專利名稱：異常檢測裝置和異常檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測等離子體處理裝置的異常放電的異常檢測裝置和異常檢測方法。
背景技術(shù)：
在對半導(dǎo)體晶片(以下，稱為晶片。)和基板等被處理體實施使用等離子的微細(xì)加工時，向進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)導(dǎo)入氣體，施加高頻電 力，通過將導(dǎo)入的氣體分解而生成等離子體，使用該等離子體對被處理體進(jìn)行等離子體處理。在生成由等離子體的處理室內(nèi)，由于各種各樣的原因，高頻電場集中，有時產(chǎn)生電弧放電等異常放電。異常放電在被處理體的表面殘留有放電痕跡，使配置于處理室內(nèi)的構(gòu)成部件燒損。另外，也成為使附著于處理室內(nèi)的構(gòu)成部件上的反應(yīng)生成物等剝離而產(chǎn)生微粒(particle)的原因。因此，在早期檢測處理室內(nèi)的異常放電并且發(fā)現(xiàn)異常放電的情況下，需要立即適當(dāng)?shù)夭扇⊥Ｖ沟入x子體處理裝置的動作等的措施，防止被處理體和各種部件的損傷和微粒的產(chǎn)生。于是，在現(xiàn)有技術(shù)中提案有早期檢測異常放電的方法。作為一個例子，舉出在晶片處理后設(shè)置測試工序，經(jīng)由測試工序通過目視發(fā)現(xiàn)放電痕的方法。但是，根據(jù)該方法，直到晶片處理后測試工序需要相當(dāng)長的等待時間，在該期間也要接連不斷地對未處理的晶片執(zhí)行等離子體處理。由此，假如在測試工序中即使發(fā)現(xiàn)晶片的缺陷，直到使產(chǎn)生異常放電的等離子體處理裝置停止也需要相應(yīng)的時間，在這期間要對相當(dāng)多的產(chǎn)品晶片進(jìn)行處理，會生產(chǎn)出大量的不良片(chip)。作為早期檢測異常放電的其它的方法，還提案有使用AE (聲發(fā)射AcousticEmission)傳感器，根據(jù)AE信號的波形圖案檢測異常放電的技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :(日本)特開2011 — 14608號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，由于AE傳感器靈敏度高，利用AE傳感器檢測的AE信號不僅是起因于等離子體異常放電的信號，還大量含有起因于等離子體處理裝置的輸送閘閥的開閉和輸送銷的上下動的機(jī)械振動等噪聲。由此，由于AE信號中含有的噪聲，有可能降低等離子體處理裝置的異常放電的檢測精度。本發(fā)明是鑒于以上的課題而完成的，目的在于提供異常檢測裝置和異常檢測方法，能夠提高異常放電的判定精度，且降低數(shù)據(jù)處理的負(fù)荷。用于解決課題的方法
為解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種異常檢測裝置，其特征在于，具備取得部，其取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號，上述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，上述AE傳感器用于檢測在上述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射；分析部，其分析所取得的上述高頻率信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案；和異常判定部，其基于上述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和上述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。也可以是，上述分析部基于上述高頻信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案，抽取上述被處理體脫離時的動作中的上述高頻信號的最大振幅和上述AE信號的最大振幅的值，上述異常判定部通過比較上述高頻率信號的最大振幅和第一閾值、且比較上述AE信號的最大振幅和第二閾值，來判定有無異常放電。也可以是，上述RF傳感器是定向耦合器、RF探測器或者電流探測器中任一個?！?br> 根據(jù)本發(fā)明的另一個方式，提供一種異常檢測裝置，其特征在于，具備監(jiān)視部，其監(jiān)視載置于處理室內(nèi)的等離子體處理后的被處理體從脫離開始直到打開輸送閘閥的動作，將上述動作規(guī)定為被處理體脫離時的動作；取得部，其在被規(guī)定的上述被處理體脫離時的動作中，取得從定向耦合器輸出的行波或反射波中的至少任一種高頻信號，上述定向耦合器設(shè)置于對上述處理室內(nèi)施加高頻電力的高頻電源和匹配器之間或設(shè)置于作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極和上述匹配器之間；分析部，其分析所取得的上述高頻率信號的波形圖案；和異常判定部，其基于上述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。也可以是，上述取得部取得從用于檢測在上述處理室中產(chǎn)生的聲發(fā)射(AE)的AE傳感器輸出的AE信號，上述分析部分析上述取得的AE信號的波形圖案，上述異常判定部基于上述高頻信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。也可以是，上述分析部基于上述高頻信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案，抽取上述被處理體脫離時的動作中的上述高頻信號的最大振幅和上述AE信號的最大振幅的值，上述異常判定部通過比較上述高頻率信號的最大振幅和第一閾值，且比較上述AE信號的最大振幅和第二閾值，判定有無異常放電。也可以是，上述異常判定部通過比較上述高頻率信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻和上述AE信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻，判定有無異常放電。也可以是，上述分析部對AE信號的波形圖案進(jìn)行頻率分析，從頻率分析后的數(shù)據(jù)使用所要求的噪聲去除過濾器除去噪聲后，對噪聲被除去的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。也可以是，上述AE傳感器安裝于對還作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極供給高頻電力的供電棒上。也可以是，每I μ sec 5 μ sec進(jìn)行上述高頻信號的取樣。也可以是，每I μ sec Imsec進(jìn)行上述AE信號的取樣。也可以是，上述監(jiān)視部，在關(guān)斷對靜電卡盤的電極施加的直流高壓電力的輸出時、或反向施加了上述直流高壓電力時，判定為上述等離子體處理后的被處理體的脫離開始。為解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種異常檢測方法，其特征在于，包括取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號的步驟，上述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，上述AE傳感器用于檢測在上述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射；分析所取得的上述高頻率信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案的步驟；和基于上述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和上述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果來判定有無異常放電的步驟。另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個方式，提供一種異常檢測方法，其特征在于，包括監(jiān)視載置于處理室內(nèi)的等離子體處理后的被處理體從脫離開始直到打開輸送閘閥的動作，將上述動作規(guī)定為被處理體脫離時的動作的步驟；在被規(guī)定的上述被處理體脫離時的動作中，取得從定向耦合器輸出的行波或反射波中的至少任一種高頻信號的步驟，上述定向耦合器設(shè)置于對上述處理室內(nèi)施加高頻電力的高頻電源和匹配器之間或設(shè)置于作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極和上述匹配器之間；分析已取得的上述高頻率信號的波形圖案的步驟；和基于上述高頻率信號的波形圖案的分析結(jié)果，判定有無異常放電的步驟。進(jìn)一步根據(jù)本發(fā)明的另一個方式，提供一種等離子體處理裝置，其特征在于，具 備對基板進(jìn)行處理的處理室；在上述處理室內(nèi)進(jìn)行等離子體生成的等離子體生成機(jī)構(gòu)；和與上述等離子體生成機(jī)構(gòu)的供電部連接、檢測上述等離子體的異狀的異常放電檢測裝置，上述異常放電檢測裝置包括取得部，其取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號，上述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，上述AE傳感器用于檢測在上述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射；分析部，其分析所取得的上述高頻率信號的波形圖案和上述AE信號的波形圖案；和異常判定部，其基于上述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和上述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。發(fā)明效果根據(jù)以上說明的本發(fā)明，能夠提供異常檢測裝置和異常檢測方法，能夠提高異常放電的判定精度，且降低數(shù)據(jù)處理的負(fù)荷。


圖I是表示本發(fā)明的一實施方式的蝕刻處理裝置的縱截面圖。圖2是一實施方式的蝕刻處理裝置用的控制裝置的功能構(gòu)成圖。圖3是表示一實施方式的數(shù)據(jù)取得處理的流程圖。圖4是用于說明在一實施方式的蝕刻處理裝置中產(chǎn)生的異常波形的一個例子的圖。圖5是表示一實施方式的異常檢測處理的流程圖。圖6是對每個晶片表不一實施方式的高頻信號的波形圖案的圖。圖7是對每個晶片表示一實施方式的高頻信號的最大振幅的圖。圖8是對每個晶片表不一實施方式的AE信號的波形圖案的圖。圖9是對每個晶片表示一實施方式的AE信號的頻率分析后的波形圖案的圖。圖10是對每個晶片表不一實施方式的AE信號的最大振幅的圖。圖11是表示一實施方式的高頻信號與AE信號的最大振幅的發(fā)生時刻的偏差的圖。
圖12是表示其他實施方式的蝕刻處理裝置的縱截面圖。圖13是表示一實施方式的利用RF探測器得到的高頻信號的波形圖案和AE信號的波形圖案的圖。圖14是表示變形例的異常檢測處理的流程圖。符號說明10 蝕刻處理裝置12 載置臺13 靜電卡盤
14 直流高壓電源36 輸送閘閥40 第一高頻電源41匹配器50 第二高頻電源51匹配器52 供電棒53a、53b 同軸電纜60定向I禹合器61 AE 傳感器62噪聲去除過濾器70 異常檢測裝置71等離子體處理控制部72 監(jiān)視部73 取得部74 分析部75 異常判定部76 存儲部80 RF 傳感器C處理室UE 上部電極DE 下部電極
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，在本說明書和附圖中，對實質(zhì)上具有同一功能構(gòu)成的構(gòu)成要素，添加同一符號，由此省略重復(fù)說明。[裝置構(gòu)成]首先，作為本發(fā)明的一實施方式的等離子體處理裝置，以蝕刻處理裝置為例，參照圖I對其裝置構(gòu)成進(jìn)行說明。圖I是本發(fā)明的一實施方式的蝕刻處理裝置的縱截面圖。蝕刻處理裝置10為電極板平行相對配置的電容耦合型的蝕刻裝置。蝕刻處理裝置10具有例如表面由進(jìn)行了陽極氧化處理的鋁等構(gòu)成且成形為圓筒形狀的處理室C。處理室C接地。在處理室C內(nèi)的底部，隔著陶瓷等絕緣板(未圖示)，設(shè)有用于載置晶片W的大致圓柱形的基座支承臺11。在基座支承臺11上，設(shè)有兼作下部電極DE的載置臺12。為了在下部電極DE上固定晶片W，在下部電極DE設(shè)有靜電卡盤13。靜電卡盤13的電極13a例如由聚酰亞胺制的薄膜形成，埋設(shè)于下部電極DE中。當(dāng)從直流電壓源14輸出的直流電壓施加于電極13a時，載置于電極13a的表面上的晶片W通過靜電吸附力被吸附保持在下部電極DE上。在基座支承臺11、載置臺12、靜電卡盤13上，在晶片W的背面形成有用于供給傳熱介質(zhì)(例如He氣體等)的未圖示的氣體通路，通過該傳熱介質(zhì)，載置臺12的冷熱傳遞至晶片W，晶片W維持在規(guī)定的溫度。在載置臺12的上方，與下部電極DE相 對地設(shè)有上部電極UE。上部電極UE被處理室C的頂部支承。上部電極UE具有上部電極板31和由支承上部電極板31的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極支承體32。在處理室C中，從未圖示的氣體路徑供給用于等離子蝕刻處理的蝕刻氣體等。在處理室C的底部，經(jīng)由排氣管34連接有排氣裝置35。排氣裝置35具備渦輪分子泵等真空泵，將處理室C內(nèi)抽真空直到規(guī)定的減壓氛圍。另外，在處理室C的側(cè)壁設(shè)置有輸送閘閥36，通過開閉輸送閘閥36，在其與鄰接的輸送室(未圖示)之間輸送晶片W。蝕刻處理裝置10供給上下兩頻率的高頻電力。在上部電極UE經(jīng)由匹配器41連接有第一高頻電源40。第一高頻電源40例如具有27 150MHz范圍的頻率(RF)。一邊供給蝕刻氣體一邊在上部電極和下部電極之間施加高頻電力，由此能夠在處理室C內(nèi)形成優(yōu)選的蝕刻氣體的等離子體。在作為下部電極DE的載置臺12，經(jīng)由匹配器51連接有第二高頻電源50。匹配器51和下部電極DE通過供電棒52連接。在第二高頻電源50和匹配器51之間設(shè)有定向耦合器60，用同軸電纜53a、53b連接。第二高頻電源50對下部電極DE施加比第一高頻電源40低的頻率的偏壓用高頻電力。由此，不會對晶片W造成損傷，且能夠賦予適當(dāng)?shù)碾x子作用。第二高頻電源50的頻率優(yōu)選例如I 20MHz范圍。另外，定向耦合器60設(shè)于還作為載置晶片W的載置臺發(fā)揮作用的下部電極DE和匹配器51之間。根據(jù)該構(gòu)成，被導(dǎo)入處理室C的蝕刻氣體，利用從第一高頻電源40輸出的高頻電力進(jìn)行等離子化，使用所生成的等離子體對載置臺上的晶片W實施所要求的蝕刻處理。[異常放電檢測]下面，對蝕刻處理裝置10的異常放電的檢測進(jìn)行說明。在利用蝕刻處理裝置10進(jìn)行的上述蝕刻處理中，從第二高頻電源50經(jīng)由同軸電纜53a、定向耦合器60、同軸電纜53b、匹配器51、供電棒52對晶片W施加高頻電力時，有時在處理室C內(nèi)產(chǎn)生異常放電(例如，電弧放電)。這時,等離子體的阻抗產(chǎn)生紊亂,產(chǎn)生從匹配器51向第二高頻電源50 —側(cè)的反射波BtmPr。定向耦合器60檢測從該匹配器51朝向第二高頻電源50的反射波BtmPr。另外，定向耦合器60也能夠檢測從第二高頻電源50朝向匹配器51的行波BtmPf。但是，定向耦合器60只要能夠檢測行波BtmPf或反射波BtmPr的至少一種即可。以下，將由定向耦合器60檢測的行波BtmPf或反射波BtmPr的至少任一種信號稱為高頻信號。另外，AE傳感器61用粘接劑等安裝在供電棒52的接地線上。AE傳感器61檢測等離子體異常放電時的能量釋放為起因的AE (聲發(fā)射AcousticEmission)。在本實施方式中，為了檢測在晶片上產(chǎn)生的異常放電，將AE傳感器61安裝于盡可能與晶片W接近的位置、處理室C外的大氣空間。另外，AE傳感器61也可以安裝于晶片W的上方。但是，在晶片W的下方安裝由AE傳感器61，容易檢測晶片W上的異常放電，因此優(yōu)選。由于AE傳感器61的靈敏度高，因此通過AE傳感器61檢測的AE信號，不僅是起因于等離子體異常放電的信號，而且大量包含以等離子體處理裝置10的輸送閘閥36的開閉、用于輸送被載置的晶片W的未圖示的銷的升降為起因的機(jī)械性振動等噪聲。由此，由于AE信號中含有的噪聲，可能降低等離子體異常放電的檢測精度。于是，在本實施方式的異常放電的檢測中，將定向耦合器60和AE傳感器61安裝于蝕刻處理裝置10，對由定向耦合器60檢測出的高頻信號和由AE傳感器61檢測出的AE信號進(jìn)行高速取樣。以下，將已被取樣的AE信號也表示為“BtmAE”。另外，將已被取樣的反射波的高頻信號也表示為“BtmPr”，將已被取樣的行波的高頻信號也表示為“BtmPf “。 異常檢測裝置70從定向耦合器60取得已被取樣的高頻信號(BtmPf和/或BtmPr)。另外，異常檢測裝置70從AE傳感器61取得已被取樣的AE信號(BtmAE)。異常檢測裝置70使用高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和AE信號的波形圖案的分析結(jié)果兩者的結(jié)果，判定有無異常放電。由此，在僅使用AE傳感器61的情況下，難以劃分AE信號中所含有的異常放電的測定值和噪聲，而使用來自定向耦合器的反射波或行波的高頻信號，能夠除去AE傳感器61的檢測結(jié)果中所含有的噪聲。另外，在本實施方式的異常放電的檢測中，使用由定向耦合器60和AE傳感器61檢測出的取樣數(shù)據(jù)這兩者來檢測異常放電，但不一定需要由AE傳感器61檢測出的取樣數(shù)據(jù)，也可以僅分析由定向耦合器60檢測的取樣數(shù)據(jù)，來檢測異常放電。但是，使用雙方的取樣數(shù)據(jù)檢測異常放電，精度高，因此更優(yōu)選。另外，優(yōu)選每I μ sec 5 μ sec進(jìn)行高頻信號的取樣，優(yōu)選每I μ sec Imsec進(jìn)行AE信號的取樣。等離子體處理中，當(dāng)總是收集AE信號的取樣數(shù)據(jù)時，所收集的數(shù)據(jù)量巨大。由此，分析所收集的所有數(shù)據(jù)來檢測異常放電所需的處理的負(fù)荷大，效率差。與此相對，如果能夠適當(dāng)抽取容易引起異常放電的條件，則僅在滿足所述條件期間收集取樣數(shù)據(jù)，只要僅分析必要的取樣數(shù)據(jù)即可，因此處理的負(fù)荷低，效率高。(晶片脫離時)對此，發(fā)明者用實驗查明了在晶片的除電時容易產(chǎn)生晶片W上的異常放電的情況。因此，在本實施方式中，對應(yīng)容易產(chǎn)生晶片W上的異常放電的晶片脫離時的定時而收集取樣數(shù)據(jù)。由此，能夠探測在晶片上和晶片背面引起的微小的異常放電。在此，所謂晶片脫離時是指從晶片脫離開始到晶片W脫離結(jié)束的期間。具體而言，在等離子體處理后，將關(guān)斷了對靜電卡盤13的電極13a施加的直流高壓電力HV的輸出時、或反向施加了直流高壓電力HV時，設(shè)定為等離子體處理后的晶片的脫離開始的條件。另外，在晶片脫離開始后，在使抬起載置于載置臺12的晶片W的銷上升后，將打開輸送閘閥36時設(shè)定為晶片W脫離結(jié)束的條件。這樣，在本實施方式中，關(guān)斷了直流高壓電力HV的輸出時、反向施加了直流高壓電力HV時、使銷升降時、開閉輸送閘閥36時，都容易引起晶片W上的異常放電，因此收集晶片脫離時包括的、這期間的取樣數(shù)據(jù)。但是，晶片脫離時的定時不限于此，也可以是從關(guān)斷直流高壓電力HV的輸出時直到開閉輸送閘閥36時，也可以是從關(guān)斷直流高壓電力HV的輸出時直到使銷升降時，也可以是從反向施加直流高壓電力HV時直到使輸送閘閥36開閉時，也可以是從反向施加了直流高壓電力HV時直到使銷升降時。[功能構(gòu)成]下面，參照圖2對異常檢測裝置70的功能構(gòu)成進(jìn)行說明。異常檢測裝置70為檢測蝕刻處理裝置10的異常放電的裝置，其具有等離子體處理控制部71、監(jiān)視部72、取得部73、分析部74、異常判定部75和存儲部76。但是，等離子體處理控制部71和存儲部76不一定是異常檢測裝置70的必須的功能。等離子體處理控制部71控制在蝕刻處理裝置10中進(jìn)行的蝕刻處理。具體而言，等離子體處理控制部71控制來自第二高頻電源50的高頻電力的功率和ON / 0FF，并且控制直流高壓電源14的直流高壓電力HV的功率和ON / OFF。另外，等離子體處理控制部71控制輸送閘閥36的開閉，并且控制用于輸送設(shè)于未圖示的載置臺12上的晶片W的銷的上·下動作。監(jiān)視部72監(jiān)視載置于處理室C內(nèi)的晶片W即從等離子體處理后晶片W的從脫離開始直到輸送閘閥36打開的動作，將該動作規(guī)定為晶片W脫離時的動作。取得部73取得在被規(guī)定的上述晶片W的脫離時的動作中從定向耦合器60輸出的行波或反射波的至少任一種高頻信號，上述定向耦合器60設(shè)置于對處理室C內(nèi)施加高頻電力的第二高頻電源50和匹配器51之間。另外，取得部73取得自用于檢測在處理室C中產(chǎn)生的聲發(fā)射(AE)的AE傳感器61輸出的AE信號。另外，在第一高頻電源40和匹配器41之間設(shè)有定向耦合器，取得部73也可以取得從該定向耦合器輸出的行波或反射波的至少任一種高頻信號。分析部74分析所取得的高頻信號的波形圖案。另外，分析部74分析所取得的AE信號的波形圖案。作為分析方法的一個例子，分析部74也可以基于高頻信號的波形圖案和AE信號的波形圖案，抽取并分析晶片W的脫離時的動作中的高頻信號的最大振幅和AE信號的最大振幅的值。另外，分析部74也可以對AE信號的波形圖案進(jìn)行頻率分析(FFT Fast Fourier Transform),從已被頻率分析的數(shù)據(jù)使用所要求的噪聲去除過濾器除去噪聲之后，分析噪聲被除去后的數(shù)據(jù)。噪聲去除過濾器62是為了從AE信號中除去不需要的噪聲所使用的過濾器。噪聲去除過濾器62除去預(yù)先確定的頻帶的噪聲。例如，如圖9所示，噪聲去除過濾器62具有高通過濾器(HPF)和帶通過濾器(BPF)，上述高通過濾器(HPF)僅使70kHz以上的信號通過，將除此之外的頻帶作為噪聲除去，上述帶通過濾器(BPF)僅使所希望的頻帶的信號通過，將除此之外的頻帶作為噪聲除去。例如，在本實施方式中，將帶通過濾器(BPF)的頻帶設(shè)定為80 105kHz、130 150kHz、220 240kHz、260 290kHz、300 325kHz、430 450kHz,將除此之外的頻帶作為噪聲而除去。分析部74將通過了噪聲去除過濾器62的AE信號，例如以IMHz的頻率進(jìn)行高速取樣并轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)(高速取樣數(shù)據(jù))，存儲于存儲部76。異常判定部75基于高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。異常判定部75也可以基于高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。具體而言，異常判定部75也可以對高頻信號的最大振幅和第一閾值(后述的閾值C)進(jìn)行比較，且對AE信號的最大振幅和第二閾值(后述的閾值D)進(jìn)行比較，由此判定有無異常放電。另外，考慮AE信號中含有的噪聲，異常判定部75也可以通過對高頻信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻和AE信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻進(jìn)行比較，來判定有無異常放電。存儲部76存儲用于異常判定部75判定是否異常放電的各種閾值。另外，存儲部76也可以暫時地存儲來自AE傳感器61的取樣數(shù)據(jù)、來自定向耦合器60的取樣數(shù)據(jù)。各種閾值也可以反饋異常放電檢測結(jié)果并使值最適化。另外，等離子體處理控制部71、監(jiān)視部72、取得部73、分析部74和異常判定部75的功能，例如可通過CPU (Central Processing Unit)按照儲存于存儲部76的程序進(jìn)行動作來實現(xiàn)。該程序儲存于存儲介質(zhì)而被提供，也可以經(jīng)由未圖示的驅(qū)動程序(driver)讀入存儲部76’另外也可以從未圖示的網(wǎng)絡(luò)下載并儲存于存儲部76。另外，為了實現(xiàn)上述各部的功能，也可以代替CPU而使用DSP (Digital Signal Processor)。存儲部76例如可作為使用半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤等的RAM (Random Access Memory)或ROM (Read OnlyMemory)來實現(xiàn)。另外，等離子體處理控制部71、監(jiān)視部72、取得部73、分析部74和異常判 定部75的功能，還可以通過使用軟件進(jìn)行動作來實現(xiàn)，也可以通過使用硬件進(jìn)行動作來實現(xiàn)。[動作數(shù)據(jù)取得]接著，對本實施方式的異常檢測裝置70的數(shù)據(jù)取得的動作，參照圖3進(jìn)行說明。圖3表示由本實施方式的異常檢測裝置70執(zhí)行的數(shù)據(jù)取得處理的流程圖。在數(shù)據(jù)取得處理中，首先取得部73判定等離子體處理是否結(jié)束(步驟S305)。在等離子體處理未結(jié)束的情況下，取得部73重復(fù)步驟S305直到等離子體處理結(jié)束。在等離子體處理結(jié)束的情況下，取得部73關(guān)斷來自直流高壓電源14的直流高壓電力HV，進(jìn)而判定是否執(zhí)行直流高壓電力HV的反向施加(步驟S310)。在不執(zhí)行直流高壓電力HV的反向施加的的情況下，取得部73重復(fù)步驟S310直到執(zhí)行直流高壓電力HV的反向施加。直流高壓電力HV的反向施加被執(zhí)行的情況下，取得部73將高頻信號和AE信號的數(shù)據(jù)作為晶片脫離時的取樣數(shù)據(jù)存儲于存儲部76 (步驟S315)。接著，取得部73判定用于輸送晶片W的輸送閘閥36是否打開(步驟S320)。取得部73取得取樣數(shù)據(jù)直到輸送閘閥36打開，若輸送閘閥36打開則本處理結(jié)束。圖4表示通過以上所說明的數(shù)據(jù)取得處理而被取樣的數(shù)據(jù)的一個例子。圖4的各圖表的橫軸表示時間，縱軸表示電壓。圖4的左方的各圖表按照從上到下的順序為行波的高頻信號(BtmPf)的數(shù)據(jù)、反射波的高頻信號(BtmPr)的數(shù)據(jù)、AE信號(BtmAE)的數(shù)據(jù)、直流高壓電力HV的數(shù)據(jù)。在行波的高頻信號(BtmPf)和反射波的高頻信號(BtmPr)下電壓值急劇下降的部分，為等離子體處理結(jié)束的時點，表示將第二高頻電源50的高頻電力設(shè)為關(guān)斷時。圖4的中央的各圖表是將圖4的左方的各圖表放大后的圖。如圖4的中央的最下邊的圖表所示，可知在關(guān)斷了直流高壓電力HV之后，在進(jìn)行反向施加的中途，在圖4的中央上側(cè)表示為三個的行波的高頻信號(BtmPf )、反射波的高頻信號(BtmPr )和AE信號(BtmAE )中，引起了在圖中用粗箭頭表示的晶片上的異常放電。圖4的右側(cè)的各圖表為將圖4的中央上側(cè)的兩個圖表進(jìn)一步放大的圖。另外，在進(jìn)行晶片的缺陷檢查時，在檢測出圖4那樣的異常波形的晶片上確認(rèn)有放電痕跡。根據(jù)以上的實驗結(jié)果可知，晶片脫離時的動作和晶片上的異常放電有關(guān)聯(lián)。[動作異常放電的檢測]根據(jù)以上的研究結(jié)果，下面參照圖5對本實施方式的異常檢測裝置70的異常放電的檢測動作進(jìn)行說明。圖5表示由本實施方式的異常檢測裝置70執(zhí)行的異常放電檢測處理的流程圖。在異常放電檢測處理中，首先，分析部74取得由取得部73取得的晶片脫離時的取樣數(shù)據(jù)(步驟S505)。例如，分析部74從存儲部76讀入晶片脫離時的取樣數(shù)據(jù)。接著，異常判定部75判定高頻信號的取樣數(shù)據(jù)中是否具有比預(yù)先確定的閾值A(chǔ)大的值的異常峰(步驟S510)。在存在異常峰的情況下，異常判定部75判定為在晶片W上有異常放電(步驟S515)，對等離子體處理控制部71指示了程序執(zhí)行的停止后(步驟S520)，結(jié)束本處理。 另一方面，在步驟S510中，高頻信號的取樣數(shù)據(jù)中沒有具有比預(yù)先確定的閾值A(chǔ)大的值的異常峰的情況下，異常判定部75判定AE信號的取樣數(shù)據(jù)中是否具有比預(yù)先確定的閾值B大的值的異常峰(步驟S525)。沒有異常峰的情況下，結(jié)束本處理。另一方面，在AE信號的取樣數(shù)據(jù)中存在具有比預(yù)先確定的閾值B大的值的異常峰的情況下，異常判定部75判定為在晶片W上有異常放電(步驟S515)，在對等離子體處理控制部71指示了程序執(zhí)行的停止后(步驟S520)，結(jié)束本處理。圖6表示以上說明的異常放電處理所使用的數(shù)據(jù)中，與高頻信號相關(guān)的數(shù)據(jù)的一個例子。圖6的各圖表的橫軸表不時間，縱軸表不電壓。圖6的各圖表是對于第I 12枚晶片反向施加直流高壓電力HV時的定向耦合器60的反射波的高頻信號(BtmPr)的數(shù)據(jù)。觀察反射波的高頻信號〔BtmPr)的狀態(tài)時，檢測出在反向施加直流高壓電力HV時在第2枚晶片、第5枚晶片、第6枚晶片、第8枚晶片、第9枚晶片中疑似異常峰的光譜(圖6的箭頭部分)。于是，異常判定部75在步驟S510中，在進(jìn)行上述比較處理時對高頻信號的最大振幅和閾值A(chǔ) (相當(dāng)于第一閾值)進(jìn)行比較，判定有無異常放電。圖7表示對反射波的高頻信號(BtmPr)的最大振幅和閾值A(chǔ)進(jìn)行比較后的圖。據(jù)此，異常判定部75判定為在第2、5、6、9枚晶片發(fā)生了異常放電，判定在第8枚晶片中發(fā)生低度的異常放電。發(fā)明者通過SEM (掃描型電子顯微鏡)檢查擊穿(arching)痕時，在第2、5、6、9枚晶片上產(chǎn)生的擊穿痕比在第8枚晶片上產(chǎn)生的擊穿痕大。判斷為在閾值C以上發(fā)生異常放電，以電壓值的大小區(qū)分異常放電的大小。也就是判斷為在閾值A(chǔ)以上為比較大的異常放電、在閾值C以上為低度的異常放電。這樣，可知在反向施加HV時以反射波的高頻信號(BtmPr)發(fā)生了異常波形的晶片和有擊穿痕的晶片一致。另外，可知反射波的高頻信號(BtmPr)的最大振幅的值與擊穿痕的大小相關(guān)。另外，在本實施方式的異常探測方法中，即使在一枚中檢測到異常放電的情況下，也進(jìn)行控制立即使等離子體處理停止。另外，關(guān)于閾值C，在后述的變形例中進(jìn)行說明。下面，圖8表示異常放電處理所使用的數(shù)據(jù)中與AE信號有關(guān)的數(shù)據(jù)的一個例子。圖8的各圖表的橫軸表不時間，縱軸表不電壓。圖8的各圖表為對于第I 12枚晶片反向施加直流高壓電力HV時的AE傳感器61的AE信號(BtmAE)的數(shù)據(jù)。
觀察AE信號(BtmAE)的狀態(tài)時，檢測出在反向施加直流高壓電力HV時在第2、5、6、8、9枚晶片中疑似異常峰的光譜(圖8的箭頭部分)。于是，異常判定部75在步驟S525中，當(dāng)進(jìn)行上述比較處理時對除去噪聲后的AE信號的最大振幅和閾值B (相當(dāng)于第二閾值)進(jìn)行比較，判定有無異常放電。這時，分析部74對AE信號進(jìn)行頻率分析。圖9的左方的各圖表為對于第2、5、6、8、9枚晶片的AE信號，圖9的中央的各圖表為對于第2、5、6、8、9枚晶片的AE信號的頻率分析后的數(shù)據(jù)。圖9的左方的各圖表和圖9中央的各圖表所示的箭頭，為應(yīng)該判定有無異常放電的部分。另外，分析部74使頻率分析后的數(shù)據(jù)通過上述的噪聲去除過濾器。圖10是表示比較除去噪聲后的AE信號(BtmAE)的最大振幅和閾值B的圖。據(jù)此，異常判定部75判定為在除去噪聲后的AE信號的最大振幅比閾值B大的第2、5、6、9枚晶片中發(fā)生異常放電，判定在除去噪聲后的AE信號的最大振幅比閾值B小的第8枚晶片中發(fā)生低度的異常放電。但是，在本實施方式的異常探測方法中，即使在一枚中檢測到異常放電的情況下，也進(jìn)行控制立即使等離子體處理停止。判斷為在閾值D以上發(fā)生異常放電，以除去噪聲后的BtmAE的最大振幅的大小來區(qū)分異常放電的大小。即判斷為在閾值B以上為比較大的異常放電，在 閾值D以上為低度的異常放電。比較以上的結(jié)果和晶片缺陷檢查的結(jié)果，可知在反向施加HV時以AE信號(BtmAE)產(chǎn)生異常波形的晶片和有擊穿痕的晶片一致。另外，可知高頻信號(BtmPr)的最大振幅、AE
號(BtmAE)的最大振幅值和擊穿痕的大小有相關(guān)性。AE傳感器61具有傳感器的靈敏度非常好的性質(zhì)。因此，用AE傳感器61檢測的AE信號包括很多噪聲，上述噪聲是不僅由等離子體異常放電的信號引起的、而且由等離子體處理裝置10的輸送閘閥36的開閉和用于晶片輸送的銷的上下動作引起的機(jī)械性振動等。由此，由于AE信號中含有的噪聲，可能降低等離子體異常放電的檢測精度。與此相對，在本實施方式的異常檢測方法中，對高頻信號的分析和AE信號的分析這兩者進(jìn)行分析。而且，在基于這些分析結(jié)果檢測到異常放電的情況下，進(jìn)行控制立即使等離子體處理停止。例如，通過不僅比較各信號的振幅的大小，還比較高頻信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻和AE信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻，也能夠判定有無異常放電。由于AE傳感器檢測機(jī)械性的振動，所以根據(jù)AE傳感器的設(shè)置場所和設(shè)置方法的不同，從異常放電發(fā)生場所至AE傳感器的振動的傳播速度發(fā)生變化。因此，例如如圖11所示，高頻信號中的異常峰的發(fā)生時刻與AE信號中的異常峰的發(fā)生時刻產(chǎn)生偏差。在對具體的高頻信號的最大振幅的發(fā)生時刻與AE信號的最大振幅的發(fā)生時刻進(jìn)行比較中，代替圖5的步驟S510首先通過步驟S525判定AE信號的取樣數(shù)據(jù)中是否存在異常峰。然后，在存在異常峰的情況下，前進(jìn)到步驟S510，判定高頻信號的取樣數(shù)據(jù)中是否存在異常峰。然后，在步驟S510中存在異常峰的情況下，比較高頻信號的最大振幅的發(fā)生時刻與AE信號的最大振幅的發(fā)生時刻。然后，在時間偏差大于規(guī)定的閾值的情況下，判定AE信號中包含的信號為噪聲，在時間偏差在閾值以內(nèi)的情況下，判定為發(fā)生了異常放電。這樣，通過基于高頻信號的分析結(jié)果除去AE信號中含有的噪聲，也能夠使等離子體異常放電的檢測精度提高。另外，僅基于高頻信號的分析結(jié)果也能夠檢測異常放電。另一方面，僅基于AE信號的分析結(jié)果檢測異常放電，不能除去上述噪聲，因此不優(yōu)選。以上，根據(jù)本實施方式的異常檢測裝置70，能夠根據(jù)取樣數(shù)據(jù)探測微小的異常放電。通過這種實時診斷，能夠使異常的處理快速停止，能夠防止成品率的降低。另外，在本實施方式的異常檢測方法中，根據(jù)在晶片W上容易產(chǎn)生異常放電的晶片脫離時的定時，收集取樣數(shù)據(jù)。據(jù)此，只要分析必要的取樣數(shù)據(jù)即可，因此能夠減輕處理的負(fù)荷，能夠?qū)崿F(xiàn)效率化。另外，在上述實施方式中，高頻信號的檢測使用了定向耦合器60，但高頻信號的檢測方法并不限定于本實施方式的內(nèi)容。在高頻信號的檢測中能夠使用例如檢測高頻電壓的RF探測器或檢測高頻電流的電流探測器這種所謂的RF傳感器。另外，定向耦合器60也包含在RF傳感器中。在使用定向耦合器60以外的RF傳感器的情況下，也如圖12所示，將該RF傳感器80連接于第二高頻電源50的匹配器51與載置臺12之間，更具體而言是連接于供電棒52。通過在靠近兼作下部電極DE的載置臺12的位置設(shè)置RF傳感器80，能夠進(jìn)行更正確的高頻信號的檢測。另外，在使用RF探測器或電流探測器的情況下，異常檢測裝置70的異常放電 的檢測動作也與上述相同。使用RF探測器作為RF傳感器80進(jìn)行取樣后的數(shù)據(jù)的一例用圖13表示。圖13的各圖表的橫軸表示時間，縱軸表示電壓。圖13的各圖表從上到下依次是利用RF探測器得到的數(shù)據(jù)、AE信號(BtmAE)、將利用RF探測器得到的數(shù)據(jù)的時間軸放大后的數(shù)據(jù)。在檢測出如圖13所示的異常波形的晶片上單獨進(jìn)行晶片的缺陷檢查時，確認(rèn)有放電痕跡。因此確認(rèn)了，使用定向耦合器60以外的傳感器作為RF傳感器80，也能夠判定異常放電的有無。[變形例]最后，參照圖11說明上述實施方式的變形例的異常檢測裝置70的異常放電的檢測動作。圖11表示用上述實施方式的變形例的異常檢測裝置70執(zhí)行的異常放電檢測處理的流程圖。在變形例的異常放電檢測處理中，首先分析部74取得由取得部73取得的晶片脫離時的取樣數(shù)據(jù)(步驟S505)。接著，異常判定部75判定在高頻信號的取樣數(shù)據(jù)中是否存在具有比預(yù)先確定的閾值C (參照圖7)大的值的異常峰(步驟S510)。在存在異常峰的情況下，異常判定部75判定為在晶片W上有異常放電(步驟S515)，對等離子體處理控制部71指示了程序執(zhí)行的停止后(步驟S520)，結(jié)束本處理。另一方面，在步驟S510中，高頻信號的取樣數(shù)據(jù)中不存在具有比預(yù)先確定的閾值C大的值的異常峰的情況下，異常判定部75判定AE信號的取樣數(shù)據(jù)中是否存在具有比預(yù)先確定的閾值D大的值的異常峰(步驟S525)。在存在異常峰的情況下，異常判定部75判定為在晶片W上有異常放電(步驟S515)，對等離子體處理控制部71指示了程序執(zhí)行的停止后(步驟S520)，結(jié)束本處理。如上所述，根據(jù)本變形例，設(shè)定為在圖7、圖10的閾值C、D以上發(fā)生異常放電。將異常放電的大小區(qū)分為閾值A(chǔ)、B以下為低度的異常放電、閾值A(chǔ)、B以上為比較大規(guī)模的異常放電，作為FDCXFault Detection and Classification),涉及異常放電發(fā)生原因的研究和對策。但是，即使低度的異常放電也與成品率降低有關(guān)，因此即使在閾值A(chǔ)、B以下，只要在閾值C、D以上就認(rèn)為“發(fā)生異常放電發(fā)生”，需要停止等離子體處理裝置。
以上，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但是，本發(fā)明不限于這些例子。只要是具有本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的通常的知識的人，在權(quán)利要求所記載的技術(shù)性思想的范疇內(nèi)，就能夠想到各種的變更例或修正例，對于這些，當(dāng)然應(yīng)該明白也屬于本發(fā)明的技術(shù)的范圍。例如，舉出將上述實施方式的異常檢測裝置使用于蝕刻處理裝置的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的異常檢測裝置不限于此，例如也可以應(yīng)用于成膜裝置、灰化處理裝置等。另夕卜，等離子體處理裝置的等離子體源，除了已述的實施方式中的平行平板等離子體以外，還能夠使用例如微波等離子體、磁控管等離子體、ICP等離 子體等各種等離子體。
權(quán)利要求
1.一種異常檢測裝置，其特征在于，具備 取得部，其取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號，所述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，所述AE傳感器用于檢測在所述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射； 分析部，其分析所取得的所述高頻率信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案；和異常判定部，其基于所述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和所述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。
2.如權(quán)利要求I所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述分析部基于所述高頻信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案，抽取所述被處理體脫離時的動作中的所述高頻信號的最大振幅和所述AE信號的最大振幅的值， 所述異常判定部通過比較所述高頻率信號的最大振幅和第一閾值、且比較所述AE信號的最大振幅和第二閾值，判定有無異常放電。
3.如權(quán)利要求I或2所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述RF傳感器是定向耦合器、RF探測器或者電流探測器中任一個。
4.一種異常檢測裝置，其特征在于，具備 監(jiān)視部，其監(jiān)視載置于處理室內(nèi)的等離子體處理后的被處理體從脫離開始直到打開輸送閘閥的動作，將所述動作規(guī)定為被處理體脫離時的動作； 取得部，其在被規(guī)定的所述被處理體脫離時的動作中，取得從定向耦合器輸出的行波或反射波中的至少任一種高頻信號，所述定向耦合器設(shè)置于對所述處理室內(nèi)施加高頻電力的高頻電源和匹配器之間或設(shè)置于作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極和所述匹配器之間； 分析部，其分析所取得的所述高頻率信號的波形圖案；和 異常判定部，其基于所述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。
5.如權(quán)利要求4所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述取得部取得從AE傳感器輸出的AE信號，所述AE傳感器用于檢測在所述處理室中產(chǎn)生的聲發(fā)射(AE)， 所述分析部分析所取得的所述AE信號的波形圖案， 所述異常判定部基于所述高頻信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。
6.如權(quán)利要求5所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述分析部基于所述高頻信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案，抽取所述被處理體脫離時的動作中的所述高頻信號的最大振幅和所述AE信號的最大振幅的值， 所述異常判定部通過比較所述高頻率信號的最大振幅和第一閾值、且比較所述AE信號的最大振幅和第二閾值，判定有無異常放電。
7.如權(quán)利要求2或6所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述異常判定部通過比較所述高頻率信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻和所述AE信號的最大振幅的產(chǎn)生時刻，判定有無異常放電。
8.如權(quán)利要求I 3、5 7中任一項所述的異常檢測裝置，其特征在于所述分析部對AE信號的波形圖案進(jìn)行頻率分析，在使用所希望的噪聲去除過濾器從進(jìn)行了頻率分析的數(shù)據(jù)中除去噪聲后，分析除去了噪聲的數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求I 3、5 8中任一項所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述AE傳感器安裝于對下部電極供給高頻電力的供電棒，所述下部電極還作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用。
10.如權(quán)利要求I 9中任一項所述的異常檢測裝置，其特征在于 每I μ sec 5 μ sec進(jìn)行所述高頻信號的取樣。
11.如權(quán)利要求I 10中任一項所述的異常檢測裝置，其特征在于 每I μ sec Imsec進(jìn)行所述AE信號的取樣。
12.如權(quán)利要求I 11中任一項所述的異常檢測裝置，其特征在于 所述監(jiān)視部，在關(guān)斷對靜電卡盤的電極施加的直流高壓電力的輸出時或反向施加了所述直流高壓電力時，判定為所述等離子體處理后的被處理體的脫離開始。
13.一種異常檢測方法，其特征在于，包括 取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號的步驟，所述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，所述AE傳感器用于檢測在所述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射； 分析所取得的所述高頻率信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案的步驟；和基于所述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和所述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電的步驟。
14.一種異常檢測方法，其特征在于，包括 監(jiān)視載置于處理室內(nèi)的等離子體處理后的被處理體從脫離開始直到打開輸送閘閥的動作，將所述動作規(guī)定為被處理體脫離時的動作的步驟； 在被規(guī)定的所述被處理體脫離時的動作中，取得從定向耦合器輸出的行波或反射波中的至少任一種高頻信號的步驟，所述定向耦合器設(shè)置于對所述處理室內(nèi)施加高頻電力的高頻電源和匹配器之間或設(shè)置于作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極和所述匹配器之間； 分析所取得的所述高頻率信號的波形圖案的步驟；和 基于所述高頻率信號的波形圖案的分析結(jié)果，判定有無異常放電的步驟。
15.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備 對基板進(jìn)行處理的處理室； 在所述處理室內(nèi)進(jìn)行等離子體生成的等離子體生成機(jī)構(gòu)；和 與所述等離子體生成機(jī)構(gòu)的供電部連接、檢測所述等離子體的異狀的異常放電檢測裝置， 所述異常放電檢測裝置包括 取得部，其取得從RF傳感器輸出的高頻信號和從AE傳感器輸出的AE信號，所述RF傳感器設(shè)置于將高頻電力施加在對被處理體進(jìn)行等離子體處理的處理室內(nèi)的高頻電源的匹配器和作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極之間，所述AE傳感器用于檢測在所述處理室產(chǎn)生的聲發(fā)射；分析部，其分析所取得的所述高頻率信號的波形圖案和所述AE信號的波形圖案；和異常判定部，其基于所述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果和所述AE信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠提高異常放電的判定精度、且降低數(shù)據(jù)處理的負(fù)荷的異常檢測裝置和異常檢測方法。一種異常檢測裝置，具備監(jiān)視部，其監(jiān)視載置于處理室(C)內(nèi)的晶片(W)即等離子體處理后的晶片從脫離開始直到打開輸送閘閥的動作，將所述動作規(guī)定為晶片脫離時的動作；取得部，在被規(guī)定的所述晶片脫離時的動作中，取得從定向耦合器輸出的行波或反射波中的至少任一種高頻信號，所述定向耦合器設(shè)置于對所述處理室內(nèi)施加高頻電力的高頻電源和匹配器之間或設(shè)置于作為載置被處理體的載置臺發(fā)揮作用的下部電極和所述匹配器之間；分析部，其分析取得的所述高頻信號的波形圖案；和異常判定部，其基于所述高頻信號的波形圖案的分析結(jié)果判定有無異常放電。
文檔編號H01J37/32GK102856149SQ201210216909
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者中谷理子, 大嶺治樹, 綱本哲, 長池宏史 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社