 趙華平 申請(qǐng)人:東莞市康達(dá)機(jī)電工程有限公司