專利名稱：等離子切割槍頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及焊接技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種等離子切割槍頭。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的等離子焊割技術(shù)，分等離子弧焊和等離子切割；等離子火焰軒焊也是本人剛研發(fā)比較成熟的技術(shù)，由于釬焊工件比較復(fù)雜，釬焊空間狹小，所以等離子火焰釬焊槍頭體積要小，導(dǎo)致冷卻能力要受限制，切割槍在裝配壓接過程中，很容易將絕緣件壓裂，在使用過程中，槍頭位置間隙小容易爬電短路。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種配合緊密，槍頭位置不容易爬電短路的等離子切割槍頭。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型等離子切割槍頭，包括:內(nèi)配件以及套設(shè)在所述內(nèi)配件外的外配件；在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有螺紋，所述內(nèi)配件及所述外配件通過所述螺紋連接；在所述內(nèi)配件的底部設(shè)有凹槽。在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有第一絕緣層。在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有第二絕緣層，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層錯層設(shè)置，所述第二絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。本實用新型等離子切割槍頭將內(nèi)外配件由原來的壓接脹緊配合，更改成螺紋旋緊配合，裝配方面配合緊密。在內(nèi)桿上增加凹槽，增大內(nèi)外件之間的間隙，不容易爬電短路。同時，絕緣材料分成上下分體結(jié)構(gòu)，下半部分改用陶瓷材料，打火后陶瓷表面不會出現(xiàn)積碳而可以繼續(xù)使用，延長槍頭使用壽命。

圖1為本實用新型等離子切割槍頭側(cè)剖圖。本實用新型等離子切割槍頭附圖中附圖標(biāo)記說明:1-內(nèi)配件2-外配件3-第一絕緣層4-第二絕緣層 5-螺紋 6-凹槽
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型等離子切割槍頭作進一步詳細說明。如圖1所示，本實用新型等離子切割槍頭，包括:內(nèi)配件I以及套設(shè)在內(nèi)配件I外的外配件2 ;第一絕緣層3，第一絕緣層3設(shè)置在內(nèi)配件I及外配件2之間；第二絕緣層4，第二絕緣層4設(shè)置在內(nèi)配件I及外配件2之間，第二絕緣層4與第一絕緣層3錯層設(shè)置，第二絕緣層4的材質(zhì)為陶瓷。在內(nèi)配件I及外 配件2之間設(shè)有螺紋5，內(nèi)配件I及外配件2通過螺紋5連接。在內(nèi)配件I的底部設(shè)有凹槽6。[0013]本實用新型等離子切割槍頭將內(nèi)外配件由原來的壓接脹緊配合，更改成螺紋旋緊配合，裝配方面配合緊密。在內(nèi)桿上增加凹槽，增大內(nèi)外件之間的間隙，不容易爬電短路。同時，絕緣材料分成上下分體結(jié)構(gòu)，下半部分改用陶瓷材料，打火后陶瓷表面不會出現(xiàn)積碳而可以繼續(xù)使用，延長槍頭使用壽命。以上已對本實用新型創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型并不限于實施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.等離子切割槍頭，其特征在于，包括: 內(nèi)配件以及套設(shè)在所述內(nèi)配件外的外配件； 在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有螺紋，所述內(nèi)配件及所述外配件通過所述螺紋連接； 在所述內(nèi)配件的底部設(shè)有凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子切割槍頭，其特征在于，在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有第一絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子切割槍頭，其特征在于，在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有第二絕緣層，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層錯層設(shè)置，所述第二絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。
專利摘要本實用新型等離子切割槍頭，包括內(nèi)配件以及套設(shè)在所述內(nèi)配件外的外配件；在所述內(nèi)配件及所述外配件之間設(shè)有螺紋，所述內(nèi)配件及所述外配件通過所述螺紋連接；在所述內(nèi)配件的底部設(shè)有凹槽。本實用新型等離子切割槍頭將內(nèi)外配件由原來的壓接脹緊配合，更改成螺紋旋緊配合，裝配方面配合緊密。在內(nèi)桿上增加凹槽，增大內(nèi)外件之間的間隙，不容易爬電短路。同時，絕緣材料分成上下分體結(jié)構(gòu)，下半部分改用陶瓷材料，打火后陶瓷表面不會出現(xiàn)積碳而可以繼續(xù)使用，延長槍頭使用壽命。
文檔編號B23K10/00GK203031112SQ20122073020
公開日2013年7月3日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者賈紅濤 申請人:上海億諾科技有限公司