技術(shù)編號：2944142
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高密度寬帶離子束產(chǎn)生用的小外觀因子等離子源背景技術(shù)離子植入器常用在生產(chǎn)集成電路中以在半導(dǎo)體晶片(通常為硅)中由P型摻雜或η型摻雜形成不同傳導(dǎo)性區(qū)。在此類裝置中，使用等離子源來電離摻雜氣體。從源中提取一束正離子(positive ion)，將其加速至所要的能量，對其進(jìn)行質(zhì)量過濾，然后將其引導(dǎo)朝向晶片。當(dāng)離子撞擊晶片時，其穿透晶片到一定深度(取決于其動能和質(zhì)量)并形成不同導(dǎo)電性的區(qū)(取決于摻雜元素濃度)。這些區(qū)的η摻雜性質(zhì)或P摻雜性質(zhì)，以及其在晶片上的幾何配置...
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