技術(shù)編號(hào)：3352317
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及。技術(shù)背景隨著集成電路向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，集成電路內(nèi)部的電路密度越來越大， 所包含的元件數(shù)量也越來越多。在半導(dǎo)體集成電路中，金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)晶體管是其中最為重要的元件之一，隨著半導(dǎo)體集成電路的進(jìn)一 步發(fā)展，半導(dǎo)體元件的尺寸也隨之減小，MOS晶體管的工藝也有許多的改進(jìn)。現(xiàn)有的MOS晶體管工藝是在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)相對(duì)兩側(cè) 的襯底中形成輕摻雜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。