專利名稱：靶材及設(shè)定靶材元素配比方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及靶材及設(shè)定靶材元素配比方法。
技術(shù)背景
隨著集成電路向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，集成電路內(nèi)部的電路密度越來越大， 所包含的元件數(shù)量也越來越多。在半導(dǎo)體集成電路中，金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)晶體管是其中最為重要的元件之一，隨著半導(dǎo)體集成電路的進一 步發(fā)展，半導(dǎo)體元件的尺寸也隨之減小，MOS晶體管的工藝也有許多的改進。
現(xiàn)有的MOS晶體管工藝是在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)相對兩側(cè) 的襯底中形成輕摻雜漏極結(jié)構(gòu)(Lightly Doped Dmin，LDD)，接著在柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成側(cè) 墻，并以包括側(cè)墻的柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，進行離子注入步驟，在半導(dǎo)體襯底中形成源極區(qū) 和漏極區(qū)。
為了將晶體管的柵極、源極和漏極適當?shù)碾娺B接，現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝會形成與 晶體管的柵極、源極和漏極相對應(yīng)的接觸插塞來進行導(dǎo)通。通常接觸插塞會填充金屬， 然而金屬與柵極結(jié)構(gòu)、源極區(qū)和漏極區(qū)的多晶硅或單晶硅之間導(dǎo)通并不理想，接觸電阻 比較高，為了改善接觸插塞與柵極結(jié)構(gòu)、源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸電阻，通常會在柵極結(jié) 構(gòu)、源極區(qū)和漏極區(qū)的表面形成金屬硅化物(Silicide)。
目前廣泛應(yīng)用的是自對準金屬硅化物6elf-aligned Silicide, salicide)工藝來形成金屬硅化物，在例如申請?zhí)枮?00510106939.7的中國專利申請中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于自對 準硅化物工藝的相關(guān)信息。
現(xiàn)有的金屬硅化物通常選用鈦硅化物或者鈷硅化物，現(xiàn)有的自對準硅化物的電 阻會隨著半導(dǎo)體器件的線寬或接觸面積的減小而增加，并且現(xiàn)有自對準硅化物的元素會 擴散至襯底中，使得源極區(qū)和漏極區(qū)的硅原子晶格結(jié)構(gòu)被打亂，容易造成源極、漏極和 襯底接觸面的漏電流。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是避免出現(xiàn)源極、漏極和襯底接觸面的漏電流現(xiàn)象。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種設(shè)定靶材元素配比方法，包括如下步驟提 供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素；采用所述第一靶材在襯底上形成 薄膜；測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)；根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述 薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比，形成第二靶材。
可選的，所述第一靶材的元素配比為均一的元素配比。
可選的，采用所述第二靶材在襯底上形成的薄膜元素配比均一性高于采用所述 第一靶材在襯底上形成的薄膜。
可選的，所述靶材第一元素為鎳，所述第二元素為鉬。
可選的，所述測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為至少2個檢測區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取樣，采用元素 分析儀器測試樣品的元素配比。可選的，所述測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯 底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢測區(qū)域，襯底的中心區(qū)域為直徑為100毫米的圓 形，中間區(qū)域為直徑為200毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，邊緣區(qū)域為襯底去除中心區(qū)域和 中間區(qū)域的剩余區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取樣，采用元素分析儀器測試樣品的元素配比?？蛇x的，所述根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底 區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比具體包括以靶材的中心為圓心將靶材劃分為3個區(qū) 域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為300 毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心 區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)；所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為 94%；所述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材的邊 緣區(qū)域的鉬元素百分比為4.97%，鎳元素百分比為95.03%。本發(fā)明還提供了一種靶材，所述靶材包括靶材坯料；所述靶材坯料包括第一元 素和第二元素；所述靶材坯料包括多重區(qū)域；所述靶材坯料區(qū)域的元素配比根據(jù)均一元 素配比的靶材形成的薄膜在襯底不同區(qū)域的元素配比數(shù)據(jù)設(shè)定?？蛇x的，所述靶材第一元素為鎳，所述第二元素為鉬?？蛇x的，所述靶材坯料包括多重區(qū)域為以靶材的中心為圓心將靶材劃分為3個 區(qū)域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為 300毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除 中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)?？蛇x的，所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為94%;所 述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材的邊緣區(qū)域的 鉬元素百分比為4.97%,鎳元素百分比為95.03%。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的設(shè)定靶材元素配比方法 和靶材能夠降低靶材中貴重金屬的含量，降低靶材的成本，并且能夠提高靶材形成的薄 膜的元素均一性，降低出現(xiàn)源極、漏極和襯底接觸面的漏電流現(xiàn)象。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意 按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是本發(fā)明設(shè)定靶材元素配比方法的流程示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗，發(fā)現(xiàn)金屬硅化物中的金屬材料選取跟金屬硅 化物的性能有直接聯(lián)系，鈦硅化物被最早廣泛應(yīng)用于0.25微米以上MOS技術(shù)的金屬硅化 物，其工藝是首先采用諸如物理濺射等方法將鈦金屬沉積在晶片上，然后經(jīng)過600攝氏 度至700攝氏度的第一次退火，得到高阻的中間相C49，然后再經(jīng)過800攝氏度至900攝氏度的第二次退火使C49相轉(zhuǎn)變成最終需要的低阻C54相，但是鈦硅化物的電阻會隨著 線寬或接觸面積的減小而增加，并且隨著線寬或者接觸面積的減小，從C49相到C54相 的相變過程會由原先的二維模式轉(zhuǎn)變成一維模式，這使得相變的溫度大大增加，相變溫 度提高導(dǎo)致需要更高的退火溫度，而過高的退火溫度會使主要的擴散元素硅擴散加劇而 造成漏電甚至短路的問題。并且隨著MOS尺寸的不斷變小，鈦硅化物相變不充分而使接 觸電阻增加的現(xiàn)象也很難避免。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過進一步實驗，發(fā)現(xiàn)從0.18微米到90納米技術(shù)節(jié)點，鈷硅化 物在該尺寸條件下沒有出現(xiàn)線寬效應(yīng)，但當技術(shù)向前推進到45納米節(jié)點及其以下時，鈷 硅化物相變成核過程會受到極大的限制，因此線寬效應(yīng)將會出現(xiàn)?，F(xiàn)有技術(shù)中通常選用鎳硅化物作為金屬硅化物的材料，其工藝是首先采用諸如 物理濺射等方法將鎳靶材上的鎳金屬沉積在晶片，然后經(jīng)過退火工藝形成鎳硅化物的金 屬硅化物，鎳硅化物的金屬硅化物具有退火溫度低等優(yōu)點，但是鎳硅化物高于700攝氏 度左右時會因為團聚和相變而生成高阻的NiSi2相，因此對之后的半導(dǎo)體工藝中各個步驟 的最高溫度產(chǎn)生了限制，而且在后續(xù)的高溫工藝中，鎳硅化物中的鎳會擴散至襯底，導(dǎo) 致器件失效。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗，發(fā)現(xiàn)在鎳硅化物中摻入金屬Pt能提 高鎳硅化物的金屬硅化物的高溫穩(wěn)定性，但是由于制備鎳硅化物的鎳靶材通常都是采用 均一元素配比靶材，而由于制備薄膜設(shè)備的均一性的局限性的存在，使得在薄膜不同位 置，使得制備的薄膜的元素配比與靶材有不同的誤差，具體地說，以Pt元素百分比為 5%的鎳靶材制備鎳硅化物薄膜為例，在晶片襯底上制備鎳硅化物薄膜，在襯底的中間位 置，鎳硅化物薄膜中Pt的元素百分比為3.23%，而在襯底的邊緣位置，鎳硅化物薄膜中 Pt的元素百分比為4.25%，由于襯底中間的鎳硅化物薄膜中Pt比較低，中間形成的鎳硅 化物薄膜容易出現(xiàn)鎳硅化物中的鎳會擴散至襯底的現(xiàn)象，而現(xiàn)有的解決方案是提高靶材 內(nèi)的Pt元素百分比含量，由于金屬Pt的價格昂貴，使得投入的費用大大增加。為此，本發(fā)明的發(fā)明人提供了一種設(shè)定靶材元素配比方法，包括如下步驟提 供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素；采用所述第一靶材在襯底上形成 薄膜；測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)；根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述 薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比，形成第二靶材?？蛇x的，所述第一靶材的元素配比為均一的元素配比?？蛇x的，采用所述第二靶材在襯底上形成的薄膜元素配比均一性高于采用所述 第一靶材在襯底上形成的薄膜。可選的，所述靶材第一元素為鎳，所述第二元素為鉬?？蛇x的，所述測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯 底的中心為圓心將襯底表面劃分為至少2個檢測區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取樣，采用元素 分析儀器測試樣品的元素配比?？蛇x的，所述測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯 底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢測區(qū)域，襯底的中心區(qū)域為直徑為100毫米的圓 形，中間區(qū)域為直徑為200毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，邊緣區(qū)域為襯底去除中心區(qū)域和 中間區(qū)域的剩余區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取樣，采用元素分析儀器測試樣品的元素配比。
可選的，所述根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底 區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比具體包括以靶材的中心為圓心將靶材劃分為3個區(qū) 域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為300 毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心 區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)；所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為 94%；所述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材的邊 緣區(qū)域的鉬元素百分比為4.97%，鎳元素百分比為95.03%。
本發(fā)明還提供了一種靶材，所述靶材包括靶材坯料；所述靶材坯料包括第一元 素和第二元素；所述靶材坯料包括多重區(qū)域；所述靶材坯料區(qū)域的元素配比根據(jù)均一元 素配比的靶材形成的薄膜在襯底不同區(qū)域的元素配比數(shù)據(jù)設(shè)定。
可選的，所述靶材第一元素為鎳，所述第二元素為鉬。
可選的，所述靶材坯料包括多重區(qū)域為以靶材的中心為圓心將靶材劃分為3個 區(qū)域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為 300毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除 中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)。
可選的，所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為94%;所 述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材的邊緣區(qū)域的 鉬元素百分比為4.97%,鎳元素百分比為95.03%。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā) 明的具體實施方式
做詳細的說明。
在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠 以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的 情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說 明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其 在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維 空間尺寸。
圖1為本發(fā)明設(shè)定靶材元素配比方法的流程示意圖，下面結(jié)合圖1對本發(fā)明的設(shè) 定靶材元素配比方法進行說明。
參考圖1，本發(fā)明的設(shè)定靶材元素配比方法包括步驟
步驟S101，提供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素。
所述第一靶材為現(xiàn)有的半導(dǎo)體薄膜沉積的靶材，所述靶材可以由向供應(yīng)商購買 得到，所述第一靶材包括第一元素和第二元素，在本實施例中，以所述靶材為均一元素 配比的靶材做示范性說明，所述靶材包括第一元素和第二元素，所述第一元素為鎳，元 素百分比含量為95%，所述第二元素為鉬，元素百分比含量為5%。
需要特別指出的是，所述所述第一靶材為均一元素配比的靶材只是做示范性說 明，所述第一靶材也可以是在不同區(qū)域元素配比不同的靶材，但在實際生產(chǎn)中，通常半 導(dǎo)體薄膜沉積的第一靶材均為均一元素配比。
步驟S102，采用所述第一靶材在襯底上形成薄膜。7
具體地，將所述第一靶材安裝至沉積設(shè)備上，所述沉積設(shè)備可以是物理氣相沉 積設(shè)備，例如濺射設(shè)備、激光脈沖沉積設(shè)備或者等離子體沉積設(shè)備。
采用所述設(shè)備在襯底上形成薄膜，所述形成薄膜的工藝可以為公知的沉積薄膜 工藝。
步驟S103，測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)。
由之前的敘述可知，由于沉積設(shè)備和沉積工藝的限制，在襯底上形成薄膜會有 元素配比均一性的問題，具體地說，在襯底的邊緣位置和襯底的中間位置元素配比會不一致。
通過取樣，測試不同區(qū)域的薄膜的元素配比，我們可以得到襯底不同區(qū)域的所 述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)。
所述取樣方法可以為以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為至少2個檢測區(qū) 域，例如可以將襯底表面劃分為3個區(qū)域、4個區(qū)域、5個區(qū)域......，在本實施例中，以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢測區(qū)域，襯底的中心區(qū)域為直徑為100毫米的圓 形，中間區(qū)域為直徑為200毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，邊緣區(qū)域為襯底去除中心區(qū)域和 中間區(qū)域的剩余區(qū)域；分別在所述檢測區(qū)域取樣，采用元素分析儀器測試樣品的元素配 比。
所述元素分析儀器可以是能量色散X射線熒光光譜儀(Energy Dispersive X-Ray Fluoresence Spectrometer, EDX)或者能量色散譜儀(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)。
在本實施例中，以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢測區(qū)域，靶材的 中心區(qū)域、靶材的邊緣區(qū)域和介于靶材的中心區(qū)域與靶材的邊緣區(qū)域的中間區(qū)域，測試 檢測區(qū)域的樣品元素配比。
本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗發(fā)現(xiàn)，以鉬元素百分比為5%的鎳靶材制備鎳 硅化物薄膜為例，在晶片襯底上制備鎳硅化物薄膜，在襯底的中心區(qū)域，鎳硅化物薄膜 中鉬的元素百分比為3.23% ；而在襯底的邊緣區(qū)域，鎳硅化物薄膜中鉬的元素百分比為 4.25% ；介于襯底中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的中間區(qū)域，鎳硅化物薄膜中鉬的元素百分比為 3.70%。由于中心區(qū)域的鎳硅化物薄膜中鉬比較低，中心區(qū)域形成的鎳硅化物薄膜容易 出現(xiàn)鎳硅化物中的鎳會擴散至襯底的現(xiàn)象，而現(xiàn)有的解決方案是提高靶材內(nèi)的鉬元素百 分比含量，由于金屬鉬的價格昂貴，使得投入的費用大大增加。
為此，本發(fā)明的發(fā)明人提出一種優(yōu)化的方法，如步驟S104所述，根據(jù)所述襯底 不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比，形 成第二靶材。
在本實施例中，本發(fā)明的發(fā)明人將靶材的中心為圓心將靶材表面劃分為3個區(qū) 域，靶材的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū)域，所述靶材的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū) 域依次與襯底的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū)域相對應(yīng)，以300毫米直徑的襯底為例做 示范性說明，以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢測區(qū)域，襯底的中心區(qū)域為 直徑為100毫米的圓形，中間區(qū)域為直徑為200毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，邊緣區(qū)域為襯 底去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的剩余區(qū)域；對應(yīng)的所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫 米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為300毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)。根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的第 二靶材區(qū)域的元素配比。在本實施例中，所述第二靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比 為94%;所述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材 的邊緣區(qū)域的鉬元素百分比為4.97%，鎳元素百分比為95.03%，將所述第二靶材安裝至 沉積設(shè)備上，所述沉積設(shè)備可以是物理氣相沉積設(shè)備，例如濺射設(shè)備、激光脈沖沉積設(shè) 備或者等離子體沉積設(shè)備，形成的薄膜元素配比均一性高于采用所述第一靶材在襯底上 形成的薄膜。按照上述的設(shè)定靶材元素配比方法形成的靶材，包括所述靶材包括靶材坯料 和背板；所述靶材坯料包括第一元素和第二元素；所述靶材坯料包括多重區(qū)域；所述靶 材坯料區(qū)域的元素配比根據(jù)均一元素配比的靶材形成的薄膜在襯底不同區(qū)域的元素配比 數(shù)據(jù)設(shè)定。在一具體實施例中，所述靶材坯料包括鉬元素和鎳元素，所述靶材坯料包括靶 材坯料的中心區(qū)域、中間區(qū)域和邊緣區(qū)域三重區(qū)域，其中所述靶材坯料的中心區(qū)域為150 毫米士 10毫米的圓形，所述靶材坯料的中間區(qū)域為直徑為300毫米士20毫米去除中心區(qū) 域的圓環(huán)，所述靶材坯料的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓 環(huán)；所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為94%;所述靶材坯料 的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材坯料的邊緣區(qū)域的鉬 元素百分比為4.97%，鎳元素百分比為95.03%。本發(fā)明提供的設(shè)定靶材元素配比方法和靶材能夠降低靶材中貴重金屬的含量， 降低靶材的成本，并且能夠提高靶材形成的薄膜的元素均一性。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護 范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
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權(quán)利要求
1.一種設(shè)定靶材元素配比方法，包括如下步驟提供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素；采用所述第一靶材在襯底上形成薄膜；測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)；根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū) 域的元素配比，形成第二靶材。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，所述第一靶材的元素配 比為均一的元素配比。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，采用所述第二靶材在襯 底上形成的薄膜元素配比均一性高于采用所述第一靶材在襯底上形成的薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，所述靶材第一元素為 鎳，所述第二元素為鉬。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，所述測量在襯底不同區(qū) 域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為至少2 個檢測區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取樣，采用元素分析儀器測試樣品的元素配比。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，所述測量在襯底不同區(qū) 域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)具體包括以襯底的中心為圓心將襯底表面劃分為3個檢 測區(qū)域，襯底的中心區(qū)域為直徑為100毫米的圓形，中間區(qū)域為直徑為200毫米去除中心 區(qū)域的圓環(huán)，邊緣區(qū)域為襯底去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的剩余區(qū)域；分別在檢測區(qū)域取 樣，采用元素分析儀器測試樣品的元素配比。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)定靶材元素配比方法，其特征在于，所述根據(jù)所述襯底不 同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比具體包 括以靶材的中心為圓心將靶材劃分為3個區(qū)域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10 毫米的圓形，所述靶材的中間區(qū)域為直徑為300毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所 述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)；所述靴材的中 心區(qū)域的鉬元素百分比為6%，鎳元素百分比為94%;所述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分 比為5%，鎳元素百分比為95%;所述靶材的邊緣區(qū)域的鉬元素百分比為4.97%，鎳元素 百分比為95.03%。
8.—種靶材，其特征在于，包括所述靶材包括靶材坯料；所述靶材坯料包括第一元素和第二元素；所述靶材坯料包括多重區(qū)域；所述靶材坯料區(qū)域的元素配比根據(jù)均一元素配比的靶材形成的薄膜在襯底不同區(qū)域 的元素配比數(shù)據(jù)設(shè)定。
9.如權(quán)利要求8所述的靶材，其特征在于，所述靶材第一元素為鎳，所述第二元素為鉬。
10.如權(quán)利要求8所述的靶材，其特征在于，所述靶材坯料包括多重區(qū)域為以靶材的 中心為圓心將靶材劃分為3個區(qū)域，所述靶材的中心區(qū)域為150毫米士 10毫米的圓形， 所述靶材的中間區(qū)域為直徑為300毫米士20毫米去除中心區(qū)域的圓環(huán)，所述靶材的邊緣區(qū)域為450毫米士30毫米去除中心區(qū)域和中間區(qū)域的圓環(huán)。
11.如權(quán)利要求10所述的靶材，其特征在于，所述靶材的中心區(qū)域的鉬元素百分比為 6%,鎳元素百分比為94%;所述靶材的中間區(qū)域的鉬元素百分比為5%，鎳元素百分比 為95%;所述靶材的邊緣區(qū)域的鉬元素百分比為4.97%，鎳元素百分比為95.03%。
全文摘要
一種靶材及設(shè)定靶材元素配比方法，其中設(shè)定靶材元素配比方法包括提供第一靶材，所述第一靶材包括第一元素和第二元素；采用所述第一靶材在襯底上形成薄膜；測量在襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)；根據(jù)所述襯底不同區(qū)域的所述薄膜的元素配比數(shù)據(jù)，設(shè)定與襯底區(qū)域?qū)?yīng)的靶材區(qū)域的元素配比，形成第二靶材。本發(fā)明提供的設(shè)定靶材元素配比方法和靶材能夠降低靶材中貴重金屬的含量，降低靶材的成本，并且能夠提高靶材形成的薄膜的元素均一性。
文檔編號C23C14/14GK102021526SQ20091019620
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月23日
發(fā)明者盧炯平, 孔祥濤, 楊瑞鵬, 聶佳相 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司