專利名稱：高密度寬帶離子束產生用的小外觀因子等離子源的制作方法
高密度寬帶離子束產生用的小外觀因子等離子源
背景技術：
離子植入器常用在生產集成電路中以在半導體晶片(通常為硅)中由P型摻雜或η型摻雜形成不同傳導性區(qū)。在此類裝置中，使用等離子源來電離摻雜氣體。從源中提取一束正離子(positive ion)，將其加速至所要的能量，對其進行質量過濾，然后將其引導朝向晶片。當離子撞擊晶片時，其穿透晶片到一定深度(取決于其動能和質量)并形成不同導電性的區(qū)(取決于摻雜元素濃度)。這些區(qū)的η摻雜性質或P摻雜性質，以及其在晶片上的幾何配置界定其在晶體管內的功能性(例如，η-ρ-η結或ρ-η-ρ結)。通過許多此類摻雜區(qū)的相互連接，晶片可轉換成復雜的集成電路。離子束電流的量由來自等離子源的離子提取率給定，如方程式I所展示
dNcx[r/dt = Aiis1Vb( I )其中A = h0Xw0為提取孔的橫截面面積(其中hQ和W0分別為縫(slit)高度和寬度)，nsi為在等離子鞘層邊緣處的離子密度(大約等于電子主體密度的O. 61倍)，且Vb = (kBTe/mi)1/2為博姆速度(Bohm velocity)(其中kB、Te和Hii分別為玻爾茲曼常數(shù)(Boltzmann constant)、電子溫度和離子質量)。由于用于同一離子種類的離子博姆速度隨著電子溫度(其略微隨等離子操作參數(shù)而變)的平方根而變化，所以可得到的等離子密度為在設計離子源時所關注的特性?，F(xiàn)有技術展示，已證實有限數(shù)目的等離子源具有足夠的等離子密度以用作離子源。在一些實施例(例如伯納源(Bernas source))中，電弧放電(arc discharge)形成等離子。使用由來自鶴絲(tungsten filament)的熱離子發(fā)射而產生的電子通量以產生且維持高電弧等離子密度。在其它實施例中，使用例如間接加熱陰極(indirectly heated cathode, IHC)的電弧放電形式以減少細絲到等離子的有害暴露,且因此以延長源的使用壽命，由來自間接加熱陰極的熱離子發(fā)射提供必要的電子?；陔娀〉牡入x子源形成可接受量的提取束電流，且因此在半導體工業(yè)中用作目前多數(shù)離子植入器上的離子源。然而，基于電弧的等離子源的可縮放性有限。如在方程式I中所見，可用于增加離子束電流的另一因素為提取縫的橫截面面積。對于使用矩形提取縫的帶束，縫高度受限于提取光學器件(extraction optics)，所述器件為了實現(xiàn)低光行差效應(aberration effects)所以需要窄的提取縫。因此，縫高度通常僅為幾毫米?？p寬度受限于等離子源在較大空間維度上形成具有均勻密度的等離子的可用性。即使使用外部磁場來改良等離子的均勻性，基于電弧放電的離子源仍然無法為寬于90毫米(mm)的縫提供良好(< 5% )均勻性。因此，為了允許當前300mm直徑的硅晶片工業(yè)標準的離子植入，必須擴展離子束，這個過程意味著束電流會發(fā)生顯著損失。對于高產量太陽能電池應用或對于下一代450mm直徑的晶片標準,必須開發(fā)具有超過至少450mm的良好均勻性的寬帶(wideribbon)離子束(且因此開發(fā)此種等離子源)。一個可能的候選物為電感稱合等離子源(inductively coupled plasmasource,ICP)。不同于將等離子限制為電弧電極的電弧放電，在此放電中，通過天線將來自RF產生器的功率稱合到工作氣體(working gas)來產生等離子。流經天線的高RF電流(i(t))引起時間變化磁場(B (t))，如方程式2所展示
B(t) i(t) (2)根據(jù)麥克斯韋第三電動力學定律(Maxwell' s 3rd electrodynamicslaw),如方程式3所展示curj g _ dB/dt(3)其在位于天線附近的空間區(qū)中產生強烈的電場(electric field)，E。因此，電子獲得來自感應電場的能量，且能夠通過電離碰撞來電離氣體原子和/或分子。由于流經天線的電流增加(與施加的RF功率成比例)，所以感應電場同樣增加，這意味著由電子獲得的能量也會增加。通常從RF源到等離子電子的此功率轉移通過奧姆(碰撞)加熱或隨機(無碰撞)加熱在RF窗附近的表皮深度層內進行。對于碰撞支配的等離子，由方程式4給定層的厚度
廣、1/2 δ = \^—\ (4)
乂 ojfi σ J其中ω = 2 f為RF脈動(f為RF頻率)，μ Q = 4 π X 10_7H/m為真空的磁導率，且如方程式5所界定，
ne2σ =--(5)
mvσ為dc等離子導電性(其中η、e、me&V。分別為電子密度、電荷、質量及碰撞頻率)。對于大約IO11cnT3的典型ICP等離子密度，表皮層厚度通常為幾厘米?，F(xiàn)有技術中描述的多數(shù)ICP源為圓柱形。圖IA顯示現(xiàn)有技術ICP等離子源100的橫截面。優(yōu)選使用介電圓柱101以容納低壓氣體且允許RF功率發(fā)射。圓柱由兩個金屬凸緣102和103在兩個開口端處真空密封。為了正常運行，介電圓柱101內的氣壓可由使用質量流控制器、真空閥和真空泵的氣流-氣體抽吸系統(tǒng)(未圖示)維持在少于20毫托(mTorr)。近端的凸緣102具有入口 104，所要的工作氣體通過入口以一定的流率(flow rate)進入到等離子腔室105中。RF天線106緊緊包在介電圓柱101周圍。介電圓柱101可由例如硼娃酸玻璃(pyrex)、石英或氧化招等適當?shù)牟牧辖M成。在其它實施例中，使用與環(huán)形介電窗配合的螺旋形天線和金屬圓柱。RF天線106由RF產生器(未圖示)供給能量。由匹配網(wǎng)絡(matching network)(未圖示)來達到與可變等離子阻抗的RF匹配。使用由RF天線106轉移到自由電子的能量在腔室105內電離氣體。遠程的凸緣103具有較大的開口 107以允許通過抽吸口 108進行真空抽吸。第二真空腔室109 (其通過絕緣襯套110而與凸緣103電性絕緣)含有用以提取離子束的光學器件111。提取電極通常放置在圓柱等離子腔室105的末端處，且沿著介電圓柱101的直徑對準。此幾何形狀的缺點是等離子在徑向上是非均勻的，即，等離子柱(plasma column)在放電軸上具有非常尖的密度輪廓。沿著徑向方向特性的此非均勻的等離子密度輪廓限制了將此幾何形狀應用于大面積等離子處理。如在圖IB中所見，等離子密度在等離子腔室105的中心到達最高點，且朝向介電圓柱101的壁急劇減少。對于離子植入，由此可見密度輪廓可最佳用于具有幾厘米的有用直徑的較小點狀的束。然而，為了實現(xiàn)較大的離子植入產量，需要寬且高的電流密度帶離子束。即使結合擴散腔室使用來改良徑向均勻性，此類等離子源還是需要極大量的功率以形成跨越500 600_直徑的直徑的合理等離子密度( IO10Cm 3 到 IO11Cm 3)。
因此，從離子植入觀點來看，可有效利用由ICP等離子源產生的相對高等離子密度但形成寬且均勻的帶離子束的離子源將會是有利的。

發(fā)明內容
由本揭示解決現(xiàn)有技術的問題，本揭示描述一種能夠利用ICP等離子源產生寬且均勻的帶離子束的離子源。與常規(guī)ICP源相反，本揭示描述的ICP源不是圓柱形的。事實上，界定源使得其寬度大于其高度，所述寬度為沿著其提取束的維度?？山缍ㄔ吹纳疃纫允箯奶炀€到等離子的能量轉移最大化，但在離子束提取區(qū)域中允許用于良好等離子均勻性的足夠長的擴散長度。結果是具有小外觀因子(form factor)(界定為等離子腔室深度與腔室高度和寬度的幾何平均值之間的比)的等離子源，其可實現(xiàn)最佳RF功率沉積，且因此，可實現(xiàn)高等離子密度( 5 X IO11CnT3到IO12CnT3)。


圖IA說明現(xiàn)有技術的ICP源。 圖IB說明用于圖IA中所顯示的等離子源的徑向等離子密度輪廓。圖2A顯示根據(jù)一個實施例的ICP等離子源的垂直橫截面。圖2B顯示根據(jù)一個實施例的ICP等離子源的水平橫截面。圖2C顯示根據(jù)一個實施例的ICP等離子源的正面圖。圖2D顯示根據(jù)一個實施例的具有一個提取縫的ICP等離子源的端視圖。圖2E顯示根據(jù)另一實施例的具有三個提取縫的ICP等離子源的端視圖。圖3A顯示根據(jù)第二實施例的具有軸向尖磁場幾何形狀的ICP等離子源的垂直橫截面。圖3B顯示根據(jù)第二實施例的具有軸向尖磁場幾何形狀的ICP等離子源的水平橫截面。圖3C顯示根據(jù)第二實施例的具有軸向尖磁場幾何形狀的ICP等離子源的正面圖。圖4A顯示尖場配置中的磁體和間隔物位移以及磁場線。圖4B顯示在垂直于腔室壁的方向上到等離子腔室中的磁場穿透深度。圖4C顯示在等離子腔室中的無磁場區(qū)。圖5A顯示用于BF3等離子的所提取的離子束電流。圖5B顯示用于PH3等離子的所提取的離子束電流。
具體實施例方式圖2A到圖2D顯示根據(jù)本揭示的ICP等離子源200的主要組件。在圖2A中顯示通過等離子源200中心的垂直橫截面(在yz平面中)。使用優(yōu)選由鋁制成的腔室主體201來容納低壓氣體并允許等離子產生。在一些實施例中，腔室主體201可具有150_的高度(h)和140mm的深度(d)。源200的前側包含靠著腔室主體201真空密封的介電窗202。介電窗202可由石英(quartz)、氧化招(alumina)、異丙隆(alon)、藍寶石(sapphire)或任何其它合適的介電材料構造?？捎嬎憬殡姶?02的厚度使得材料能夠在大約200 300°C的熱應力下維持大約I大氣壓的壓力差。在一些實施例中，使用2. 5cm厚的石英窗，而在其它實施例中，可使用19mm 98%的氧化鋁窗或8mm藍寶石窗。平面螺旋天線203定位在介電窗202旁邊且平行于介電窗202，所述平面螺旋天線203將來自RF功率產生器(未圖示)的能量耦合到電子，然后解離并電離容納在腔室主體201內的氣體分子。平面螺旋天線203優(yōu)選由銅管制成以允許冷卻。由匹配網(wǎng)絡(未圖示)來完成50 QRF產生器輸出阻抗(outputimpedance)到可變等離子阻抗的匹配。等離子腔室后壁217 (與介電窗202相對)具有容納含有射束提取縫205的面板(face plate) 204的槽。提取縫優(yōu)選在垂直中線213處。等離子腔室主體201、介電窗202以及后壁217界定腔室218。如在展開圖中所顯示，等離子腔室中的開口 206大于提取縫205以防止等離子邊緣效應(plasma edge effect) 0等離子源200安裝在更大的真空腔室上(未圖示)且用高溫碳氟化合物O形環(huán)207真空密封。工作氣流由質量流量控制器(未圖示)調節(jié)，然后發(fā)送到共享輸入氣體線。在一些實施例中，通過兩個氣體入口 208將氣體引入到等離子腔室主體201中，所述兩個氣體入口 208對稱地放置在腔室主體201的底部和頂部上。這些氣體入口 208在z方向上放置在離介電窗202 —段距離(例如，5厘米)處。在一些實施例中，通過提取縫205來完成真空抽吸。在此實施例中，先前描述的饋入-抽吸 幾何形狀確保等離子源200內部均勻的氣體分布。在圖2B中呈現(xiàn)通過等離子源200的水平橫截面。在此實施例中，使氣體入口 208位于沿著等離子腔室主體201寬(w)的中心。在其它實施例中，定位氣體入口 208使得其位于頂部和底部上，且涉及水平中線214對稱。在另一實施例中，使用兩個以上氣體入口 208。在一些其它實施例中，定位這些氣體入口 208，以便涉及等離子腔室主體201的寬度對稱并均勻地分布。換句話說，氣體入口 208可在X方向上為等空間的(equi-spaced)。針對適當?shù)臍怏w解離和后續(xù)電離，在等離子源200內的氣壓優(yōu)選維持在ImTorr到99mTorr的范圍內。針對壓力監(jiān)測,通過使用端口 209優(yōu)選將例如Baratron或Pirani等壓力計(pressure gauge)連接到腔室。由提取縫205的氣體流速和傳導性控來制腔室中的氣壓。在另一實施例中，為了實現(xiàn)獨立的壓力控制，將兩個較大真空傳導-抽吸端口定位于源側壁上。在圖2C中描繪等離子源200的正面圖。為了圖的清晰起見，省略了一些細節(jié)。在此實施例中，使腔室主體201的角逐漸變尖，以大約遵循細長的螺旋狀天線形，從而形成八邊形主體。在其它實施例中，腔室主體201可為細長的橢圓，例如，在相對端處具有半圓柱的長方體。在其它實施例中，腔室主體201可為具有兩個正交維度(orthogonaldimension)的任何長方形幾何形狀，其中維度中的一者的長度大于第二維度中的長度。不同于螺線管天線，此幾何形狀相對于介電窗平面提供感應電場的平行方位。結果，電子在平行于X方向的方向上加速。天線匝的直的部分與提取縫方位平行，且比縫的腰部長，因此預期沿著在定位提取縫的空間范圍中的X方向的均勻等離子密度。如在圖2A到圖2B中所顯示，提取縫205沿著X方向，且沿著垂直中線213由腔室主體201的頂部壁和底部壁對稱隔開。提取縫205的位置可在圖2D中更好地看見，其中描繪了等離子腔室主體201的端視圖。取決于所要的提取電流線性密度值以及可用的提取光學器件，提取縫205的高度可在大約2mm到5mm之間。提取縫205的寬度由待從等離子源200提取的帶束的寬度來確定。為了植入450mm直徑的晶片，可使用具有至少500mm寬度的帶離子束。
為了允許正離子的提取，等離子腔室主體201由高電壓直流(DirectCurrent，DC)電源(未圖示)在正電位(positive potential)處電偏壓?？山Y合等離子源200來使用由一組各種電位的電極組成的提取光學器件，例如在圖IA中所顯示。在一個實施例中(在圖2D中所顯示)，使用單個提取縫205來提取離子束。在其它實施例中，使用例如在圖2E中所顯示的多個提取縫205a到205c以出于增加所提取的電流和/或多條線植入的目的來提取多個細束(beamlet)。為了實現(xiàn)更高的等離子密度和更好的均勻性，可使用磁多尖形(multicusp)約束結構。圖2A到2E顯示方位角型(azimuthal)的多尖形配置的圖?？蔀橛谰么朋w(permanentmagnet)的磁體210的數(shù)組以及間隔物211包圍腔室主體201。磁體210可具有正方形橫截面。在一些實施例中，磁體210具有9. 5X9. 5mm2的橫截面以及157mm的較長尺寸。磁體210可由耐溫達到大約350°C的磁性材料制成,例如衫鈷(samarium-cobalt, Sm-Co)。間隔物211定位于磁體210之間，且由例如鋁等非磁性材料制成。磁體210以交替形式排列。 例如，一個磁體210的磁化向量(magnetization vector)垂直于腔室主體201的壁,方向是向內指，而鄰近磁體210具有向外定向的磁化向量。為了增加腔室218內部的磁場強度，且為了遮蔽腔室218外部的遠程場線，可使用例如一個由鐵或磁鋼構造的磁軛(magneticyoke) 212來覆蓋磁多尖形約束結構，因此提供用于處于等離子源200外部的磁場線的較短路徑。如在圖2A到圖2E中所顯示，為了尖形配置的正常運行，優(yōu)選良好的磁對稱(magneticsymmetry)。例如,在腔室主體201的頂部側上在(x = 0,y = +d/2)處的S-N定向磁體(其中X = O且y = O分別界定垂直中線和水平中線，見圖2C)應面向在腔室主體201的底部側上在(X = O, y = -d/2)處的N-S定向磁體。在等離子腔室的所有其它側上類似,在(x=_w/2, y = 0)處的N-S定向磁體應面向在(X = +w/2, y = 0)處的S-N定向磁體的相對偵1J。缺乏磁對稱可導致頂部-底部磁偶極配置(magnetic dipole configuration),所述配置將造成在某些空間位置處收集帶電粒子(charged particle),從而對等離子均勻性產生有害影響。在圖2A到圖2E中顯示的磁尖形結構界定為方位角型，因為將磁體210與沿著z的最長維度對準，且除了尖形位置以外，合成磁場(resultantmagnetic field)沿著腔室主體201的周邊定向。在另一實施例中，界定為在圖3A到圖3C中所顯示的軸向尖形，磁體210與沿著腔室主體201的周邊的最長維度一起定向，且合成磁場沿著z方向。圖3A顯示腔室318的垂直橫截面圖，其中可看見磁體210的軸向方位。類似地，圖3B顯示水平橫截面，顯示磁體210的方位。已界定等離子源200的的組件之后，將描述與每一腔室維度、天線形狀和尺寸以及磁尖形形貌(topography)相關聯(lián)的限制。腔室的寬度(S卩，在圖2A到圖2E以及圖3A到圖3C中的w)由帶離子束所要的寬度確定。例如，針對500mm的寬帶離子束，腔室的寬度可為600mm到700mm之間的距離，例如660mm。更大的寬帶束將相應需要更大的腔室寬度。針對有界的等離子，電離頻率取決于放電功率和等離子密度，但其為電子溫度O；)、氣壓(P)以及特有的等離子長度(L)的函數(shù)。由等離子量與等離子邊界表面之間的比給定特有的等離子長度(L)。針對具體操作條件，由等離子生產量與到壁的等離子損失量之間的平衡給定特有的等離子長度值。由于等離子腔室的一個維度由離子束的所要寬度設定，所以就等離子腔室外觀因子ξ來最佳地描述等離子生產。針對圓柱形等離子腔室(例如，在圖IA中所顯示的ICP等離子源100)，外觀因子通常界定為等離子腔室深度與等離子腔室直徑的比。針對其中一個維度大于第二維度的矩形幾何形狀或長方形幾何形狀，外觀因子可界定為等離子腔室深度(d)與其它兩個正交維度(w和h)的幾何平均值(geometrical mean)的比,如由方程式6所界定
權利要求
1.一種用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，包括 腔室，包括 腔室主體，包括頂部表面、底部表面以及側表面，所述腔室主體具有長度以及高度，其中所述高度小于所述長度； 介電窗；以及 端，與所述介電窗相對且具有平行于所述頂部表面以及所述底部表面的至少一個提取縫； 至少一個氣體入口，允許氣體流動到所述腔室中； 細長的螺旋天線，經配置以在所述腔室中激發(fā)所述氣體以形成等離子，所述天線接近所述介電窗定位；以及 提取光學器件，接近所述提取縫定位以通過所述縫從所述等離子中提取離子以便形成帶離子束。
2.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，進一步包括接近所述頂部表面、所述底部表面以及所述側表面的磁約束結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的電感耦合等離子源，其特征在于，所述磁約束結構包括 包括磁性材料的軛； 多個磁體；以及 定位于所述多個磁體的每一者之間的一個或多個非磁性間隔物。
4.根據(jù)權利要求3所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，布置所述多個磁體使得一個磁體的北極面向所述腔室，且鄰近磁體的南極面向所述腔室。
5.根據(jù)權利要求3所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述磁體的較長維度沿著所述腔室主體的周邊定向。
6.根據(jù)權利要求3所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述磁體的較長維度沿著所述腔室主體的深度定向。
7.根據(jù)權利要求2所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述磁約束結構在所述腔室內形成磁場，以及確定所述寬度的最小值使得在所述腔室的對應于垂直中線的那部分內不存在磁場。
8.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述腔室具有界定為所述介電窗與所述相對端之間的距離的深度，且基于所述天線對于所述等離子的最佳產生來確定所述深度。
9.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，基于所述帶束的所述所要的寬度來確定所述長度。
10.根據(jù)權利要求2所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述磁約束結構在所述腔室內形成磁場，且基于提取縫的所述所要的數(shù)量以及所述磁場穿透深度來確定所述高度。
11.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，沿著水平中線定位所述氣體入口。
12.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述天線在13. 56兆赫下被供給能量。
13.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述天線在O. 46兆赫、2. O兆赫、27兆赫或60兆赫下被供給能量。
14.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其特征在于，所述腔室主體包括八角形，其中一錐形表面將所述頂部表面與所述底部表面附接到所述側表面中的每一者。
15.根據(jù)權利要求I所述的用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，其中所述腔室主體的所述側表面包括附接到所述頂部表面以及所述底部表面的半圓柱體。
16.一種用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，包括 腔室，包括 腔室主體，所述腔室主體包括頂部表面、底部表面以及兩個側表面且具有八角形的橫截面，其中一錐形表面將所述頂部表面附接到所述側表面中的每一者，一錐形表面將所述底部表面附接到所述側表面中的每一者，其中所述腔室主體具有長度以及高度，其中所述高度小于所述長度； 介電窗；以及 端，與所述介電窗相對且具有平行于所述頂部表面以及所述底部表面的至少一個提取縫； 至少一個氣體入口，允許氣體流動到所述腔室中； 細長的螺旋天線，經配置以在所述腔室中激發(fā)所述氣體以形成等離子，所述天線接近所述介電窗定位； 磁約束結構，接近所述頂部表面、所述底部表面、所述錐形表面以及所述兩個側表面；以及 提取光學器件，接近所述提取縫定位以通過所述縫從所述等離子中提取離子以便形成帶離子束。
17.一種用于提取帶離子束的電感耦合等離子源，包括 腔室，包括 腔室主體，所述腔室主體包括頂部表面、底部表面以及兩個側表面且具有八角形的橫截面，其中一錐形表面將所述頂部表面附接到所述側表面中的每一者，一錐形表面將所述底部表面附接到所述側表面中的每一者，其中所述腔室主體具有長度及高度，其中所述高度在150暈米與250暈米之間，且所述長度在600暈米與700暈米之間； 介電窗；以及 端，與所述介電窗相對、與所述窗分離100毫米與200毫米之間且具有平行于所述頂部表面以及底部表面的至少一個提取縫； 至少一個氣體入口，允許氣體流動到所述腔室中； 細長的螺旋天線，其在13. 56兆赫下被供給能量，其經配置以在所述腔室中激發(fā)所述氣體以形成等離子，所述天線接近所述介電窗定位； 磁約束結構，接近所述頂部表面、所述底部表面、所述錐形表面以及所述兩個側表面；以及 提取光學器件，接近所述提取縫定位以通過所述縫從所述等離子中提取離子以便形成帶離子束。
全文摘要
揭示一種離子源(200)，其能夠利用電感耦合等離子生產來產生高密度寬帶離子束。與常規(guī)電感耦合等離子源相反，本揭示所描述的電感耦合等離子源不是圓柱形的。事實上，將所述源界定成使得其寬度(w)大于其高度(h)，所述寬度(w)為沿著其提取所述束的維度。可界定所述源的深度(d)，使從天線(203)到等離子的能量轉移最大化。在另一實施例中，使用包圍所述電感耦合等離子源的多尖形磁場(210，211，212)，進一步增加電流密度且改良所提取的離子束的均勻性。亦可通過包含氣流率以及輸入射頻功率的若干個獨立的控制要素來控制離子束的均勻性。
文檔編號H01J37/317GK102934195SQ201180027850
公開日2013年2月13日 申請日期2011年4月21日 優(yōu)先權日2010年4月26日
發(fā)明者科斯特爾·拜洛, 杰·舒爾, 約瑟·歐爾森, 法蘭克·辛克萊, 丹尼爾·迪斯塔蘇 申請人:瓦里安半導體設備公司