專利名稱：帶電束曝光掩模及帶電束曝光方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于半導體器件生產中的電子束或離子束曝光等帶電束曝光，尤其是關于具有不同單元孔徑的帶電束曝光掩模，每個單元孔徑都典型地與一集成電路芯片的重復單元圖形相對應，本發(fā)明還涉及一種使用曝光掩模的帶電束曝光方法。
近年來，隨著集成電路中的集成尺寸的增長和密集度的提高，在半導體器件生產過程中越來越強的需要高的生產量。毫無疑問地這種需要也同樣適用于應用電子束的蝕劑工藝過程即電子束蝕刻。
為了與高生產量的需要相適應，在電子束蝕刻中已發(fā)展出一種叫作“單元投影法”的改進方法。根據此“單元投影法”，典型地，曝光掩模具有不同的單元孔徑，除了為形成一可變成形孔徑的成形孔徑之外，每個單元孔徑都與集成電路芯片相對應。在使用中，電子束重復輻射到各個單元孔徑或每一集成電路芯片的成形孔徑上。


圖1示出為單元投影法而設計的傳統(tǒng)曝光掩模的實例。在圖1中，在傳統(tǒng)曝光掩模100的基片101中有規(guī)則地形成多個孔徑102a、102b及102c。
形狀為長方形并用來形成可變成形電子束的成形孔徑102a位于基片101的中心區(qū)域。每個都與集成電路芯片的重復單元圖形相對應的單元孔徑102b位于基片101的周邊區(qū)域。每個都與同一集成電路芯片的重復單元圖形相對應的單元孔徑102c位于基片101的中間區(qū)域。這些單元孔徑102b和102c的幾何尺寸根據集成電路芯片的所設計的布局(或曝光)數據來確定。
通過電子束的偏轉來對孔徑102a、102b和102c進行選擇。尤其是如圖2中所示，長方形的電子束121被輻射到常規(guī)的曝光掩模100上。通過位于電子源和掩模100之間的射線束成形掩模(未示出)來使光束121成形為長方形。
電子束121被位于射線成形掩模和曝光掩模100之間的射線偏轉器(未示出)所偏轉，以便被輻射到孔徑102a、102b及102c中所需的一個孔徑上，從而來選擇孔徑102a、102b或102c。已通過被選擇的孔徑102a、102b或102c的射線121被投射到半導體晶片上的電子束防護層區(qū)域，從而將與孔徑102a、102b和102c相對應的圖形轉換到防護層上。
孔徑102a、102b和102c的布局或設置可根據掩模設計者的意圖來隨意確定。
根據圖1中所示的常規(guī)曝光掩模100，當電子束121被輻射到位于掩模100的中心區(qū)域中的成形孔徑102a時，由于射線121的軸被設計成與掩模100的中心對準，從而無需對射線121進行偏轉。
然而，當電子束121被輻射到位于掩模100的周邊和中間區(qū)域的任一個單元孔徑102b和102c時，射線121需要用射線偏轉器偏轉一θ角。很清楚，對于在周邊區(qū)域的單元孔徑102b的角θ的值要比在中間區(qū)域的單元孔徑102c的角θ值大。
射線121的偏轉變形和偏差隨射線偏轉量的增加而增大，例如偏轉角θ。因此，在半導體晶片上的可獲得的圖形設置精度將隨偏轉角θ成比例地降低。這意味著當選擇了位于掩模100的周邊區(qū)域中的一個孔徑102b時，由于圖形設置精度的降低，會產生一些問題。
為解決由于圖形設置精度的降低而產生的以上問題，通常地，為了實現(xiàn)降低電子束121的偏轉變形和偏差的目的，已進行了各種各樣的嘗試。
例如，在1995年8月公開的日本未審查專利公開No.7-201701中揭示了一種改進的電子束曝光系統(tǒng)。通過此系統(tǒng)，可以根據由主偏轉器所產生的電子束的偏轉量，來使通過形成為一副射線偏轉器的一對相瓜電極施加的驅動電壓增加一特定量值。與此同時，通過另一對形成副射線偏轉器的相反電極施加的另一個驅動電壓被降低同一特定量值。因此，電子束的偏差得到了補償。
此外，在1995年6月出版的日本未審查專利公開No.7-142321中揭示了一種電子束曝光系統(tǒng)的偏轉補償方法。在此方法中，當在第一步驟中在半導體晶片的某一特定位置上檢測到有掩模形成時，對電子束的偏轉量進行測量。此后，在第二步驟中，所測得的偏轉量被設定作為電子束的補償數據。在第三步驟中，根據所測得的偏轉量的變化率來預測直到測量的偏轉量將達到最大的忍受極限時的一時間周期，在第四步驟中，當所預測的時間周期將過去時，來為下一次測量進行第一、第二和第三步驟。
對于在日本未審查專利公開No.7-201701和7-142321中所揭示的常規(guī)技術存在著下列問題。
由于這些常規(guī)技術為了偏轉電子束，需要電光系統(tǒng)的結構改變，其結果使電子曝光系統(tǒng)具有很復雜的結構。同樣，它們也不能消除上面提到的由于在圖形設置精度上的降低所導致的問題。
尤其是，近年來，由于半導體器件或集成電路的小型化的飛速發(fā)展，因此，在電子束蝕刻中對圖形設置精度的要求已變得越來越高。由此看來，對于在日本未審查專利公開No.7-201701和7-142321中所揭示的常規(guī)技術很難達到所滿意的圖形設置精度。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種帶電束曝光掩模和帶電束曝光方法，它們能在不受帶電束的偏轉變形及偏差的影響的情況下獲得所需的圖形轉換精度。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種帶電束曝光掩模和一種帶電束曝光方法，它們能在不改變對于帶電束偏轉系統(tǒng)的結構的情況下來獲得所需的圖形轉換精度。
通過下面的描述會使本領域的技術人員對以上的及其它未特別指出的目的有更清楚的了解。
根據本發(fā)明的第一個方面，提供了一種帶電束曝光掩模，其包含一具有一第一區(qū)域和一第二區(qū)域的基片，在基片的第一區(qū)域內形成第一組多個單元孔徑，在基片的第二區(qū)域內形成第二組多個單元孔徑。
基片的第一區(qū)域被設計成這樣一種形式，即輻射到第一區(qū)域的帶電束具有比基準角小的偏轉角?；牡诙^(qū)域被設計成這樣一種形式，即輻射到第二區(qū)域的帶電束具有等于或大于基準角的偏轉角。
第一組多個單元孔徑中的每一個對應于在工件上所需的高圖形轉換精度的精細圖形。第二組多個單元孔徑中的每一個對應于不需要高圖形轉換精度的粗略圖形。
對于根據本發(fā)明第一個方面的帶電束曝光掩模，在基片的第一區(qū)域內形成第一組多個單元孔徑，而在基片的第二區(qū)域內形成第二組多個單元孔徑。第一組多個單元孔徑中的每一個對應于在工件上所需的高圖形轉換精度的精細圖形，第二組多個單元孔徑中的每一個對應于不需高圖形轉換精度的粗略圖形。
此外，基片的第一區(qū)域被設計成這樣一種形式，即輻射到第一區(qū)域的帶電束具有小于基準角的折解角?；牡诙^(qū)域被設計成這樣一種形式，即輻射到第二區(qū)域的帶電束具有大于或等于基準角的偏轉角。
因此，需要高圖形轉換精度的精細圖形在帶電束的偏轉角小于基準角的情況下被轉換，這意味著精細圖形在帶電束的變形和偏差被抑制的同時被轉換。
另一方面，不需高圖形轉換精度的粗略圖形在帶電束的偏轉角大于或等于基準角的情況下被轉換。這意味著粗略圖形在帶電束的變形和偏差為相對較大的時候被轉換。然而，由于相對較大偏轉變形和偏差所導致的任何問題都可通過適當的選擇基準角的值來加以克服。
其結果是，在不受帶電束的偏轉變形和偏差的影響的情況下可獲得所需的圖形轉換精度。同樣，在不改變對于帶電束偏轉系統(tǒng)的結構的情況下，可獲得所需的圖形轉換精度。
在根據本發(fā)明第一方面的掩模的最佳實施例中，高圖形轉換精度由工件上小于或等于一特定值的所需的最小器件尺寸和由工件上小于或等于特定值的一所需的圖形設置精度中至少一個來確定。
在根據本發(fā)明第一方面的另一個最佳實施例中，用于產生一可變形帶電束的成形孔徑還另外地形成于基片的第二區(qū)域內。在此情況下，在無需用另一個掩模來替換的情況下可以將除單元圖形以外的任何圖形(例如隨機圖形、與重復圖形相連的區(qū)域等)轉換到工件上。
在根據本發(fā)明第一方面的另一個最佳實施例中，在基片內還形成被第一區(qū)域所包圍的第三區(qū)域?；牡谌齾^(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到第三區(qū)域的帶電束的偏轉角基本等于零。
根據本發(fā)明的第二方面，其提供了一種帶電束曝光方法，其包含下面的步驟(a)、(b)及(c)。
在步驟(a)中，準備一具有一第一區(qū)域和一第二區(qū)域的基片的帶電束曝光掩模。在基片的第一區(qū)域內形成第一組多個單元孔徑，在基片的第二區(qū)域內形成第二組多個單元孔徑、第一組多個單元孔徑中的再一個與工件上需要高圖形轉換精度的精細圖形相對應。第二組多個單元孔徑中的每一個與不需高精度轉換的粗略圖形相對應。
在步驟(b)中，帶電束以小于基準角的偏轉角輻射到第一組多個單元孔徑中被選定的一個孔徑上。因此，與第一組多個單元孔徑中所選定的一個孔徑相對應的精細圖形被轉換到工件上。
在步驟(c)中，帶電束以大于或等于基準角的偏轉角被輻射到第二組多個單元孔徑中的被選定的一個孔徑上。因此，與第二組多個單元孔徑中所選定的一個孔徑相對應的粗略圖形被轉換到工件上。
應用根據本發(fā)明第二方面的帶電束曝光方法，為了將與第一組多個單元孔徑相對應的精細圖形轉換到工件上，帶電束以小于基準角的一偏轉角被輻射到第一組多個單元孔徑中所選定的一個孔徑上。了為將與第二組多個單元孔徑相對應的粗略圖形轉換到工件上，帶電束以大于或等于基準角的偏轉角被輻射到第二組多個單元孔徑中所選定的一個孔徑上。
因此，在不受帶電束的偏轉變形和偏差的影響的情況下可獲得所需的圖形轉換精度。同樣，在不改變帶電偏轉系統(tǒng)的結構的情況下可獲得所需的圖形轉換精度。
在根據本發(fā)明第二方面的最佳實施例中，高圖形轉換精度由工件上小于或等于一特定值的所需的最小器件尺寸和由工件上小于或等于一特定值的一所需圖形設置精度中的至少一個來決定。
在根據本發(fā)明第二個方面的另一個最佳實施例中，在基片的第二區(qū)域內還另外形成一用于產生可變形帶電束的成形孔徑。在此情況下，在無需用另一掩模來替代的情況下，可將除單元圖形以外的任何圖形(例如隨機圖形、與重復圖形相連的區(qū)域等)轉換到工件上。
在根據本發(fā)明第二方面的方法的另一個最佳實施例中，在基片內形成一被第一區(qū)域所包圍的第三區(qū)域?；牡谌齾^(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到第三區(qū)域的帶電束的偏轉角基本等于零。
另外，在根據本發(fā)明第一方面的帶電束曝光掩模和根據本發(fā)明第二方面的帶電束曝光方法中，最好將基準角設定為10°。這是因為如果帶電束的偏轉角大于10°則不能忽略帶電束的偏轉變形和偏差。
最小器件尺寸的特定值最好被設為0.2μm或更小。這是因為如果工件上的最小器件尺寸為0.2μm或更小，則不能忽略帶電束的偏轉變形及偏差。
圖形設置精度的特定值最好被設為0.1μm或更小。這是因為如果工件上的圖形設置精度為0.1μm或更小，則不能忽略帶電束的偏轉變形和偏差。
為了使本發(fā)明能更好的實施，現(xiàn)在參考相應附圖對本發(fā)明進行描述。
圖1為常規(guī)電子束曝光掩模的平面示意圖；圖2示出當電子束被輻射到圖1中常規(guī)電子束曝光掩模中的其中一個單元孔徑上時的狀態(tài)的透視圖；圖3為根據本發(fā)明第一個實施例的電子束曝光掩模的平面示意圖；圖4為用于根據圖3中第一個實施例的電子束曝光掩模的電子束曝光系統(tǒng)的示意圖；圖5A示出當電子束被輻射到位于根據圖3中第一個實施例的電子束曝光掩模的內側區(qū)域的第一組單元孔徑中的一個孔徑上時的狀態(tài)透視圖；圖5B為當電子束被輻射到位于根據圖3中第一個實施例的電子束曝光掩模的外部區(qū)域的第二組單元孔徑中的一個孔徑上時的狀態(tài)透視圖；圖6為根據圖3中第一個實施例的電子束曝光掩模生產過程的流程圖；圖7為根據本發(fā)明第二個實施例的電子束曝光掩模的平面示意圖。
下面將參考所附附圖來對本發(fā)明的最佳實施例進行描述。第一實施例根據本發(fā)明第一實施例的電子束曝光掩摸具有圖3中所示的結構。
如圖3中所示，根據第一實施例的電子束曝光掩模1具有一正方形基片2?；?被分割為內側區(qū)域2a和外側區(qū)域2b。內側區(qū)域2a具有正方形的形狀。圍住內側區(qū)域2a的外側區(qū)域2b為正方形環(huán)狀。內側區(qū)域2a和外側區(qū)域2b的中心位于基片2的中心。
在基片2內有規(guī)則地形成9個單元孔徑3a和16個單元孔徑3b，它們以矩陣列的方式排列。每個單元孔徑3a和3b都與要被轉換到半導體晶片上的幾何形狀的重復圖形相對應。內側單元孔徑3a位于內側區(qū)域2a內。外側單元孔徑3b位于外側區(qū)域2b內。
這里，內部單元孔徑3a被設計成分別將半導體存儲器件的幾何形狀的精細存儲單元圖形形成或轉換到晶片上。晶片上的存儲單元圖形需要高的圖形轉換精度。外部單元孔徑3b被設計成分別將半導體存儲器件的幾何形狀的粗略周邊電路圖形形成或轉換到晶片上。晶片上的周邊電路不需要高的圖形轉換精度。
在此第一實施例中，如圖3中所示，在外部區(qū)域2b內另外形成兩個正方形成形孔徑4。用成形孔徑4來形成常規(guī)可變形電子束。
圖4示出了電子束曝光系統(tǒng)10，其執(zhí)行常規(guī)的單元投影方法。此系統(tǒng)包含一個電子槍11，一個第一射線偏轉器12、一掩模夾具13、一投影透鏡系統(tǒng)16、一第二射線偏轉器17和一晶片載臺14。
在操作中，在電子槍11和第一射線偏轉器12之間固定一個第一成形掩模15。第一成形掩模15具有一正方形形狀的第一成形孔徑(未示出)。根據第一實施例的曝光掩模1被固定到掩模夾具13上。在晶片載臺14上放置一作為工作件的半導體晶片20。
已由電子槍11發(fā)射出的電子束21首先被輻射到第一成形掩模15上，由此形成正方形的電子束21。
射線偏轉器12在與電子束21的軸相垂直的平面內沿兩正交方向來偏轉正方形的電子束21。射線21被偏轉器21偏轉到單元孔徑2a和2b及成形孔徑4中所需要的一個上面，從而根據需要選擇出所需的孔徑2a、2b或4。
投影透鏡系統(tǒng)16將已通過孔徑2a、2b和4中所選出的一個的電子束投射到載臺14上的晶片20上。
第二射線偏轉器17對射線21進行偏轉從而將射線21置位于晶片20上的所需的位置，從而將與所選出的孔徑2a、2b或4相對應的圖形轉換到晶片20上。
最小器件尺寸(或最小線寬)非常小(小于或等于0.6μm)的精細圖形被用來作為內部孔徑2a。例如，需要非常小的最小器件尺寸的存儲單元的圖形被用來作為內部孔徑2a。
另外，即使器件尺寸不是很小，圖形的圖形設置精度非常小(小于或等于0.1μm的任何圖形被用來作為內部孔徑2a。例如，較低位置接觸孔的圖形或金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極圖形被用來作為內部孔徑2a。
最小器件尺寸不是非常小的孔徑的相略圖形(大于0.2μm)被用來作為外部孔徑2b。此外，任何圖形設置精度不是非常小(大于0.1μm)的圖形被用來作為外部孔徑2b。例如，上位接觸孔的圖形、存儲器件的周邊電路或布線層被用來作為外部孔徑2b。
下面對圖4中的電子束曝光系統(tǒng)的操作進行描述。
在第一步驟中，如圖5A中所示，電子束21被輻射到內部單元孔徑3a中所選出的一個孔徑上，該孔徑與掩模1的法線N(即，非偏轉電子束21的軸)成一θ1的偏轉角。圖5A中的參考字符B表示偏轉電子束21的軸。偏轉角θ1小于基準角。因此，將與單元孔徑3a中所選出的一個孔徑對應的精細單元圖形轉換到晶片20上。
在另一步驟中，如圖5B中所示，電子束21以與法線N成θ2的偏轉角被輻射到外部單元孔徑36中所選出的一個孔徑上，其中θ1＜θ2。偏轉角θ2大于基準角。因此，與外部單元孔徑3b中的所選出的一個孔徑對應的粗略圖形被轉換到晶片20上。
在另外一個步驟中，如圖5B中所示，電子束21以同一與法線N成θ2的偏轉角被輻射到成形孔徑4的所選出的一個孔徑上。因此，與成形孔徑4的所選出的一個孔徑相對應的隨機圖形被轉換到晶片20上。
對于根據本發(fā)明第一實施例的電子束曝光掩模1，在基片2的內部區(qū)域2a內形成內部單元孔徑3a而在基片2的外部區(qū)域2b內形成外部單元孔徑3b。每個內部單元孔徑3a與需要高圖形轉換精度的精細圖形相對應。每個外部單元孔徑3b都與不需高圖形轉換精度的粗略圖形相對應。
此外，基片2的內部區(qū)域2a被設計成這樣一種形式，即被輻射到內部區(qū)域2a的電子束21的偏轉角θ1小于基準角。基片2的外部區(qū)域2b被設計成這樣一種形式，即被輻射到外部區(qū)域2b的射線21的偏轉角θ2大于基準角。
因此，在電子束21的偏轉角小于基準角的情況下，需要高圖形轉換精度的精細圖形2a被轉換。這意味著在精細圖形3a被轉換的同時，射線21的偏轉變形和偏差被克服。
另一方面，在射線21的偏轉角大于基準角的情況下，不需高圖形轉換精度的粗略圖形3b被轉換。這意味著在粗略圖形3b被轉換的同時，射線21的偏轉變形和偏差相對較大。然而，通過適當選擇基準角的值，可以克服任何由于大的偏轉變形和偏差所產生的問題。
其結果是，在不受電子束21的偏轉變形和偏差的影響的情況下可獲得所需的圖形轉換精度。另外，在不改變用于偏轉射線21的電光系統(tǒng)的結構的情況下可以獲得所需的圖形轉換精度。
此外，由于在外部區(qū)域2b內形成兩個成形孔徑4，這有另外的一個好處，即在不用另一個掩模來替代掩模1的情況下可將除單元圖形以外的任何圖形(例如隨機圖形、與重復圖形相連的區(qū)域等)轉換到晶片20上。
圖6示出制造根據第一實施例的曝光掩模1的生產程序。
在步驟S1中，通過半導體存儲器件的布局或曝光數據來確定多個單元圖形。
在步驟S2中，來判定存儲單元圖形的最小器件尺寸(或最小線寬)是否為小于或等于0.2μm，如果答案為“是”，則執(zhí)行步驟S4。如果答案為“否”則執(zhí)行步驟S3。
在步驟S3中，來判定存儲單元圖形的設置精度是否為小于或等于0.1μm。如果答案為“是”，則執(zhí)行步驟S4。如果答案為“否”，則執(zhí)行步驟S5。
在步驟S4中，與上述提到的單元圖形相對應的單元孔徑被設計位于掩模1的基片2的內部區(qū)域2a內。
在步驟S5中，與上面提到的單元圖形相對應的單元孔徑被設計位于掩模1的基片2的外部區(qū)域2b內。
在步驟S4和S5中孔徑3a、3b和4的位置設定可通過如下所述方法進行。
首先，選擇第一個要被置于內部區(qū)域2a中的單元圖形并將其布置在內部區(qū)域2a(例如基片2的中心)的中心處的單元孔徑3a中。然后，選擇第二到第九個將被置于內部區(qū)域2a中的單元圖形并順序地將它們安置在圍繞中心孔徑3a的單元孔徑3a中。此后，選擇出第一到第十六個要被置于外側區(qū)域2b內的單元圖形并順序地將它們設置在單元孔徑3b內以便圍住內部區(qū)域2a。最后，將成形的孔徑設置在外圍區(qū)域內的剩余孔徑4內。
因此，可獲得圖3中根據本發(fā)明第一個實施例的曝光掩模1。
第二實施例一般地，電子束的偏轉變形及偏差會連續(xù)地隨著偏轉角的增大而變化。因此，基片2可根據最小器件尺寸而被分割為3個或更多的區(qū)域。
圖7示出了根據本發(fā)明第二個實施例的電子束曝光掩模1A。此掩模1A除了另外在內部區(qū)域2a中形成中心區(qū)域2c和在中心區(qū)域2c中形成一單元孔徑3c之外，其結構基本與圖3中第一實施例的掩模1相同。中心區(qū)域2c位于基片2的中心。
因此，這里省略了對相同結構的描述，并為了簡化描述的目的，對相應的元件使用了相同的參考數碼。
很清楚與在第一實施例中具有同樣的優(yōu)點。
在上面第一和第二實施例中，對電子束曝光掩模進行了描述。然而，無需說本發(fā)明也同樣適用于任何其它的帶電束曝光掩模，例如用于離子束蝕刻的離子束曝光掩模等。
雖然已對發(fā)明的最佳形式進行了描述，必須明確，對本領域的技術人員而言所作的顯而易見的修改都不脫離本發(fā)明的精神。因此本發(fā)明的范圍僅由如下的權利要求來進行限定。
權利要求
1.一種帶電束曝光掩模，其特征在于它包含一具有第一區(qū)域及第二區(qū)域的基片；在所述基片的所述第一區(qū)域內形成的第一組多個單元孔徑；在所述基片的所述第二區(qū)域內形成的第二組多個單元孔徑；所述基片的所述第一區(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到所術第一區(qū)域的帶電束具有小于基準角的偏轉角；所述基片的所述第二區(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到所述第二區(qū)域的所述帶電束的偏轉角大于或等于所述基準角；與精細圖形對應的每個所述第一組的多個單元孔徑在工件上需要高的圖形轉換精度；及與粗略圖形對應的每個所述第二組多個單元孔徑不需所述高的圖形轉換精度。
2.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于其中所述的高圖形轉換精度由小于或等于所述工件上特定值的所需最小器件尺寸和由小于或等于所述工件上特定值的所需圖形設置精度中的至少一個來決定。
3.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于其還包括用于在所述基片的所述第二區(qū)域內產生可變形帶電束的一成形孔徑。
4.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于其還包括在所述基片內形成的將被所述第一區(qū)域包圍的第三區(qū)域；其中所述基片的第三區(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到所述第三區(qū)域的所述帶電束的偏轉角基本為零。
5.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于其中所述基準角為10°。
6.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于所述最小器件尺寸的所述特定值為0.2μm或更小。
7.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于其中所述圖形設置精度的特定值為0.1μm或更小。
8.一種帶電束曝光方法，包含如下步驟(a)準備一帶電束曝光掩模，其具有一帶有一第一區(qū)域的第二區(qū)域的基片；在所述基片的所述第一區(qū)域內形成第一組多個單元孔徑，在所述基片的所述第二區(qū)域內形成第二組多個單元孔徑；與精細圖形對應的每個所述第一組的多個單元孔徑都需要工件上的高圖形轉換精度；與粗略圖形對應的每個所述第二組的多個單元孔徑無需所述的高圖形轉換精度；(b)以小于基準角的偏轉將帶電束輻射到第一組多個單元孔徑中被選出的一個孔徑上，從而將與所述第一組多個單元孔徑中被選出的一個孔徑相對應的精細圖形轉換到所述工件上。(c)以大于或等于基準角的偏轉角將帶電束輻射到所述第二組多個單元孔徑中被選出的一個孔徑上，從而將與所述第二組多個單元孔徑中被選出的一個孔徑相對應的粗略圖形轉換到所述工件上。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中所述高圖形轉換精度由小于或等于所述工件上特定值的所需的最小器件尺寸和由在所述工件上小于或等于特定值的所需圖形設置精度中的至少一個來決定。
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于還包括一用于在所述基片的所述第二區(qū)域內產生可變形帶電束的一成形孔徑。
11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于還包括在所述基片內形成將被所述第一區(qū)域包圍的第三區(qū)域；其中所述基片的所述第三區(qū)域被設計成這樣一種形式，即被輻射到所述第三區(qū)域的帶電束的偏轉角大致等于零。
12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中所述基準角為10°。
13.根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中所述最小器件尺寸的特定值為0.2μm或更小。
14.根據權利要求8所述的方法，其特征在于其中所述圖形設置精度的特定值為0.1μm或更小。
全文摘要
一種電子束曝光掩模,此掩模包括一基片,該基片具有一第一區(qū)域和第二區(qū)域,在第一區(qū)域內形成第一組多個單元孔徑,在第二區(qū)域內形成第二組多個單元孔徑。被輻射到第一區(qū)域的帶電束的偏轉角小于基準角。被輻射到第二區(qū)域的帶電束的偏轉角大于或等于基準角。每個第一組多個單元孔徑都對應于需要高圖形轉換精度的精細圖形。每個第二組多個單元孔徑對應于不需高圖形轉換精度的精略圖形。
文檔編號H01J37/317GK1174402SQ9711676
公開日1998年2月25日 申請日期1997年8月15日 優(yōu)先權日1996年8月15日
發(fā)明者山田泰久, 野末寬 申請人:日本電氣株式會社