. 1重量％。
[0032] 可W在特定氣氛下進(jìn)行焊球形成，W增強在導(dǎo)線末端處形成的焊球的真正球形， 和防止偏屯、球形成的現(xiàn)象，并且通常在添加有氨化2)和氮Og的氣氛下進(jìn)行。換言之，在 焊球形成期間，可W使用包含約1體積％至約10體積％范圍的氨化2)的氮（N2)氣體混合 物作為保護氣體，同時使用本發(fā)明構(gòu)思中的銀合金接合線進(jìn)行接合。更具體地，可W向?qū)Ь€ 的末端放出5% 氣體，并且可W產(chǎn)生電弧放電，W形成焊球部，并且可W對所述焊球部 接合。
[0033] 接合線可W由大量晶粒構(gòu)成。晶粒的尺寸可W貫穿整個接合線具有特別的散布 (scattering)。此外，晶粒的尺寸可W根據(jù)接合線的徑向位置而改變。對于根據(jù)本發(fā)明構(gòu) 思的一個W上實施方案的銀合金接合線來說，在與銀合金接合線的縱向垂直的橫截面上， a/b的比率，即外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"比中屯、部分的平均晶粒尺寸"b"，可W為約0. 3 至約3?；蛘撸?a"/ "b"的比率，即外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"比中屯、部分的平均晶粒 尺寸"b"，可W為約0.5至2. 5。
[0034] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個W上實施方案的銀合金接合線100的透視圖，并且圖示 了橫截面，W描述與縱向即Z軸垂直的橫截面的結(jié)構(gòu)。銀合金接合線100可W由相對于中 間界面105、即邊界界面更接近接合線100的中·<L·、0的中·<L·、部分110和更贓罔接合線100的 中屯、0的外側(cè)部分120組成。中間界面105可W是假想的，并且在中屯、部分110和外側(cè)部 分120之間可能觀察不到物理界面。
[0035] 中間界面105可W位于接合線100的中屯、0和接合線100的表面之間。換言之， 假設(shè)接合線100的橫截面為半徑為R的圓，中間界面105可W是半徑為IV2的圓，為與橫截 面同屯、的圓。
[0036] 圖2是外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"和中屯、部分的平均晶粒尺寸"b"的測量方法 的一些實施方案的示意圖。
[0037] 參照圖2,可W沿著接合線100的圓周方向測量外側(cè)部分的平均晶粒尺 寸"日"，表示為日1。例如，可W例如使用如電子背散射衍射（electronbackscatter difTraction，EBSD)法的方法，測量外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"?？蒞通過W下方式獲得 外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a":由通過邸SD分析獲得的晶粒圖像，對在與線的縱向垂直的 方向上跨過預(yù)定距離的晶粒的數(shù)量計數(shù)，并且將預(yù)定長度除W晶粒的數(shù)量。
[0038] 因為可W通過邸SD法測量各晶粒的取向，從而可W確定晶粒體系。本發(fā)明構(gòu)思將 具有約15度W上取向差的相鄰晶粒定義為晶粒體系。
[0039] 備選地，可W使用邸SD系統(tǒng)，W軟件方法確定平均晶粒尺寸a。當(dāng)使用邸SD系統(tǒng) W軟件方法確定平均晶粒尺寸"a"時，例如，在計算暴露在側(cè)表面上的晶粒的面積之后，將 具有相同面積的圓的直徑定義為晶粒尺寸，并且隨后，可W通過將運樣定義的晶粒尺寸取 平均來確定平均晶粒尺寸。
[0040] 或者，選擇性地，當(dāng)使用邸SD系統(tǒng)并且W軟件方法確定表示為曰2的外側(cè)部分的 晶粒尺寸時，可W通過獲得晶粒尺寸的平均值來獲得平均晶粒尺寸"a"。 陽0川此外，中屯、部分的平均晶粒尺寸"b"可W是對于在中屯、部分中的任意范圍或?qū)τ?中屯、部分的整個范圍測量的晶粒尺寸的平均值?？蒞使用例如邸SD的方法，W對于在中屯、 部分中的任意范圍或?qū)τ谡麄€中屯、部分范圍測量晶粒尺寸。使用邸SDW軟件方法獲得平 均晶粒尺寸"b"的情況可W和上述的相同。
[0042] 特別地，適宜的是測得的中屯、部分的平均晶粒尺寸叩"可W等于或小于2 μπι。
[0043] 使用邸SD獲取晶粒尺寸及其平均值的方法詳細(xì)描述于韓國專利號1057271，并且 在此省略了對該方法更詳細(xì)的描述。
[0044] 如上所述，可W獲得外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"和中屯、部分的平均晶粒尺寸 "b"，并且中屯、部分的平均晶粒尺寸"b"可W大于外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"。換言么在 與接合線的縱向垂直的橫截面上，"a" / "b"的比率，即外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"比中 屯、部分的平均晶粒尺寸叩"，可W小于約1。在運種情況下，"a"/ "b"的比率，即外側(cè)部分 的平均晶粒尺寸"a"比中屯、部分的平均晶粒尺寸"b"，可W為約0. 3至約1。
[0045] 將基板與半導(dǎo)體管忍（die)連接或?qū)雽?dǎo)體管忍與其他半導(dǎo)體管忍連接的接合 線可能經(jīng)常經(jīng)歷嚴(yán)苛的溫度變化，并且晶粒尺寸和晶粒尺寸的散布可能關(guān)系到對于熱變化 的穩(wěn)定性。換言之，當(dāng)晶粒尺寸小時，與當(dāng)晶粒尺寸大時的不穩(wěn)定性相比，可W減小對于熱 變化的不穩(wěn)定性。
[0046] 此外，當(dāng)晶粒尺寸的分布比較均一時，散布小，并且因此，晶粒尺寸的分布與當(dāng)散 布大時的情況相比可W更加恒定。因此，可W減小對于熱變化的不穩(wěn)定性。其中，在與接合 線的縱向垂直的橫截面上，"a"/ "b"的比率，即外側(cè)部分的平均晶粒尺寸"a"比中屯、部分 b的平均晶粒尺寸叩"，可W為指示散布的指數(shù)。
[0047] 可W進(jìn)一步添加第一物理性能調(diào)節(jié)元素，W增強銀合金接合線的材料性能。第一 物理性能調(diào)節(jié)元素可W防止接合線內(nèi)的晶粒的尺寸的過度增加。
[0048] 第一物理性能調(diào)節(jié)元素可W是選自由W下各項組成的組中的一種W上：被度e)、 巧（Ca)、銅化a)、錠燈）和姉（Ce)?；诳偟你y合金接合線，第一物理性能調(diào)節(jié)元素的總 含量可W為約30wtppm至約lOOwt卵m。
[0049] 當(dāng)在合金接合線中的第一物理性能調(diào)節(jié)元素的含量太小時，防止晶粒尺寸粗化的 效果可能是最小的。另一方面，當(dāng)在銀合金接合線中的第一物理性能調(diào)節(jié)元素的含量過 大時，在銀合金接合線的末端形成的焊球的硬度可能過高。當(dāng)焊球的硬度過高時，在焊盤 或半導(dǎo)體管忍中可能出現(xiàn)裂縫或成坑（cratering),并且可能使相對于凸點的凸點上針腳 (SOB)焊接性能變差。
[0050] 圖3A是詳細(xì)描述SOB焊接性能的側(cè)視圖，且圖3B是圖3A中B部分的當(dāng)從其頂部 觀看時的平面圖。參照圖3A，設(shè)置了將要電學(xué)連接的第一焊盤10和第二焊盤20,并且在第 二焊盤20上設(shè)置凸點30。凸點30可W是球凸點或柱凸點，并且此處描述的是柱凸點的情 況。
[0051] 在設(shè)置的焊盤10和20中，在第二焊盤20上設(shè)置凸點30,并且設(shè)置凸點30的方法 同樣對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是熟知的，并省略了對其的詳細(xì)描述。
[0052] 在于第一焊盤10上通過在銀合金接合線100的線端部處形成焊球從而進(jìn)行球焊 之后，通過將銀合金接合線100引至在第二焊盤20上的凸點30來在凸點30上進(jìn)行針腳式 接合。
[0053] 參照圖3B，適宜的是，在針腳式接合中，左側(cè)和右側(cè)的形狀和尺寸相對于中屯、線C 是基本上對稱的。當(dāng)在針腳式接合期間向總的接合線寬度施加均勻的力時，如果接合線的 材料性能在整個寬度內(nèi)是幾乎均勻的，則針腳式接合表面的左側(cè)和右側(cè)的形狀和尺寸相對 于中屯、線C可W是基本上相互對稱的。
[0054] 可W進(jìn)一步添加第二物理性能調(diào)節(jié)元素，W增強銀合金接合線的物理性能。第二 物理性能調(diào)節(jié)元素可W抑制在接合線的變形期間可能發(fā)生的加工硬化。作為結(jié)果，可W達(dá) 到SOB焊接可能性的出色效果，并且可W獲得改善成坑的效果。 陽化5] 第二物理性能調(diào)節(jié)元素可W是選自由W下各項組成的組中的一種W上：銷（Pt) 和銅（化）。第二物理性能調(diào)節(jié)元素的總含