專(zhuān)利名稱(chēng)：高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜及其制備方法、有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及ー種三文治層狀結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及ー種使用該高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
柔性襯底透明導(dǎo)電膜的研究引起了世界各國(guó)的關(guān)注，因?yàn)槿嵝砸r底透明導(dǎo)電膜應(yīng)用前景可觀，它不但具有玻璃襯底透明導(dǎo)電膜的特點(diǎn)，而且還有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，如可撓曲、重量輕、耐沖擊、易于大面積生產(chǎn)、便于運(yùn)輸?shù)取Ｔ谌嵝园l(fā)光器件、塑料液晶顯示器和塑料襯底的太陽(yáng)電池等中有廣泛的應(yīng)用前景。雖然ITO薄膜是目前綜合光電性能優(yōu)異、應(yīng)用最為廣泛的ー種透明導(dǎo)電薄膜材料，但是銦有毒，價(jià)格昂貴，穩(wěn)定性差，在氫等離子體氣氛 中容易被還原等問(wèn)題，人們カ圖尋找ー種價(jià)格低廉且性能優(yōu)異的ITO替換材料。對(duì)于電致發(fā)光器件，電極的功函數(shù)影響兩極注入的電子與空穴的平衡。提高載流子的平衡是ー種有效優(yōu)化器件性能的手段。目前，很多研究都致カ于改善電極功函數(shù)來(lái)改善有機(jī)電致發(fā)光器件性能。有機(jī)電致發(fā)光器件中陽(yáng)極盡量選用功函數(shù)高的材料，有利于空穴的注入，對(duì)提高器件性能有很大的幫助。相對(duì)于ITO的功函數(shù)4. 7eV，Zn2SnO4錫酸鋅(ZTO)具有更高的功函數(shù)(5. I 5. 4eV)，更有利于制作OLED等器件。但是，眾多文獻(xiàn)報(bào)道表明，ZTO的電阻率較高( 10_2Ω 左右)，離應(yīng)用的要求還有一定的距離(ΙΤ0的電阻率為 10_4Ω ·αιι)。通過(guò)Sb元素的摻雜，制備成AZTO薄膜，可以極大限度地降低電阻，但是這也需要嚴(yán)格控制制備エ藝，在生產(chǎn)中有很大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種高功函數(shù)、低電阻率，且高光透過(guò)率的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜。一種高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，其為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為AZTO-CuSn-AZTO，即銻錫酸鋅-銅錫合金-銻錫酸鋅；其中，AZTO-CuSn-AZTO中，首層AZTO (銻錫酸鋅)膜層的厚度為20 120nm，優(yōu)選50nm ；CuSn膜層厚度為3 30nm，優(yōu)選20nm ;第ニ層AZTO膜層的厚度30 150nm，優(yōu)選80nm。上述高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的制備方法，其步驟如下(I)、祀材的制備將ZnO> SnO2和Sb2O5原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成AZTO靶材；其中，ZnO SnO2為52 48 (質(zhì)量百分比)，Sb2O5占總量的O. I 5% (質(zhì)量百分比)；優(yōu)選，Sb2O5的質(zhì)量百分比為O. 5%，燒結(jié)溫度1200°C ;CuSn靶材采用購(gòu)買(mǎi)方式獲得，純度為99. 999% ;ZnO、SnO2和Sb2O5的純度均為99. 999% ；(2)、將步驟(I)中的AZTO靶材、CuSn靶材和襯底(如，聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚碳酸酯(PC)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，聚醚砜(PES)等)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并用機(jī)械泵和分子泵把真空腔體的真空度抽至I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa以上，優(yōu)選6. OXKT4Pa ；
(3)、調(diào)整磁控濺射鍍膜エ藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa,氬氣的エ作氣體流量15 35sccm，AZTO靶材的濺射功率為60 160W，以及CuSn靶材的濺射功率為30 100W ;接著根據(jù)確定的溝エ藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射AZTO層和CuSn層，制得AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜；其中，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜中首層AZTO為20 120nm，優(yōu)選50nm ；CuSn層為3 30nm，優(yōu)選20nm ;第ニ層 AZTO 為 30 150nm，優(yōu)選 80nm。上述高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的方法制備エ藝中，優(yōu)選磁控濺射AZTOエ藝參數(shù)濺射功率100W，工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20SCCm ;優(yōu)選磁控濺射CuSnエ藝參數(shù)濺射功率60W，工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20sCCm ；
本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括襯底，在襯底表面制備有AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，在導(dǎo)電膜表面制備有功能層，在功能層表面制備有陰極層；其中，功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；陰極層為Ag層。本發(fā)明制備的AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，是在不増加襯底升溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10 Ω / ロ)，高達(dá)98 %的可見(jiàn)光透過(guò)率以及表面功函數(shù)高達(dá)5. 3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。


圖I為本發(fā)明AZTO-CuSn-AZTO高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜制備方法的エ藝流程圖；圖3是本發(fā)明AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜中，不同CuSn層厚度的方塊電阻的變化曲線圖；電阻率的測(cè)試是由四探針電阻測(cè)試儀，測(cè)出薄膜的方塊電阻，乘以薄膜的厚度得到的電阻率；圖4是本發(fā)明的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜樣品，不同Sb2O5含量下薄膜的表面功函數(shù)變化曲線；圖5是實(shí)施例I得到AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的透射光譜；其中，襯底采用聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)；圖6是有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明于提供的一種高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，如圖I所示，其為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為AZT011-CuSnl2-AZT013 ;其中，AZTO-CuSn-AZTO中，首層AZTO膜層11的厚度為20 120nm，優(yōu)選50nm ；CuSn膜層12厚度為3 30nm，優(yōu)選20nm ;第ニ層AZTO膜層13的厚度30 150nm,優(yōu)選80nm。上述高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的制備方法，如圖2所示，包括如下步驟SI，靶材的制備將ZnO、SnO2和Sb2O5原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成AZTO靶材；其中，ZnO SnO2為52 48 (質(zhì)量百分比)，Sb2O5占總量的O. 5 5% (質(zhì)量百分比)；優(yōu)選，Sb2O5的質(zhì)量百分比為O. 5%，燒結(jié)溫度1200°C ;CuSn靶材采用購(gòu)買(mǎi)方式獲得，純度為99. 999% ;ZnO、SnO2和Sb2O5的純度均為99. 999% ；
S2，將步驟SI中的AZTO靶材、CuSn靶材和襯底(如，聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)，聚碳酸酯(PC)，聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)，聚醚砜(PES)等)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并用機(jī)械泵和分子泵把真空腔體的真空度抽至I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa以上，優(yōu)選6. OXKT4Pa ；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜エ藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa，氬氣的エ作氣體流量15 35sccm，AZTO靶材的濺射功率為60 160W，以及CuSn靶材的濺射功率為30 100W ;接著根據(jù)確定的溝エ藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射AZTO層和CuSn層，制得AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜；其中，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜中首層AZTO為20 120nm，優(yōu)選50nm ；CuSn層為3 30nm，優(yōu)選20nm ;第ニ層 AZTO 為 30 150nm，優(yōu)選 80nm。其中，步驟S3中，優(yōu)選磁控濺射AZTOエ藝參數(shù)濺射功率100W，工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20SCCm ;優(yōu)選磁控濺射CuSnエ藝參數(shù)濺射功率60W，工作壓強(qiáng)
I.OPa,以及氬氣工作氣體的流量20sccm。 本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖6所示，包括襯底10，在襯底10表面制備有AZTO Il-CuSn 12-AZT0 13三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，在導(dǎo)電膜表面制備有功能層14，在功能層表面制備有陰極層15 ;其中，功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；陰極層為Ag層。本發(fā)明制備的AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，是在不増加襯底升溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10 Ω/ロ)、較高的可見(jiàn)光平均透過(guò)率(90% )以及表面功函數(shù)高達(dá)5. 3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。圖3是本發(fā)明AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜中，不同CuSn層厚度的方塊電阻的變化曲線圖，在CuSn層為20nm時(shí)得到最低電阻率6. 7Χ10_4Ω · cm ;電阻率的測(cè)試是由四探針電阻測(cè)試儀，測(cè)出薄膜的方塊電阻，乘以薄膜的厚度得到的電阻率；圖4為不同Sb2O5含量下薄膜的表面功函數(shù)變化曲線；由表面功函數(shù)儀測(cè)試所得Sb2O5含量為O. 5%得到最高的表面功函數(shù)5. 3eV。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例I選用純度為99. 99% 的 ZnO、SnO2、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量百分比))，即51. 74wt%的ZnO, 47. 76wt%的SnO2,0. 5wt%的Sb2O5)，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1200°C燒結(jié)成Φ50X 2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn祀材的中心連線到聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6. 0X10_4Pa，通入工作氣體流量為20SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. OPa，隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為100W，CuSn靶材的功率設(shè)定為60W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為50nm，15nm, 80nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為10Ω/ ロ，表面功函數(shù)為5. 3eV。圖5是本實(shí)施例I得到AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的透射光譜；圖5所示，由紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)得測(cè)試范圍280 800nm的波長(zhǎng)，其中取490 770nm可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍的計(jì)算平均透過(guò)率為90%。實(shí)施例2選用純度為99. 99% 的 ZnO、Sn02、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量百分比))，即49. 96wt%的ZnO, 46. 08wt%的SnO2,4wt%的Sb2O5),分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于900°C燒結(jié)成Φ 50 X 2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚碳酸酯(PC)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn靶材的中心連線到聚碳酸酯(PC)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到I. OX 10_3Pa，通入工作氣體流量為15SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為2. OPa,隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為60W，CuSn靶材的功率設(shè)定為100W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為90nm，3nm, 150nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為520 Ω/ ロ，表面功函數(shù)為4. 9eV。 實(shí)施例3選用純度為99. 99% 的 ZnO、SnO2、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量百分比))，即49. 4wt%的ZnO,45. 6wt%的SnO2, 5wt %的Sb2O5)，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1300°C燒結(jié)成Φ50X2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn靶材的中心連線到聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵 把腔體的真空度抽到I. OX 10_5Pa，通入工作氣體流量為35SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為O. 2Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為160W，CuSn靶材的功率設(shè)定為30W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為120nm，12nm,60nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為80Ω/ ロ，表面功函數(shù)為5. IeV0實(shí)施例4選用純度為99. 99% 的 ZnO、SnO2、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量百分比))，即50wt%的ZnO,46. 2wt%的SnO2, 3. 8wt %的Sb2O5)，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1000°C燒結(jié)成Φ50X2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚醚砜(PES)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn靶材的中心連線到聚醚砜(PES)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到I. OX 10_4Pa，通入工作氣體流量為25SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. 5Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為90W，CuSn靶材的功率設(shè)定為70W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為20nm，25nm, 30nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為10 Ω/ ロ，表面功函數(shù)為5. OeV0實(shí)施例5選用純度為99. 99% 的 ZnO、Sn02、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量百分比))，即50. 44wt%的ZnO, 46. 56wt%的SnO2, 3wt%的Sb2O5),分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1100°C燒結(jié)成Φ50X 2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn祀材的中心連線到聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到8. 0X10_4Pa，通入工作氣體流量為30SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為O. 9Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為120W，CuSn靶材的功率設(shè)定為50W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為70nm，30nm, 60nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為20Ω/ ロ，表面功函數(shù)為5. 2eV。下述實(shí)施例為AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。實(shí)施例5一、制備AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜選用純度為99. 99% 的 ZnO、Sn02、Sb2O5 粉體(其中，ZnO SnO2 = 52 48 (質(zhì)量 百分比))，即50. 96wt%的ZnO, 47. 04wt%的SnO2, 2wt%的Sb2O5),分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1200°C燒結(jié)成Φ50X 2mm的AZTO靶材，并將AZTO靶材和CuSn靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底，并用高純氮?dú)獯蹈?，放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把AZTO靶材和CuSn祀材的中心連線到聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6. 0X10_4Pa，通入工作氣體流量為20SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. OPa，隨后開(kāi)始鍍膜，且AZTO靶材的濺射功率設(shè)定為100W，CuSn靶材的功率設(shè)定為60W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為50nm，20nm, 80nm的AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜，該AZTO-CuSn-AZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為10Ω/ ロ，表面功函數(shù)為5. 2eV。ニ、制備有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)真空蒸鍍エ藝，在AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜表面依次制備功能層和Ag陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，該功能層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，其特征在于，該導(dǎo)電膜為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為AZTO-CuSn-AZTO。
2.一種高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟SI，將ZnO、SnO2和Sb2O5原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成AZTO靶材；其中，ZnO SnO2為52 48 (質(zhì)量百分比)，Sb2O5占總量的O. 5 5% (質(zhì)量百分比)； 步驟S2，將步驟SI中得到的AZTO靶材、CuSn靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置在I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa之間； 步驟S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜エ藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa，氬氣工作氣體的流量15 35sccm，AZTO靶材的濺射功率為60 160W，以及CuSn靶材的濺射功率為30 100W ;接著根據(jù)確定的溝エ藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射AZTO層和CuSn層，最后在所述襯底上制得AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的所述高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，Sb2O5的質(zhì)量百分比為O. 5% ;所述AZTO靶材的燒結(jié)溫度為1200°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在 6.0X10_4Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的腔體之前包括如下步驟將襯底先后用丙酮、無(wú)水こ醇和去離子水超聲清洗，然后用高純氮?dú)獯蹈伞?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，磁控濺射工作壓強(qiáng)為I. OPa ;工作氣體流量為20SCCm ；ΑΖΤ0靶材的濺射功率為100W ；CuSn靶材的濺射功率為60W。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述AZTO-CuSn-AZTO中，首層AZTO膜層的厚度為20 120nm，CuSn膜層厚度為3 30nm，第二層AZTO膜層的厚度30 150nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述AZTO-CuSn-AZTO中，首層AZTO膜層的厚度為50nm，CuSn膜層厚度為20nm，第二層AZTO膜層的厚度80nm。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,該器件包括襯底，在所述襯底表面制備有權(quán)利要求I所述的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，在所述導(dǎo)電膜表面制備有功能層，在功能層表面制備有陰極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；所述陰極層為Ag層。
全文摘要
本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜及其制備方法、有機(jī)電致發(fā)光器件；該導(dǎo)電膜包括為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為AZTO-CuSn-AZTO。本發(fā)明制備的AZTO-CuSn-AZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)多層導(dǎo)電膜，是在不增加襯底升溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10Ω/囗)，高達(dá)90％的可見(jiàn)光透過(guò)率以及表面功函數(shù)高達(dá)5.3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102723441SQ20111007725
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司